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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動電路設(shè)計

IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動電路設(shè)計

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`3Q可控硅P控制 半波輸出但是換N控制,可控硅打開無法關(guān)閉。最后不得已換成4Q可控硅,請問3Q可控硅怎么控制??求高人指導(dǎo),非常感謝?。。。?!`
2019-03-08 21:36:48

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2021-03-04 08:44:36

IGBT驅(qū)動電路請教

請幫忙看下這個IGBT驅(qū)動電路是否可行;如果可行,柵極電壓將會是多少,以及三極Q1,Q2在IGBT導(dǎo)通時的工作狀態(tài)
2013-08-18 19:56:22

IGBT驅(qū)動電路設(shè)計

現(xiàn)有IGBT 型號為H20R1202 要設(shè)計他的驅(qū)動電路,在哪里找資料?或者有沒有設(shè)計過IGBT驅(qū)動電路的,能分享嗎?現(xiàn)在有一個驅(qū)動MOSFET 的電路,可以用在IGBT驅(qū)動上嗎?
2016-04-01 09:34:58

IGBT驅(qū)動板,IGBT驅(qū)動核,IGBT驅(qū)動芯,IGBT適配板,IPM之間的區(qū)別

,不想搭建分立的原件,所以想要使用集成的驅(qū)動電路。但是網(wǎng)上有IGBT驅(qū)動板,IGBT驅(qū)動核,IGBT驅(qū)動芯,IGBT適配板,IPM,這些到底有啥區(qū)別?哪種最為簡單?`
2017-10-10 17:16:20

IGBT保護電路設(shè)計必知問題

過電流的時間僅為幾微秒(SCR、GTR等器件承受過流時間為幾十微秒),耐過流量小,因此使用IGBT首要注意的是過流保護。產(chǎn)生過流的原因大致有:晶體或二極損壞、控制與驅(qū)動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接
2011-08-17 09:46:21

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目錄 IGBTMOS區(qū)別IGBT可控硅區(qū)別IGBT驅(qū)動電路設(shè)計:1、IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計2、IGBT驅(qū)動器的選擇3、IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計IGBTMOS區(qū)別:  IIGBT
2021-09-09 08:05:31

IGBTMOS區(qū)別

調(diào)整。一般而言,IGBT的正壓驅(qū)動在15V 左右,而Mosfet 建議在10—12V 左右;驅(qū)動電壓負壓的作用主要是防止關(guān)斷中的功率開關(guān)誤導(dǎo)通,同時增加關(guān)斷速度。因為 IGBT 具有拖尾電流的特性,而且
2022-09-16 10:21:27

IGBT驅(qū)動和保護電路設(shè)計

引言IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體和功率MOSFET的優(yōu)點于一體,具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、控制電路簡單、開關(guān)損耗小、通斷
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`  誰來闡述一下MOS可控硅有什么區(qū)別?`
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可控硅

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2017-03-10 22:28:43

可控硅

已屬于非正常工作情況了。 可控硅這種通過觸發(fā)信號(小觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通整流二極的重要特征。
2012-08-08 21:09:50

可控硅電路問題

電路圖參考網(wǎng)上的,可控硅使用JST136K 800E,共零線,LED接入交流220v火線后一直亮,不受控制(軟件沒有問題,接了繼電器試過)
2020-07-19 17:32:41

可控硅二極的應(yīng)用

回路,概括起來有直流觸發(fā)電路,交流觸發(fā)電路,相位觸發(fā)電路等等。1。直流觸發(fā)電路:如圖G2是一個電視機常用的過壓保護電路,當(dāng)E+電壓過高時A點電壓也變高,當(dāng)它高于穩(wěn)壓DZ的穩(wěn)壓值時DZ道通,可控硅D受觸發(fā)
2009-09-17 08:34:53

可控硅開關(guān)電路

參考網(wǎng)上的圖2 、圖3 可控硅開關(guān)電路,設(shè)計了如圖1 的電路,但實際可控硅開關(guān)一直處于斷開狀態(tài),求解,謝謝。另外,有人實際應(yīng)用過圖2,圖3的電路圖嗎,仿真發(fā)現(xiàn)可控硅開關(guān)也是一直處于斷開狀態(tài),根本不能使用。
2016-05-27 10:00:04

可控硅是什么?是IGBT嗎?

`可控硅是指可控什么呢?控制電流還是電壓?IGBT可控硅嗎?可控硅和一般橋式整流器有什么區(qū)別?`
2011-08-13 17:08:12

可控硅是如何工作的?如何減少開關(guān)電路可控硅故障?

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2023-02-08 15:29:43

可控硅電源的原理是什么?

通俗的說,可控硅是一個控制電壓的器件,由于可控硅的導(dǎo)通角是可以用電路來控制的,固此隨著輸出電壓Uo的大小變化,可控硅的導(dǎo)通角也隨著變化。加在主變壓器初級的電壓Ui也隨之變化。
2019-10-16 09:01:04

可控硅的分類和型號

可控硅及光控可控硅等多種;按電流容量大小不同,可控硅可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅;按引腳和極性不同可控硅可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅;按封裝形式不同,可控硅可分為
2020-12-08 17:11:11

可控硅的觸發(fā)問題

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯 什么是可控硅過零觸發(fā),和可控硅的移相觸發(fā)有什么區(qū)別
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2021-11-24 07:32:12

可控硅調(diào)速電路

尋求用運放做可控硅調(diào)速電路:1:功率1200W2:速度反饋3:電流反饋-----聯(lián)系:QQ----306141894-----有嘗合作-----
2013-05-09 19:50:19

MOC3061驅(qū)動BT134雙向可控硅

MOC3061驅(qū)動BT134雙向可控硅(文檔中不能顯示圖片,請下載附件查看完整文檔)最近在做一個雙向可控硅驅(qū)動電路,特將遇到的一些問題和解決方法總結(jié)如下,希望對各位喜歡DIY的小伙伴有所幫助
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可控硅整流電路  一、單相半波可控整流電路1、工作原理電路和波形如圖1所示,設(shè)u2=U2sinω。圖1 單相半波可控整流正半周:0<t<t1,ug=0,T正向阻斷,id=0,uT=u2,ud=0t
2009-04-26 13:23:15

【書籍】IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計及應(yīng)用電路實例

`內(nèi)容簡介《IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計及應(yīng)用電路實例》結(jié)合國內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù),以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計人員為《IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計及應(yīng)用電路實例》的讀者對象,系統(tǒng)、全面地講解
2021-07-24 17:13:18

【推薦】IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計及應(yīng)用電路實例

IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計及應(yīng)用電路實例鏈接:https://pan.baidu.com/s/1Zhphe5yvZi5xHr7Ng4ppOg提取碼:lwrt內(nèi)容簡介《IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計
2022-02-17 11:29:03

專業(yè)收購IGBT英飛凌模塊,24小時上門拆機回收IGBT模塊

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2019-01-18 14:19:38

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關(guān)于光耦驅(qū)動可控硅電路問題

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2019-03-05 09:23:28

關(guān)于雙向可控硅通斷問題

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替換可控硅設(shè)計

如圖所示,我能用兩個IGBT來替換可控硅嗎?不考慮成本~只想通過弱電來控制23腳的交流強電信號
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2021-12-08 15:57:05

淺談IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動區(qū)別

  IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36

請問光耦驅(qū)動可控硅電路問題

高手指點一下,以下電路有問題嗎?光耦那電流夠大驅(qū)動可控硅嗎?實際測試發(fā)現(xiàn)光耦輸出腳(可控硅的控制腳)的電壓為160mv,可控硅也無法導(dǎo)通,不知道是電路問題還是別的問題,請高手分析!
2018-12-17 11:14:20

請問有觸發(fā)器驅(qū)動可控硅電路嗎?

觸發(fā)器驅(qū)動可控硅電路
2019-10-25 01:13:08

請問誰畫過可控硅驅(qū)動電路,或者知道哪兒在賣可控硅驅(qū)動板!

我的可控硅型號為skkt92/12e,現(xiàn)在沒有驅(qū)動電路,請問誰畫過可控硅驅(qū)動電路,或者知道哪兒在賣可控硅驅(qū)動板!??!謝謝。。
2015-11-10 13:16:12

逆變和可控硅igbt焊機用途的區(qū)別有哪些

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯 常見的逆變焊機有mos逆變焊機,igbt逆變焊機,可控硅逆變焊機等等。可控硅焊機是指機器內(nèi)使用可控硅的電焊機,(因為可控硅
2012-07-09 14:12:10

逆變和可控硅igbt焊機用途的區(qū)別有哪些

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯 常見的逆變焊機有mos逆變焊機,igbt逆變焊機,可控硅逆變焊機等等。可控硅焊機是指機器內(nèi)使用可控硅的電焊機,(因為可控硅
2012-07-09 10:21:16

富士IGBT模塊驅(qū)動電路設(shè)計方法

富士IGBT模塊驅(qū)動電路設(shè)計方法
2008-01-08 10:45:44109

igbt驅(qū)動電路設(shè)計

IBGT驅(qū)動電路設(shè)計 我們設(shè)計了一種基于光耦HCPL-316J的IGBT驅(qū)動電路。實驗證明該電路具有良好的驅(qū)動及保護能力。下面是此IBGT驅(qū)動電路的原
2008-10-21 09:33:049470

可控硅、達靈頓、IGBT、MOSFET等大功率模塊外形圖

可控硅、達靈頓、IGBT、MOSFET等大功率模塊外形圖 (供參考)
2009-07-25 14:45:452146

基于IGBT驅(qū)動光耦PC929的驅(qū)動和保護電路設(shè)計

基于IGBT驅(qū)動光耦PC929的驅(qū)動和保護電路設(shè)計
2012-07-17 11:48:1627010

IGBTMOS管的區(qū)別,IGBT可控硅區(qū)別,IGBT驅(qū)動電路設(shè)計

會減低;MOS就是MOSFET的簡稱了;IGBTMOS是全控器件,是電壓型驅(qū)動,即通過控制柵極電壓來開通或關(guān)斷器件;可控硅是半控器件,電流型驅(qū)動,即給柵極通一定的電流,可以是可控硅開通,但是一旦開通
2017-05-14 10:09:4253166

igbt可控硅區(qū)別

可控硅簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件
2018-01-26 13:54:5939118

MOS管和IGBT管有什么區(qū)別

在電子電路中,MOS 管和 IGBT 管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路MOS 管?而有些電路IGBT 管?
2020-09-09 14:40:3811556

MOS管和IGBT管的區(qū)別

在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路MOS管,而有些電路IGBT管?
2022-04-24 15:16:159249

MOS管、三極管、IGBT之間的區(qū)別與聯(lián)系

MOS管、三極管、IGBT之間的因果關(guān)系 區(qū)別與聯(lián)系最全解析 大家都知道MOS管、三極管、IGBT的標準定義,但是很少有人詳細地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭,一層一層地分析為什么定義里說IGBT
2023-02-22 14:44:3224

MOS管和IGBT有什么區(qū)別

在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路MOS管?而有些電路IGBT管?下面我們就來了解一下
2023-02-22 13:59:501

MOS管和IGBT管有什么區(qū)別?

MOS管?而有些電路IGBT管? 下面我們就來了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧! 什么是MOS管? 場效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)。
2023-02-23 09:34:200

MOS管和IGBT管之間有什么區(qū)別

在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相 似。那為什么有些電路MOS管,而有些電路IGBT管? 下面我們就來了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧!
2023-02-23 09:15:261

MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點與區(qū)別

在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路MOS管?而有些電路IGBT管? 下面我們就來了解一下
2023-02-23 16:03:254

MOS管和IGBT管有什么區(qū)別

電路設(shè)計中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路MOS管?而有些電路IGBT管? 下面我們就來了解一下
2023-02-23 15:50:052

MOS管和IGBT管的區(qū)別說明

MOS管和IGBT管有什么區(qū)別?不看就虧大了 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相 似,那為什么有些電路MOS管?而有些電路IGBT管?
2023-02-24 10:34:455

詳解:MOS管和IGBT區(qū)別

在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相 似。那為什么有些電路MOS管,而有些電路IGBT管? 下面我們就來
2023-02-24 10:36:266

ASEMI的12A雙向可控硅IGBT

編輯:ll BTA12A-ASEMI的12A雙向可控硅IGBT管 型號: AO3400 品牌:ASEMI 封裝: TO-220 反向耐壓 : 30 V 引腳數(shù)量: 3 封裝尺寸:如圖 特性: 雙向
2023-02-24 15:20:180

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路MOS管,而有些電路IGBT管?
2023-03-03 10:47:521075

詳解:MOS管和IGBT區(qū)別

在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路MOS管,而有些電路IGBT管?下面我們就來了解一下
2022-07-21 17:53:513005

igbt可控硅有什么區(qū)別?

半導(dǎo)體器件,它們主要用于控制電能的大功率電路中。IGBT可控硅電路中起著相似的作用,但是它們具有不同的特性和優(yōu)缺點。本文將對IGBT可控硅區(qū)別進行詳細的比較和闡述。 1. 工作原理 可控硅是一種
2023-08-25 14:57:315661

可控硅igbt區(qū)別

可控硅igbt區(qū)別? 可控硅IGBT是現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中常用的兩種功率半導(dǎo)體器件。雖然兩者都能在電力控制和轉(zhuǎn)換中發(fā)揮重要作用,但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點和應(yīng)用等方面存在著顯著差異。下文
2023-12-07 16:45:323214

igbtmos管的區(qū)別

igbtmos管的區(qū)別? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2023-12-07 17:19:38792

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