雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過(guò)VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒(méi)有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy],流過(guò)的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24502 眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率,且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異??梢哉f(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42622 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET,根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
;<p align="left">這款FDN359AN是N溝道邏輯電平MOSFET的生產(chǎn)采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程,特別是
2010-04-15 09:51:37
N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路LTC4446資料下載內(nèi)容主要介紹了:LTC4446功能和特點(diǎn)LTC4446引腳功能LTC4446內(nèi)部方框圖LTC4446應(yīng)用電路
2021-04-15 06:53:16
為正時(shí),它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地,漏極連接到負(fù)載,當(dāng)柵極施加正電壓時(shí),F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
),基本原則就是在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下,選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。小到選N型還是P型、封裝類型,大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等,不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化,工程師在選擇
2023-02-17 14:12:55
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS(ON)
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS(ON)<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS(ON)和低門電荷。[td=331]◆RDS(ON)
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中,選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
能力的快照。本網(wǎng)上廣播將提供功率MOSFET數(shù)據(jù)表概覽,和闡明具體的數(shù)據(jù)表參數(shù)和定義。 功率MOSFET有各種各樣的尺寸、配置和封裝,取決于目標(biāo)應(yīng)用的需求。功率MOSFET的尺寸從行業(yè)最小的封裝
2018-10-18 09:13:03
—功率 MOSFET 的選型1 我的應(yīng)用該選擇哪種類型的 MOSFET?前面說(shuō)了,實(shí)際應(yīng)用主要使用增強(qiáng)型功率 MOSFET,但到底該選擇 N 溝道的還是 P 溝道的呢?如果你對(duì)這個(gè)問(wèn)題有疑問(wèn),下面的圖
2019-11-17 08:00:00
毫歐),在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關(guān)鍵的器件。六、包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路1)等效電路:2)說(shuō)明:實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容,三個(gè)溝道電阻,和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)
2021-08-29 18:34:54
;包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路(1):等效電路(2):說(shuō)明實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容,三個(gè)溝道電阻,和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來(lái)等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小
2021-09-05 07:00:00
,合適于功率MOSFET的應(yīng)用。這種結(jié)構(gòu)稱為垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)VDMOSFET(Vertical Double Diffused MOSFET)。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底,高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中,選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。1、N溝通和P溝道
2016-12-07 11:36:11
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS(有時(shí)候叫做BVDSS)是指在特定的溫度和柵源短接情況下,流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
`功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用 功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu) 圖1是典型平面N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 的剖面圖。它用一塊P型硅半導(dǎo)體材料作襯底(圖la
2011-12-19 16:52:35
作用。<br/>增強(qiáng)型:需要正偏置柵極電壓,才生成導(dǎo)電溝道。達(dá)到飽和前,VGS正偏越大,IDS越大。<br/>一般使用的功率MOSFET多數(shù)是N
2009-05-12 20:38:45
車規(guī)級(jí)GPS模塊有哪些特征?
2021-05-18 06:54:02
級(jí)MCU的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到110億美元。中國(guó)作為全球最大的汽車產(chǎn)銷市場(chǎng),對(duì)車規(guī)級(jí)MCU的需求更為旺盛,不過(guò)由于車規(guī)級(jí)MCU門檻較高,國(guó)產(chǎn)化率并不高,公開(kāi)資料顯示,全球車用MCU的主要供應(yīng)商為瑞薩電子
2023-02-03 12:00:10
`各位今天聊聊車規(guī)級(jí)的芯片選型。如果需要的芯片沒(méi)有車規(guī)級(jí)別的,但又工業(yè)級(jí)別的。從穩(wěn)定性,可靠性方面考慮,應(yīng)該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢,是溫度?`
2015-10-15 14:22:18
車規(guī)二級(jí)管,有通過(guò)AEC-Q101、TS16949、IATF16949希望對(duì)所有汽車電子設(shè)計(jì)有幫助,產(chǎn)品特點(diǎn):1.領(lǐng)先全球薄型封裝片式二級(jí)管: 0402/0603/0805/1206/2010
2018-02-09 15:22:44
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技術(shù),具有極低的RDS(on),低柵極電壓和高電流能力,非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
GW2A 系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級(jí))數(shù)據(jù)手冊(cè)主要包括高云半導(dǎo)體 GW2A系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級(jí))特性概述、產(chǎn)品資源信息、內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹、電氣特性、編程接口時(shí)序以及器件訂貨信息,幫助用戶快速了解高云半導(dǎo)體 GW2A系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級(jí))特性,有助于器件選型及使用。
2022-09-29 07:47:16
GW1NZ系列車規(guī)級(jí)FPGA產(chǎn)品封裝與管腳手冊(cè)主要包括高云半導(dǎo)體GW1NZ系列FPGA產(chǎn)品(車規(guī)級(jí))的封裝介紹、管腳定義說(shuō)明、管腳數(shù)目列表、管腳分布示意圖以及封裝尺寸圖。
2022-09-28 11:05:08
`ISA04N65A N溝道MOSFETTO-220F 應(yīng)用范圍特征: ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?充電器?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS待機(jī)功率?低門電荷 ?LCD面板電源?峰值電流與脈沖寬度曲線 [/td][td]?ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N溝道 MOSFETISU04N65A N溝道MOSFETTO-251 應(yīng)用范圍特征: ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?電視主要電源?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS電源?低門電荷
2018-09-06 13:45:25
LED燈功率的大小與安規(guī)電容之間的關(guān)系,安規(guī)電容大,功率就大嗎?
2019-12-16 09:30:05
LT1158上單個(gè)輸入引腳的典型應(yīng)用同步控制圖騰柱配置中的兩個(gè)N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
MIPI轉(zhuǎn)1/2端口LVDS之唯一車規(guī)級(jí)產(chǎn)品。LT9211D是一款高性能MIPI DSI/CSI-2轉(zhuǎn)2端口LVDS轉(zhuǎn)換器。LT9211D對(duì)輸入MIPI視頻數(shù)據(jù)進(jìn)行反序列化,解碼數(shù)據(jù)包,并將格式化的視頻
2024-03-11 22:26:05
編輯-Z場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件,根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)(簡(jiǎn)稱JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)(簡(jiǎn)稱MOSFET)兩大類。按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式:耗盡型
2021-12-28 17:08:46
,增強(qiáng)型MOSFET分為P溝道增強(qiáng)型和N溝道增強(qiáng)型,耗盡型MOSFET分為P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。在本文中,小編將介紹其中一種類型的MOSFET,即P溝道MOSFET。基本概念溝道由大多數(shù)電荷載流子作為
2022-09-27 08:00:00
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開(kāi)關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開(kāi)關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)
2018-03-03 13:58:23
PCA9685是車規(guī)級(jí)的么?我想要一個(gè)車規(guī)級(jí)的PWM輸出信號(hào)芯片(引腳越多越好)有沒(méi)有推薦。TLC5940-EP怎么樣
2021-05-24 09:43:54
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLN30N03T30V 30A N溝道 MOS,原裝現(xiàn)貨熱銷 SLN30N03T參數(shù): 30V30ADFN3*3-8 N溝道MOS管品牌:美浦森
2021-04-07 14:57:10
圖1為二個(gè)P溝道的功率MOSFET組成的充電電路,P溝道的功率MOSFET的型號(hào)為:AO4459。Q3和R1實(shí)現(xiàn)恒流或限流充電功能,Q4控制電路的工作。圖1:P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
大家好如題,i.MX RT1170車規(guī)級(jí)產(chǎn)品有AEC-Q100認(rèn)證嗎?如果是,能否提供相關(guān)文件?
2023-03-15 08:24:23
本帖最后由 暗星歸來(lái) 于 2016-9-6 12:53 編輯
如題,因?yàn)橐獙?duì)電池進(jìn)行管理,對(duì)充電過(guò)程和放電過(guò)程控制其何時(shí)開(kāi)始充電、停止充電、何時(shí)放電、何時(shí)停止放電,所以用兩個(gè)N溝道增強(qiáng)型
2016-09-06 12:51:58
車規(guī)級(jí)共模扼流圈
過(guò)濾汽車和工業(yè)應(yīng)用中的功率和信號(hào)噪聲
Abracon最新的共模扼流圈(CMC)可用于電源線和信號(hào)線的應(yīng)用。此外,信號(hào)線CMC可以支持can、can-FD和以太網(wǎng)數(shù)據(jù)傳輸中的噪聲
2023-09-12 14:48:02
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下什么是車規(guī)級(jí)芯片?`
2019-10-18 10:55:55
`電容會(huì)分成很多種,電解電容、鉭電容等等,那什么是車規(guī)電容?`
2019-09-30 14:46:18
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強(qiáng)型MOSFET 描述:TDM3412采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。 這個(gè)器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。一般描述:?頻道1RDS(ON)
2018-05-25 11:54:29
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V(絕對(duì)最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
看完你會(huì)大有收獲。1、功率MOSFET選型第一步:P管,還是N管?功率MOSFET有兩種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇,N溝道MOSFET選擇
2019-04-04 06:30:00
的功率損耗。這些功率損耗會(huì)引起發(fā)熱,需要設(shè)計(jì)人員執(zhí)行散熱管理,從而增加系統(tǒng)成本和解決方案尺寸。二極管的另外一個(gè)缺點(diǎn)就是較高的反向泄露電流—最高會(huì)達(dá)到大約1mA。用N溝道MOSFET替換高損耗二極管可以通過(guò)
2018-05-30 10:01:53
所示。Q
1為放電管,使用
N溝道增強(qiáng)型
MOSFET,實(shí)際的工作中,根據(jù)不同的應(yīng)用,會(huì)使用多個(gè)
功率MOSFET并聯(lián)工作,以減小導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)散熱性能。RS為電池等效內(nèi)阻,LP為電池引線電感?! ≌9ぷ?/div>
2018-09-30 16:14:38
—功率 MOSFET 的選型1 我的應(yīng)用該選擇哪種類型的 MOSFET?前面說(shuō)了,實(shí)際應(yīng)用主要使用增強(qiáng)型功率 MOSFET,但到底該選擇 N 溝道的還是 P 溝道的呢?如果你對(duì)這個(gè)問(wèn)題有疑問(wèn),下面的圖
2019-11-17 08:00:00
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開(kāi)關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC。圖2:用自舉電路對(duì)高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
功率半導(dǎo)體上市公司披露的財(cái)報(bào)來(lái)看,6家前三季度營(yíng)收同比去年同期都有所增長(zhǎng)。 斯達(dá)半導(dǎo)體公司持續(xù)推進(jìn)IGBT 產(chǎn)品在新能源客戶端的滲透率,強(qiáng)化高端品類布局。在新能源汽車業(yè)務(wù)方面,2022H1,其車規(guī)級(jí)
2022-11-23 14:40:42
求可靠的生產(chǎn)廠家,車規(guī)級(jí)器件。求推薦
2017-05-12 10:21:28
基于Richtek RTQ7880的車規(guī)級(jí)充電裝置有哪些核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)?
2021-08-06 06:19:11
PWM輸出信號(hào)芯片類似于PCA9685這種,引腳越多越好,需要是車規(guī)級(jí)。繼電器控制輸出芯片類似于TLE6244X這種,也需要是車規(guī)級(jí),急需,感謝大家
2021-05-25 15:31:03
/252T屬性參數(shù)值商品目錄場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)[/td]類型N溝道漏源電壓(Vdss)650V連續(xù)漏極電流(Id)4A功率(Pd)50W導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω 10V,2A
2021-09-09 15:47:31
也是基于電容的特性,下面將從結(jié)構(gòu)上介紹這些寄生電容,然后理解這些參數(shù)在功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的定義,以及它們的定義條件。1、功率MOSFET數(shù)據(jù)表的寄生電容溝槽型功率MOSFET的寄生電容的結(jié)構(gòu)如圖
2016-12-23 14:34:52
誰(shuí)能推薦一些國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)的電子元器件廠商?主要是電源IC、ADC、邏輯IC、復(fù)位IC、高低邊IC等等,其它的分立元器件也可以推薦,要國(guó)產(chǎn)的,謝謝!本人在國(guó)內(nèi)一線整車廠上班。
2019-12-04 11:38:53
請(qǐng)問(wèn)車規(guī)級(jí)芯片到底有哪些要求?
2021-06-18 07:56:37
LTC2924,采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡(jiǎn)單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
汽車類電子的客戶首先選擇車規(guī)級(jí)電感廠家看的是什么呢?是規(guī)模嗎?是質(zhì)量嗎?是服務(wù)嗎?都不是,首先看車規(guī)級(jí)電感廠家有沒(méi)有TS16949認(rèn)證。為什么汽車類電子客戶首先要求車規(guī)級(jí)電感廠家擁有TS16949
2020-06-22 11:59:24
硬件級(jí)安全和AEC-Q100車規(guī)級(jí)高可靠性等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn),在智能車燈控制、電機(jī)控制、車身控制、虛擬儀表、智能座艙等汽車電子市場(chǎng)用途廣泛。N32A455系列車規(guī)MCU的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)特性1,高性能架構(gòu)
2023-02-20 17:44:27
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理功率MOSFET的種類:按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道,增強(qiáng)型;對(duì)于N(P
2008-08-12 08:43:32103 N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:43:3925 隨著電能變換技術(shù)的發(fā)展,功率MOSFET在開(kāi)關(guān)變換器中開(kāi)始廣泛使用,為此美國(guó)硅通用半導(dǎo)體公司(Silicon General)推出SG3525。SG3525是用于驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET。其產(chǎn)品一推出就受到廣泛
2010-09-25 16:44:45252 隨著這種新器件的發(fā)布,采用四種表面貼裝封裝類型的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET現(xiàn)已供貨,其中包括耐熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝,它可在SO-8占位面積
2009-09-12 17:42:02772 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比,該器件的
2010-04-07 10:52:52777 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351551 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:05873 電源系統(tǒng)中的恒定電流源,固態(tài)繼電器,電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET,當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí),該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:193 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 由于具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和較小尺寸,N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中,基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素,使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開(kāi)關(guān)。
2022-11-18 11:28:212478 ”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級(jí)的器件。功率MOSFET可分為增強(qiáng)型和耗盡型,按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。
2023-02-15 15:47:36426 在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路,該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005293 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-19 17:29:110 RU2060LN溝道功率MOSFET
2021-11-17 15:33:060 驪微電子提供RU2060LN溝道功率MOSFET詳細(xì)手冊(cè)及應(yīng)用資料!
2021-11-19 16:02:420
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