Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
編輯-Z1N4007在DO-41封裝里采用的1個(gè)芯片，是一款小封裝整流二極管。1N4007的浪涌電流Ifsm為30A，漏電流(Ir)為5uA，其工作時(shí)耐溫度范圍為-55~150攝氏度。1N4007
2021-09-07 16:07:03
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲(chǔ)。在恢復(fù)瞬態(tài)，所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷，而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個(gè)數(shù)量級(jí)。這對(duì)于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
電流值往往可達(dá)幾百?！ ?、什么是二極管的正向?qū)▔航? 二極管在正向?qū)ǎ鬟^電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅
2012-07-15 15:28:24
?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r(shí)候，流過電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書下載：
2021-03-22 17:25:26
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
實(shí)現(xiàn)了良好的二極管導(dǎo)電性。優(yōu)化設(shè)計(jì)的1.2kV級(jí)SBD嵌入式MOSFET導(dǎo)通電流特性評(píng)估結(jié)果證實(shí)，采用格子花紋設(shè)計(jì)將嵌入式SBD靠近體二極管可以有效限制寄生二極管雙極性導(dǎo)通，相同SBD占位面積條件下
2023-04-11 15:29:18
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境。可配置為單個(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料?？芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個(gè)
2024-03-08 08:37:49
?？寡趸砸彩撬蟹茄趸锾沾芍泻玫?。是極其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅（SiC）的市場前景隨著信息科技的飛速發(fā)展，我國對(duì)半導(dǎo)體需求越來越多，我國已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國，半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個(gè)50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān) IGBT 和一個(gè) CoolSiC 肖特基
二極管，能夠提升性價(jià)比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-03-29 11:00:47
），P阱與N-形成的PiN會(huì)投入工作，減小浪涌時(shí)刻VF的增長，降低器件功耗，提升器件的抗浪涌能力。 圖（4）二極管正向與電流密度關(guān)系圖 基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管均采用JBS結(jié)構(gòu)?！ ?5
2023-02-28 16:55:45
?！ ∠鄬?duì)應(yīng)的，硅材料的禁帶寬度較低，在較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高，而高的漏電流會(huì)造成熱擊穿，這限制了器件在高溫環(huán)境和大功率耗散條件下工作。 碳化硅肖特基二極管與硅快速恢復(fù)二極管 耐壓
2023-02-28 16:34:16
雪崩二極管的原理雪崩二極管的作用
2021-03-10 07:05:13
雪崩二極管如何幫助防止過電壓？雪崩二極管的噪聲是如何產(chǎn)生的？
2021-06-18 09:24:06
）?！ ‘?dāng)二極管受到高反向電壓時(shí)，它會(huì)經(jīng)歷雪崩擊穿?！ 『谋M層上的電場因反向偏置電壓而增加?！ ∪肷涔膺M(jìn)入p+區(qū)域，并在電阻性很強(qiáng)的p區(qū)被進(jìn)一步吸收。這里形成了電子-空穴對(duì)?！ ∵@些夫婦的分離是由
2023-02-06 14:15:47
`編輯ZASEMI肖特基二極管MBR60200PT是肖特基二極管中非常常見的型號(hào)，TO-247封裝，正向整流60A，反向耐壓200V，正向壓降0.87V，正向峰值浪涌電流500A，反向漏電流為
2021-04-29 16:26:23
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減少對(duì)散熱器
2021-11-09 16:36:57
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復(fù)電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
的一幅圖是傳統(tǒng)的碳化硅肖特基二極管。中間的圖是帶PIN結(jié)構(gòu)的MPS二極管的結(jié)構(gòu)，它的特點(diǎn)是在肖特基接觸區(qū)增加了一些P型結(jié)構(gòu)。相比于標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅肖特基二極管來說，這些結(jié)構(gòu)有利于提高它的浪涌電流的抑制和雪崩
2019-01-02 13:57:40
，TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對(duì)碳化硅MOSFET這種高速功率開關(guān)帶來的優(yōu)勢?！ ?2 從數(shù)據(jù)的角度去分析共源雜散電感對(duì)開關(guān)損耗的影響 ?。?）雙脈沖測試時(shí)的重要注意事項(xiàng)---電流探頭的相位
2023-02-27 16:14:19
?1、它具有極快的響應(yīng)時(shí)間，PS級(jí)的響應(yīng)速度;2、大瞬態(tài)功率，擊穿(導(dǎo)通)相當(dāng)于開路，低漏電流和電容;3、擊穿(導(dǎo)通)后相當(dāng)于短路，擊穿電壓偏小4、可靠性高，并且具備雙向?qū)ΨQ特性5、TVS二極管體積小，安裝方便，不占地方TVS二極管規(guī)格書下載：
2022-04-26 17:12:19
，施加規(guī)定波形的峰值脈沖電流IPP時(shí)，TVS二極管兩端測得的峰值電壓。VBR：擊穿電壓，是TVS管的最小雪崩電壓。指在V-I特性曲線上，在規(guī)定的脈沖直流電流IT或接近發(fā)生雪崩的電流條件下測得TVS兩端
2021-11-12 17:35:11
一、二者的相同點(diǎn)TVS是在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新產(chǎn)品，是一種新型的高效電路保護(hù)器件之一，具有P秒級(jí)的響應(yīng)時(shí)間和高浪涌吸收能力；穩(wěn)壓二極管（又名齊納二極管），是利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，能在電流
2021-01-08 10:10:18
件之一，具有P秒級(jí)的響應(yīng)時(shí)間和高浪涌吸收能力；穩(wěn)壓二極管（又名齊納二極管），是利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，能在電流變化大變化范圍內(nèi)，而保持電壓穩(wěn)定所研發(fā)出來穩(wěn)壓作用的二極管。從定義上來看，它們的共同點(diǎn)
2022-01-25 10:14:38
TVS二極管，是在齊納二極管工藝基礎(chǔ)上發(fā)明的一種新型高效電路保護(hù)元器件，PS秒級(jí)的響應(yīng)速度和高浪涌吸收能力是其核心優(yōu)勢。當(dāng)瞬態(tài)電壓抑制二極管的兩端經(jīng)受瞬間高能量沖擊時(shí)，它以PS秒級(jí)的速度把兩端間
2022-05-19 15:30:42
。TVS二極管在線路板上是與被保護(hù)線路并聯(lián)的，當(dāng)瞬時(shí)電壓超過電路正常工作電壓后，TVS二極管便發(fā)生雪崩，提供給瞬時(shí)電流一個(gè)超低電阻通路，其結(jié)果是瞬時(shí)電流通過二極管被引開，避開被保護(hù)器件，并且在電壓
2014-04-18 16:36:14
功率。在給定的最大箝位電壓下，脈沖峰值功率PPP越大，其浪涌電流的承受能力越大?！ 。?）結(jié)電容CJ：TVS二極管結(jié)電容CJ是由其硅片的雪崩結(jié)截面和偏置電壓來決定的，是在特定頻率（1MHz）下測得
2020-12-01 16:43:27
工作；當(dāng)電路出現(xiàn)異常浪涌或電壓并達(dá)到了瞬態(tài)二極管擊穿電壓時(shí)，瞬態(tài)二極管迅速由高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài)，瞬間吸收一個(gè)瞬時(shí)過電流，把異常過電壓鉗位在較低的水平，保護(hù)后級(jí)電路的精密器件免受瞬態(tài)高壓尖峰脈沖的沖擊
2022-05-25 14:16:57
能對(duì)升壓二極管起保護(hù)作用。我的觀點(diǎn)是：1：PFC續(xù)流二極管碳化硅的應(yīng)用.2：雷擊浪涌實(shí)驗(yàn)而需要加旁路二極管。具體原因我在附件里面已經(jīng)描述了。
2021-01-28 14:10:17
越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。 5.什么是二極管的反向漏電流？ 二極管在反向截止的時(shí)候，并不是完全理想的截止。在承受反壓得時(shí)候，會(huì)有些微小的電流從
2017-05-22 14:07:53
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
。結(jié)果，光電流值增加，改善了整個(gè)光檢測過程?！ ?b class="flag-6" style="color: red">雪崩光電二極管在光學(xué)中的應(yīng)用 APD通常用于光纖通信系統(tǒng)中，以檢測微弱的信號(hào)。必須調(diào)整電路以檢測微弱信號(hào)，同時(shí)保持高SNR（信噪比）。這里 量子效率必須很高才能實(shí)現(xiàn)不錯(cuò)的信噪比。由于該值非常接近最大值，因此可以識(shí)別大多數(shù)信號(hào)。
2023-02-06 14:19:01
幾百A。4. 什么是二極管的正向?qū)▔航?二極管在正向?qū)ǎ鬟^電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高
2014-04-26 13:42:10
。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大?！ ?. 什么是二極管的反向漏電流? 二極管在反向截止的時(shí)候，并不是完全理想的截止。在承受反壓得時(shí)候，會(huì)有些微小的電流從陰極漏到陽極。這個(gè)電流通常很小，而且反
2016-11-14 20:04:40
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性價(jià)比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
新型的齊納二極管RKZ7.5TKP和RKZ7.5TKL，用以保護(hù)便攜設(shè)備的電路不會(huì)受到內(nèi)部或外部靜電放電（ESD）偏離電壓的損壞。RKZ7.5TKP的封裝大小僅為0.6 × 0.3 mm，居業(yè)界最小封裝
2011-04-11 09:54:21
來制成發(fā)光二極管，在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。磷砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃光。它是半導(dǎo)體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能；常簡寫為LED。發(fā)光二極管
2012-07-12 15:40:31
并聯(lián)二極管的特性參數(shù)對(duì)比 如圖13所示，混合碳化硅分立器件的反向恢復(fù)時(shí)間Trr，反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)損耗Err明顯降低?！ ?5 總結(jié) 基本半導(dǎo)體主要推出了650V 50A和650V
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關(guān)拓?fù)渲校?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
得到更低柵極開關(guān)驅(qū)動(dòng)損耗（圖1）.碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復(fù)時(shí)間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等
2016-08-05 14:32:43
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
，減少了不必要熱阻的增加?！ ?5 總結(jié) 基本半導(dǎo)體推出的內(nèi)絕緣型TO-220封裝碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品，從優(yōu)化安裝工藝、提升產(chǎn)品質(zhì)量、減少熱阻等方面很好地解決了絕緣和導(dǎo)熱痛點(diǎn)。原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-28 17:06:57
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
耗散，因此降低了熱和電傳導(dǎo)損耗。它的高結(jié)溫能力提高了高環(huán)境溫度下或無法獲得充分冷卻的應(yīng)用中的可靠性。肖特基二極管的應(yīng)用:MBR系列肖特基勢壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開關(guān)式電源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導(dǎo)體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對(duì)10kW LLC轉(zhuǎn)換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進(jìn)行基準(zhǔn)測試，該轉(zhuǎn)換器也常用于高效電動(dòng)汽車充電
2023-02-21 16:27:41
、場效應(yīng)器件和特殊的肖特基二極管。以下是碳化硅特性：1）碳化硅單載波器件具有薄漂移區(qū)和低導(dǎo)通電阻，比硅器件小約100-300倍。由于導(dǎo)通電阻小，碳化硅功率器件的正向損耗小。2）碳化硅功率器件由于其高擊穿
2023-02-07 15:59:32
的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升；碳化硅材料擊穿電場是硅的 10 倍，因此，其器件可設(shè)計(jì)更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度，與相同電壓等級(jí)的硅功率器件相比
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
新能源車載DC/DC電路中，由于輸入電壓范圍極寬，輸出低壓大電流，移相電路是一個(gè)好的選項(xiàng)。當(dāng)然，移相電路同樣可以用在直流快充的系統(tǒng)中來做到更寬輸出電壓范圍。碳化硅MOSFET由于高耐壓，低損耗和低體二極管
2016-08-25 14:39:53
能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導(dǎo)性。一般來講，晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界
2018-09-25 11:30:29
μs以內(nèi)起作用。采用二極管或電阻串檢測短路，短路保護(hù)最短時(shí)間限制在1.5μs左右?！ ?）高dv/dt及di/dt對(duì)系統(tǒng)影響 在高壓大電流條件下進(jìn)行開關(guān)動(dòng)作時(shí)，器件開關(guān)會(huì)產(chǎn)生高dv/dt及di/dt
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
或等于其最大反向漏電流ID。
②最小擊穿電壓VBR和擊穿電流IR
VBR是瞬變二極管最小的雪崩電壓。25℃時(shí)，在這個(gè)電壓之前，瞬變二極管是不導(dǎo)通的。當(dāng)瞬變二極管流過規(guī)定的1mA電流（IR）時(shí)，加入瞬
2023-04-25 16:58:23
，是一種新型的高效電路保護(hù)器件之一，具有P秒級(jí)的響應(yīng)時(shí)間和高浪涌吸收能力。從穩(wěn)壓二極管與TVS二極管的含義來判斷，它們的共同點(diǎn)主要體現(xiàn)在：一、在一定范圍內(nèi)，均可以限制兩端的電壓；二、長時(shí)間運(yùn)作耐流值幾乎一樣，均跟體積功耗相關(guān)聯(lián)。穩(wěn)壓二極管規(guī)格書下載：
2022-04-15 18:01:26
1.符號(hào)封裝穩(wěn)壓二極管和TVS二極管的電路符號(hào)與穩(wěn)壓二極管基本相同，封裝也基本相同。有時(shí)很難區(qū)分外表上的區(qū)別;2.電路連接穩(wěn)壓二極管和TVS電路中二極管連接相對(duì)地,也就是說,他們有一個(gè)臨界電壓反向
2021-12-21 11:16:32
在通信電源、變頻器等中比較常見，常用的封裝形式有：TO-220AB、ITO-220AB、TO-247，貼片肖特基二極管型號(hào)命名以SS開頭的比較多。肖特基二極管：根據(jù)所承受電流的的限度，封裝形式大致分為
2021-07-09 11:45:01
，大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導(dǎo)體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓，工作電流較低時(shí)甚至低于0.1V。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電壓約為1V
2017-04-19 16:33:24
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
什么是雪崩光電二極管？雪崩光電二極管反向電流的測量介紹
2021-04-09 06:38:04
沖擊電流小，可靠性不高等缺點(diǎn)。但是目前已有很大改善。14 二極管適合并聯(lián)么？理論上來說硅二極管，由于導(dǎo)通壓降隨溫度上升而下降，所以是不適合并聯(lián)的，但是現(xiàn)在很多二極管會(huì)把兩個(gè)單管封裝在一起，這樣溫升相對(duì)均勻，給并聯(lián)帶來好處。但是碳化硅是的壓降是隨溫度上升而上升，理論上是適合并聯(lián)的。
2020-09-18 17:00:12
用于電子電路保護(hù)的元件較多，先和大家分享一下瞬變電壓抑制器（TVS）的關(guān)鍵參數(shù)：TVS二極管以其卓越的鉗位功能、極低的擊穿電壓，極小的封裝，電氣特性在生命周期內(nèi)比較穩(wěn)定而得到越來越廣泛的應(yīng)用。它最
2014-04-15 14:33:53
測量的電壓是齊納電壓。假設(shè)反向偏置電流不超過器件的熱限制，二極管可以承載大量電流，同時(shí)在負(fù)載兩端保持穩(wěn)定的電壓。六、雪崩擊穿和齊納擊穿的差異雪崩擊穿是由耗盡區(qū)電子之間的碰撞引起的，而齊納擊穿是由高電場
2023-02-02 16:52:23
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:48:49
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:12:16
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5
2023-07-05 15:50:06
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
碳化硅(SiC)功率器件的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術(shù)條件下，該系列二極管可提供業(yè)界最高的阻斷電壓。
2012-02-07 15:40:40
1429 ，具備更好的耐高壓能力。另一個(gè)重要的特點(diǎn)是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數(shù)，隨著溫度的上升電阻也逐漸上升，這與硅FRD正好相反。
2020-11-17 15:55:056028 在快充領(lǐng)域商用的大門。 圖1：SMBF封裝碳化硅肖特基二極管 針對(duì)PD快充“小輕薄”的特點(diǎn)，碳化硅功率器件領(lǐng)先企業(yè)基本半導(dǎo)體在國內(nèi)率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管，該產(chǎn)品具有體積小、正向?qū)▔旱秃涂?b class="flag-6" style="color: red">浪涌能力強(qiáng)等特點(diǎn)，能很好地滿足PD快充對(duì)器件
2021-04-19 11:37:022632 
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號(hào)稱反向恢復(fù)時(shí)間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:171732 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是，當(dāng)電壓通過碳化硅二極管時(shí)，電子會(huì)從N極流向P極，從而產(chǎn)生電流。碳化硅二極管可以用于汽車電子控制系統(tǒng)，以及其他電子設(shè)備中，用于控制電流和電壓。
2023-02-15 15:13:42642 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:40629 晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經(jīng)過劃片封裝測試（后段工藝）就變成了我們現(xiàn)在使用的半導(dǎo)體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 
TO-252-2L封裝，最小包裝2500只每盤）；KN3D10065F（650V碳化硅二極管，電流10A，貼片TO-252-2L封裝，最小包裝2500只每盤）；KN3D10065E（650V碳化硅二極管，電流10A，貼片TO-263-2L封裝，最小包裝2500只每盤）；KN3D06065N（650V碳化硅
2023-02-21 10:12:241680 
，碳化硅二極管封裝小型化成為趨勢。那么各個(gè)碳化硅二極管廠家推出了更小的封裝DFN5X6,DFN8X8,超薄型封裝。主要用于高功率密度電源和PD快充這樣子的應(yīng)用中。
2023-02-21 13:38:161795 
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動(dòng)汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 的通斷狀態(tài)切換速度非?？?，也用普通雙極二極管技術(shù)切換時(shí)的反向恢復(fù)電流。清除反向恢復(fù)電流效應(yīng)后，碳化硅二極管的能耗降低了70%，可在較寬的溫度范圍內(nèi)保持較高的能效，提
2022-12-14 11:36:05843 
森國科第五代650/2A TMPS二極管具有一流的魯棒性和耐久性 ，具備高浪涌電流和雪崩能力
2023-07-08 10:54:03538 
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