以上共射輸出特性曲線（IC-UCE曲線）摘自Fairchild SS8050手冊(cè)，為了便于理解，添加了一些描述信息。不少人看到以上三極管輸出特性曲線都會(huì)一臉蒙圈，不管怎么看都是別別扭扭的，但是又說
2022-11-10 16:40:06
4147 
前段時(shí)間我們學(xué)習(xí)了三極管的工作原理，今天我們來(lái)學(xué)習(xí)三極管的輸入、輸出特性，但不少人看到三極管輸入、輸出特性曲線都會(huì)一臉蒙圈，不知如何分析，為了便于理解我們以共射NPN型晶體管放大電路為例，具體講述三極管的輸入、輸出特性曲線。
2023-02-22 14:02:2320040 
此文說明：主要以增強(qiáng)型NMOS管的特性來(lái)說明,Vds/Uds、Vgs/Ugs意思一樣，其它類比。
2023-03-10 16:35:073445 
眾所周知，我們所使用的市電頻率是50Hz，但是，在實(shí)際生活中，有時(shí)需要的電源頻率不是50Hz，這就需要變頻電源。對(duì)一個(gè)電源來(lái)說，用戶期望它在各種性質(zhì)的負(fù)載下，都能輸出穩(wěn)定的電壓，變頻電源也不例外。因此，有必要研究變頻電源在各種性質(zhì)的負(fù)載(純阻性，感性，容性，非線性)下的輸出特性。
2023-03-13 13:22:521215 
輸出特性曲線：固定VGS值，且數(shù)值大于閾值電壓時(shí)，MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線。
2023-12-01 14:13:131564 
，支持觸摸模塊，提供6通道帶死區(qū)控制的互補(bǔ)型PWM輸出，最多達(dá)30路12位ADC，2個(gè)UART, UART1可任意映射I/O口，1個(gè)SPI, 1個(gè)I2C，內(nèi)置運(yùn)放和比較器，工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)。
增強(qiáng)型1T
2023-05-06 09:28:45
2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的特性是什么？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊有哪些功能？
2021-10-15 09:13:09
2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的優(yōu)點(diǎn)有哪些？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的產(chǎn)品參數(shù)有哪些？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的注意事項(xiàng)有哪些？
2021-06-29 09:05:41
領(lǐng)域。 圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源
2012-07-09 10:01:42
領(lǐng)域。 圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源
2012-07-09 11:53:47
了 PCB 上的空間。 特性增強(qiáng)型隔離：VISO = 5 kVRMS數(shù)據(jù)速率最高可達(dá) 100 MbpsM-LVDS 共模范圍此電路設(shè)計(jì)已經(jīng)過測(cè)試，并包含入門指南`
2015-04-29 10:38:17
請(qǐng)問各位大神，能不能列舉出增強(qiáng)型51有3個(gè)定時(shí)器以上，PDIP40封裝的，另外能附帶技術(shù)手冊(cè)嗎
2012-10-23 21:11:49
[url=]增強(qiáng)型MCS-51單片機(jī)[/url]
2016-12-11 11:13:28
增強(qiáng)型MCS-51單片機(jī)結(jié)構(gòu)
2016-12-19 22:47:07
增強(qiáng)型NFC技術(shù)如何讓移動(dòng)設(shè)備可靠地仿真非接觸式卡片？
2021-05-21 06:56:39
關(guān)于 增強(qiáng)型PMOS管開啟電壓Vgs疑問 有以下三個(gè)問題，請(qǐng)教各位大神：1、如下圖：增強(qiáng)型PMOS管G極接地（Vg=0V），按我的理解，只有在S極電壓高于0v（至少零點(diǎn)幾伏）的時(shí)候才能導(dǎo)通，可是下圖
2017-11-22 10:01:58
文中，將回顧這三種方法，并分享直列式電機(jī)電流感應(yīng)使用增強(qiáng)型脈沖寬度調(diào)制（PWM）抑制的五大優(yōu)勢(shì)。 如圖1所示，基本上有三種不同的方法來(lái)測(cè)量三相電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的電流：低側(cè)、直流鏈路和直列測(cè)量。圖1所示
2016-12-09 17:22:03
能否介紹增強(qiáng)型Howland電流源、EHCS 實(shí)現(xiàn)過程、復(fù)合放大器技術(shù)應(yīng)用？
2019-01-25 18:13:07
描述TIDA-00366 參考設(shè)計(jì)為額定功率高達(dá) 10kW 的 3 相逆變器提供了參考解決方案，該逆變器采用增強(qiáng)型隔離式雙 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 UCC21520、增強(qiáng)型隔離式放大器 AMC1301
2018-10-17 15:53:28
載流子平衡的低壓高效有機(jī)白光器件【作者】：委福祥;方亮;蔣雪茵;張志林;【來(lái)源】：《光電子.激光》2010年03期【摘要】：研究了結(jié)構(gòu)為ITO/m-MTDATA:x%4F-TCNQ/NPB
2010-04-22 11:31:32
Bondout、增強(qiáng)型Hooks芯片和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品芯片：這些名詞是指仿真器所使用的、用來(lái)替代目標(biāo)MCU的三種仿真處理器。只有Bondout和增強(qiáng)型Hooks芯片能夠?qū)崿F(xiàn)單片調(diào)試，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品芯片不能。和標(biāo)準(zhǔn)
2011-08-11 14:20:22
LKT4101 8位增強(qiáng)型防盜版加密芯片采用增強(qiáng)型8051智能卡內(nèi)核，芯片內(nèi)部嵌入凌科芯安公司的LKCOS智能操作系統(tǒng)，支持UART接口。在KEIL C軟件環(huán)境下采用標(biāo)準(zhǔn)C語(yǔ)言編寫操作代碼，編譯程序后下載到智能芯片中。用戶可將關(guān)鍵算法程序內(nèi)嵌入芯片中，從根本上杜絕程序被破解的可能。
2014-03-04 14:43:21
：2-16MHz? 晶體諧振器：2-16MHz? 16 個(gè)雙向 CMOS I/O 管腳（內(nèi)建上、下拉 電阻）? 2 個(gè) 16 位定時(shí)器 T0/T1? 3 路 16 bit PWM 輸出? 兩個(gè)增強(qiáng)型串口
2022-06-07 17:51:53
：2-16MHz? 晶體諧振器：2-16MHz? 16 個(gè)雙向 CMOS I/O 管腳（內(nèi)建上、下拉電阻）? 2 個(gè) 16 位定時(shí)器 T0/T1? 3 路 16 bit PWM 輸出? 兩個(gè)增強(qiáng)型串口 EUART0
2022-05-31 09:26:16
Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)日前宣布推出支持中檔8位PIC12和PIC16 MCU系列單片機(jī)(MCU)的增強(qiáng)型架構(gòu)?；贛icrochip廣為采用的中檔
2008-11-25 09:48:50
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=363]N溝道增強(qiáng)型MOSFETTDM3512 [/td] [td]描述 該TDM3512采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。 這個(gè) 裝置是適合用作負(fù)載開關(guān)或在PWM 應(yīng)用。 一般特征 [tr][td]lRDS（ON）
2018-09-04 16:31:45
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFETCN2302資料下載內(nèi)容主要介紹了：CN2302功能和特性CN2302引腳功能CN2302電路示意圖
2021-03-25 07:31:51
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時(shí)，因?yàn)槁┰粗g被兩個(gè)背靠背的PN
2012-07-06 16:30:55
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時(shí)，因?yàn)槁┰粗g被兩個(gè)背靠背的PN
2012-07-06 16:34:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時(shí)，因?yàn)槁┰粗g被兩個(gè)背靠背的PN
2012-07-05 11:27:29
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時(shí)，因?yàn)槁┰粗g被兩個(gè)背靠背的PN
2012-07-04 17:48:54
`N通道增強(qiáng)型MOSFETTDM3518 [/td] [td]描述 該TDM3518采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。 這個(gè) 裝置是適合用作負(fù)載開關(guān)或在PWM 應(yīng)用。 一般特征
2018-09-04 16:36:16
一般說明PW2202是硅N溝增強(qiáng)型vdmosfet，采用自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)，降低了傳導(dǎo)損耗，改善了開關(guān)性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于系統(tǒng)的各種功率開關(guān)電路中特征 VDS=200V，ID=2A RDS（開）
2020-12-11 16:37:57
為什么我實(shí)際測(cè)試時(shí)，IB=100UA，IC約270UA,UCE約4V按照輸出特性曲線，當(dāng)UCE4V時(shí)，IB=100UA，IC應(yīng)該大于10MA才對(duì)??？？？
2019-12-13 15:41:46
器件功能和配置(STM32F103xx增強(qiáng)型)STM32F103xx增強(qiáng)型模塊框架圖STM32F103xx增強(qiáng)型VFQFPN36管腳圖STM32F103xx增強(qiáng)型LQFP100管腳圖
2021-08-05 06:50:21
Q1為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 該電路實(shí)際動(dòng)作：當(dāng)接通220V交流電，開關(guān)S為斷開時(shí)，Q1導(dǎo)通，燈亮；當(dāng)開關(guān)S閉合時(shí)，Q1截止，燈滅。問題：即然Q1為N溝道增強(qiáng)型
2010-11-16 12:28:04
IGBT的靜態(tài)特性其實(shí)并非難以理解的東西,即便是對(duì)于外行人而言。剛接觸那會(huì)兒，看到轉(zhuǎn)移特性、輸出特性之類的就想溜之大吉，加之網(wǎng)上查詢的資料一概籠統(tǒng)簡(jiǎn)單，只描述特性曲線所表示的關(guān)系結(jié)果，卻并不解釋曲線
2019-10-17 10:08:57
增強(qiáng)型并行端口EPP的主要特點(diǎn)是：提供了一個(gè)并行端口雙向溝通，即一種方法來(lái)讀取和寫入外圍設(shè)備連接到您的PC的并行端口。交易是8位寬和原子。主機(jī)（PC）始終是交易的始作俑者，讀取或?qū)懭?。有沒有突發(fā)
2012-03-22 16:56:03
柵電壓為0時(shí)溝道即被夾斷，只有加上正柵偏壓時(shí)才產(chǎn)生溝道而導(dǎo)電；輸出伏安特性仍然為飽和特性。三、原理不同1、耗盡型：當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了
2021-05-13 09:39:58
【老款芯片】80C51內(nèi)核增強(qiáng)型單片機(jī)芯片
2016-12-10 16:30:47
，主頻48MHz, 工作電壓1.8V至5.5V，32KB Flash，4KB SRAM，多達(dá)30個(gè)GPIO，增強(qiáng)型PWM，高精度12bit ADC；UART， SPI，I2C。產(chǎn)品特性> ARM
2021-11-19 10:04:16
溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。即：耗盡型MOS管的VGS (柵極電壓)可以用正、零負(fù)電壓控制導(dǎo)通。增強(qiáng)型： 當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)
2023-02-21 15:48:47
1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)
2012-06-19 11:36:58
過載、短路、接地故障、直流總線欠壓和過壓以及 IGBT 模塊硬件過熱問題來(lái)提高系統(tǒng)的可靠性。主要特色增強(qiáng)型隔離式逆變器，適合額定功率高達(dá) 10kW 的 200V-690V 交流驅(qū)動(dòng)器增強(qiáng)型隔離式半橋柵極
2018-12-06 14:17:15
隱時(shí)間）?！ ?直列式電流檢測(cè) 結(jié)合高共模輸入電壓，增強(qiáng)型PWM抑制有助于進(jìn)行直列式電流監(jiān)測(cè)。由于處于惡劣環(huán)境中，電流感應(yīng)放大器必須具備穩(wěn)健性。除此要求外，該放大器還必須具有較高的交流和直流精度
2020-12-24 17:34:32
ESD增強(qiáng)型器件的特點(diǎn)是什么？如何對(duì)ESD增強(qiáng)型器件進(jìn)行仿真分析？
2021-05-12 06:45:03
的隔離，并從單個(gè)變壓器生成用于三相逆變器所有三個(gè)臂的電源軌。輸出功率當(dāng)前設(shè)置為 2W/IGBT，但可通過更改變壓器設(shè)計(jì)來(lái)增大到更高功率 IGBT。特性隔離型電源，支持用于 3 個(gè)逆變器臂（每個(gè)臂為半橋
2015-04-27 18:16:34
描述對(duì)于具有較高輸出額定功率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備而言，并聯(lián) IGBT 變得很有必要，因?yàn)樵谶@類應(yīng)用中，單個(gè) IGBT 無(wú)法提供所需的負(fù)載電流。此 TI 設(shè)計(jì)采用一個(gè)增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來(lái)
2018-12-07 14:05:13
周立功 增強(qiáng)型80C51單片機(jī)速成與實(shí)戰(zhàn)
2012-08-06 13:25:00
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（電子為載流子），P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（空穴為載流子）。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管有四種類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET、N溝道耗盡型MOSFET、P溝道增強(qiáng)型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET。N溝道
2019-06-25 04:20:03
；最大瞬態(tài)隔離電壓，VOITM；及最大重復(fù)峰值隔離電壓，VIORM（參見白皮書“高壓增強(qiáng)型隔離：定義與測(cè)試方法”中的解釋）。
2019-08-01 07:38:09
本文利用32位DSP-TMS320F2812自身的增強(qiáng)型SPI接口，結(jié)合性價(jià)比高的串行接口Flash，高效地實(shí)現(xiàn)了對(duì)系統(tǒng)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展。
2021-04-27 06:22:15
FPGA有哪些配置方式？FPGA配置流程是怎樣的？增強(qiáng)型配置片工作原理是什么？
2021-05-07 06:27:07
想要用增強(qiáng)型51單片機(jī)實(shí)驗(yàn)板實(shí)現(xiàn)紅外線遙控，有沒有可以參考的案例嗎？
2021-04-02 07:05:14
選擇拉電流和灌電流的額定值為 25 A、32 A 和 40 A 的器件可編程的 DESAT 和軟關(guān)斷特性8 kV 增強(qiáng)型隔離和大于 50 kV/us 的 CMTI
2018-09-04 09:20:51
嗨，我想用PIC24FJ256GA705的增強(qiáng)型CRC從MAX31820計(jì)算1線CRC。結(jié)果是0，因?yàn)镃RC也在緩沖器中，數(shù)據(jù)是正確的，并且發(fā)送的CRC是正確的。但是CRC模塊的計(jì)算是錯(cuò)誤的，那么
2020-04-08 10:07:48
stc15w4k32s4單片機(jī)的6路增強(qiáng)型pwm怎么設(shè)置占空比為零？我把t1，t2都設(shè)置為0，但是波形的頻率卻變成了原來(lái)的一半，并且是50%的占空比。
2019-09-02 21:12:54
標(biāo)準(zhǔn)51單片機(jī)和增強(qiáng)型51單片機(jī)芯片引腳圖
2013-12-01 23:16:01
設(shè)計(jì)師會(huì)考慮使用低側(cè)感應(yīng)！下面我們將介紹另外一種方法。 圖2：在快速共模瞬變期間測(cè)量相電流描述潛在優(yōu)勢(shì)之前，先解釋一下增強(qiáng)型PWM抑制。增強(qiáng)型PWM抑制是一種有源電路，它比傳統(tǒng)方法更快速的穩(wěn)定輸出電壓
2018-10-15 09:52:41
的溝道電流In在開關(guān)過程中與門極電壓有如下關(guān)系：式中，Kp為與器件結(jié)構(gòu)和載流子特性相關(guān)的系數(shù)，Vge,th為閾值電壓。說到這里大家可能有點(diǎn)明白了，我們控制IGBT門極電壓實(shí)際上控制的是內(nèi)部MOS，直接
2023-02-13 16:11:34
擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。本節(jié)我們講解一下N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管，其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示：如上圖所示，在一塊P型硅片（半導(dǎo)體）襯底（Substrate，也有稱為Bulk或Body）上，形成兩個(gè)高
2023-02-10 15:58:00
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-13 15:41 編輯
請(qǐng)用一句話通俗易懂的話解釋下增強(qiáng)型捕獲 eCAP的功能，謝謝
2018-06-13 02:08:55
增強(qiáng)型驅(qū)動(dòng)程序(可混合顯示包括點(diǎn)線圖像字符漢字，可格式化輸出并自帶多種數(shù)字轉(zhuǎn)字符功能).rar (117.37 KB )
2019-08-14 03:51:55
本帖最后由 dewfn 于 2013-3-27 20:07 編輯
高手進(jìn)來(lái)看看這個(gè)電路圖是不是畫錯(cuò)了MOS管 圖上畫的是耗盡型，可是我查到的是增強(qiáng)型圖上型號(hào)是SI4435可是我查到
2013-03-27 13:48:45
負(fù)反饋和最大不失真輸出特性
2007-11-25 11:32:46
0
三極管的輸出特性
當(dāng)ＩＢ不變時(shí), 輸出回路中的電流ＩＣ與電壓ＵＣＥ之間的關(guān)系曲線稱為輸出特性, 即
2008-07-14 10:51:2210569 光電池輸出特性研究實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?. 初步了解硅光電池的工作原理、光照特性與輸出特性。2. 練習(xí)測(cè)量硅光電池的
2008-12-21 16:19:492080 WCDMA增強(qiáng)型上行鏈路技術(shù)研究
增強(qiáng)型上行鏈路（Enhanced Uplink）是3G中R6的技術(shù)特征，通過采用基站（Node B）控制的調(diào)度、結(jié)合軟合并的快速混合自動(dòng)重傳請(qǐng)求（HARQ）、更
2009-05-21 01:29:15569
大功率變頻電源輸出特性和實(shí)驗(yàn)分析
摘要：分析了各種負(fù)載（包括純阻性負(fù)載，感性負(fù)載，容性負(fù)載，非線性負(fù)載）下，大
2009-07-14 08:21:421114 
增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上
2010-03-05 15:34:432338 電子發(fā)燒友為您提供了RC復(fù)位電路輸入與輸出特性圖!
2011-06-28 15:28:441478 
研究了在熱載流子注入HCI(hot2carrier injection) 和負(fù)偏溫NBT (negative bias temperature) 兩種偏置條件下pMOS 器件的可靠性. 測(cè)量了pMOS 器件應(yīng)力前后的電流電壓特性和典型的器件參數(shù)漂移,并與單獨(dú)
2012-04-23 15:39:3747 非均勻輻照下TCT結(jié)構(gòu)光伏陣列輸出特性研究_丁坤
2017-01-02 15:36:121 基于光伏電池輸出特性及MPPT控制原理的分析，研究了基于Boost電路的光伏發(fā)電MPPT控制系統(tǒng)的模型，并分析了該模型中各子模塊的工作原理，并應(yīng)用Simulink軟件搭建了整個(gè)系統(tǒng)的仿真模型
2017-10-20 15:13:2960 半導(dǎo)體激光器輸出特性的影響因素分析。
2021-04-19 15:34:0121 恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置，電流Id基本不隨Uds變化，Id的大小主要決定于電壓Ugs，所以叫做恒流區(qū)，也叫飽和區(qū)。當(dāng)MOS用來(lái)做放大電路時(shí)，就是工作在恒流區(qū)（飽和區(qū)）。
2022-09-29 12:34:336550 下圖是注入電流-光輸出 (I-L) 特性。 如果激光二極管通過放大得到的增益（Gain）高于內(nèi)部損耗和磁鏡損耗，則產(chǎn)生振蕩。即存在振蕩電流閾值。 最大輸出受到扭折（電流-光輸出直線的折彎）、COD
2023-04-30 11:47:001309 
光伏電池在陰影影響下照明不均勻，輸出特性受到影響。鑒于此，研究了光伏電池的數(shù)學(xué)特性，分析了光伏電池各區(qū)域在無(wú)陰影和不同程度陰影影響下的輸出特性，最后通過建模仿真實(shí)驗(yàn)，總結(jié)論證了光伏電池在陰影影響下的輸出特性規(guī)律。
2023-09-04 14:05:55475 
MOS管輸入輸出特性曲線和三極管輸入輸出特性曲線的參數(shù)一樣嗎？? MOS管和三極管是電子元件中最常用的放大器。它們都有非常重要的輸入輸出特性曲線。雖然它們?cè)跇?gòu)造和工作原理上有很大的不同，但這兩種元件
2023-09-21 16:09:23956 電力MOSFET輸出特性曲線分為哪三個(gè)區(qū)？? 電力MOSFET是一種晶體管，用于控制電壓和電流。它們被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、電機(jī)控制、照明系統(tǒng)和各種其他工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用。電力MOSFET的輸出特性曲線
2023-09-21 16:09:322678 變頻電源在各種性質(zhì)的負(fù)載下的輸出特性 變頻電源是一種可以根據(jù)需求改變輸出頻率的電源，它在各種性質(zhì)的負(fù)載下都具有獨(dú)特的輸出特性。在本文中，我們將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地討論變頻電源在不同負(fù)載下的輸出特性
2023-11-10 15:46:07351 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《三極管的輸出特性.zip》資料免費(fèi)下載
2023-11-20 14:44:550 四腳線性霍爾元件輸出特性
2023-12-13 10:07:10510 
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