`3Q可控硅P管控制 半波輸出但是換N管控制,可控硅打開無法關(guān)閉。最后不得已換成4Q可控硅,請問3Q可控硅怎么控制??求高人指導(dǎo),非常感謝?。。。?!`
2019-03-08 21:36:48
驅(qū)動電路簡單、通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點,因此現(xiàn)今應(yīng)用相當(dāng)廣泛。但是IGBT 良好特性的發(fā)揮往往因其柵極驅(qū)動電路設(shè)計上的不合理,制約著IGBT的推廣及應(yīng)用。因此本文分析了IGBT對其柵極驅(qū)動
2012-09-09 12:22:07
本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大,以驅(qū)動IGBT,保證IGBT的可靠工作,驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用,對IGBT驅(qū)動電路的基本要求。
2021-03-04 08:44:36
請幫忙看下這個IGBT驅(qū)動電路是否可行;如果可行,柵極電壓將會是多少,以及三極管Q1,Q2在IGBT導(dǎo)通時的工作狀態(tài)
2013-08-18 19:56:22
現(xiàn)有IGBT 型號為H20R1202 要設(shè)計他的驅(qū)動電路,在哪里找資料?或者有沒有設(shè)計過IGBT驅(qū)動電路的,能分享嗎?現(xiàn)在有一個驅(qū)動MOSFET 的電路,可以用在IGBT的驅(qū)動上嗎?
2016-04-01 09:34:58
,不想搭建分立的原件,所以想要使用集成的驅(qū)動電路。但是網(wǎng)上有IGBT驅(qū)動板,IGBT驅(qū)動核,IGBT驅(qū)動芯,IGBT適配板,IPM,這些到底有啥區(qū)別?哪種最為簡單?`
2017-10-10 17:16:20
過電流的時間僅為幾微秒(SCR、GTR等器件承受過流時間為幾十微秒),耐過流量小,因此使用IGBT首要注意的是過流保護。產(chǎn)生過流的原因大致有:晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接
2011-08-17 09:46:21
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別:IGBT和可控硅的區(qū)別:IGBT驅(qū)動電路設(shè)計:1、IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計2、IGBT驅(qū)動器的選擇3、IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計IGBT和MOS管的區(qū)別: IIGBT
2021-09-09 08:05:31
調(diào)整。一般而言,IGBT的正壓驅(qū)動在15V 左右,而Mosfet 建議在10—12V 左右;驅(qū)動電壓負壓的作用主要是防止關(guān)斷中的功率開關(guān)管誤導(dǎo)通,同時增加關(guān)斷速度。因為 IGBT 具有拖尾電流的特性,而且
2022-09-16 10:21:27
引言IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體,具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、控制電路簡單、開關(guān)損耗小、通斷
2021-09-09 09:02:46
本人有些問題不解,尋求高人幫助,請講通俗點1,可控硅和普通整流橋都是整流用的,那他們的區(qū)別呢?2,IGBT,可控硅,普通整流橋有哪些不同,哪些相同?3,IGBT是不是有取代普通整流橋的趨勢?
2011-08-16 17:11:55
在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用MOS管?而有些電路用IGBT管?下面我們就來了解一下
2022-04-01 11:10:45
在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管? 下面我們就來了解一下
2020-07-19 07:33:42
` 誰來闡述一下MOS管和可控硅有什么區(qū)別?`
2019-11-06 17:12:57
可控硅調(diào)光,可以通過可調(diào)電阻,來改變電壓,來控制導(dǎo)通角的大小,實現(xiàn)調(diào)節(jié)作用,為什么不直接用可調(diào)電阻來調(diào)節(jié)呢,為什么加上可控硅?。。‰娮硬锁B
補充內(nèi)容 (2017-3-14 19:09):
可控硅調(diào)光,通過改變那個參數(shù)在實現(xiàn)光的明暗?
2017-03-10 22:28:43
已屬于非正常工作情況了。 可控硅這種通過觸發(fā)信號(小觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。
2012-08-08 21:09:50
電路圖參考網(wǎng)上的,可控硅使用JST136K 800E,共零線,LED接入交流220v火線后一直亮,不受控制(軟件沒有問題,接了繼電器試過)
2020-07-19 17:32:41
回路,概括起來有直流觸發(fā)電路,交流觸發(fā)電路,相位觸發(fā)電路等等。1。直流觸發(fā)電路:如圖G2是一個電視機常用的過壓保護電路,當(dāng)E+電壓過高時A點電壓也變高,當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時DZ道通,可控硅D受觸發(fā)
2009-09-17 08:34:53
參考網(wǎng)上的圖2 、圖3 可控硅開關(guān)電路,設(shè)計了如圖1 的電路,但實際可控硅開關(guān)一直處于斷開狀態(tài),求解,謝謝。另外,有人實際應(yīng)用過圖2,圖3的電路圖嗎,仿真發(fā)現(xiàn)可控硅開關(guān)也是一直處于斷開狀態(tài),根本不能使用。
2016-05-27 10:00:04
`可控硅是指可控什么呢?控制電流還是電壓?IGBT是可控硅嗎?可控硅和一般橋式整流器有什么區(qū)別?`
2011-08-13 17:08:12
什么是三端雙向可控硅?TRIAC(交流三極管)是一種廣泛用于交流電源控制的電子元件。它是一個三端子電子元件,在觸發(fā)時向任一方向傳導(dǎo)電流。TRIAC能夠切換高電壓和高電流水平,以及交流波形的兩個部分
2023-02-08 15:29:43
通俗的說,可控硅是一個控制電壓的器件,由于可控硅的導(dǎo)通角是可以用電路來控制的,固此隨著輸出電壓Uo的大小變化,可控硅的導(dǎo)通角也隨著變化。加在主變壓器初級的電壓Ui也隨之變化。
2019-10-16 09:01:04
可控硅及光控可控硅等多種;按電流容量大小不同,可控硅可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅;按引腳和極性不同可控硅可分為二極可控硅、三極可控硅管和四極可控硅管;按封裝形式不同,可控硅管可分為
2020-12-08 17:11:11
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
什么是可控硅過零觸發(fā),和可控硅的移相觸發(fā)有什么區(qū)別?
2012-05-06 23:26:00
個最基本的驅(qū)動電路,基本上沒有人懷疑這個。那么是否可以使用任何型號的光耦都可以控制可控硅調(diào)光呢?答案是否定的,不同的光耦得到的現(xiàn)象區(qū)別卻很大,一般來說...
2021-11-24 07:32:12
尋求用運放做可控硅調(diào)速電路:1:功率1200W2:速度反饋3:電流反饋-----聯(lián)系:QQ----306141894-----有嘗合作-----
2013-05-09 19:50:19
MOC3061驅(qū)動BT134雙向可控硅(文檔中不能顯示圖片,請下載附件查看完整文檔)最近在做一個雙向可控硅的驅(qū)動電路,特將遇到的一些問題和解決方法總結(jié)如下,希望對各位喜歡DIY的小伙伴有所幫助
2015-03-17 17:31:22
可控硅整流電路 一、單相半波可控整流電路1、工作原理電路和波形如圖1所示,設(shè)u2=U2sinω。圖1 單相半波可控整流正半周:0<t<t1,ug=0,T正向阻斷,id=0,uT=u2,ud=0t
2009-04-26 13:23:15
`內(nèi)容簡介《IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計及應(yīng)用電路實例》結(jié)合國內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù),以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計人員為《IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計及應(yīng)用電路實例》的讀者對象,系統(tǒng)、全面地講解
2021-07-24 17:13:18
IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計及應(yīng)用電路實例鏈接:https://pan.baidu.com/s/1Zhphe5yvZi5xHr7Ng4ppOg提取碼:lwrt內(nèi)容簡介《IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計
2022-02-17 11:29:03
/ 西門子IGBT模塊 EUPEC IGBT模塊 英飛凌單管 EUPEC可控硅 英飛凌IGBT模塊優(yōu)派克IGBT模塊 歐派克IGBT模塊 西門子IGBT模塊 infineon IGBT模塊
2021-12-02 17:55:00
請高手指點,以下電路有問題嗎?光耦那電流夠大驅(qū)動可控硅嗎?實際測試發(fā)現(xiàn)光耦輸出腳(可控硅的控制腳)的電壓為160mv,可控硅也無法導(dǎo)通,不知道是電路問題還是別的問題
2019-01-18 14:19:38
如圖所示:1.單片機給IO口發(fā)送一個高電平后光耦3063會立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過零點導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過零點導(dǎo)通,是否可以認為可控硅兩端的電壓為零,此時可控硅不導(dǎo)通,那如果是這樣請問這個電路可控硅是何時導(dǎo)通的,又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控硅T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00
我的一個產(chǎn)品,在客戶使用過程當(dāng)中有時候,光耦雙向驅(qū)動可控硅電路 會出現(xiàn)可控硅線路被嚴重?zé)龎牡那闆r為什么、、應(yīng)該怎么解決?
2015-01-08 15:18:54
請教各位大神,如圖,這個是延遲關(guān)斷燈的電路,請問這個電路開始按下開關(guān)的時候,可控硅是怎么打開的,電路的上可控硅的G極我看不出來有正向的電壓啊。。。。2個穩(wěn)壓管的參數(shù)我是隨便寫的,可以的話幫忙算下穩(wěn)壓管大概多少值的。手上沒工具測。
2023-10-24 16:05:18
高手指點,以下電路有問題嗎?光耦那電流夠大驅(qū)動可控硅嗎?實際測試發(fā)現(xiàn)光耦輸出腳(可控硅的控制腳)的電壓為160mv,可控硅也無法導(dǎo)通,不知道是電路問題還是,請高手分析!
2019-03-05 09:23:28
本帖最后由 Leo12231 于 2020-7-2 10:58 編輯
我現(xiàn)在電路設(shè)計是低電平觸發(fā)可控硅導(dǎo)通可控硅的T1 目前是直流電源的5V供電(后期是220V交流市電)T2極接了一個5V
2020-07-02 10:56:48
相應(yīng)措施以達到各參數(shù)的要求。2、單向可控硅:由三個PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個PN結(jié)的二極管相比,單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制。產(chǎn)品概述:RM9005E 是單通道調(diào)光LED恒流驅(qū)動
2020-05-08 10:39:14
單片機驅(qū)動雙向可控硅調(diào)光,如圖這個電路哪個地方有問題?
2023-03-08 10:19:46
壓接式可控硅模塊與焊接式可控硅模塊有什么區(qū)別呢?下面就為大家介紹下:首先,從電流方面來說,焊接式模塊能做到160A電流,而壓接式模塊的電流則可達到1200A。也就是說,160A以下的模塊,既有焊接
2013-12-25 09:12:41
哪位高手曉得雙向可控硅與恒流恒壓可控硅的區(qū)別喃?恒流恒壓可控硅是咋實現(xiàn)的喃?求指導(dǎo)啊,急!?。?!
2013-01-11 16:24:33
一般都是用mos管控制開關(guān),如果用三極管和可控硅可以實現(xiàn)嗎
2023-10-07 08:54:52
驅(qū)動場合還存在著一系列問題?! ? 雙向可控硅TRIAC調(diào)光原理 市面上大多數(shù)可控硅調(diào)光器基本結(jié)構(gòu)如圖1所示,其工作原理如下:當(dāng)交流電壓加雙向可控硅TRIAC兩端時,由于Rt、Ct組成的RC充電電路有
2011-08-18 09:25:26
基于UC2844的IGBT驅(qū)動電路設(shè)計*附件:基于UC2844的IGBT驅(qū)動電路設(shè)計.pdf
2022-10-14 22:39:18
基于雙向可控硅隔離型延時可控電路的實現(xiàn)方法
2019-09-18 09:11:34
、IPM、PIM、可控硅,整流橋模塊,快恢復(fù)二極管,場效應(yīng)及驅(qū)動電路.品牌三菱安徽省回收IGBT模塊,合肥高價回收IGBT模塊,蕪湖收購英飛凌IGBT模塊,回收IPM模塊,滁州收購西門康IGBT模塊
2021-03-08 17:19:22
雙向可控硅的驅(qū)動電流是50mA,現(xiàn)在我想在控制可控硅的線路上接一個發(fā)光二極管,這樣可控硅導(dǎo)通還是截至就可以看得到,可是發(fā)光二極管的驅(qū)動電流是20mA,我該怎么做?
2019-07-03 00:07:06
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么?IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些?如何實現(xiàn)IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計?
2021-11-02 08:30:41
`推薦課程:張飛軟硬開源:基于STM32的BLDC直流無刷電機驅(qū)動器(視頻+硬件)http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代
2019-05-02 22:43:32
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件,具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點,因而廣泛應(yīng)用在變 頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力
2011-10-28 15:21:54
的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則 MOSFET 導(dǎo)通,這樣 PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若 IGBT 的柵極
2021-03-19 15:22:33
實用可控硅電路集合
2023-09-26 14:19:22
實用的數(shù)控可控硅觸發(fā)電路設(shè)計一種實用的數(shù)控可控硅觸發(fā)電路,由于采用了石英晶體振蕩器作計數(shù)脈沖振蕩源,并用光電耦合器將觸發(fā)電路和主電路之間進行隔離,因而該電路具有可靠性和控制精度高,抗干擾能力強的特點。
2009-12-17 11:00:24
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2022-02-16 18:26:16
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2022-02-14 17:37:08
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2021-03-04 13:57:12
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2021-01-07 14:59:07
如圖所示,我能用兩個IGBT來替換可控硅嗎?不考慮成本~只想通過弱電來控制23腳的交流強電信號
2017-06-09 07:38:19
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2021-12-08 15:57:05
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36
高手指點一下,以下電路有問題嗎?光耦那電流夠大驅(qū)動可控硅嗎?實際測試發(fā)現(xiàn)光耦輸出腳(可控硅的控制腳)的電壓為160mv,可控硅也無法導(dǎo)通,不知道是電路問題還是別的問題,請高手分析!
2018-12-17 11:14:20
觸發(fā)器驅(qū)動可控硅電路
2019-10-25 01:13:08
我的可控硅型號為skkt92/12e,現(xiàn)在沒有驅(qū)動電路,請問誰畫過可控硅的驅(qū)動電路,或者知道哪兒在賣可控硅驅(qū)動板!??!謝謝。。
2015-11-10 13:16:12
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
常見的逆變焊機有mos管逆變焊機,igbt逆變焊機,可控硅逆變焊機等等。可控硅焊機是指機器內(nèi)使用可控硅的電焊機,(因為可控硅逆
2012-07-09 14:12:10
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
常見的逆變焊機有mos管逆變焊機,igbt逆變焊機,可控硅逆變焊機等等。可控硅焊機是指機器內(nèi)使用可控硅的電焊機,(因為可控硅逆
2012-07-09 10:21:16
富士IGBT模塊驅(qū)動電路設(shè)計方法
2008-01-08 10:45:44109 IBGT驅(qū)動電路設(shè)計
我們設(shè)計了一種基于光耦HCPL-316J的IGBT驅(qū)動電路。實驗證明該電路具有良好的驅(qū)動及保護能力。下面是此IBGT驅(qū)動電路的原
2008-10-21 09:33:049470
可控硅、達靈頓、IGBT、MOSFET等大功率模塊外形圖
(供參考)
2009-07-25 14:45:452146 基于IGBT驅(qū)動光耦PC929的驅(qū)動和保護電路設(shè)計
2012-07-17 11:48:1627010 會減低;MOS就是MOSFET的簡稱了;IGBT和MOS是全控器件,是電壓型驅(qū)動,即通過控制柵極電壓來開通或關(guān)斷器件;可控硅是半控器件,電流型驅(qū)動,即給柵極通一定的電流,可以是可控硅開通,但是一旦開通
2017-05-14 10:09:4253166 可控硅簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件
2018-01-26 13:54:5939118 在電子電路中,MOS 管和 IGBT 管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用 MOS 管?而有些電路用 IGBT 管?
2020-09-09 14:40:3811556 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?
2022-04-24 15:16:159249 MOS管、三極管、IGBT之間的因果關(guān)系 區(qū)別與聯(lián)系最全解析 大家都知道MOS管、三極管、IGBT的標準定義,但是很少有人詳細地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭,一層一層地分析為什么定義里說IGBT
2023-02-22 14:44:3224 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用MOS管?而有些電路用IGBT管?下面我們就來了解一下
2023-02-22 13:59:501 用MOS管?而有些電路用IGBT管? 下面我們就來了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧! 什么是MOS管? 場效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)。
2023-02-23 09:34:200 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?
下面我們就來了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧!
2023-02-23 09:15:261 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用MOS管?而有些電路用IGBT管? 下面我們就來了解一下
2023-02-23 16:03:254 在電路設(shè)計中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用MOS管?而有些電路用IGBT管? 下面我們就來了解一下
2023-02-23 15:50:052 MOS管和IGBT管有什么區(qū)別?不看就虧大了
在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似,那為什么有些電路用MOS管?而有些電路用IGBT管?
2023-02-24 10:34:455 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?
下面我們就來
2023-02-24 10:36:266 編輯:ll BTA12A-ASEMI的12A雙向可控硅IGBT管 型號: AO3400 品牌:ASEMI 封裝: TO-220 反向耐壓 : 30 V 引腳數(shù)量: 3 封裝尺寸:如圖 特性: 雙向
2023-02-24 15:20:180 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?
2023-03-03 10:47:521075 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?下面我們就來了解一下
2022-07-21 17:53:513005 半導(dǎo)體器件,它們主要用于控制電能的大功率電路中。IGBT和可控硅在電路中起著相似的作用,但是它們具有不同的特性和優(yōu)缺點。本文將對IGBT和可控硅的區(qū)別進行詳細的比較和闡述。 1. 工作原理 可控硅是一種
2023-08-25 14:57:315661 可控硅和igbt區(qū)別? 可控硅和IGBT是現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中常用的兩種功率半導(dǎo)體器件。雖然兩者都能在電力控制和轉(zhuǎn)換中發(fā)揮重要作用,但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點和應(yīng)用等方面存在著顯著差異。下文
2023-12-07 16:45:323214 igbt與mos管的區(qū)別? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2023-12-07 17:19:38792
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