Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件
2011-05-13 08:44:56
928 器件銷售 2,772.30 億元，2020 年中國半導體分立器件銷售 2,966.30 億元，預計 2023 年分立器件銷售將達到 4,428 億元。
分立器件部分細分市場情況之場效應(yīng)管市場情況
2023-05-26 14:24:29
`Littelfuse保險絲在行業(yè)內(nèi)是一個成熟產(chǎn)品品牌，在眾多的Littelfuse保險絲型號中，如何選出最佳的過流電路保護元器件是個技術(shù)性問題。下面我們就來了解了解Littelfuse保險絲
2017-08-03 10:08:06
`Littelfuse保險絲在行業(yè)內(nèi)是一個成熟產(chǎn)品品牌，在眾多的Littelfuse保險絲型號中，如何選出最佳的過流電路保護元器件是個技術(shù)性問題。下面我們就來了解了解Littelfuse保險絲
2017-08-04 12:32:38
，推出能滿足當前市場所需求的保險絲器件，深圳集電通作為Littelfuse力特一級代理商，擁有Littelfuse保險絲多種型號的現(xiàn)貨，且集電通庫存的Littelfuse保險絲均為原裝進口的，需要批量購買Littelfuse保險絲的廠家可咨詢集電通在線工程師更詳細事宜。`
2017-08-18 11:06:01
` 誰來闡述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06:28
誰來闡述一下mosfet是電壓型器件嗎
2019-10-25 15:58:03
介紹分立電阻器檢定測試系統(tǒng)的幾個常用操作步驟
2021-05-10 07:13:37
龍 樂(龍泉長柏路98號l棟208室，四川 成都 610100)摘 要：分立器件封裝也是微電子生產(chǎn)技術(shù)的基礎(chǔ)和先導-本文介紹國內(nèi)外半導體分立器件封裝技術(shù)及產(chǎn)品的主要發(fā)展狀況，評述了其商貿(mào)市場
2018-08-29 10:20:50
?概述負載開關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛，主要用來控制后級負載的電源開關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實現(xiàn)。本文主要討論分立器件的實現(xiàn)的細節(jié)。電路分析如下圖所示R5模擬后級負載，Q1為開關(guān)，當R3端口的激勵源為高電平時，Q2飽和導通，MOS管Q1的VGS
2021-10-28 08:28:45
分立器件綜合設(shè)計實驗1、實驗?zāi)康蘑?掌握二極管的單向?qū)щ娞匦院投O管的鉗位作用；② 掌握三極管的開關(guān)作用和放大作用；③ 掌握發(fā)光二極管LED的應(yīng)用；2、實驗題目線間短路檢測電路的設(shè)計
2009-03-19 14:53:14
和 SW2開關(guān)都配備了 MOSFET，開關(guān)頻率因此可高至 2MHz。分立式設(shè)計 異步 同步集成電感圖2：集成降壓轉(zhuǎn)換器的發(fā)展（圖片來源：Recom）集成線圈是小型化的關(guān)鍵在開關(guān)成功傳換成 MOSFET
2022-01-08 07:00:00
`硅瞬態(tài)抑制器件可分為兩大類：具有固定電壓的硅瞬態(tài)抑制二極管（TVS）和非固定電壓的晶閘管結(jié)構(gòu)瞬態(tài)抑制器件（TSS）。瞬態(tài)抑制器件選用一般遵循以下原則：1）器件反向轉(zhuǎn)折電壓不低于電路的正常工作電壓
2017-06-27 09:30:27
DCT1401半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)西安天光測控DCT1401半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs
2022-02-17 07:44:04
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
實現(xiàn)了具有硅半導體無法得到的突破性特性的碳化硅半導體（SiC半導體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導體功率元器件領(lǐng)域，實現(xiàn)了從分立式半導體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實力的復合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
。例如，自六年前Digi-Key首次發(fā)布以來，即使SiC MOSFET價格仍然高出2-3倍，TO-247中1200 V，80mΩ器件的價格也下降了80％以上。比類似的硅IGBT。在今天的價格水平上，設(shè)計人
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。在這里，分以下二個方面進行闡述：一是以傳統(tǒng)的硅半導體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-28 14:34:33
校準 對傳統(tǒng)的硅基分立器件（硅IGBT和硅MOSFET），通常是用柔性電流探頭（羅氏線圈）去測試集電極電流或漏極電流。但對于開關(guān)速度更快的碳化硅MOSFET，在實際測試過程中，由于柔性電流探頭測試
2023-02-27 16:14:19
分立器件，紫銅框架，TO-92封裝，品質(zhì)過關(guān)，價格適中，多種產(chǎn)品型號：S9012/S9013S9014/S90155551/54012N4401/2
2019-02-19 14:44:48
如何建立分立器件，如下圖所示
2019-12-27 09:05:57
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
運動。MOSFET的控制柵壓作用于橫跨絕緣層的溝道區(qū)，而不像結(jié)型場效應(yīng)管那樣橫跨PN結(jié)。柵極用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)來絕緣。MOSFET可以是P溝道也可以是N溝道，其工作可以是耗盡型或者增強型
2012-01-06 22:55:02
運動。MOSFET的控制柵壓作用于橫跨絕緣層的溝道區(qū)，而不像結(jié)型場效應(yīng)管那樣橫跨PN結(jié)。柵極用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)來絕緣。MOSFET可以是P溝道也可以是N溝道，其工作可以是耗盡型或者增強型
2012-12-10 21:37:15
來進行開啟或關(guān)閉。此類電路可參見圖2所示。圖2：P信道MOSFET（PMOS）分立電路也可以使用負載開關(guān)來打開或關(guān)閉電源軌和相應(yīng)負載之間的連接。這些集成器件在其對應(yīng)的分立電路上有一些益處。圖3所示為
2018-09-03 15:17:57
; 保險絲品牌：LITTELFUSE、 BUSSMANN電感變壓器品牌：Coiltronics 放電管,可控硅：LITTELFUSE
2009-09-25 10:23:50
分立器件和集成電路在電子未來的發(fā)展上是相對的嗎？在下無知學生party，請教各位，勿噴。感謝
2020-01-07 08:20:09
目前國內(nèi)做分立器件芯片的有那幾家呀，分別是用多少寸芯片
2021-02-02 15:05:05
第一步，按照我們前面的問答中詳細介紹，新建一個庫文件，如圖2-11所示，填寫名稱為RES，起始名稱為R，PCB封裝那一欄先可以不用填寫，分立器件，Part選擇1即可，其它按照默認設(shè)置
2020-09-07 17:43:47
的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。在這里，分以下二個方面進行闡述：一是以傳統(tǒng)的硅半導體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-29 14:39:47
的速度需要。以開關(guān)電源為例，采用雙極型晶體管時，速度可以到幾十千赫；使用MOSFET和IGBT，可以到幾百千赫；而采用了諧振技術(shù)的開關(guān)電源，則可以達到兆赫以上。2．通態(tài)壓降（正向壓降）降低。這可以減少器件
2018-05-08 10:08:40
請問半導體分立器件怎么分類？
2011-10-26 10:29:14
的參數(shù)提取 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)： 系統(tǒng)主要由一臺或兩臺源精密源測量單元（SMU）、 夾具或探針臺、上位機軟件構(gòu)成。以三端口MOSFET 器件為例，共需要以下設(shè)備： 1、兩臺吉時利 2450 精密源測量單元 2、四根
2019-10-08 15:41:37
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封），使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應(yīng)晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率
2022-11-17 08:05:25
手機電路中的分立元器件主要包括電阻、電容、電感、晶體管等。 本資料讓你掌握手機各類分立元器件的識別和檢測技能，為手機維修打基礎(chǔ)[hide] [/hide]
2011-12-15 14:17:28
、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。 第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導體分立
2021-05-28 07:23:05
分立器件市場規(guī)模半導體分立器件泛指半導體晶體二極管、半導體三極管簡稱二極管、三極管及半導體特殊器件。分立器件雖然屬于細分市場，但由于具有很強的必需屬性，所以全球市場規(guī)模將超過200億美金。2015年
2017-09-06 10:47:20
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
1 功率分立產(chǎn)品概述
2 IGBT 產(chǎn)品系列
3 HV MOSFET 產(chǎn)品系列
4 SiC MOSFET 產(chǎn)品系列
5 整流器及可控硅產(chǎn)品系列
6 能源應(yīng)用
2023-09-07 08:01:40
`半導體分立器件選用15項原則1.半導體分立器件選擇時應(yīng)注意其失效模式的影響，其失效模式主要有開路、短路、參數(shù)漂移和退化。 2.半導體分立器件選用時應(yīng)考慮負載的影響，對電感性負載應(yīng)采取吸收反電動勢
2016-01-22 10:19:45
，變壓器電壓會變得很高以至于可能會損壞同步整流器。圖 1 顯示的是用于控制同步反向拓撲中 Q2 傳導的分立器件。該電路可以讓您控制開啟柵極電流并保護整流器柵極免受高反向電壓的損壞。該電路可以用變壓器輸出端
2020-10-05 08:30:00
，變壓器電壓會變得很高以至于可能會損壞同步整流器。圖 1 顯示的是用于控制同步反向拓撲中 Q2 傳導的分立器件。該電路可以讓您控制開啟柵極電流并保護整流器柵極免受高反向電壓的損壞。該電路可以用變壓器輸出端
2022-06-02 10:59:20
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān) IGBT 和一個 CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓撲
2021-03-29 11:00:47
請教關(guān)于Guarding 回路的在測試PCBA上的分立元件詳細應(yīng)用設(shè)計和元器件選型？我在網(wǎng)上查過國外廠家安捷倫現(xiàn)在是德科技的ICT的相關(guān)資料以及一些***廠家的，沒有非常具體的，只是簡單原理性的介紹
2021-10-12 11:42:19
作者：Paul O'Sullivan摘要設(shè)計具有魯棒性的電子電路較為困難，通常會導致具有大量 分立保護器件的設(shè)計的相關(guān)成本增加、時間延長、空間擴大。本文將討論故障保護開關(guān)架構(gòu)，及其與傳統(tǒng)分立保護
2019-07-26 08:37:28
超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對高壓MOSFET器件設(shè)計的影響:對超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:27
31 安森美半導體（ON）是一家高產(chǎn)量、低成本的分立半導體器件生產(chǎn)商--提供廣泛的產(chǎn)品系列，包括6，000種以上不同的可靠獨立式和小尺寸集成分立器件滿足電信、消費電子、汽車、
2010-09-14 19:57:1530 電源用分立器件包括雙極型晶體管開關(guān)、FET(場效應(yīng)晶體管)、整流二極管等。雙極型晶體管從門斷開
2006-04-16 22:46:01934 半導體分立器件的命名方法
表9 國產(chǎn)半導體分立器件型號命名法
2008-12-19 01:17:301505 
我國半導體分立器件的命名法
表9 國產(chǎn)半導體分立器件型號命名法
2008-12-19 01:18:211410 
美國半導體分立器件型號命名方法
美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下：
&nbs
2010-01-16 10:11:141137 日本半導體分立器件型號命名方法
日本生產(chǎn)的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：
&nbs
2010-02-06 14:36:461462 在這片文章里，我們給大家介紹最基本的功率器件MOSFET，對其進行初步的解析和各種應(yīng)用介紹。
2012-12-29 10:54:312988 在知道用電之前，人們用蠟燭照明。這在過去是常用的能在黑暗中視物的照明方式，但燈泡的發(fā)明顯然是更好的解決方案。像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應(yīng)晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立
2017-04-18 10:35:123203 
MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為
2018-03-19 09:55:275947 半導體分立器件隸屬于半導體大類，是半導體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一。原材料供應(yīng)商、分立器件芯片制造商、封裝材料制造企業(yè)為半導體分立器件制造行業(yè)的上游客戶;從國內(nèi) 分立器件 產(chǎn)品的市場應(yīng)用結(jié)構(gòu)
2018-04-18 08:35:0037064 
電源設(shè)計小貼士42：可替代集成MOSFET的分立器件
2018-08-16 00:08:005477 
半導體分立器件是電子電路的基礎(chǔ)元器件，是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。分立器件可廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品，其下游應(yīng)用市場可略分如下：家用電器、電源及充電器、綠色照明、網(wǎng)絡(luò)與通信、汽車電子、智能電表及儀器等。以下將從下游應(yīng)用市場來分析半導體分立器件產(chǎn)品的需求情況。
2018-08-20 09:21:003508 
MOSFET作為功率開關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達控制器。在各種H橋配置中，它們不僅可是分立器件也可集成到IC。
2019-12-19 07:57:002401 
Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:173606 與集成電路相比，分立器件的缺點是體積大，器件參數(shù)的隨機性高，電路規(guī)模大頻率高時，分布參數(shù)影響很大，設(shè)計和調(diào)試比較困難。但是由于集成電路本身的限制，分立器件依然發(fā)揮著重要的作用。在超大功率、高壓等高性能場合，分立器件表現(xiàn)出色，依然是不可或缺的存在。
2018-09-28 17:02:4125831 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品
2018-10-23 11:34:375600 支持電動和混合動力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 廠商，并按功率分立器件類型做了全面、深入的分析和預測。2021年3月，芯謀研究重磅發(fā)布了年度市場研究報告：《中國功率分立器件市場年度報告2021》。下面簡要介紹報告內(nèi)容。 1.?全球功率分立器件的分類? 全球半導體芯片共分
2021-03-18 15:25:417740 
周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點。
系統(tǒng)中的負載開關(guān)
2021-11-10 09:40:23554 
半導體分立器件是電子電路的基礎(chǔ)元器件，是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。分立器件可廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品，其下游應(yīng)用市場可略分如下：家用電器、電源及充電器、綠色照明、網(wǎng)絡(luò)與通信、汽車電子、智能電表及儀器等。以下將從下游應(yīng)用市場來分析半導體分立器件產(chǎn)品的需求情況。
2022-03-11 11:20:173796 
。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設(shè)計人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅(qū)動電路。
2022-07-23 10:22:001381 
何時使用負載開關(guān)取代分立MOSFET
2022-11-03 08:04:340 分立器件是指獨立的電子元件，通常由一個或多個電子器件組成。這些器件可以單獨使用，也可以與其他器件組合使用，以完成特定的電路功能。常見的分立器件包括二極管、晶體管、場效應(yīng)管、電容器、電阻器和電感器等。
2023-02-24 15:26:5312994 分立功率器件是指用于承載高功率信號的獨立電子器件。它們可以單獨使用，也可以與其他分立器件組合使用，以完成特定的功率放大和開關(guān)控制電路。
2023-02-24 15:31:57899 功率分立器件是半導體產(chǎn)業(yè)中最早的產(chǎn)品類型，也是半導體芯片中最成熟、設(shè)計和制造門檻最低的芯片類型。我國半導體公司幾乎和全球同步，很早開始設(shè)計和制造二極管、晶體管、晶閘管、MOSFET等功率分立器件，多年前已經(jīng)進入了全部5大類型功率分立器件領(lǐng)域，并獲得了較好的業(yè)績。
2023-03-09 09:32:482615 像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應(yīng)晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點。
2023-04-15 09:17:39512 
目錄 ⊙擊穿電壓 ⊙導通電阻 ⊙跨導 ⊙閾值電壓 ⊙二極管正向電壓 ⊙功率耗散 ⊙動態(tài)特性 ⊙柵極電荷 ⊙dv/dt 能力 盡管分立式功率MOSFET的幾何結(jié)構(gòu)，電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路
2023-06-17 14:24:52591 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035068 
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優(yōu)點。
2023-07-26 17:34:13355 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《手機分立元器件識別與檢測.ppt》資料免費下載
2023-10-24 14:30:561 Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計能滿足汽車應(yīng)用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25403 高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:39196 
半導體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們在電子設(shè)備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導體分立器件的基本概念、分類、應(yīng)用和發(fā)展趨勢。
2023-11-23 10:12:56796 
圖1顯示Littelfuse在HV分立Si MOSFET市場具有領(lǐng)導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品。作為業(yè)界最高電壓阻斷能力（高達4700V）器件的制造商
2023-12-01 11:04:49337 
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