車規(guī)碳化硅功率肖特基二極管簡述

在新能源汽車市場快速發(fā)展的背景下，車載功率半導(dǎo)體需求量激增，其中，碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開關(guān)頻率、更強(qiáng)的耐高溫及散熱能力等優(yōu)于傳統(tǒng)硅基器件的先進(jìn)特性，越來越多地在新能源汽車中得到應(yīng)用，尤其是在高效率OBC(車載充電機(jī))和HV-LV DC-DC變換器中迅速推廣。

SiC SBD(Schottky Barrier Diode)?

SiC SBD屬于寬帶隙第三代半導(dǎo)體，材料本身擁有極低的反向恢復(fù)電荷Qrr，用于高頻開關(guān)電路可顯著降低二極管本身和相鄰開關(guān)器件的開關(guān)損耗，應(yīng)用中可以使用更高的開關(guān)頻率，有利于提升效率，減小散熱器和感性元件體積，從而降低系統(tǒng)體積、重量和成本。

SiC SBD替換傳統(tǒng)硅二極管的優(yōu)勢在于僅對現(xiàn)有產(chǎn)品電路結(jié)構(gòu)做極小的改動即可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品性能的優(yōu)化，快速對應(yīng)市場需求。?

目前，瑞能車規(guī)級650V SiC SBD產(chǎn)品系列已完全量產(chǎn)，電流規(guī)格覆蓋10A-40A主流應(yīng)用，結(jié)合瑞能創(chuàng)新工藝VF低至1.26V，該系列產(chǎn)品均已通過AECQ-101車規(guī)產(chǎn)品認(rèn)證

本次推出的瑞能車規(guī)級650V SiC SBD產(chǎn)品系列在 EV/HEV 上的主要應(yīng)用為電源變換器（車載DC/DC）、OBC（車載充電機(jī)）。應(yīng)用電路常見于Vienna變換器，PFC續(xù)流管，二次側(cè)整流橋等場合，有極為廣闊的應(yīng)用空間。

典型OBC應(yīng)用電路

車規(guī)級650V SiC SBD產(chǎn)品系列

代表產(chǎn)品一覽

WNSC6D10650BT2-A

VF@25℃=1.26 V

IF=10 A

Ir@25℃=1 μA

Qr@25℃=24 nC

EAS@25℃=60 mJ

TJ=175 ℃

WNSC6D10650-A

VF@25℃=1.26 V

IF=10 A

Ir@25℃=1 μA

Qr@25℃=24 nC

EAS@25℃=60 mJ

TJ=175 ℃

WNSC6D20650W-A

VF@25℃=1.26 V

IF=20 A

Ir@25℃=2 μA

Qr@25℃=48 nC

EAS@25℃=150 mJ

TJ=175 ℃

WNSC6D40650CW-A

VF@25℃=1.26 V

IF=2*20 A

Ir@25℃=2 μA

Qr@25℃=48 nC

EAS@25℃=150 mJ

TJ=175 ℃

審核編輯：湯梓紅