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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)全部測試

安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)全部測試

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2013-12-13 15:07:13844

Vishay發(fā)布用于汽車和工業(yè)應用的經(jīng)AEC-Q101認證的高圓頂透射式光傳感器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 4 月13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩顆用于汽車和工業(yè)應用的經(jīng)AEC-Q101認證的表面貼裝光傳感器---TCPT1600X01和TCUT1600X01。
2016-04-13 14:20:02698

Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

Vishay宣布,推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP,可在汽車應用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171005

美高森美的快速恢復二極管取得了面向汽車市場的AEC-Q101資格

系列現(xiàn)已符合AEC-Q101資格,證明這些電子組件符合用于汽車市場的主要標準。美高森美的DQ二極管取得AEC-Q101資格,意味著汽車原始設備制造商(OEM)以及一級和其他供應商能夠在各種車載應用中使用這款產(chǎn)品
2017-06-19 10:20:29742

AEC-Q101汽車電子基于離散半導體元件應力測試認證的失效機理中文標準

本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是AEC-Q101基于離散半導體元件應力測試認證的失效機理中文標準規(guī)范。
2018-10-25 08:00:0038

穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性

意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范
2019-01-25 07:15:01511

ROHM新推基于AEC-Q101標準的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品
2019-05-13 18:30:571418

滿足AEC-Q101標準的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:504947

淺談AEC-Q101認證標準

AECQ101主要對汽車分立器件,元器件標準規(guī)范要求,AECQ101認證將會是汽車級半導體企業(yè)的首選。AEC-Q101認證包含了離散半導體元件(如晶體管,二極管等)最低應力測試要求的定義和參考測試條件,目的是要確定一種器件在應用中能夠通過應力測試以及被認為能夠提供某種級別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:385087

知名半導體制造商ROHM開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”,尺寸僅為1.0mm×1.0mm。
2020-09-29 15:27:171062

RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導損耗非常低,非常有助于應用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23457

滿足AEC-Q101標準的SiC MOSFET又增10個型號,業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101”,而且共有13款型號,擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:24564

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503

什么是AEC-Q101認證?——華碧實驗室

IN AUTOMOTIVE APPLICATIONS:車用分立半導體元器件的基于失效機理的應力測試驗證 本標準規(guī)定的分立半導體元器件的最小工作溫度范圍:-40℃~+125℃ LED的最小工作溫度范圍-40℃~+85
2023-05-16 15:17:01737

功率器件AEC-Q101如何選擇測試項目?認證準備及流程有哪些?

Semiconductors,基于分立半導體應力測試認證的失效機理,名字有點長,所以一般就叫“分立半導體的應力測試標準”?,F(xiàn)在的Rev E版本是2021.03.01剛發(fā)布的最新版。 AEC-Q101認證包含了分立半導體
2023-05-31 17:09:082684

CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開關(guān)和改進的dv/it能力

摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進的dv/it能力,適用于MB/VGA、POL應用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點、應用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663

符合AEC-Q101認證的車規(guī)級瞬態(tài)抑制二極管的特性及應用

Semiware推出符合AEC-Q101認證的車規(guī)級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護產(chǎn)品系列齊全,以滿足高標準的客戶需求.
2021-12-08 11:41:13450

功率半導體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設計企業(yè):上海陸芯獲得第三代IGBT車規(guī)級AEC-Q101認證

級IGBT產(chǎn)品在2019年后再次獲得TV萊茵頒發(fā)的AEC-Q101認證證書。AEC-Q101認證是半導體分立器件的汽車級測試,包括各類環(huán)境應力,可靠性,耐久性,壽
2022-06-21 09:18:39887

AEC Q101中文版及內(nèi)容解讀(正文部分)

是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過來是基于失效機制對汽車領(lǐng)域應用中分立半導體器件的認證測試AEC-Q101最新的版本是Rev_E,發(fā)布于2021年3月
2023-01-13 10:00:291128

AEC-Q101的認證對象和測試項目

USAEC-Q101認證的概念AEC-Q101:車用分立半導體元器件的基于失效機理的應力測試驗證。半導體分立器件被廣泛應用到消費電子、計算機及外設、網(wǎng)絡通信、汽車電子、LED顯示屏等領(lǐng)域,而汽車領(lǐng)域
2023-01-13 10:02:03503

AEC-Q101 標準之TC解讀

AEC-Q101標準之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測試意義在于證實極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時,機械應力對于器件焊接性能的作用,標準AEC-Q101
2023-08-30 08:27:50567

AEC-Q101功率循環(huán)測試 簡介

功率循環(huán)測試-簡介功率循環(huán)測試是一種功率半導體器件的可靠性測試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級測試標準內(nèi)的必測項目。相對于溫度循環(huán)測試,功率循環(huán)通過在器件內(nèi)運行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:59858

MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級認證

AEC-Q101車規(guī)級認證并通過高壓960V H3TRB (HV-H3TRB)可靠性考核,使公司成為國內(nèi)少數(shù)SiC功率分立器件產(chǎn)品通過雙重考核的廠商之一。 ? 創(chuàng)新突破,無懼極限考驗 AEC-Q101
2023-10-24 15:52:32606

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級認證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后
2023-10-25 18:28:10423

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18756

武漢芯源半導體首款車規(guī)級MCU,CW32A030C8T7通過AEC-Q100測試考核

。 CW32A030C8T7通過 AEC-Q100 車規(guī)可靠性測試 作為武漢芯源半導體首款車規(guī)級MCU產(chǎn)品,CW32A030C8T7產(chǎn)品順利通過AEC-Q100(Grade2)車規(guī)級可靠性測試,符合
2023-11-30 16:46:07465

武漢芯源半導體首款車規(guī)級MCU,CW32A030C8T7通過AEC-Q100測試考核

。CW32A030C8T7通過AEC-Q100車規(guī)可靠性測試作為武漢芯源半導體首款車規(guī)級MCU產(chǎn)品,CW32A030C8T7產(chǎn)品順利通過AEC-Q100(Grade2
2023-11-30 15:48:35185

武漢芯源半導體首款車規(guī)級MCU通過AEC-Q100測試考核

近日,武漢芯源半導體正式發(fā)布基于Cortex?-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7車規(guī)級MCU,這是武漢芯源半導體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)車規(guī)標準的主流通用型車規(guī)MCU產(chǎn)品。
2023-12-08 14:29:50367

安建半導體推出全新150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺

安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺,平臺采用先進的技術(shù)和設計,提供了卓越的開關(guān)特性和低導通電阻,從而實現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作,不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49293

瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證

3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38287

瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認證

近日,瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證,這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260

蓉矽半導體1200V SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性認證

蓉矽半導體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領(lǐng)域的技術(shù)實力,也進一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領(lǐng)域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228

蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證

蓉矽半導體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核,同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導入測試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:21205

瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標志著瞻芯電子在半導體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

SGS為安芯電子、安美半導體頒發(fā)了AEC-Q101認證證書

2024年3月22日, 國際公認的測試、檢測和認證機構(gòu)SGS為安芯電子科技股份有限公司(以下簡稱“安芯電子”)及其子公司安徽安美半導體有限公司(以下簡稱“安美半導體”)頒發(fā)了AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:21:55378

SGS為華微電子頒發(fā)AEC-Q101認證證書

近日,國際公認的測試、檢驗和認證機構(gòu)SGS(以下簡稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱為“華微電子”)頒發(fā)AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:25:56363

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