和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和
關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極
管的恢復(fù)特性是決定
MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗的主要因素，討論二極
管恢復(fù)性能對(duì)于硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?/div>
2021-06-16 09:21:55
完全釋放干凈。當(dāng)原邊的MOSFET都處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，串聯(lián)諧振電路中的諧振電流會(huì)對(duì)開(kāi)關(guān)管MOSFET的等效輸出電容進(jìn)行充放電。MOSFET都關(guān)斷時(shí)的等效電路如下圖所示：通過(guò)對(duì)上圖的分析，可以得出需要滿(mǎn)足
2018-07-13 09:48:50
的電荷可以在死區(qū)時(shí)間內(nèi)被完全釋放干凈?！ ‘?dāng)原邊的MOSFET都處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，串聯(lián)諧振電路中的諧振電流會(huì)對(duì)開(kāi)關(guān)管MOSFET的等效輸出電容進(jìn)行充放電。MOSFET都關(guān)斷時(shí)的等效電路如下圖所示
2018-11-21 15:52:43
驅(qū)動(dòng)電流幾乎為零，但在開(kāi)通和關(guān)斷動(dòng)態(tài)過(guò)程中，仍需要一定的驅(qū)動(dòng)電流。假定開(kāi)關(guān)管飽和導(dǎo)通需要的柵極電壓值為VGS，開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通時(shí)間TON包括開(kāi)通延遲時(shí)間TD和上升時(shí)間TR兩部分?！ ￠_(kāi)關(guān)管關(guān)斷過(guò)程
2019-06-14 00:37:57
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
完全釋放干凈。當(dāng)原邊的MOSFET都處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，串聯(lián)諧振電路中的諧振電流會(huì)對(duì)開(kāi)關(guān)管MOSFET的等效輸出電容進(jìn)行充放電。MOSFET都關(guān)斷時(shí)的等效電路如下圖所示：通過(guò)對(duì)上圖的分析，可以得出需要滿(mǎn)足
2018-07-18 10:09:10
性負(fù)載兩端連接了一個(gè)簡(jiǎn)單的飛輪二極管，以在MOSFET將其“關(guān)斷”時(shí)消散電動(dòng)機(jī)產(chǎn)生的任何反電動(dòng)勢(shì)。由齊納二極管與二極管串聯(lián)形成的鉗位網(wǎng)絡(luò)也可用于允許更快地切換以及更好地控制峰值反向電壓和壓
2021-09-13 08:27:30
和熱量造成的失效。什么是dV/dt失效本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位
2022-07-26 18:06:41
溫度依賴(lài)性。下面是實(shí)測(cè)例。下一篇計(jì)劃介紹ID-VGS特性。關(guān)鍵要點(diǎn):?MOSFET的開(kāi)關(guān)特性參數(shù)提供導(dǎo)通延遲時(shí)間、上升時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、下降時(shí)間。?開(kāi)關(guān)特性受測(cè)量條件和測(cè)量電路的影響較大，因此一般確認(rèn)提供條件。?開(kāi)關(guān)特性幾乎不受溫度變化的影響。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFET
2018-11-28 14:29:57
我看一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與仿真PPT里面說(shuō)，Vg中存在負(fù)電壓，一定程度上加長(zhǎng)了驅(qū)動(dòng)延遲時(shí)間，要消除負(fù)壓，然后又看了一個(gè)技術(shù)手冊(cè)，專(zhuān)門(mén)介紹了一種負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路。如下圖所示，所示可以負(fù)壓驅(qū)動(dòng)可以加速關(guān)斷速度~然后我就懵了，想問(wèn)下大家，什么時(shí)候要用負(fù)壓驅(qū)動(dòng)？還有負(fù)壓驅(qū)動(dòng)能加速關(guān)斷嗎？
2019-01-23 15:57:14
，ID隨VGS而變化。從VGS(th)的規(guī)格值的角度看，只要條件沒(méi)有確定，就無(wú)法保證VGS(th)的值，因此在MOSFET的技術(shù)規(guī)格中規(guī)定了條件。這個(gè)表是從N-ch 600V 4A的功率MOSFET
2018-11-28 14:28:20
應(yīng)用，使用MOSFET作為調(diào)整管，MOSFET就工作于穩(wěn)定放大區(qū)。開(kāi)關(guān)電源等現(xiàn)代的高頻電力電子系統(tǒng)，MOSFET工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，相當(dāng)于在截止區(qū)和導(dǎo)變電阻區(qū)（完全導(dǎo)通）快速的切換，但是，在切換過(guò)程必須跨越放大區(qū)，這樣
2016-12-21 11:39:07
第四部第四講講解mosfet的開(kāi)關(guān)過(guò)程，當(dāng)Vgs大于開(kāi)啟電壓時(shí)，Id與Vgs逐漸增大。當(dāng)Id增大至所需最大電流時(shí)，平臺(tái)電壓形成，Vgs與Id成比例(未完全導(dǎo)通)。當(dāng)mosfet完全導(dǎo)通時(shí)，Vgs
2018-10-24 14:55:15
，MOSFET Q1門(mén)極驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)斷，諧振電感電流開(kāi)始流經(jīng)MOSFET Q2的體二極管，為MOSFET Q2產(chǎn)生ZVS條件。這種模式下應(yīng)該給MOSFET Q2施門(mén)極信號(hào)。由于諧振電流的劇增，MOSFET
2019-09-17 09:05:04
難以預(yù)計(jì)的數(shù)值也是造成此部分計(jì)算誤差的主要原因之一。 4、關(guān)斷過(guò)程損耗 關(guān)斷過(guò)程損耗。指在MOSFET關(guān)斷過(guò)程中逐漸上升的漏源電壓VDS（on_off）（t）與逐漸下降的漏源電流IDS（on_off
2020-06-28 17:48:13
MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷原理
2021-03-04 08:28:49
了解MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷原理你就會(huì)發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷
2021-10-28 08:37:47
時(shí)的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過(guò)尾電流，因此相應(yīng)的開(kāi)關(guān)損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復(fù)二極管）的關(guān)斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
的SiC-MOSFET由于寄生雙極晶體管的電流放大倍數(shù)hFE較低，因而不會(huì)發(fā)生電流放大，截至目前的調(diào)查中，即使在50kV/μs左右的工作條件下，也未發(fā)生這種損壞模式。關(guān)于體二極管快速恢復(fù)時(shí)的dV/dt，一般認(rèn)為
2018-11-30 11:30:41
）開(kāi)通損耗會(huì)更低。 ?。?）關(guān)斷過(guò)程分析 圖8 MOSFET關(guān)斷過(guò)程分析 在MOSFET器件的關(guān)斷過(guò)程，其模型如圖8所示，其數(shù)學(xué)模型如下： 以TO-247-3為例，在MOSFET關(guān)斷過(guò)程中，漏極電流
2023-02-27 16:14:19
一個(gè)下拉電阻。作用：確保給GS電容提供放電回路——確保關(guān)斷，低態(tài)。這樣MOSFET就只有兩態(tài)，不是高就是低。另外，下拉電阻，也可以防止雷擊，靜電。實(shí)際上，對(duì)于晶體管來(lái)說(shuō)，如果沒(méi)有一個(gè)完整的額回路，是不
2021-05-10 09:52:22
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問(wèn)題，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時(shí)需要兼顧模塊電源的EMI性能。MOSFET的損耗主要有以下部分組成：MOSFET導(dǎo)通與關(guān)斷過(guò)程中都會(huì)產(chǎn)生
2019-09-25 07:00:00
開(kāi)關(guān)管和整流器。雖然沒(méi)有萬(wàn)全的方案來(lái)解決選擇IGBT還是MOSFET的問(wèn)題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些
2017-04-15 15:48:51
，Mosfet管的柵極輸入端相當(dāng)于是一個(gè)容性網(wǎng)絡(luò)，因此器件在穩(wěn)定導(dǎo)通時(shí)間或者關(guān)斷的截止時(shí)間并不需要驅(qū)動(dòng)電流，但是在器件開(kāi)關(guān)過(guò)程中，柵極的輸入電容需要充電和放電，此時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)電路必須提供足夠大的充放電
2020-07-16 14:55:31
和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞挠绊?。?dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長(zhǎng)外，IGBT
2019-03-06 06:30:00
48V的，驅(qū)動(dòng)信號(hào)開(kāi)通MOSFET電壓Vgs=20V，關(guān)斷電壓Vgs=-4V，為何會(huì)燒MOSFET，而且燒了兩次都是電流流經(jīng)的第一個(gè)管子，還請(qǐng)經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師不吝賜教。下圖是實(shí)物接線(xiàn)圖
2016-09-06 12:51:58
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
試驗(yàn)，以在實(shí)際應(yīng)用條件下，評(píng)估1200V/45mΩ CoolSiC? MOSFET在TO-247 3引腳和4引腳封裝中的寄生導(dǎo)通特性。所有試驗(yàn)均在柵極關(guān)斷電壓為0V的條件下開(kāi)展?！ D2. 用于特性測(cè)試
2023-02-27 13:53:56
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動(dòng)共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時(shí)，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
目前想設(shè)計(jì)一個(gè)關(guān)于MOSFET的DG極驅(qū)動(dòng)方案，存在問(wèn)題為MOSFET可以正常開(kāi)通，但無(wú)法關(guān)斷，帶負(fù)載時(shí)GS極始終存在4V電壓無(wú)法關(guān)斷MOSFET 。
電路圖如下：
空載時(shí)，GS極兩端電壓：
是可以
2023-12-17 11:22:00
）開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。（3）關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。（4）驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)
2019-02-21 06:30:00
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
功率MOSFET的感性負(fù)載關(guān)斷過(guò)程和開(kāi)通過(guò)程一樣，有4個(gè)階段，但是時(shí)間常數(shù)不一樣。驅(qū)動(dòng)回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻
2017-03-06 15:19:01
有關(guān)，而門(mén)極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個(gè)溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時(shí)的通態(tài)電阻。功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理（1）：開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程實(shí)驗(yàn)電路（2）：MOSFET 的電壓和電流波形（3
2021-09-05 07:00:00
理想MOSFET 來(lái)等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān)，而門(mén)極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個(gè)溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時(shí)的通態(tài)電阻。七、功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理1）開(kāi)通
2021-08-29 18:34:54
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開(kāi)通延時(shí)、開(kāi)通上升時(shí)間，關(guān)斷延時(shí)和關(guān)斷下降時(shí)間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來(lái)評(píng)估功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
2016-12-16 16:53:16
和關(guān)斷過(guò)程原理（1）：開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程實(shí)驗(yàn)電路（2）：MOSFET 的電壓和電流波形（3）：開(kāi)關(guān)過(guò)程原理開(kāi)通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0
2018-10-25 16:11:27
，磁芯應(yīng)該開(kāi)有氣隙,基于這種特殊的功率轉(zhuǎn)換過(guò)程，所以反激式轉(zhuǎn)換器可以轉(zhuǎn)換傳輸?shù)墓β视邢蓿皇沁m合中低功率應(yīng)用，如電池充電器、適配器和DVD播放器。反激式轉(zhuǎn)換器在正常工作情況下，當(dāng)MOSFET關(guān)斷
2018-10-10 20:44:59
功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關(guān)斷能力，而且具有驅(qū)動(dòng)功率小，關(guān)斷速度快等優(yōu)點(diǎn)，是目前開(kāi)關(guān)電源中常用的開(kāi)關(guān)器件。采用MOSFET 控制的開(kāi)關(guān)電源具有體積小、重量輕
2021-11-12 08:50:12
MOSFET需要一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)來(lái)將電流從源極傳導(dǎo)至漏極，并且需要在A(yíng)C正弦波變?yōu)樨?fù)值時(shí)快速關(guān)斷。通過(guò)將N溝道MOSFET與4個(gè)LM74670-Q1智能二極管整流控制器組合在一起，可以在在正弦波的負(fù)周期
2018-05-30 10:01:53
通壓降應(yīng)該只有幾伏，如圖2（a） 中的VDS所示?！ D3:低跨導(dǎo)MOSFET的導(dǎo)通階段 ?。?）關(guān)斷階段 如圖2（b）所示，保護(hù)電路工作后，開(kāi)始將MOSFET關(guān)斷，在關(guān)斷過(guò)程中MOSFET消耗
2018-09-30 16:14:38
倍所引起的問(wèn)題在MOSFET管的使用中也已不存在。
在關(guān)斷過(guò)程中，因?yàn)?MOSFET管電流下降速度很快，輸出端的下降電流和上升電壓在較低的電流下會(huì)發(fā)生重疊，從而減小了重疊損耗即交流開(kāi)關(guān)損耗（1.3.4 節(jié))。這樣就可以簡(jiǎn)化甚至不需要緩沖器了（第11章)。
2023-09-28 06:33:09
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見(jiàn)的方式，其四周?chē)@著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率
2022-11-17 08:05:25
大部分功率 MOSFET 都是增強(qiáng)型的。（可能因?yàn)閷?shí)際的制作工藝無(wú)法達(dá)到理論要求吧，看來(lái)理論總是跟實(shí)際有差距的，哈哈）MOSFET 是電壓控制型器件，三極管是電流控制型器件，這里說(shuō)的優(yōu)缺點(diǎn)當(dāng)然是要跟
2019-11-17 08:00:00
請(qǐng)問(wèn)如何通過(guò)MOSFET上的導(dǎo)通時(shí)間tdon，上升沿時(shí)間tr，關(guān)斷時(shí)間toff，下降沿時(shí)間tf 來(lái)確定 MOSFET 的開(kāi)關(guān)頻率大概是多少？
2019-01-09 18:29:44
開(kāi)關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
和計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷過(guò)程的實(shí)際過(guò)程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開(kāi)關(guān)損耗1，通過(guò)過(guò)程中的MOSFET開(kāi)關(guān)損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
瞬態(tài)下的MOSFET操作時(shí)序 要分析快速開(kāi)關(guān)MOSFET中的封裝寄生電感產(chǎn)生的影響，必須十分理解MOSFET工作處理。硬開(kāi)關(guān)關(guān)斷通常出現(xiàn)在硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浜土汶妷洪_(kāi)關(guān)拓?fù)渲?。本小?jié)將逐步分析MOSFET關(guān)斷
2018-10-08 15:19:33
尖峰；三是降低dV／dt或dI／dt。由于MOSFET管的電流下降速度很快，所以它的關(guān)斷損耗很小。雖然MOSFET管依然使用關(guān)斷緩沖電路，但它的作用不是減少關(guān)斷損耗，而是降低變壓器漏感尖峰電壓。本文主要
2018-11-21 16:22:57
）開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。（3）關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。（4）驅(qū)動(dòng)電路
2017-01-09 18:00:06
會(huì)產(chǎn)生振蕩，此時(shí)功率器件的損耗較大。當(dāng)振蕩幅值較高時(shí)，將使功率器件導(dǎo)通，從而造成功率開(kāi)關(guān)管直通而損壞。目前常用的解決方法是在MOSFET關(guān)斷時(shí)在柵極施加反壓，以削弱振蕩的影響，但反壓電路卻占用空間
2018-08-27 16:00:08
` MOS管的快速關(guān)斷原理 R4是Q1的導(dǎo)通電阻沒(méi)有Q1就沒(méi)有安裝的必要了，當(dāng)?shù)碗娢粊?lái)時(shí)Q1為瀉放擴(kuò)流管。 功率MOS管怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn),怎樣實(shí)現(xiàn)？ 功率mosfet的三個(gè)端口，G
2019-01-08 13:51:07
，輸出二極管關(guān)斷過(guò)程的振蕩。由于輸出二極管在開(kāi)關(guān)周期都是在接近峰值電流關(guān)斷，其反向恢復(fù)會(huì)在線(xiàn)路的雜散電感引起高頻振蕩（如圖5所示），這個(gè)振蕩一方面會(huì)帶來(lái)二極管過(guò)壓尖峰問(wèn)題，另一方面會(huì)帶來(lái)電磁干擾加劇
2016-08-25 14:39:53
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
，晶胞單元自動(dòng)均流，達(dá)到平衡。相應(yīng)的，在MOSFET關(guān)斷過(guò)程中，離柵極管腳距離遠(yuǎn)的晶胞單元的電壓降低得慢，容易在導(dǎo)通電阻RDS(ON)的負(fù)溫度系數(shù)區(qū)域形成局部的過(guò)熱而損壞。對(duì)于多管的并聯(lián)工作過(guò)程，和上述
2016-09-26 15:28:01
盡管MOSFET在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師對(duì)于MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程仍然有一些疑惑，本文先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷
2016-11-29 14:36:06
理想，然而事實(shí)確實(shí)如此，那就沒(méi)有解決方法了嗎？方法肯定是有的，先賣(mài)個(gè)關(guān)子，等后面再說(shuō)。今天我們先簡(jiǎn)單聊聊IGBT的關(guān)斷過(guò)程，從根源上分析一下導(dǎo)致上述現(xiàn)象的原因。要想了解IGBT的關(guān)斷過(guò)程，有必要
2023-02-13 16:11:34
雙極性晶體管與MOSFET對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-04-20 06:36:55
小弟是電子初學(xué)者，經(jīng)常在設(shè)計(jì)電路時(shí)MOSFET管出現(xiàn)損壞，請(qǐng)問(wèn)造成MOSFET管損壞有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
從本篇開(kāi)始，介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
大于額定值的情況？回復(fù)：是的。但是在高溫條件下，一些大電流的關(guān)斷，可能在關(guān)斷過(guò)程中，發(fā)生寄生三極管導(dǎo)通而損壞，雖然看不到過(guò)壓的情況，但是作者仍然將其定義為雪崩 UIS 損壞。 4、關(guān)于（2）中兩種情況
2020-03-24 07:00:00
幾乎為零，但在開(kāi)通和關(guān)斷動(dòng)態(tài)過(guò)程中，仍需要一定的驅(qū)動(dòng)電流。假定開(kāi)關(guān)管飽和導(dǎo)通需要的柵極電壓值為VGS，開(kāi)關(guān)管的 開(kāi)通時(shí)間TON包括開(kāi)通延遲時(shí)間TD和上升時(shí)間TR兩部分?！ ￠_(kāi)關(guān)管關(guān)斷過(guò)程中，CISS
2023-02-27 11:52:38
關(guān)斷過(guò)電壓鉗位電路
2008-08-22 10:15:21
2032 
具有能量恢復(fù)能力的關(guān)斷過(guò)電壓鉗位電路
2008-08-22 10:16:39559 
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程;然后介紹了一種更直觀(guān)明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。開(kāi)關(guān)過(guò)程中，功率MOSFET動(dòng)態(tài)的經(jīng)過(guò)是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過(guò)程。在
2011-03-15 15:19:17
557 開(kāi)通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時(shí)，MOSFET 被驅(qū)動(dòng)開(kāi)通； -- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對(duì)Cgs 充電而上升，在t1 時(shí)刻，到達(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開(kāi)始導(dǎo)電；
2012-03-14 14:22:46288 為了使MOSFET整個(gè)開(kāi)關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實(shí)現(xiàn)其在開(kāi)通過(guò)程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管，由于其寄生的二極管或并聯(lián)的肖特基二極管先導(dǎo)通，然后續(xù)流的同步
2012-04-12 11:04:2359180 
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式，并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生失效
2013-09-26 14:54:2392 和開(kāi)爾文結(jié)構(gòu)封裝的串?dāng)_問(wèn)題分別進(jìn)行分析，柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會(huì)引起處于關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串?dāng)_問(wèn)題的驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于控制的特點(diǎn)。分析該驅(qū)動(dòng)電路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:223 )和Δt 程中, MOSFET 的門(mén)極電壓Vgs減小至Miller平臺(tái)電壓Vmr, 漏源電壓Vds增大至Vds(max), 而漏源電流Ids保持不變. 由于Ib=Ids, BJT的集射極電流Ice受Ib控制, 所以,在IGBT關(guān)斷td(off)和Δt過(guò)程中, Ice電流仍然保持不變,
2018-12-22 12:41:5538202 
LTC4352 - MOSFET 理想二極管控制器在低壓應(yīng)用中為堅(jiān)固的電源“或”提供快速接通和關(guān)斷
2021-03-19 01:23:139 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供功率MOSFET的關(guān)斷過(guò)程和和關(guān)斷損耗資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶(hù)指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-05 08:53:1113 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供為什么不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT也會(huì)不同呢？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶(hù)指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:46:2512 在IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程中通常用開(kāi)通延遲td（on）、關(guān)斷延遲td（off）、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來(lái)進(jìn)行描述。
2021-05-06 10:06:016718 
和計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷過(guò)程的實(shí)際過(guò)程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開(kāi)關(guān)損耗1，通過(guò)過(guò)程中的MOSFET開(kāi)關(guān)損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 當(dāng)我們使用MOS管進(jìn)行一些PWM輸出控制時(shí)，由于此時(shí)開(kāi)關(guān)頻率比較高，此時(shí)就要求我們能更快速的開(kāi)關(guān)MOS管，從理論上說(shuō)，MOSFET 的關(guān)斷速度只取決于柵極驅(qū)動(dòng)電路。當(dāng)然電流更高的關(guān)斷電路可以更快
2022-04-11 08:03:0119956 
上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:23399 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容，三個(gè)溝道電阻，和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來(lái)等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān)，而門(mén)極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個(gè)溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時(shí)的通態(tài)電阻。
2023-02-17 18:11:011420 上一篇，我們寫(xiě)了基于感性負(fù)載下，IGBT的開(kāi)通過(guò)程，今天，我們就IGBT的關(guān)斷過(guò)程進(jìn)行一個(gè)敘述。對(duì)于IGBT關(guān)斷的可以基于很對(duì)方面進(jìn)行分析，而今
天我們從電壓電流對(duì)IGBT的關(guān)斷過(guò)程進(jìn)行分析。
2023-02-22 15:21:339 , 同時(shí)還具有MOSFET柵極輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)。很多情況，由
于對(duì)IGBT關(guān)斷機(jī)理認(rèn)識(shí)不清, 對(duì)關(guān)斷時(shí)間隨電壓和電流的變化規(guī)律認(rèn)識(shí)不清, 導(dǎo)致無(wú)法解釋在使用過(guò)程中出現(xiàn)的電流拖尾長(zhǎng)、
死區(qū)時(shí)間長(zhǎng)等現(xiàn)象, 不能充分發(fā)揮IGBT的性能; 導(dǎo)致IGBT因使用不當(dāng), 燒毀。今天我們就IGBT關(guān)斷時(shí)的
2023-02-22 14:57:543 最近一直在說(shuō)MOS管的知識(shí)，就有朋友留言說(shuō)能具體說(shuō)一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程嗎，那我們今天來(lái)說(shuō)一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷具體過(guò)程。
2023-03-26 16:15:434932 
到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。 日前發(fā)布的光耦集成關(guān)斷電路，典型關(guān)斷時(shí)間為 0.7ms，在 SOP-4 小型封裝 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器中達(dá)到先進(jìn)水平。此外，VOMDA127 的導(dǎo)
2023-06-08 19:55:02374 
8.2.12.5關(guān)斷過(guò)程，0
2022-03-10 10:26:03211 
SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)镾iC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來(lái)說(shuō)，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 
探究快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
2023-01-12 14:33:03991 、N型漏源和門(mén)極組成。因其高電壓和高電流開(kāi)關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷是通過(guò)控制門(mén)極電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的。下文詳細(xì)介紹IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件，以及具體的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程。 IGBT
2023-10-19 17:08:028172 
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