在采訪中朱勇華介紹了美浦森的發(fā)展現(xiàn)狀，以及本次展會(huì)展示的特色產(chǎn)品，他還特別介紹了該公司碳化硅器件的特性。
2019-12-25 18:20:33
13008 碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，讓新能源汽車(chē)充電更快，續(xù)航更長(zhǎng)
2022-09-23 18:31:407175 
前進(jìn)。碳化硅器件的這些優(yōu)良特性，需要通過(guò)封裝與電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功率和信號(hào)的高效、高可靠連接，才能得到完美展現(xiàn)，而現(xiàn)有的傳統(tǒng)
2022-11-12 10:01:261315 本推文主要介碳化硅器件，想要入門(mén)碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
2023-11-27 17:48:06642 
科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 快速發(fā)展，碳化硅芯片在未來(lái)2至3年都將呈現(xiàn)供不應(yīng)求的態(tài)勢(shì)。DIGITIMES Research預(yù)測(cè)，2030年全球電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量有望超越5000萬(wàn)輛，將帶動(dòng)SiC功率器件于電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)銷(xiāo)售額突破八成。 ? 5月3日，英飛凌與國(guó)內(nèi)碳化硅公司天科合達(dá)、天岳先進(jìn)簽訂長(zhǎng)期協(xié)
2023-05-24 00:10:003423 
LED照明應(yīng)用市場(chǎng)的飛速發(fā)展，上游產(chǎn)業(yè)也活躍起來(lái)，近年來(lái)LED驅(qū)動(dòng)電源保持年均30%以上的增長(zhǎng)，較LED其他配套和輔料行業(yè)發(fā)展要好。QYResearch發(fā)布的《2017全球LED照明驅(qū)動(dòng)電源市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及
2017-11-07 11:17:22
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無(wú)基板模塊?！ 》至?b class="flag-6" style="color: red">器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對(duì)于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54
”是條必經(jīng)之路。高效率、高性能的功率元器件的更新?lián)Q代已經(jīng)迫在眉睫?！?b class="flag-6" style="color: red">功率元器件”廣泛分以下兩大類(lèi)：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”。二是“碳化硅（SiC）功率元器件”，與Si半導(dǎo)體相比
2017-07-22 14:12:43
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車(chē)走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，可以用來(lái)制造
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
精細(xì)化，集成化方向發(fā)展?！ ≡谛录夹g(shù)驅(qū)動(dòng)下，汽車(chē)電子行業(yè)迎來(lái)新一輪技術(shù)革命，行業(yè)整體升級(jí)。在汽車(chē)大量電子化的帶動(dòng)之下，車(chē)用電路板也會(huì)向上成長(zhǎng)。車(chē)用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點(diǎn)吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13
成熟，資源豐富，碳化硅的行業(yè)已經(jīng)具有集群化發(fā)展的趨勢(shì)了，但是行業(yè)規(guī)模很小，政策資金方面的風(fēng)險(xiǎn)能力很大，行業(yè)秩序也需要進(jìn)一步完善。碳化硅的用途也十分廣泛，越來(lái)越多的新行業(yè)也正在開(kāi)發(fā)，線切割為代表的新行業(yè)正
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開(kāi)關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類(lèi)應(yīng)用，如汽車(chē)制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場(chǎng)（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
項(xiàng)目名稱(chēng)：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件，功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)，所應(yīng)用的產(chǎn)品包括
2009-09-23 19:36:41
云計(jì)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)，本文講的是云計(jì)算時(shí)代IT產(chǎn)業(yè)六大發(fā)展趨勢(shì)，【IT168 資訊】1946年2月14日第一臺(tái)計(jì)算機(jī)誕生，至今已經(jīng)有50多年的歷史，隨著計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)的普及，全球經(jīng)濟(jì)步入發(fā)展
2021-07-27 06:25:03
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資，創(chuàng)能動(dòng)力致力于開(kāi)發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
的功率半導(dǎo)體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡谡胫芷冢╒AC大于0）的時(shí)候，T2為主開(kāi)關(guān)管。 當(dāng)T2開(kāi)通時(shí)，電感L儲(chǔ)能，電流
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
嵌入式系統(tǒng)開(kāi)源軟件的現(xiàn)狀及未來(lái)的發(fā)展方向
2021-04-28 06:25:59
廣播電視發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)【摘要】 近年來(lái)，隨著信息技術(shù)的不斷發(fā)展，數(shù)字、網(wǎng)絡(luò)等先進(jìn)的信息技術(shù)成為時(shí)代主體，為避免傳統(tǒng)廣播電視行業(yè)受到?jīng)_擊，廣播電視技術(shù)也在不斷更新?lián)Q代，從節(jié)目的錄制、編輯到后續(xù)的傳輸
2021-07-21 09:43:17
的發(fā)展趨勢(shì)，對(duì) SiC 器件封裝技術(shù)進(jìn)行歸納和展望。近20多年來(lái)，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
深圳電主軸行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)是什么？相信不少人是有疑問(wèn)的，今天恒興隆機(jī)電就跟大家解答一下！電主軸市場(chǎng)產(chǎn)銷(xiāo)量近年來(lái)逐步攀升，全球供需關(guān)系較為平緩，但中國(guó)市場(chǎng)上國(guó)內(nèi)電主軸產(chǎn)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足需求，產(chǎn)品
2021-12-24 15:24:31
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類(lèi)似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
音頻信號(hào)是什么？音頻編碼技術(shù)分為哪幾類(lèi)？音頻編碼技術(shù)有哪些應(yīng)用？音頻編碼標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展現(xiàn)狀如何？數(shù)字音頻編碼技術(shù)有怎樣的發(fā)展趨勢(shì)？
2021-04-14 07:00:14
一體的高科技企業(yè)，產(chǎn)品研發(fā)骨干來(lái)自北京清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握碳化硅功率器件的核心技術(shù)。再加上薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生深耕華強(qiáng)北多年，深度了解華強(qiáng)北的商業(yè)模式，薩科微slkor的多年積累，為現(xiàn)階段快速
2023-02-21 09:24:40
汽車(chē)用基礎(chǔ)電子元器件發(fā)展現(xiàn)狀如何？國(guó)內(nèi)汽車(chē)用基礎(chǔ)電子元器件發(fā)展現(xiàn)狀如何？汽車(chē)用基礎(chǔ)電子元器件發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2021-05-17 06:27:16
）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，國(guó)內(nèi)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，在國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件制造商中率先完成了質(zhì)量管理體系---汽車(chē)行業(yè)生產(chǎn)件與相關(guān)服務(wù)件的組織實(shí)施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅功率器件近年來(lái)越來(lái)越廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域，受到大家的喜愛(ài)，不斷地推陳出新，大量的更高電壓等級(jí)、更大電流等級(jí)的產(chǎn)品相繼推出，市場(chǎng)反應(yīng)碳化硅元器件的效果非常好，但似乎對(duì)于碳化硅元器件的普及還有
2017-12-13 09:17:4421987 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值到2024年將達(dá)到19.3億美元
2019-08-15 18:14:0310202 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839 
比亞迪作為國(guó)內(nèi)車(chē)企，在車(chē)上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史，最早是在車(chē)載的OBC上用，后面是在車(chē)載彈簧、車(chē)載電控上面用，目前國(guó)內(nèi)在碳化硅車(chē)型上，我們用的碳化硅的量是國(guó)內(nèi)最多的，去年算上車(chē)載電控
2022-08-26 09:15:131695 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀，分析對(duì)比了切片、薄化、拋光加工工藝機(jī)理，指出了加工過(guò)程中的關(guān)鍵影響因素和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-01-11 11:05:551309 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關(guān)器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中，由于襯底制造工藝難度大，產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。
2023-02-03 16:30:133953 投建，我國(guó)初步形成了從襯底、外延片到器件、模塊較為完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈。 但記者在采訪中了解到，國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件行業(yè)還呈現(xiàn)“小”“散”特征，未來(lái)五年將是整合期，車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件與國(guó)外公司還有較大差距。此外，碳
2023-02-21 09:26:45
2 我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來(lái)我們來(lái)看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見(jiàn)的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對(duì)于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。
在眾多半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564079 碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面。
2023-04-27 14:05:52635 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專(zhuān)業(yè)讀者喜愛(ài)，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)，以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-24 11:34:51578 
7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開(kāi)關(guān)器件簡(jiǎn)介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-09 09:25:05378 7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開(kāi)關(guān)器件簡(jiǎn)介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)
2022-02-07 15:01:28396 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092319 
碳化硅功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件，由于其具有高溫工作能力、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域，包括電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和變頻器、電力電子設(shè)備以及白色家電等。本文將就該器件的應(yīng)用和發(fā)展進(jìn)行探討。
2023-08-08 10:25:30198 當(dāng)前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢(shì)，碳化硅材料七成以上來(lái)自美國(guó)公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應(yīng)用開(kāi)發(fā)方面占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2023-08-15 10:07:41260 
目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類(lèi)型相對(duì)較多，常見(jiàn)的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類(lèi)型的碳化硅器件，單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對(duì)不同類(lèi)型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。
2023-08-31 14:14:22286 ? 隨著新能源汽車(chē)的快速發(fā)展，碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來(lái)越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開(kāi)關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn)，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 碳化硅（SiC）MOS管作為一種新型功率器件，與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，在某些特定條件下具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2023-09-26 16:59:07475 
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車(chē)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來(lái)的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)，以及如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來(lái)滿足不同應(yīng)用的需求。其中，英飛凌作為國(guó)際品牌的代表，其第四代產(chǎn)品已經(jīng)超過(guò)專(zhuān)利期，第七代產(chǎn)品受專(zhuān)利保密影響，國(guó)內(nèi)
2023-10-28 09:59:52684 碳化硅（SiC）技術(shù)比傳統(tǒng)硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)更具優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的損耗，從而提高功率密度、可靠性和效率。本文將介紹碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）中的應(yīng)用，以及Wolfspeed推出的碳化硅電源解決方案。
2023-11-17 10:10:29393 隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。然而，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能極限。為了滿足不斷增長(zhǎng)的性能需求，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的電力電子設(shè)備，正逐漸取代傳統(tǒng)的硅基功率器件，成為新一代電力電子設(shè)備的基石。
2023-12-13 09:32:03335 ，因此在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)碳化硅功率器件的原理、特點(diǎn)、應(yīng)用現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2023-12-14 09:14:46241 隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-12-16 10:29:20360 碳化硅（SiC）是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料，其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
2023-12-19 09:27:19300 隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導(dǎo)熱率和高電子飽和遷移率，使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及發(fā)展前景。
2023-12-21 09:43:38353 ，但其未來(lái)應(yīng)用前景廣闊，具有很高的實(shí)用性。 首先，碳化硅功率器件的材料特性使其成為目前電力電子技術(shù)中的熱門(mén)研究方向之一。相較于硅基功率器件，碳化硅具有更高的能帶寬度和較大的熱導(dǎo)率，這意味著在高溫或高電壓應(yīng)用中具有
2023-12-21 11:27:09286 隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用，從電動(dòng)汽車(chē)到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件因其出色的性能而備受矚目，被視為未來(lái)電力電子技術(shù)的關(guān)鍵。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)以及市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-12-26 09:31:49173 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理特性，如高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等，在功率器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。本文將對(duì)SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展進(jìn)行深入探討。
2023-12-28 09:25:56152 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。
2024-01-03 10:13:43363 
隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅功率器件在未來(lái)具有很大的發(fā)展潛力，將在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來(lái)碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，被譽(yù)為“未來(lái)電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2024-02-21 09:27:13210 隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)特性，正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率器件，引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的發(fā)展方向。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及面臨的挑戰(zhàn)和未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。
2024-02-22 09:19:21170 的物理性能和潛力巨大的市場(chǎng)應(yīng)用前景，受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。
2024-02-25 10:37:01165 
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