本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導(dǎo)，因此難以制作P型半導(dǎo)體。學(xué)習(xí)氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:09
1026 
成國內(nèi)首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延于一體的
氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線。行業(yè)分析人士表示，
氧化鎵是第四代半導(dǎo)體材料，在市場對性能好、損耗低、
功率密度高的
功率器件需求不斷釋放背景下，
氧化鎵市場發(fā)展?jié)摿薮?/div>
2023-03-15 11:09:59
三菱電機發(fā)布了家用空調(diào)“ZW系列”8款機型，可根據(jù)人的位置和活動量控制風(fēng)量及風(fēng)向，在不降低舒適性的前提下提高節(jié)能性。將于2007年11月中旬開始陸續(xù)上市。價格為開放式，該公司設(shè)想的實際售價約為18萬
2019-07-10 07:34:43
三菱電機通用交流伺服放大器MELSERVO-J3系列的基礎(chǔ)知識點匯總
2021-11-15 06:00:56
三菱FX1S PLC如何控制伺服電機？
2021-09-27 07:04:04
有哪位大俠賜教下三菱FX系列的PLC的地址計算方法??？特別是輔助繼電器M的置位和復(fù)位，輸出Y的置位復(fù)位以及讀取。
2017-05-11 08:33:11
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd 三菱PLC與西門子PLC有什么區(qū)別
2015-09-17 08:53:43
三菱PLC如何控制步進電機？
2021-10-09 07:04:42
三菱PLC怎樣在脈沖總數(shù)未知的情況下實現(xiàn)步進電機的加減速呢？
2023-03-23 15:29:20
三菱PLC控制三菱伺服選型技巧有哪些？
2021-09-26 07:13:03
OPC總是與三菱PLC通訊失敗，是怎么回事，都是按照網(wǎng)上的步驟來的，還是說需要在woks2里設(shè)置一些參數(shù)。
2020-04-14 16:12:07
三菱電機開發(fā)出預(yù)計可用于氣囊的新結(jié)構(gòu)加速度傳感器。并在“第20屆微機械/MEMS展”上展示。
2019-09-02 08:25:02
如何解決三菱伺服電機上的常見報警代碼？伺服電機報警時電機停止方式與報警解除呢？報警解除的具體方法有哪些？
2021-09-27 06:39:12
三菱伺服電機故障修理的要點有哪些？是什么原因造成三菱伺服電機故障的？
2021-09-26 06:06:22
三菱伺服電機的轉(zhuǎn)矩控制模式有哪幾種？分別是什么？
2021-09-27 07:53:48
三菱伺服電機的控制方式有哪些？
2021-09-29 08:03:44
三菱伺服電機編碼器故障的技術(shù)方法原則是什么？
2021-09-26 06:16:11
三菱伺服電機轉(zhuǎn)矩模式怎么設(shè)置？
2021-09-30 08:08:19
三菱伺服電機馬達使用/安裝注意事項？
2021-09-28 06:43:00
三菱伺服剛性調(diào)節(jié)方法是什么？
2021-09-30 06:30:45
三菱伺服控制器所有的報警代碼以及處理方法是什么？
2021-11-15 06:40:55
什么是慣量匹配呢？三菱伺服電動機慣性發(fā)生的主要原因是什么？
2021-09-27 06:31:29
三菱伺服驅(qū)動器故障維修優(yōu)勢是什么？
2021-11-12 07:56:36
三菱各類伺服電機標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)是什么？
2021-11-12 07:40:28
充電器變得高效起來，發(fā)熱更低，體積也縮小便于攜帶，推進了百瓦大功率充電器的普及，也改變了人們對大功率充電器的印象。但是氮化鎵器件對柵極驅(qū)動電壓要求非常敏感，并且對布線要求也很高，這也導(dǎo)致了應(yīng)用門檻較高
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
車、工業(yè)電機等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α１痉謺闹黝}涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計與制造，氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。本屆
2018-11-05 09:51:35
Higham表示：“一旦高功率射頻半導(dǎo)體產(chǎn)品攻破0.04美元/瓦難關(guān)，射頻能量市場將會迎來大量機會。在商用微波爐、汽車照明和點火、等離子照明燈等設(shè)備市場，射頻能量器件出貨量可能在數(shù)億規(guī)模，銷售額可達
2018-02-12 15:11:38
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
的各個電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實現(xiàn)更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉(zhuǎn)換時間?？偟膩碚f，氮化鎵器件具備更快速的開關(guān)、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢。由于氮化鎵技術(shù)在低功耗、小尺寸等方面具有獨特
2017-07-18 16:38:20
蘇試宜特實驗室通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度，直接掰開看斷面，這樣準(zhǔn)確嗎？通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度，如果是玻璃或陶瓷這樣直接掰開看斷面是可以的；如果是金屬材料可能在切割時，樣品結(jié)構(gòu)發(fā)生變化就不行了，所以要看是什么材料的氧化層。
2021-09-30 18:45:38
一個項目，使用opc 與三菱plc通信的，通信正常，之后主VI 里修改了一點，然后重新生成 exe，運行之后，發(fā)現(xiàn) 延時情況特嚴(yán)重，不知道是什么原因，比如，打開一個閥門，等半天才 響應(yīng)，求大神幫幫忙，這個怎么解決？？？
2014-03-31 16:57:47
如題，怎么知道三菱plc的內(nèi)存地址
2016-04-25 18:49:38
各位大神好我想用labview和三菱的mx component進行數(shù)據(jù)交互。使用ActUtltype控件來進行設(shè)計?，F(xiàn)在使用ReadDeviceBlock方法來讀取PLC的數(shù)據(jù)。按照mx
2017-08-01 14:40:58
哪位大哥有用過labview與三菱q系列進行以太網(wǎng)連接的，或者不是q，有網(wǎng)口的三菱plc，我是小白，希望指點一下，謝謝
2019-06-10 15:48:18
有那個師傅能提供一個labview控制三菱plc的y0輸出VI程序給我參考學(xué)習(xí)下？？謝謝！
2015-05-06 21:30:23
有沒前輩于三菱Q/L系列MC協(xié)議通訊過，因上學(xué)沒學(xué)好，看通訊格式一頭霧水。若有程序例子最好，或者三菱 mx conpnonet 要怎么設(shè)置？對方的PCL為L02，TCP，跪謝了
2017-06-19 22:16:32
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
處于領(lǐng)先地位。氮化鎵功率半導(dǎo)體雖然適用性極高，但依然面臨三項社會問題僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！?b class="flag-6" style="color: red">三點半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導(dǎo)體的普及
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優(yōu)勢，實單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
關(guān)于三菱伺服電機扭矩控制的知識點你想知道都在這
2021-09-26 07:54:12
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
多普康PLC兼容三菱PLC FX2N有哪些特點？多普康PLC兼容三菱PLC FX2N有哪些功能？
2021-07-05 07:27:14
由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和 GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。隨著效率的提高，對Si、SiC和GaN器件進行安全、精確
2020-11-18 06:30:50
砷化鎵的功率管資料上都給出了三階交調(diào)，可以根據(jù)資料選擇器件，但是氮化鎵功率管都沒給出三階的曲線，我先問一下大家一般經(jīng)驗值是什么樣的曲線？
2020-09-27 09:51:14
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何維修三菱PLC的常見故障？
2021-11-11 07:25:57
如何維修三菱系統(tǒng)330HM臥加？
2021-11-12 07:52:43
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器，可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機驅(qū)動器在減小尺寸和重量的同時，可以實現(xiàn)更平穩(wěn)的運行。這些優(yōu)勢對于倉儲和物流機器人、伺服驅(qū)動器、電動自行車和電動滑板車、協(xié)作
2023-06-25 13:58:54
`網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場對于射頻氮化鎵（GaN）器件的需求不斷升溫。舉個例子，現(xiàn)在的無線基站里面，已經(jīng)開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件，在
2016-08-30 16:39:28
、繁瑣的充電接口趨于統(tǒng)一。而生活中高頻使用的手機、平板電腦、筆記本電腦三件套，原本出差需要攜帶三個充電器，現(xiàn)在一顆2C1A、2C2A的多口大功率快充就能滿足用戶所需。電商品牌入局氮化鎵快充是氮化鎵普及
2021-04-16 09:33:21
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質(zhì)的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類第一次制備出能夠發(fā)出藍
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機驅(qū)動的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過利用雙向設(shè)備潛在地減少開關(guān)的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應(yīng)用(如集成電機驅(qū)動)的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，被譽為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應(yīng)用中的成功經(jīng)驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統(tǒng)中的應(yīng)用，WBST 計劃特準(zhǔn)計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會
2019-03-14 06:45:11
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
求三菱電機第5代IGBT模塊和IPM模塊應(yīng)用手冊完整版資料，網(wǎng)上下載下來都是只有目錄，沒有里面的內(nèi)容，有哪位有的可以分享嗎？跪求，萬分感謝！??！
2012-04-21 21:16:03
求 三菱PLC對沼氣發(fā)電控制程序和I\O分配表
2016-10-15 16:19:05
：10-1K 允差：D,F,G 最大重量： 3.5G溫度系數(shù)+-200PPM（負溫：+300PPM） 金屬氧化膜電阻器的阻值范圍為1Ω~200kΩ這種電阻器是由能水解的金屬鹽類溶液（如四氯化錫和三氯化銻
2013-07-15 16:49:07
：10-1K 允差：D,F,G 最大重量： 3.5G溫度系數(shù)+-200PPM（負溫：+300PPM） 金屬氧化膜電阻器的阻值范圍為1Ω~200kΩ這種電阻器是由能水解的金屬鹽類溶液（如四氯化錫和三氯化銻
2013-07-15 16:47:00
（包括寬帶隙器件）都會偏離這一理想，其實際行為的不同方面會導(dǎo)致功率損耗。在大多數(shù)轉(zhuǎn)換器中，次級側(cè)二極管引起的損耗貢獻可分為三個主要區(qū)域之一：非零正向壓降，當(dāng)二極管傳導(dǎo)電流時會導(dǎo)致傳導(dǎo)損耗。這種損耗機制
2023-02-22 17:13:39
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
請教三菱PLC如何利用一個編碼器完成測速與長度呢？使用三菱PLC的SPD指令（測速），在此被指定的輸入不能與告訴計數(shù)器重復(fù)使用。
2023-03-30 15:28:15
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd在做一個課設(shè)，用三菱FX-3U(C)型號的plc能夠讓一個伺服電機實現(xiàn)正弦形式的加速或者減速過程么，做不出來，問一下前輩們這個方案的可行性。謝謝！
2019-05-23 15:49:57
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
三菱伺服電機馬達使用注意事項有哪些？
2021-10-08 08:38:59
請問一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
請問如何使用三菱伺服電機實現(xiàn)定位功能？
2021-09-26 07:03:54
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
工作的晶體管而言，這是一個非常重要的特性。這類器件多見于多千伏級變電站設(shè)備、醫(yī)學(xué)成像用的高能光子發(fā)生器以及電動汽車和工業(yè)電機驅(qū)動器的功率逆變器中。在這類應(yīng)用中，氧化鎵有一個天然優(yōu)勢。在這些頻率下，優(yōu)值
2023-02-27 15:46:36
從器件的角度來看， Ga 2 O 3 的Baliga品質(zhì)因子要比SiC高出二十倍。對于各種應(yīng)用來說，陶瓷氧化物的帶隙約為5eV，遠遠高于SiC和GaN的帶隙，后兩者都不到到3.5eV。因此，這種陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，導(dǎo)通電阻也更低。
2020-10-12 15:58:034956 三菱電機集團近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導(dǎo)體，為實現(xiàn)低碳社會做出貢獻。
2023-08-02 10:38:18665 三菱電機集團近日（2024年2月27日）宣布，將于2月28日開始提供其新型6.5W硅射頻（RF）高功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）樣品，用于商用手持式雙向無線電（對講機）的射頻高功率放大器。
2024-02-28 18:18:46910 
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