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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>為什么MOS管溝道夾斷了還能將恒定載流子發(fā)送過去?

為什么MOS管溝道夾斷了還能將恒定載流子發(fā)送過去?

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N溝道MOS管和P溝道MOS管的區(qū)別

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2020-11-14 13:54:14

16P03 30V P溝道MOS -30V -16A DFN3*3-8場效應(yīng)

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2021-03-18 14:21:33

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2020-11-11 17:32:09

MOS

P溝道MOS和N溝道MOS的互補(bǔ)性體現(xiàn)在哪里????????求大神幫助?。。。。。。?/div>
2013-09-24 16:50:43

MOS 導(dǎo)通條件

N溝道 P溝道 MOS什么電平導(dǎo)通啊跟增強(qiáng)型的 一樣嗎 初學(xué)者!感謝大家!
2013-03-25 10:16:45

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和增強(qiáng)型,結(jié)型場效應(yīng)都是耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管有耗盡型和增強(qiáng)型。一般來說,場效應(yīng)晶體可分為結(jié)型場效應(yīng)晶體MOS場效應(yīng)晶體,MOS場效應(yīng)晶體又分為四類:N溝道耗盡型和增強(qiáng)型;P溝道耗盡型
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2012-08-15 21:08:49

MOS作為開關(guān)的使用講解

MOS也就是常說的場效應(yīng)(FET),有結(jié)型場效應(yīng)、絕緣柵型場效應(yīng)(又分為增強(qiáng)型和耗盡型場效應(yīng))。也可以只分成兩類P溝道和N溝道。場效應(yīng)的作用主要有信號的轉(zhuǎn)換、控制電路的通斷,這里我們講解
2021-10-28 07:46:04

MOS使用方法

本帖最后由 wuyuanyao 于 2019-9-11 11:18 編輯 1、MOS的三個極怎么判定:MOS符號上的三個腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極:不用說比較好認(rèn)。S極:不論是P溝道還是N
2019-09-11 10:27:48

MOS和三極和功率還有開關(guān)之間的聯(lián)系與區(qū)別

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 編輯 MOS,三極屬于兩種不同類型管子, 它們的區(qū)別在于,MOS是單極性管子而三極屬于雙極性管子,這個單極性和雙極性
2012-07-09 17:03:56

MOS常見的使用方法分享

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2021-01-15 15:39:46

MOS開關(guān)電路特性及判斷使用-KIA MOS

,漏極和源極間的阻抗只有83毫歐,可以認(rèn)為壓降已經(jīng)很小了。P溝道MOS開關(guān)電路PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。需要注意的是,Vgs指的是柵極G
2019-01-28 15:44:35

MOS電路邏輯及MOS參數(shù)

  1.開啟電壓VT  開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS,VT約為3~6V;·通過工藝上的改進(jìn),可以使MOS的VT值降到2
2018-11-20 14:10:23

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間的穿通擊穿  有些MOS中,其溝道長度較短,不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū),使溝道長度為零,即產(chǎn)生漏源間的穿通,穿通后源區(qū)中的多數(shù)載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達(dá)漏區(qū),產(chǎn)生
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MOS的主要用途及其使用要點簡析

MOSFET,又稱為MOS場效應(yīng)晶體?! OSFET是一種能將很小的電荷控制的裝置,它的功效是控制電子以及電荷在半導(dǎo)體器件中的流動,它是當(dāng)今電子信息技術(shù)中最重要的構(gòu)成之一,過去幾十年中經(jīng)常被用來構(gòu)成模擬
2023-03-08 14:17:15

MOS的工作原理

強(qiáng),吸引的電子就越多,導(dǎo)電溝道中的電子濃度也就越大,在相同的漏極電壓下,產(chǎn)生的電流也越大。因此MOS是壓控器件,通過柵極電壓來控制電流的大小。3. 由于漏極電壓是比源極電壓高的(VD&gt
2012-07-04 17:27:52

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強(qiáng),吸引的電子就越多,導(dǎo)電溝道中的電子濃度也就越大,在相同的漏極電壓下,產(chǎn)生的電流也越大。因此MOS是壓控器件,通過柵極電壓來控制電流的大小。3. 由于漏極電壓是比源極電壓高的(VD&gt
2012-07-06 16:06:52

MOS解析

本帖最后由 菜鳥到大神 于 2020-5-17 21:24 編輯 MOS類型MOS管有N溝道型和P溝道型兩種,根據(jù)場效應(yīng)原理的不同又可分為耗盡型和增強(qiáng)型。因此,MOS可構(gòu)成P溝道增強(qiáng)型、P
2020-05-17 21:00:02

mos反向?qū)▎栴},求解答!

以圖中電路為例,當(dāng)我給柵極與源極之間一個恒壓源,使得Ugs>Uth,然后Uac是一個交流源,波形為右邊那個圖。①那么當(dāng)Uac過零時,mosD->S間溝道會關(guān)斷嗎?②當(dāng)Uac為負(fù)半軸時,mos的導(dǎo)通情況是怎么樣的呢?是先導(dǎo)通反并聯(lián)二極,再導(dǎo)通S->D間溝道嗎?
2019-12-26 17:04:09

mos的具體工作原理是怎樣的

以nmos為例,我想知道溝道為什么會被斷,為什么靠近源極的溝道電壓會比漏極高?我老是搞不懂這個,求前輩們分析一下,最好也說明一下載流子的運動。先謝謝了!
2014-03-06 20:38:57

發(fā)送AT指令沒反應(yīng)的解決辦法?

以前使用AT指令可以返回OK,現(xiàn)在發(fā)送過去沒反應(yīng),但能收到esp8266發(fā)送過來得連接連接信息,使用的SSCOM3,串口線沒有問題
2020-08-13 22:18:11

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2020-11-05 16:48:43

LabView 通過TCP發(fā)送語音信號

數(shù)組轉(zhuǎn)換成字符串發(fā)送過去在轉(zhuǎn)換會DBL波形數(shù)組,然后通過聲音配置輸出,但是發(fā)現(xiàn)DBL波形數(shù)組轉(zhuǎn)換成字符串,再轉(zhuǎn)換回來就不在能配置輸出了。。。。。。。。求助,求指導(dǎo)
2012-12-25 14:05:43

N溝道MOS和P溝道MOS

`MOS集成電路特點:制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單,集成度高、抗干擾能力強(qiáng),特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS組成的NMOS電路、PMOS組成
2011-12-27 09:50:37

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本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 20:32 編輯 如何用對一個N溝道MOS通過改變電壓來發(fā)大漏極輸出的電流?  還有柵極源級漏極的電勢如何搭配才能
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2023-02-17 14:12:55

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2020-07-01 16:58:17

SL4430 N溝道耐壓30V18A系列中低壓MOS

`SL4430 30V18A 4.5毫歐SOP-8SL4430 N溝道耐壓30V18A系列中低壓MOS 【100V MOS N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-08-03 14:48:45

SL484場效應(yīng) 30V41A N溝道功率MOS完美替代AOD484

AO系列MOS。L484場效應(yīng) 30V41A N溝道功率MOS完美替代AOD484【 中低壓MOS替代AO系列】SL403-30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道優(yōu)勢替代
2020-06-12 10:43:52

SLN30N03T 30V 30A N溝道 MOS

深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLN30N03T30V 30A N溝道 MOS,原裝現(xiàn)貨熱銷 SLN30N03T參數(shù): 30V30ADFN3*3-8 N溝道MOS品牌:美浦森
2021-04-07 14:57:10

TA07N65 650V 7A N溝道 MOS 7N65

`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) ITA07N65650V 7A N溝道 MOS 7N65,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS /場效應(yīng)
2021-03-24 10:35:56

TDM3544 N溝道MOS

`TDM3544 N溝道MOS[/td]描述一般特征該TDM3544采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆RDS(ON)<8.0mΩ@ VGS = 4.5V提供優(yōu)異的RDS(ON)和低門電荷?!鬜DS
2019-03-13 16:06:37

【原創(chuàng)分享】深度剖析!MOS和IGBT究竟區(qū)別在哪?(一)

。二、特點不同1、耗盡型:場效應(yīng)的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的,可以互換使用,耗盡型MOS的柵——源電壓可正可負(fù)。因此,使用場效應(yīng)比晶體靈活。2、增強(qiáng)型:增強(qiáng)型的原始溝道較窄、摻雜濃度較低,使得在
2021-05-13 09:39:58

【轉(zhuǎn)】MOS的基本知識(轉(zhuǎn)載)

【轉(zhuǎn)】MOS的基本知識(轉(zhuǎn)載)現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機(jī)中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外,在元器件上的開關(guān)均采用性能優(yōu)異的MOS取代過去的大功率晶體三極,使整機(jī)的效率、可靠性、故障率
2012-08-09 14:45:18

【轉(zhuǎn)】一文看懂MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

不斷縮小,MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。例如短溝道效應(yīng)(Short Channel Effect - SCE),熱載流子注入效應(yīng)(Hot Carrier Inject - HCI)和柵氧化層漏電等
2018-09-06 20:50:07

三極MOS的工作原理及特性

了導(dǎo)電溝道,于是在DS之間就有電流可以通過了,其情況如圖 20 所示?! ≡谶@個階段,如果UDS保持不變,UGS增加會導(dǎo)致導(dǎo)電溝道變厚,從而ID變大?! ?b class="flag-6" style="color: red">MOS預(yù)斷的形成 ?。A(yù)斷的形成是在理解初期
2023-02-27 14:57:01

三極MOS管它倆之間的區(qū)別是什么呢?

D分別對應(yīng)于三極的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似,左圖圖示是N溝道MOS和NPN型晶體三極引腳,右圖圖示是P溝道MOS和PNP型晶體三極引腳對應(yīng)圖。2).它倆最大的不同是:MOS
2023-02-20 15:30:11

三節(jié)課完全學(xué)會MOS相關(guān)問題(上)

,及上述相同的柵極制作過程,就制成為一個P溝道(PNP型)增強(qiáng)型MOS。下圖所示分別是N溝道和P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和代表符號。2、MOS的工作原理增強(qiáng)型MOS的漏極D和源極S之間有兩個背靠背
2018-07-05 13:52:46

串口使用中斷模式發(fā)現(xiàn)程序有時候會進(jìn)去死鎖狀態(tài)

用STM32 HAL庫,串口使用中斷模式,發(fā)現(xiàn)程序有時候會進(jìn)去死鎖狀態(tài),原因應(yīng)該是串口在發(fā)送過程中,這時候數(shù)據(jù)又被發(fā)送過去了,然后就很容易會死鎖了。上網(wǎng)找了相關(guān)的資料,見鏈接:作者分析了原因,是__HAL_LOCK的原因,這里點個贊。作者又寫了另外一種情況下串口死鎖的解決方法,具體可見:h...
2021-08-13 07:36:11

為什么stm32h750VBT6串口通信接收不到自己發(fā)送過去的數(shù)據(jù)?

請問有沒有知道stm32h750VBT6為什么串口通信接受不到自己發(fā)送過去的數(shù)據(jù)?數(shù)據(jù)溢出會有影響嗎?
2023-08-04 11:11:58

為什么stm32h750VBT6串口通信接收不到自己發(fā)送過去的數(shù)據(jù)?數(shù)據(jù)溢出會有影響嗎?

請問有沒有知道stm32h750VBT6為什么串口通信接收不到自己發(fā)送過去的數(shù)據(jù)?數(shù)據(jù)溢出會有影響嗎?
2024-03-15 07:09:48

了解一下MOS的種類以及相關(guān)基礎(chǔ)知識

溝道,加上正確的VGS時,能使多數(shù)載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉(zhuǎn)向截止。即:耗盡型MOS的VGS (柵極電壓)可以用正、零負(fù)電壓控制導(dǎo)通。增強(qiáng)型: 當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)
2023-02-21 15:48:47

低開啟40V 10A N溝道 MOS原廠

`【MOS原廠】HC36012參數(shù):30V 10A TO-252 N溝道 MOS /場效應(yīng)品牌:惠海型號:HC36012VDS:30V IDS:10A 封裝:TO-252溝道:N溝道 【20V
2020-11-02 16:02:10

使用MOS時你犯了哪些錯誤?本文教你區(qū)分N溝道和P溝道

1、MSO的三個極怎么判定:MOS符號上的三個腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極,不用說比較好認(rèn)。S極,不論是P溝道還是N溝道,兩根線相交的就是;D極,不論是P溝道還是N溝道,是單獨引線的那邊。2、他們
2019-09-11 07:30:00

在21489中如何使用sigmastudio生成的文件?

之前在1701中是用I2C將要配置的參數(shù)和寄存器從MCU發(fā)送到DSP,而在21489中,是否能將生成的文件作為算法整合到程序中是怎么樣做的呢?或者是跟sigmaDSP一樣需要從MCU發(fā)送過去?如果是
2023-11-30 06:07:23

場效應(yīng)經(jīng)驗總結(jié)

N溝道場效應(yīng)管(電子為載流子),P溝道場效應(yīng)管(空穴為載流子)。絕緣柵場效應(yīng)管有四種類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET、N溝道耗盡型MOSFET、P溝道增強(qiáng)型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET。N溝道
2019-06-25 04:20:03

如何利用一顆N溝道MOS來實現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓?

如何利用一顆N溝道MOS來實現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓?
2022-02-15 06:03:40

如何將算得的數(shù)據(jù)(10進(jìn)制)轉(zhuǎn)換為16進(jìn)制通過串口發(fā)送出?

16進(jìn)制顯示,就可以將16進(jìn)制發(fā)送給串口。但如何將未轉(zhuǎn)換好的數(shù)據(jù)例如1212,1200這些十進(jìn)制的數(shù)據(jù)發(fā)送過去呢?我直接想在串口中讀出十六進(jìn)制的數(shù)據(jù),就像下圖顯示的一樣。謝謝了
2013-01-30 14:05:00

如何測量n溝道mos的開啟電壓和電導(dǎo)常數(shù)呢?

如何測量n溝道mos的開啟電壓和電導(dǎo)常數(shù)呢?求大神解答
2023-03-15 17:22:46

如何識別MOS和IGBT?

維修過程中的攔路虎,如何區(qū)分和判斷成為必要手段。MOS和IGBT的辨別帶阻尼的NPN型IGBT與N溝道增強(qiáng)型MOMS的識別帶阻尼的NPN型IGBT與N溝道增強(qiáng)型MOMS管它們的柵極位置一樣
2019-05-02 22:43:32

MOS開通過程進(jìn)行詳細(xì)的分析

=24V,即使源極和漏極之間形成了反型層,但是由于Vds之間存在電壓,且比較大,會直接將溝道斷。目前能找的很多資料基本都是講Vds從0開始增加,增加到一定值時才會形成“預(yù)斷區(qū)”。實際在正常使用MOS
2023-03-22 14:52:34

尋找一款合適的MOS

想找一款開啟電壓大于5V的N溝道MOS
2017-05-27 09:36:04

求N溝道MOS型號

本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 20:28 編輯 求N溝道MOS型號
2012-12-21 15:41:08

求推薦MOS

需求:耐壓50V左右,輸入12V,可承受電流5A,N溝道MOS,做開關(guān)管用,推薦時告知導(dǎo)通阻抗Rds
2019-10-12 15:39:52

求問:N溝道MOS導(dǎo)電介質(zhì)

RT,最近看模電看迷糊了,在此請教各位大蝦,N溝道增強(qiáng)型MOS,襯底是P型硅片,那么是多子參與導(dǎo)電還是少子呢? 是自有電子還是空穴呢?
2015-03-27 11:06:58

講解一下N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)

擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍寬等優(yōu)點。本節(jié)我們講解一下N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng),其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示:如上圖所示,在一塊P型硅片(半導(dǎo)體)襯底(Substrate,也有稱為Bulk或Body)上,形成兩個高
2023-02-10 15:58:00

請教下P溝道mos恒壓電源電路

*附件:power1.pdf 遇到一個電源板無法供電故障,此電源電路采用P溝道MOS限流保護(hù)設(shè)計。正常啟動時Q14柵極上電慢,低于源極,MOS導(dǎo)通,經(jīng)過后級U9基準(zhǔn)和U27運放組成恒壓源電路,限制
2023-06-05 22:50:12

逆變器可應(yīng)用的N溝道增強(qiáng)型高壓功率場效應(yīng):FHP840 高壓MOS

物美。而逆變器后級電路可應(yīng)用的場效應(yīng)除了TK8A50D,還有飛虹電子生產(chǎn)的這個FHP840 高壓MOS。飛虹電子的這個FHP840 高壓MOS為N溝道增強(qiáng)型高壓功率場效應(yīng),F(xiàn)HP840場效應(yīng)
2019-08-15 15:08:53

n溝道mos管工作原理

本文首先闡述了N溝MOS晶體管的概念,其次介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及特性曲線,最后介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理。
2018-08-16 15:31:1180321

mos管p溝道n溝道的區(qū)別

mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場效應(yīng)晶體管,分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面
2023-08-25 15:11:258271

如何判定一個MOS晶體管是N溝道型還是P溝道型呢?

MOS的三個極怎么判定?是N溝道還是P溝道? MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的縮寫。它是
2023-11-30 14:24:54621

n溝道mos管和p溝道mos管詳解

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型,場效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282912

P溝道MOS管導(dǎo)通條件有哪些

P溝道MOS管(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡稱PMOSFET)是一種常見的場效應(yīng)晶體管,廣泛應(yīng)用于各種
2023-12-28 15:39:311090

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