MOS 管計算導通損耗時，應該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？
2023-07-19 15:46:29
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MOS 管的開關(guān)損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
MOS管應用中的飽和電流怎么計算
2013-08-19 15:49:49
得到?！ ?、體內(nèi)寄生二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">損耗Pd_f 體內(nèi)寄生二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">損耗，指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流時因正向壓降造成的損耗?！ ◇w內(nèi)寄生二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">損耗計算 在一些利用體內(nèi)寄生二極管
2020-06-28 17:48:13
區(qū)別：1.MOS管損耗比三極管小，導通后壓降理論上為0。2.MOS管為電壓驅(qū)動型，只需要給電壓即可，意思是即便串入一個100K的電阻，只要電壓夠，MOS管還是能夠?qū)ā?.MOS管的溫度特性要比
2021-10-29 08:38:08
MOS管的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFCMOS管的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索，那么該如何量化評估呢
2018-11-09 11:43:12
只相當于一個導體。因此，我們電路或者電源設計人員最關(guān)心的是MOS的最小傳導損耗。 我們經(jīng)?？?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS（ON）參數(shù)來定義導通阻抗，對開關(guān)應用來說，RDS
2018-10-31 13:59:26
、損耗及散熱 小的Ron值有利于減小導通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差(同樣耗散功率條件下)，故有利于散熱?！ ?、損耗功率初算 MOS管損耗計算主要包含如下8個部分： PD
2018-11-02 11:49:56
01MOSFET的擊穿有哪幾種？02如何處理mos管小電流發(fā)熱嚴重情況？03mos管小電流發(fā)熱的原因04mos管小電流發(fā)熱嚴重怎么解決05MOS管為什么可以防止電源反接？06MOS管功率損耗測量
2021-03-05 10:54:49
急劇提升。在高頻開關(guān)中，MOS管的損耗分為導通損耗和開關(guān)損耗兩種，導通損耗也就是通常所說的DS兩極導通后的歐姆熱損耗，然而在特別高的高頻下，導通損耗是次要的，開關(guān)損耗上升為主要矛盾，所謂開關(guān)損耗就是從
2018-11-20 16:00:00
-請問各位專家，我是個電源新手，剛開始接觸MOS管?，F(xiàn)在又些問題，開關(guān)損耗主要是導通和關(guān)斷這兩個過程，其它損耗可忽略嗎？
2019-06-27 09:10:01
開關(guān)電源 MOS管損耗MOS管開關(guān)電源損耗開關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應器的一種。其
2021-10-29 09:16:45
求大神：mos管 功率放大電路，明明手冊上寫著可以到 100V 頻率也可以到100MHZ。我按照圖示電路 買了芯片連接，測了只有10幾兆正常，而且電壓加到正負10v，TC6320芯片就有50 、60
2017-11-27 20:06:05
MOS管的半導體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機制MOS管的驅(qū)動應用
2021-03-08 06:06:47
，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可?！ ∵x好額定電流后，還必須計算導通損耗
2020-07-10 14:54:36
稱為芯片，而為計算機應用設計的IC稱為計算機芯片。 雖然制造集成電路的方法有多種，但對于數(shù)字邏輯電路而言MO管是主要的方法。桌面?zhèn)€人計算機、工作站、視頻游戲以及其它成千上萬的其它產(chǎn)品都依賴于MOS管
2018-11-20 14:04:45
通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。五、損耗功率初算 MOS管損耗計算主要包含如下8個部分： PD
2019-12-10 17:51:58
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds，而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒有具體計算開關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
張飛電子第四部，MOS管不像三極管的BE有固定壓降，所以不知道怎么計算。運放那邊輸出開路時，MOS管導通，具體是怎么工作的。1、剛開始，三極管基極電流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估計
2021-04-27 12:03:09
MOS管特性： 電壓控制導通， 幾乎無電流損耗。需要經(jīng)常插拔電池的產(chǎn)品中, 防止電池反接是必需考慮的. 最簡單最低成本的, 在電源輸入中串一個二極管, 但二極管有壓降(0.7V), 3.3V過去后
2021-11-12 07:24:13
的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降
2019-02-14 11:35:54
過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOS管在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由于導通電阻隨溫度變化
2019-01-11 16:25:46
一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時間大減
2021-12-30 07:31:58
`到驅(qū)動波形Vgs關(guān)閉的時候Vds仍然導通導致，沒有死區(qū)時間 下面是波形 我母線通電30V電壓來測試的CH1是Vgs導通波形 CH2是 Vds波形中間有一段VGS下降了 MOS管還導通這是測兩個低端MOS管Vds的波形 沒有死區(qū)時間 另外我的尖峰脈沖是不是太高了 我上電300V的話會炸管嗎`
2017-08-02 15:41:19
，因為開關(guān)時間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動電路的好壞直接決定了電源的效率。對于一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時...
2021-11-12 08:20:58
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。MOS在導
2019-07-05 08:00:00
都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。MOS在導
2019-07-05 07:30:00
都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。MOS在導通和截止
2019-07-03 07:00:00
1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全
2020-10-10 11:21:32
）電流非常?。娙莸碾娏?b class="flag-6" style="color: red">損耗）。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET0)，因為MOS管更小
2012-07-11 11:53:45
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動電路電壓源為mos結(jié)電容充電時經(jīng)過柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長了柵極電容兩端電壓達到mos管開啟電壓的速度；結(jié)電容放電時經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
時，MOS管的損耗是不容忽視的一部分。下面將詳細計算MOS管的損耗。2. MOS管的損耗來源2.1 MOS開關(guān)損耗MOS在開關(guān)電源中用作開關(guān)器件，顧名思義，MOS會經(jīng)常的開通和關(guān)斷。由于電壓和電流都是
2021-07-29 06:01:56
在BUCK型開關(guān)電源中，如果沒有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開關(guān)電源中主要的損耗是導通損耗和交流開關(guān)損耗，導通損耗主要是指MOS管導通后的損耗和肖特基二極管導通的損耗（是指完
2021-10-29 08:08:29
1、拓撲說明 基于逆變器的拓撲進行IGBT的損耗計算，如下為三相全橋結(jié)構(gòu)帶N線的方式。調(diào)制方式為SPWM波形，針對IGBT2和DIODE2分析，輸出電流為正弦波形，輸出電壓為電網(wǎng)電壓。其中二極管
2023-02-24 16:47:34
因此被降低，器件效率隨之下降；其中，柵極電荷(Qgd)對開關(guān)性能的影響最大。為計算開關(guān)過程中器件的總損耗，設計人員必須計算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)，進而推導出MOS管
2023-02-17 14:12:55
確保足夠的死區(qū)時間長度，但如果將死區(qū)時間設置得過長，會導致損耗增加。這是因為在死區(qū)時間內(nèi)，SiC MOSFET處于OFF狀態(tài)，因此電流會流過體二極管。通常，體二極管的導通損耗比較大，其導通時間越長，損耗
2023-06-12 14:29:41
橋設置死區(qū)的地方，本來應該低電平的，卻有一個足以驅(qū)動MOS管的脈沖電壓，導致MOS管發(fā)熱嚴重。想問問各位大神，是什么原因，有什么辦法解決呢？謝謝。圖中的畸變還不算厲害，但強電電壓上去后，就很高了。
2016-06-23 08:25:22
利用stm32f103生成互補pwm，然后控制反相器（反相器如圖所示），需要考慮死區(qū)時間嗎？如果需要的話，如何結(jié)合mos管的參數(shù)求得死區(qū)時間？
2023-10-30 16:01:55
圓通過外殼向周圍的空氣散熱，所以計算溫度的時候就用Rja，計算公式是Ta=Tj-P×Rja，如果MOS管的總損耗是知道，那就能計算出晶圓的溫度是多少，比如Rja 是62℃/W如果損耗是1.2W
2021-09-08 08:42:59
MOS管損耗的8個組成部分在器件設計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計算值和預計波形
2019-09-02 08:30:00
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
帶來不利影響。以圖2為例，首先假設輸出電流按圖示方向流動，而IGBT T1由開通到關(guān)斷，經(jīng)過一小段死區(qū)時間后IGBT T2由關(guān)斷到開通。 在有效死區(qū)時間內(nèi)，兩個開關(guān)管都是關(guān)斷的，且續(xù)流二極管D2流過
2019-04-23 08:00:00
計算導通損耗。在實際情況下，MOS管并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOS管在"導通"時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度
2013-10-29 17:27:29
/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因為在每次開關(guān)時都要對它們充電。MOS管的開關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關(guān)過程中器件的總損耗，設計人員必須計算開通過程中的損耗
2018-10-19 10:10:44
何為死區(qū)時間？如何去計算死區(qū)時間？
2021-05-10 06:52:52
您好！
我請教一個關(guān)于LT8705死區(qū)時間的問題：客戶在使用LT8705過程中想確認上下功率MOS管的死區(qū)時間最小是多少？目前客戶測試結(jié)果只有30ns左右。而根據(jù)MOS的上升沿和下降沿從20ns到40ns不等，有直通的風險，請問LT8705是怎么調(diào)節(jié)死區(qū)時間防止直通的？謝謝?。?
2024-01-03 06:23:18
像2301那種mos導通后，VDS電壓是0嗎？也就是沒有損耗?仿真是沒有損耗的
2020-04-16 15:44:28
關(guān)于mos管漏極電流id的計算，能夠找到的例子非常少，問的人也更加少，就是這個id電流計算有一個未知參數(shù)kn，這個參數(shù)在平常我們選擇哪個信號的管子就需要去查看這個管子的電子文檔資料datasheet
2018-05-28 18:59:27
只相當于一個導體。因此，我們電路或者電源設計人員最關(guān)心的是MOS的最小傳導損耗。 我們經(jīng)?？?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS（ON）參數(shù)來定義導通阻抗，對開關(guān)應用來說，RDS
2018-10-25 14:40:18
mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態(tài)。 Mos主要損耗也對應這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導通損耗
2020-06-26 13:11:45
器件中產(chǎn)生開關(guān)
損耗，因為在每次開關(guān)時都要對它們充電。
MOS管的開關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為
計算開關(guān)過程中器件的總
損耗，要
計算開通過程中的
損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的
損耗(Eoff)?！ ?/div>
2018-11-08 14:13:40
被降低，器件效率也下降。為計算開關(guān)過程中器件的總損耗，要計算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)?！ ×私饬?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的選取法則，那么工程師們選擇的時候就可以通過這些法則去選取所要的MOS管了，從而讓整個電路工作能順利進行下去。不會因為MOS管的不合適而影響后面的各項工作和事宜。
2016-01-26 10:30:10
如何計算MOS管的損耗？
2021-11-01 08:02:22
什么是死區(qū)時間？如何計算以及配置正確的死區(qū)時間呢？
2021-10-21 08:15:41
開關(guān)MOS的損耗如何計算？
2021-03-02 08:36:47
如何為計算機開關(guān)電源管理芯片選擇更可靠的mos管？
2021-01-18 06:11:22
，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時電流接連經(jīng)過器材。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過器材。一旦確認了這些條件下的最大電流，只需直接挑選能接受這個最大電流的器材便可?！ ∵x好額外電流后，還有必要核算導通損耗
2021-03-15 16:28:22
所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必須確保所選的mos管能承受這個額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時，兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。4.計算導通損耗。在實際情況
2019-11-21 09:14:39
電源工程師知道，整個電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導通損耗和關(guān)斷損耗，因為這兩種損耗與傳導損耗或驅(qū)動損耗不同，因為它很直觀，所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天，我們將詳細分析
2021-10-29 08:43:49
MOS管損耗的8個組成部分 在器件設計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計算值和預計波形
2019-09-06 09:00:00
開關(guān)電源死區(qū)時間計算
2013-07-28 08:55:51
MOS管開通損耗只要不是軟開關(guān)，一般都是比較大的。假如開關(guān)頻率80KHZ開關(guān)電源中,由于有彌勒電容，如果關(guān)斷速度夠快是不是MOS管的關(guān)斷損耗都算軟關(guān)閉，損耗接近0？另外開通和關(guān)閉損耗的比例是多少。請大神賜教，越詳細越好。
2021-09-11 23:56:46
已經(jīng)上傳了驅(qū)動部分的原理圖，我剛進一個做MOS的公司，有個客戶是這樣的，他說我們的管子溫度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比較大，反向恢復損耗比較高，有什么辦法可以降低嗎，讓MOS的溫度的降下來
2019-09-11 04:23:31
怎樣去計算MOS管柵極的驅(qū)動電流呢？如何對MOS管的驅(qū)動波形進行測試呢？
2021-09-28 07:36:15
損失 不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣點電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗，現(xiàn)在的小功率MOS管導通電阻一般在
2018-12-03 14:43:36
`<p> 揭秘高效電源如何選擇合適的mos管 目前，影響開關(guān)電源電源效率的兩個損耗因素是：導通損耗和開關(guān)損耗，以下分別對這兩種損耗做具體分析?！ ?b class="flag-6" style="color: red">損耗 導通損耗
2018-11-06 13:45:30
電壓開關(guān)（ZVS），而不會產(chǎn)生開關(guān)導通損耗。一方面，為了實現(xiàn)ZVS的導通，晶體管的寄生輸出電容應在每個死區(qū)時間內(nèi)使用該磁化電流完全放電。另一方面，在死區(qū)時間內(nèi)，磁化電流會在初級端產(chǎn)生額外的環(huán)流損耗。因此
2023-02-27 09:37:29
相比極小)瞬態(tài)功率原因:外加單觸發(fā)脈沖負載短路 開關(guān)損耗(接通、斷開)*(與溫度和工作頻率是相關(guān)的) MOS管的rr損耗(上下橋臂短路損耗)(與溫度和工作頻率是相關(guān)的) 器件正常運行時不發(fā)生
2018-11-21 13:52:55
電源損耗一般集中在以下一些方面：1.MOS管的開通損耗及導通損耗。2.變壓器的銅損和鐵損；3.副邊整流管的損耗；4.橋式整流的損耗。5.采樣電阻損耗；6.吸收電路的損耗；7.其它損耗：PFC電感損耗
2018-09-18 09:13:29
值有利于減小導通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱?！ ∥?、損耗功率初算 MOS管損耗計算主要包含如下8個部分： PD
2019-02-21 12:02:20
比如一個電源，全橋架構(gòu)，副邊用的是橋式整流輸出，輸出電流為10A，假設二極管的管子壓降為1.5V，那么副邊的二極管通態(tài)損耗怎么樣計算？可以這樣了解嗎：正半周期一組對角的二極管導通，此時功耗為1.5V*10*2=30W，同理負半周期也如此，則副邊二極管損耗為60W。
2018-12-18 14:52:44
示波器的死區(qū)時間具體是多少？怎么計算？如何減少示波器的死區(qū)時間？
2021-05-07 06:22:13
最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因為在每次開關(guān)時都要對它們充電。MOS管的開關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關(guān)過程中器件的總損耗，要計算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)。`
2019-01-10 11:52:27
最大的兩個損耗因素是：導通損耗和開關(guān)損耗，以下分別對這兩種損耗做具體分析?！ ?b class="flag-6" style="color: red">損耗 導通損耗具體來講是由MOS管的導通阻抗Rds產(chǎn)生的，Rds與柵極驅(qū)動電壓Vgs和流經(jīng)MOS管的電流有關(guān)。如果想要
2016-12-23 19:06:35
相對于PWM來說，死區(qū)時間是在PWM輸出的這個時間，上下管都不會有輸出，當然會使波形輸出中斷，死區(qū)時間一般只占百分之幾的周期。但是當PWM波本身占空比小時，空出的部分要比死區(qū)還大，所以死區(qū)會影響輸出的紋波，但應該不是起到?jīng)Q定性作用的。
2020-12-09 16:25:0347468 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供開關(guān)MOS的損耗如何計算？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-03 08:51:59
16 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供MOS設計選型及損耗計算資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-16 08:49:1626 原文：http://www.kiaic.com/article/detail/1404.html開關(guān)電源 MOS管損耗MOS管開關(guān)電源損耗開關(guān)模式電源（Switch Mode Power
2021-10-22 09:51:1318 在BUCK型開關(guān)電源中，如果沒有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開關(guān)電源中主要的損耗是導通損耗和交流開關(guān)損耗，導通損耗主要是指MOS管導通后的損耗和肖特基二極管導通的損耗（是指完
2021-10-22 15:05:5925 電源工程師知道，整個電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導通損耗和關(guān)斷損耗，因為這兩種損耗與傳導損耗或驅(qū)動損耗不同，因為它很直觀，所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天，我們將詳細分析
2021-10-22 17:35:5953 電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，我們談及最多的就是開通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個損耗不像導通損耗或驅(qū)動損耗一樣那么直觀，所以有部分人對于它計算還有些迷茫。
2022-02-10 10:35:2314 MOS管損耗的8個組成部分
在器件設計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計算值和預計波形
2022-02-11 14:06:463 詳解MOS驅(qū)動電路功率損耗的構(gòu)成以及計算方法
2022-04-13 08:35:0020804 
上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)產(chǎn)生的死區(qū)時間損耗。死區(qū)時間損耗是指在死區(qū)時間中因低邊開關(guān)（MOSFET）體二極管的正向電壓和負載電流而產(chǎn)生的損耗。
2023-02-23 10:40:491604 
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