IGBT雙脈沖測(cè)試的意義和原理

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?IGBT的雙脈沖測(cè)試

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（一）IGBT雙脈沖測(cè)試的意義

對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能；

獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù)；

評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適；

開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩；

評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量；

IGBT關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩；

IGBT開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間；

測(cè)量母線的雜散電感。

（二）IGBT雙脈沖測(cè)試的原理

所謂IGBT雙脈沖測(cè)試就是上管持續(xù)關(guān)斷、下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)給兩個(gè)脈沖從而測(cè)試IGBT的開(kāi)關(guān)特性。上管兩端并接一個(gè)電感，主要測(cè)試的就是下管的特性以及上管的反向二極管特性。

1）t0時(shí)刻，門(mén)極發(fā)出第一個(gè)脈沖，下橋IGBT飽和導(dǎo)通，電壓U加在負(fù)載L兩端，電感的電流線性上升。

2）t1時(shí)刻，下橋IGBT關(guān)斷，電感電流由上橋二極管續(xù)流，電流波形如虛線所示，由于電流探頭放在下橋的發(fā)射極，因此，在上橋二極管續(xù)流時(shí)，電流探頭檢測(cè)不到該電流。

3）t2時(shí)刻，第二個(gè)脈沖的上升沿到達(dá)，下橋IGBT再次導(dǎo)通，上橋續(xù)流二極管反向恢復(fù)，反向恢復(fù)電流會(huì)穿過(guò)下橋IGBT，電流探頭上能捕捉到這個(gè)電流。在該時(shí)刻，重點(diǎn)觀察IGBT的開(kāi)通過(guò)程。二極管反向恢復(fù)電流是重要的監(jiān)控對(duì)象，該電流的形態(tài)直接影響到換流過(guò)程的許多重要指標(biāo)。

4）t3時(shí)刻，下橋IGBT再次關(guān)斷，此時(shí)電流變化較大，由于母線雜散電感Ls的存在，Vce會(huì)產(chǎn)生一定的電壓尖峰。在該時(shí)刻，重點(diǎn)觀察IGBT的關(guān)斷過(guò)程。Vce電壓尖峰是重要的監(jiān)控對(duì)象，同時(shí)還需要注意關(guān)斷之后電壓和電流是否存在不合適的震蕩。

編輯：黃飛

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