其高輸入阻抗、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小等優(yōu)點在MOSFET和BJT的基礎(chǔ)上有效降低了n漂移區(qū)的電阻率，大大提高了器件的電流能力。目前IGBT已經(jīng)能夠覆蓋從600V—6500V的電壓范圍。 我國擁有最大的功率半導(dǎo)體市場，目前IGBT等高端器件的研發(fā)與國際大公司相比有
2021-09-25 06:52:00
4666 介紹了如何用英飛凌IPOSIM仿真工具對過載輸出時IGBT模塊結(jié)溫進(jìn)行仿真，以及不同工況下IGBT瞬時結(jié)溫的仿真結(jié)果。本文可對電動車電機驅(qū)動器設(shè)計中IGBT輸出限值的動態(tài)選取提供參考依據(jù)。
2013-07-23 01:05:448464 
IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于P型區(qū)，當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后
2023-11-28 16:48:01596 
上一章我們對IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中，在IGBT的大注入條件下，電子和空穴的運動相互影響，這個影響關(guān)系需要用雙極性擴散系數(shù)來描述。
2023-12-01 10:33:51278 
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中，我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2（見上一節(jié)插圖）， 因為PIN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
2023-12-01 10:43:06395 
至此，我們完整地分析了關(guān)斷瞬態(tài)過程中IGBT內(nèi)部的空穴濃度分布變化從而引起的電荷存儲變化，而電荷對時間的變化率即對應(yīng)電流。
2023-12-01 14:06:37418 
區(qū)，它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT的開關(guān)作用
2012-07-25 09:49:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
IGBT保護(hù)分析
2012-07-24 23:08:06
IGBT正常工作時，p-base表面會形成導(dǎo)通溝道，電子從發(fā)射極經(jīng)n型漂移區(qū)流向集電極，而空穴將不斷地從集電極注入到n型漂移區(qū)。此時IGBT的外部表現(xiàn)為：存在負(fù)載電流，IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)。由于該區(qū)
2023-02-10 15:36:04
的壓降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的壓降高的原因。正向阻斷當(dāng)柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時，P/N J3結(jié)受反向電壓控制。此時，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓。閂
2012-07-09 14:14:57
IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向
2012-07-09 10:01:42
IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向
2012-07-09 11:53:47
大電流。對于 Mosfet來說，僅由多子承擔(dān)的電荷運輸沒有任何存儲效應(yīng)，因此，很容易實現(xiàn)極短的開關(guān)時間。但是，和 Mosfet 有所不同，IGBT器件中少子也參與了導(dǎo)電。所以 IGB 結(jié)構(gòu)雖然使導(dǎo)通壓降
2022-09-16 10:21:27
使用的具有自關(guān)斷能力的器件，開關(guān)頻率高，廣泛應(yīng)用于各類固態(tài)電源中。但如果控制不當(dāng)，它很容易損壞。一般認(rèn)為 IGBT 損壞的主要原因有兩種：一是 IGBT 退出飽和區(qū)而進(jìn)入了放大區(qū)使得開關(guān)損耗增大;二是
2019-12-25 17:41:38
區(qū)（Carrier Storage Region, CSR）,如圖3所示。圖3. IGBT關(guān)斷內(nèi)部載流子和電場分布其中，空間電荷區(qū)也稱為耗盡層，在IGBT的關(guān)斷過程中，耗盡層不斷從右向左擴展（從
2023-02-13 16:20:01
失效問題?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT失效場合：來自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機感應(yīng)電動勢、負(fù)載突變都會引起過電壓和過電流；來自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底，IGBT失效主要是由集電極
2020-09-29 17:08:58
IGBT并聯(lián)技術(shù)分析胡永宏博士（艾克思科技）通過電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)兩種基本方法，均可增大電力電子裝置的功率等級。采用這兩種方法設(shè)計的大功變流器，結(jié)構(gòu)相對簡單，加之控制策略與小功率變流器相兼容
2015-03-11 13:18:21
使用的具有自關(guān)斷能力的器件，開關(guān)頻率高，廣泛應(yīng)用于各類固態(tài)電源中。但如果控制不當(dāng)，它很容易損壞。一般認(rèn)為 IGBT 損壞的主要原因有兩種：一是 IGBT 退出飽和區(qū)而進(jìn)入了放大區(qū)使得開關(guān)損耗增大;二是
2019-12-27 08:30:00
的IGBT門極開通電壓尖峰是怎么回事? 圖1a IGBT門極開通尖峰 圖1b IGBT門極開通尖峰機理分析：IGBT門極驅(qū)動的等效電路如圖2所示： 圖2. IGBT驅(qū)動等效電路IGBT開通瞬間門極驅(qū)動回路
2021-04-26 21:33:10
是雙極型晶體管(BJT)和MOSFET的復(fù)合器件，其將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS的高阻漂移區(qū)，大大改善了器件的導(dǎo)通性，同時它還具有MOSFET的柵極高輸入阻抗，為電壓驅(qū)動器件。開通和關(guān)斷時均
2012-06-19 11:17:58
的二極管V的個數(shù)，如圖2(a)所示，使這些二極管的通態(tài)壓降之和等于或略大于驅(qū)動模塊過流保護(hù)動作電壓與IGBT模塊散熱器的通態(tài)飽和壓降Uce之差。 混合驅(qū)動模塊與IGBT模塊散熱器過流保護(hù)的配合 上述用
2012-06-19 11:26:00
的承受力；最適合的開關(guān)頻率；安全工作區(qū)（SOA)限制；最高運行限制；封裝尺寸；1、IGBT耐壓的選擇 因為大多數(shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以，通常IGBT模塊的工作
2022-05-10 10:06:52
和結(jié)構(gòu)函數(shù)分析進(jìn)行模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的缺陷辨識和失效機理分析，并利用仿真的方式對于不同邊界條件的動態(tài)熱傳導(dǎo)過程進(jìn)行有限元仿真，更直觀地觀察到模塊的熱傳導(dǎo)的過程，同時驗證了實驗方法的準(zhǔn)確性?！ ∷麄儼l(fā)現(xiàn)在溫度波動
2020-12-10 15:06:03
滿足漂移區(qū)電流與漂移區(qū)電阻乘積超過0.7V，才能使得P+襯底與N-drift的PN結(jié)正向?qū)ǎ@樣才可以work，否則溝道開啟也不能work的?！ ∽詈蠼o大家吹吹牛吧，大家經(jīng)常會聽到第一代IGBT一直
2018-10-17 16:56:39
IGBT的失效機理 半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡稱SOA
2017-03-16 21:43:31
注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電。IGBT 的工作特性包括靜態(tài)和動態(tài)兩類：1 ．靜態(tài)特性:IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安
2018-10-18 10:53:03
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實驗時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
”，長期以來，該產(chǎn)品（包括芯片）還是被壟斷在少數(shù)IDM手上(FairChild、Infineon、TOSHIBA)，位居“十二五”期間國家16個重大技術(shù)突破專項中的第二位（簡稱 “02專項”）。究竟IGBT是何方神圣？讓我們一起來學(xué)習(xí)它的理論吧。IGBT的設(shè)計與仿真 PPT
2020-08-09 08:00:14
Source端，它則需要一個長長的漂移區(qū)來作為漏極串聯(lián)電阻分壓，使得電壓都降在漂移區(qū)上就可以了。2) 大電流：一般的MOSFET的溝道長度有Poly CD決定，而功率MOSFET的溝道是靠兩次擴散的結(jié)深差
2020-08-09 07:53:55
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是新一代全控型電力電子器件，具有M08場效應(yīng)晶體管的電壓控制、開關(guān)頻率高、驅(qū)動功率小的優(yōu)點，又具備大功率雙極晶體管的通態(tài)壓降低、耐高反壓及電流額定值的特性。而且，其
2016-06-21 18:25:29
IGBT驅(qū)動電路分析
2015-03-27 16:09:18
1.引入分布式電源前后的網(wǎng)損模型的建立。2.仿真分析DG接入對變壓器運行臺數(shù)及網(wǎng)損的影響；變壓器電阻對網(wǎng)損的影響。3.仿真分析DG接入位置對網(wǎng)損的影響；DG容量對網(wǎng)損的影響；DG運行方式對網(wǎng)損的影響。
2015-04-19 10:24:25
DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
我遇到的情景中，一般后仿真出現(xiàn)不定態(tài)的原因有三個：更多的后仿出現(xiàn)不定態(tài)的的情形可以參考以下文章。驗證那些事最近陸續(xù)寫了點工作方面的小文章，遂決定新開一個公眾號，專門放工作相關(guān)的文章，就叫《超人驗證
2022-01-18 06:35:33
邊界下會沿著橫向擴散更遠(yuǎn)（圖中P阱），形成一個有濃度梯度的溝道，它的溝道長度由這兩次橫向擴散的距離之差決定。為了增加擊穿電壓，在有源區(qū)和漏 區(qū)之間有一個漂移區(qū)。LDMOS中的漂移區(qū)是該類器件設(shè)計的關(guān)鍵
2020-05-24 01:19:16
建模，通過內(nèi)部基準(zhǔn)電壓和反饋電阻演示蒙特卡羅和高斯分布技術(shù)。然后，將得出的仿真結(jié)果與最差情況分析仿真結(jié)果進(jìn)行比較。其中包括4個附錄。附錄A提供了有關(guān)微調(diào)基準(zhǔn)電壓源分布的見解。附錄B提供了LTspice
2022-03-25 10:52:10
。 3.2 電壓測量 IGBT 開通和關(guān)斷過程中電壓的完整觀測可以直接使用示波器探頭, 但對于開通時IGBT 電壓拖尾過程和通態(tài)飽和壓降的測量, 則需要使用箝位電路( 見圖5) 。原因在于此時示波器的Y
2018-10-12 17:07:13
(Voltage snapback)現(xiàn)象(如圖3所示)，反向恢復(fù)性能差和漂移區(qū)電流分布不均勻等。這些問題是RC-IGBT產(chǎn)品廣泛應(yīng)用的障礙。圖3 電壓折回輸出曲線示意圖這次我們先為大家介紹幾種為
2019-09-26 13:57:29
-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，作為門極；漂移區(qū)普遍采用N型摻雜的半導(dǎo)體來承受阻斷電壓；門極施加正壓（高于器件閾值電壓）時，器件導(dǎo)通，通態(tài)電流在漂移區(qū)縱向流動。區(qū)別主要在于IGBT在漂移區(qū)背面有P+注入作為集電極
2019-04-22 02:17:17
的N-MOSFET是一樣的。當(dāng)VGE>0V，VCE>0V時，IGBT表面同樣會形成溝道，電子從n區(qū)出發(fā)、流經(jīng)溝道區(qū)、注入n漂移區(qū)，n漂移區(qū)就類似于N-MOSFET的漏極。藍(lán)色虛線部分同理于
2019-07-18 14:14:01
原因我們以今天的主角IGBT為例，通過分析IGBT在關(guān)斷過程中載流子的移動和分布來解釋以上這點。當(dāng)IGBT正常工作時，p-base表面會形成導(dǎo)通溝道，電子從發(fā)射極經(jīng)n型漂移區(qū)流向集電極，而空穴將不
2019-06-28 11:10:16
IGBT在matlab仿真中柵極怎么連接？為什么我畫的IGBT的柵極和電源、PWM連接不上？
2018-11-15 13:26:27
proteus 仿真中的IGBT如何驅(qū)動啊 用單片機直接加高低電平行嗎
2016-05-27 10:01:27
不同的是它會受到電場的作用，驅(qū)動其沿著電場線(電場線的基本概念不做贅述)的方向運動，這種運動通常被稱為漂移運動?；谏鲜稣f明，不難看出電荷在半導(dǎo)體內(nèi)部定向運動的兩個條件：要么電荷在半導(dǎo)體內(nèi)部分布不均勻
2019-11-21 09:13:48
于，它使用低摻雜的N-襯底作為起始層，先在N-漂移區(qū)的正面做成MOS結(jié)構(gòu)，然后用研磨減薄工藝從背面減薄到 IGBT 電壓規(guī)格需要的厚度，再從背面用離子注入工藝形成P+ collector。在截止時電場
2021-05-26 10:19:23
什么少數(shù)載流子電子能穿過集電結(jié)形成電流Ib？？從外部看：集電結(jié)正偏時，電位Ub>Uc，集電結(jié)的內(nèi)電場變窄，有利于多子的擴散運動，不利于少子的漂移運動，而少子電子還是能形成電流Ib？？這是不是和我們說的PN結(jié)不同？那位大俠能給我從內(nèi)部結(jié)構(gòu)來詳細(xì)說明一下。。。`
2012-12-21 11:56:02
同樣會形成溝道，電子從n區(qū)出發(fā)、流經(jīng)溝道區(qū)、注入n漂移區(qū)，n漂移區(qū)就類似于N-MOSFET的漏極。藍(lán)色虛線部分同理于BJT結(jié)構(gòu)，流入n漂移區(qū)的電子為PNP晶體管的n區(qū)持續(xù)提供電子，這就保證了PNP晶體管
2023-02-10 15:33:01
當(dāng)MDD二極管兩端外加電壓發(fā)生變化時，一方面PN結(jié)寬窄變化，勢壘區(qū)內(nèi)的施主陰離子和受主陽離子數(shù)量會改變；另一方面擴散的多子和漂移的少子數(shù)量也會因電壓變化而改變。這種情況與電容的作用類似，分別用勢壘
2021-06-15 17:08:31
輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子)，對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。文章來源：中國電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)-IGBTIGBT模塊散熱器 區(qū)熔單晶 陶瓷覆銅板`
2012-06-19 11:36:58
什么是萊斯 (Rician) 分布當(dāng)接收機與發(fā)射機距離很近時，或固定接收時，接收信號中也會出現(xiàn)發(fā)射信號的直達(dá)波，增強了接收信號的平均電平，符合了 Rice 分析的正弦波加窄帶高斯噪聲情況，這時把接收
2008-05-30 13:15:33
未在延時鏈上傳遞時，鎖存結(jié)果是確定的。但是信號在演示鏈上傳播時，鎖存結(jié)果卻出現(xiàn)了不定態(tài)。有的時候?qū)懫渌某绦驎r，用D觸發(fā)器鎖存組合邏輯的結(jié)果，在時序仿真中就會有不定態(tài)，這該怎么解決？
2021-09-26 20:41:21
電流密度（P區(qū)）J=enD/L其中n是P區(qū)邊緣處平衡態(tài)時的少子濃度。D是擴散系數(shù)，L是擴散長度。參雜濃度越大，n應(yīng)該越小。N區(qū)的多子電子擴散到P區(qū)就是少子了，在那邊P區(qū)不還是要進(jìn)行少子擴散么？我說
2010-12-02 19:09:24
碰撞電離率模型進(jìn)行化簡計算。(3)應(yīng)用準(zhǔn)確的Chynoweth碰撞電離率模型，基于已有的Miller公式，對不同漂移區(qū)摻雜濃度下的S參數(shù)進(jìn)行了確定，提出了參數(shù)S與漂移區(qū)摻雜濃度N的擬合公式，并驗證了其
2019-10-30 13:22:00
導(dǎo)電性外加正向電壓（正偏）：在外電場作用下，多子將向ＰＮ結(jié)移動，結(jié)果使空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場被削弱，有利于多子的擴散而不利于少子的漂移，擴散運動起主要 作用。結(jié)果，Ｐ區(qū)的多子空穴將源源不斷的流向Ｎ區(qū)，而Ｎ
2015-03-26 20:32:03
電路中的參數(shù)?！ ? 柵極電阻和分布參數(shù)分析 IGBT在全橋電路工作時的模型如圖1所示?！ G+Rg是IGBT的柵極電阻， L01、L02、L03是雜散電感(分布電感)， Cgc、Cge、Cce
2011-09-08 10:12:26
在做時序仿真的時候，發(fā)現(xiàn)一個問題,代碼如下：assign gateway_out1 = gateway_in10 * gateway_in11 結(jié)果發(fā)現(xiàn) 輸出帶有高阻態(tài),波形如圖。 在做功能仿真的時候沒有問題，做時序仿真就出現(xiàn)問題了。 請問這是什麼原因造成的。
2017-07-27 09:09:53
有意者加q:1534120811.引入分布式電源前后的網(wǎng)損模型的建立。2.仿真分析DG接入對變壓器運行臺數(shù)及網(wǎng)損的影響；變壓器電阻對網(wǎng)損的影響。3.仿真分析DG接入位置對網(wǎng)損的影響；DG容量對網(wǎng)損的影響；DG運行方式對網(wǎng)損的影響。
2015-04-19 19:24:29
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個方面：1、IGBT過壓失效，Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過流，一定程度
2012-12-19 20:00:59
1.2kV，可作為IGBT的續(xù)流二極管，顯著減小IGBT的開通功耗，并抑制開關(guān)噪聲。 如圖2c所示，SFD結(jié)構(gòu)是通過用A1-Si替代A1電極在p區(qū)之間的n-漂移區(qū)表面形成一個極薄的p-區(qū)，以控制淺
2019-02-12 15:38:27
簡單分析不間斷電源系統(tǒng)在IGBT中的應(yīng)用理念 簡單分析不間斷電源的應(yīng)用方法及其理念 摘要：在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有
2012-03-29 14:07:27
?！ ‘?dāng)柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時，P/N J3結(jié)受反向電壓控制，此時，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個寄生PNPN晶閘管（如圖1
2019-03-05 06:00:00
區(qū)。 （3）通態(tài)電壓Von：圖1-12：IGBT通態(tài)電壓和MOSFET比較所謂通態(tài)電壓，是指IGBT進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的管壓降VDS，這個電壓隨VGS上升而下降。由上圖可以看到，IGBT
2009-05-12 20:44:23
。在這里我們主要討論N-基區(qū)內(nèi)的載流子分布，因為IGBT的開關(guān)特性主要受N-基區(qū)載流子影響。通態(tài)下，N-基區(qū)充滿了電子和空穴，因此該區(qū)域也可以稱為載流子存儲區(qū)(Carrier Storage Region
2023-02-13 16:11:34
另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入區(qū)( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)
2012-03-23 11:13:52
本人本科時學(xué)過一點模電，對微電子理解不深。請教幾個IGBT領(lǐng)域的問題：1、場截止層是如何起作用的：為什么加入場截止層之后需要的漂移區(qū)的厚度變薄而且還可以提高耐壓？摻雜濃度較高的場截止層不是變相提升
2020-02-20 14:26:40
，IGBT應(yīng)該不會導(dǎo)通，圖2中信號3似乎表明IGBT有通斷。然后又想會不會因為IGBT中的續(xù)流二極管的影響，于是我做了以下仿真，如圖3，圖4.圖3 圖4圖4為電流傳感器的波形，電流很小，應(yīng)該不是續(xù)流二極管
2016-01-09 12:10:23
的縱向NPT-IGBT基本相同，其有源區(qū)在正面，包括多晶硅柵極、n+發(fā)射區(qū)和p基區(qū)，然后有源區(qū)的下面是n-漂移區(qū)，最后是集電極。當(dāng)集射極之間加正電壓時，由p-基區(qū)和n-漂移區(qū)形成的反偏PN結(jié)來承擔(dān)外部
2020-12-11 16:54:35
高速DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
高阻態(tài)和三態(tài)門高阻態(tài) 高阻態(tài)的實質(zhì)：電路分析時高阻態(tài)可做開路理解。你可以把它看作輸出（輸入）電阻非常大。他的極限可以認(rèn)為懸空。也就是說理論上高阻態(tài)不是懸空，它是對地或?qū)﹄娫措娮铇O大的狀態(tài)。而實際
2019-01-08 11:03:07
INTEWORK-VBA(Vehicle Bus Analyzer) 車輛總線監(jiān)控分析及仿真工具，是由經(jīng)緯恒潤自主研發(fā)的一款專業(yè)、易用的車載
2021-03-05 10:42:54
本文闡述了分布式仿真在現(xiàn)在電子對抗中的重要作用。對當(dāng)今的技術(shù)熱點－通過高層體系結(jié)構(gòu)(HLA)進(jìn)行了分析，并結(jié)合它在雷達(dá)電子戰(zhàn)仿真系統(tǒng)中的應(yīng)用,對現(xiàn)代電子戰(zhàn)仿真系統(tǒng)的發(fā)
2009-06-09 10:51:16
34 分析IGBT的門極驅(qū)動鑒于絕緣柵雙極晶體管IGBT在逆變電焊機中的應(yīng)用日益普、及，針對IGBT門極驅(qū)動特點，分析了它對于驅(qū)動波形，功率，布線，隔離等方面的要求，并介紹了一種
2010-03-14 19:08:3449 通過對全橋式IGBT 逆變主電路的研究,論述了CAD 技術(shù)在電路設(shè)計中的應(yīng)用前景,介紹IGBT全橋主電路的工作原理及IGBT、主變壓器的數(shù)學(xué)模型,并對全橋主電路進(jìn)行了仿真研究。實驗
2010-09-07 15:57:2683 在分析無吸收電路的IGBT 逆變器的基礎(chǔ)上,研究了IGBT 逆變器的吸收問題;探討了適合IGBT 逆變器的幾種吸收電路結(jié)構(gòu),并對其進(jìn)行了仿真和實驗驗證。
2010-09-14 15:52:38106 基于混沌、均勻分布的真隨機數(shù)發(fā)生器的工作電路和精度要求較高的電壓參考電路的溫度漂移進(jìn)行分析,給出了仿真得到的溫度曲線;分析了工藝中可能存在的問題和溫度的影響與運放的
2011-06-10 15:53:2226 利用silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行了仿真，在同一電流密度下提取了不同柵極寬度IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨柵極寬度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于相同的元
2011-12-05 15:28:5431 提出了解決Windows下分布式仿真的兩種方案:基于RTX的反射內(nèi)存網(wǎng)分布式仿真和基于以太網(wǎng)的令牌環(huán)分布式仿真架構(gòu)。并比較了兩種架構(gòu)與傳統(tǒng)Windows方案在實時性能上的差別。
2012-03-22 17:30:0383 翅柱式IGBT水冷散熱器的熱仿真與實驗_丁杰
2017-01-08 10:30:292 壓接型IGBT器件內(nèi)部各組件直接堆疊在一起，通過外部壓力使得各組件間保持良好的機械與電氣接觸，進(jìn)而引入一定比例的接觸電阻和接觸熱阻，所以器件內(nèi)部的壓力分布不僅影響器件內(nèi)部的電流分布和溫度分布，還將
2018-02-27 11:22:102 《微電網(wǎng)分析與仿真理論》——分布式發(fā)電系統(tǒng)模型pdf資料下載
2018-04-08 11:03:220 關(guān)鍵詞：反射內(nèi)存 , 數(shù)據(jù)傳輸 , 測試測量 半實物仿真的一個新趨勢是從單武器平臺仿真向多武器平臺仿真方向發(fā)展,為了將不同功能、不同地點的仿真試驗設(shè)施進(jìn)行聯(lián)網(wǎng),組成分布式一體化的綜合仿真試驗室
2018-08-13 07:31:01580 。 MOSFET和IGBT技術(shù) 由于不存在少數(shù)載流子傳輸，因此可以在更高的頻率下開關(guān)MOSFET。對此的限制由兩個因素強加：電子在漂移區(qū)中的傳播時間以及對輸入柵極和米勒電容進(jìn)行充電和放電所需的時間
2021-05-26 17:04:022922 
等也被廣泛應(yīng)用。 IGBT憑借其高輸入阻抗、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小等優(yōu)點在MOSFET和BJT的基礎(chǔ)上有效降低了n漂移區(qū)的電阻率，大大提高了器件的電流能力。目前IGBT已經(jīng)能夠覆蓋從600V—6500V的電壓范圍。 我國擁有最大的功率半導(dǎo)體市場，目前IGBT等高
2021-10-12 10:18:453365 IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。
2022-08-18 16:37:464063 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到
VDMOS 的高阻漂移區(qū), 大大改善了器件的導(dǎo)通特性
2023-02-22 14:57:543 小川給大家介紹的是直流工作點的溫度漂移的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-03-01 11:48:27708 
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的高阻漂移區(qū), 大大改善了器件的導(dǎo)通特性
2023-05-25 17:11:502070 
10.2.1垂直漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-09 09:38:19176 
10.2.2橫向漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-11 15:15:45201 在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時間tr和下降時間tf來進(jìn)行描述。圖5是IGBT整個開關(guān)過程的波形。
2023-07-12 11:07:38326 
摘要: 為提升高壓 IGBT 的抗短路能力，進(jìn)一步改善短路與通態(tài)壓降的矛盾關(guān)系，研究了
IGBT 背面工藝對抗短路能力的影響。通過 TCAD 仿真，在 IGBT 處于負(fù)載短路工作期間，針對
2023-08-08 10:14:470 igbt為什么要反并聯(lián)二極管 IGBT是一種功率器件，它是一種膜材料型結(jié)構(gòu)，它采用P型部分、N型部分、漂移區(qū)、隔離氧化層、金屬控制電極和保護(hù)結(jié)構(gòu)等元件組成，為集成化的功率MOSFET和雙極性晶體管
2023-08-29 10:25:592926 等領(lǐng)域。盡管它們有一些相似之處，但在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面存在顯著的差異。 首先，讓我們來看一下IGBT的基本結(jié)構(gòu)。IGBT是一種三極管型器件，結(jié)合了MOSFET的驅(qū)動能力和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降特性。它由一個P型襯底、一個N型集電極、一個P型獨立柵控極和一個N型漂移區(qū)組成。IGBT的工作原理
2023-12-19 09:56:33575
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