碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:02
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本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06642 
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預(yù)計多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
MOSFET 漏極出現(xiàn)浪涌并因寄生效應(yīng)意外打開時。這種導(dǎo)通會產(chǎn)生從高壓到地的短路，從而損壞電路?！ ∪绾悟?qū)動碳化硅場效應(yīng)管 考慮到卓越的材料性能，這個問題提出了如何控制這些部件才能發(fā)揮最佳作用。從我們所知
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快，工程師們越來越多地在尋找新的解決方案，并對技術(shù)提出更多的要求，以滿足消費者和行業(yè)的需求。碳化硅半導(dǎo)體是滿足這些需求的優(yōu)選答案，其本身也在不斷改進，以期提供與舊技術(shù)相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。 在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結(jié)合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點。關(guān)于碳化硅熔點的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
5A、10A和15A對應(yīng)的反向恢復(fù)電流分別是9.3A、13.0A和15.8A； 碳化硅肖特基二極管在5A、10A和15A對應(yīng)的反向恢復(fù)電流分別是2.5A、3.1A和3.6A；從測試數(shù)據(jù)來看，在5A
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報價TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠
2018-06-12 10:22:42
，TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對碳化硅MOSFET這種高速功率開關(guān)帶來的優(yōu)勢?！ ?2 從數(shù)據(jù)的角度去分析共源雜散電感對開關(guān)損耗的影響 ?。?）雙脈沖測試時的重要注意事項---電流探頭的相位
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?！ 》至⑵骷ㄈ?TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案。 該器件將傳統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
，碳化硅MOSFET比硅MOSFET具有更多的優(yōu)勢，但代價是在某些方面參數(shù)碳化硅MOSFET性能比較差。這就要求設(shè)計人員需要花時間充分了解碳化硅MOSFET的特性和功能，并考慮如何向新拓撲架構(gòu)過渡。有一點
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了，它的特點是：化學性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
黑碳化硅基礎(chǔ)知識
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成
黑碳化硅是以石英砂，石油焦為主要原料，通過電阻
2009-11-17 09:37:27757 碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:45
54 金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當
2018-01-03 09:48:4819904 前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267 基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽能行業(yè)，碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學電氣與計算機工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383 來源：中國電子報 日前，國際碳化硅大廠安森美宣布，其在捷克Roznov擴建的碳化硅工廠落成，未來兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來納州建造一座價值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872 前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始，了解一下它的物理特性和特征。
2023-01-09 09:03:392345 
碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？ 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點，碳化硅技術(shù)能夠幫助電動汽車實現(xiàn)快速充電，增加續(xù)航；這個特性使得眾多的車企把目光投注過來。 我們
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時出現(xiàn)峰值，繼續(xù)升高溫度，導(dǎo)電率又會下降。
2023-02-03 09:31:234410 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-05 16:34:591314 碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料，由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，除了寬禁帶的特點外，碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 ，同時降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品，它們也并非都是一樣的。為了實現(xiàn)碳化硅技術(shù)的承諾，開發(fā)人員必須仔細評估基于質(zhì)量、供應(yīng)和支持的產(chǎn)品和供應(yīng)商選項，并且他們必須了解如何優(yōu)化將這些破
2023-02-15 16:03:448 電機碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機的技術(shù)，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等，來提高電機的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:004556 投建，我國初步形成了從襯底、外延片到器件、模塊較為完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈。 但記者在采訪中了解到，國內(nèi)碳化硅功率器件行業(yè)還呈現(xiàn)“小”“散”特征，未來五年將是整合期，車規(guī)級碳化硅功率器件與國外公司還有較大差距。此外，碳
2023-02-21 09:26:452 。
以往關(guān)于碳化硅晶須的研究較多。碳化硅晶須的強度和模量確實優(yōu)于氮化硅晶須，但Si3N4晶須比SiC具有更優(yōu)良的耐高溫、高
強度、高模量、低膨脹和良好的化學穩(wěn)定性，被認為是增強金屬和陶瓷材料的理想增強組元。
2023-02-21 09:13:470 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個有趣的事實是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實上，碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨特的性能非常有前途，以至于今天，我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042 igbt和碳化硅區(qū)別是什么？? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣
2023-08-25 14:50:049049 碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此，生產(chǎn)碳化硅晶圓的成本是同等級硅晶圓成本的3倍。
2023-09-22 11:26:43162 碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51742 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應(yīng)用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力，碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測量領(lǐng)域中的首選材料。在本文中，我們將討論
2023-12-19 11:48:30207 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 等。這些特性使得碳化硅逆變器在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，特別是在新能源、電動汽車、軌道交通等領(lǐng)域。碳化硅逆變器的工作原理是利用碳化硅半導(dǎo)體材料的高載流子遷移率和低導(dǎo)通電阻特性，實現(xiàn)對電能的高效轉(zhuǎn)換。具體
2024-01-10 13:55:54272 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14294 
共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412 
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