講講MOS管的選型參數(shù)

這次我們講講MOS管選型，選型也是電路設(shè)計(jì)中一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)。

選取9個(gè)重要的參數(shù)，包括閾值電壓、工作電壓、工作電流、開啟關(guān)閉速度等。

芯片手冊(cè)上參數(shù)，一般基于環(huán)境溫度為25℃時(shí)測(cè)量的。實(shí)際上很多MOS能在，環(huán)境溫度為80℃以上正常工作。

MOS管的參數(shù)：

1、 開啟閾值電壓（Vgsth）:有些MOS管閾值電壓不到1V，MOS管就能開始導(dǎo)通，有的MOS管開啟電壓至少2V。

2、持續(xù)工作電流（Ihold）：MOS管工作時(shí)，能持續(xù)通過(guò)D極和S極間的電流。

3、柵極和源極之間的最大值（Vgs）：當(dāng)MOS管開始導(dǎo)通時(shí)，這個(gè)電壓值較小，當(dāng)柵極和源極間的電壓值達(dá)到一個(gè)值時(shí)，MOS管才能完全導(dǎo)通。加載這兩端的電壓值也有個(gè)極限，不能超過(guò)給出的最大值。

4、最大耐壓值（Vdss）：加載到D極和S極間的最大電壓值。通過(guò)MOS管加載到負(fù)載上的電壓值，一定要小于最大耐壓值，而且留有足夠的余量。

5、Vbr擊穿電壓：在G極和S極間的電壓值為0時(shí)，在D極和S極間加載電壓，當(dāng)電壓值達(dá)到多少V時(shí)，MOS管被擊穿。

6、導(dǎo)通電阻：我們希望它的電阻越小好，電阻越小，功耗就越小，發(fā)熱量就越小。一般為幾十毫歐，小的能達(dá)到幾毫歐。

7、沖擊電流（Idm）：負(fù)載啟動(dòng)的瞬間，可以有很高的沖擊電流，包括浪涌等。這個(gè)沖擊電流一般為保持工作電流的4倍。

8、漏電流：開啟電壓為0時(shí)，MOS管沒導(dǎo)通時(shí)，在D極和S極加載電壓時(shí)，D極和S極之間會(huì)有很小的電流。

9、開啟時(shí)間、上升時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、下降時(shí)間：這4個(gè)參數(shù)說(shuō)明MOS管的開速度，MOS管用在高頻信號(hào)電路中，這個(gè)參數(shù)很重要。比如一個(gè)頻率為50Khz的PWM波，有高電平和低電平，MOS管需要不停的關(guān)閉和打開，如果MOS管導(dǎo)通和關(guān)閉速度不夠，這個(gè)PWM波不能完整傳輸。