電子發(fā)燒友App
報告作者：DAVID SEYMOUR
報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
驅(qū)動器進化以支持 SiC（碳化硅）
驅(qū)動器進化以支持 GaN（氮化鎵）
未來的驅(qū)動器的改進
審核編輯：黃飛
?
隔離式柵極驅(qū)動器的演變（IGBT/SiC/GaN）
- MOSFET(209665)
- IGBT(242707)
- SiC(61351)
- GaN(67132)
- 柵極驅(qū)動器(38561)
相關(guān)推薦
高功率器件驅(qū)動風向：隔離柵極驅(qū)動
所有功率級別的IGBT都需要柵極驅(qū)動器。給功率管增加驅(qū)動的方式分為非隔離驅(qū)動和隔離驅(qū)動。一般來說，在驅(qū)動的大小上隔離驅(qū)動會比非隔離驅(qū)動大得多。 ? 因為非隔離驅(qū)動模塊整體都在同一硅片上，耐壓極限會很有限，大多數(shù)非隔離驅(qū)動器的工作電壓都不
2021-11-03 09:33:56
3665
3665隔離式柵極驅(qū)動器的峰值電流
隔離式柵極驅(qū)動器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動強度，以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動，并且能夠在使用合適的器件時提供安全柵。示例應用程序如圖 1 所示。VDD1
2022-12-19 11:46:181809
1809
德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學柵極驅(qū)動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610
1610德州儀器推柵極驅(qū)動器旨在滿足IGBT與SiC FET需求
德州儀器 （TI） 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 與碳化硅 （SiC） FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅(qū)動器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531
2013-03-04 10:59:311173
1173最實用的柵極驅(qū)動芯片選型指南
英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器解決方案，用于驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動器以及非隔離低邊驅(qū)動器，從而滿足各種功率半導體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓撲的設(shè)計要求。
2019-01-29 09:58:3227184
27184
IGBT和SiC柵極驅(qū)動器基礎(chǔ)知識（一）
大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動應用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學者，總體內(nèi)容如下。
2022-11-25 09:20:301195
1195新品|國內(nèi)首款兼容光耦帶DESAT保護功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動器SLMi33x
數(shù)明半導體近日正式發(fā)布國內(nèi)首款單通道帶DESAT保護功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動器SLMi33x。
2021-07-19 14:40:583395
3395
8輸出增強隔離型IGBT門驅(qū)動反激電源參考設(shè)計包括BOM及層圖
描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的加強版隔離式正負電壓軌。此參考設(shè)計采用反激式隔離型控制拓撲，提供符合 IEC61800-5 標準
2018-09-25 10:21:35
GaN和SiC區(qū)別
柵極電荷，它可以使用高開關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個后進者，它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
SiC GaN有什么功能？
和牽引電機逆變器）。為了充分利用新型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，必須在轉(zhuǎn)換器設(shè)計中實施完整的IC生態(tài)系統(tǒng)，從最近的芯片到功率開關(guān)和柵極驅(qū)動器。
2019-07-31 06:16:52
SiC/GaN功率開關(guān)有什么優(yōu)勢
的隔離柵是一個重大挑戰(zhàn)。ADuM4135 隔離式柵極驅(qū)動器采用 ADI 公司經(jīng)過驗證的 iCoupler?技術(shù)，可以給高電壓和高開關(guān)速度應用帶來諸多重要優(yōu)勢。 ADuM4135 是驅(qū)動 SiC/GaN
2018-10-30 11:48:08
SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器已在各種創(chuàng)新市場和應用領(lǐng)域攻城略地
(51, 51, 51) !important]隔離式柵極驅(qū)動器的要求已經(jīng)開始變化，不同于以前的。對于SiC和GaN，寬柵極電壓擺幅、快速上升/下降時間和超低傳播延遲。ADuM4135隔離式柵極驅(qū)動器
2019-07-16 23:57:01
SiC功率模塊的柵極驅(qū)動其1
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項：柵極誤導通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能怎么樣？
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
柵極驅(qū)動器是什么
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
柵極驅(qū)動器是什么，為何需要柵極驅(qū)動器？
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
柵極驅(qū)動器規(guī)格參數(shù)非完整列表
在電源電子（例如驅(qū)動技術(shù)）中，IGBT（隔離式柵極驅(qū)動器 - Insulated Gate Bipolar Transistor）經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗
2021-11-11 07:00:00
隔離式柵極驅(qū)動器揭秘
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
隔離式柵極驅(qū)動器電路設(shè)計
討論柵極驅(qū)動器是什么，為何需要柵極驅(qū)動器？考慮一個具有微控制器的數(shù)字邏輯系統(tǒng)，其I/O引腳之一上可以輸出一個0 V至5 V的PWM信號。這種PWM將不足以使電源系統(tǒng)中使用的功率器件完全導通，因為其過驅(qū)電壓一般超過標準CMOS/TTL邏輯電壓。如此，請大神分析下面兩種方式：
2018-08-29 15:33:40
隔離式柵極驅(qū)動器的揭秘
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
隔離式柵極驅(qū)動器規(guī)格介紹
您好，歡迎觀看第三個討論隔離式柵極驅(qū)動器的 TI 高精度實驗室講座。 我們將探討可以作為隔離式柵極驅(qū)動器技術(shù)的基準核心參數(shù)。 我們將會檢查這些參數(shù)的數(shù)據(jù)表定義， 討論在隔離式和非隔離式驅(qū)動器中決定
2022-11-10 07:54:32
隔離式太陽能柵極驅(qū)動參考設(shè)計包括BOM及層圖
描述TIDA-00638 參考設(shè)計包含具有增強型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器以及專用柵極驅(qū)動器電源的單個模塊。此緊湊型參考設(shè)計可控制太陽能逆變器中的 IGBT。此設(shè)計使用具有內(nèi)置 IGBT
2018-10-19 15:30:07
隔離型 4 軌推挽式 IGBT 門驅(qū)動電源
`描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動器的三相逆變器中用于控制交流電機的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計使用推挽
2015-03-23 14:35:34
隔離型 4 軌推挽式 IGBT 門驅(qū)動電源
`描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動器的三相逆變器中用于控制交流電機的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計使用推挽
2015-04-27 17:31:57
驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)
，其中SiC MOSFET用于高頻開關(guān)，Si IGBT用于低頻開關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動器必須能夠驅(qū)動不同要求的開關(guān)，其中較多的是并聯(lián)且采用硅IGBT/SiC MOS混合式多電平配置?？蛻粝Ｍ环N器件就能
2018-10-22 17:01:41
CMOS隔離柵極驅(qū)動器是怎么強化供電系統(tǒng)的？
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動器解決方案選項最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
【轉(zhuǎn)帖】如何實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器?
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
一文知道隔離式柵極驅(qū)動器的特性
變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅(qū)動器，還執(zhí)行提供短路保護并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動器時，某些特性至關(guān)重要。
2020-10-29 08:23:33
一文研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能
Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動器。這些驅(qū)動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動器芯片
2021-01-22 06:45:02
三相逆變器的隔離式IGBT柵極驅(qū)動器評估系統(tǒng)設(shè)計
描述TIDA-00195 參考設(shè)計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器 ISO5852S（適用于各種應用中的電機控制）。此設(shè)計可對三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
三相逆變器的寬輸入隔離型 IGBT 柵極驅(qū)動 Fly-Buck 電源
`描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設(shè)計采用 Fly-Buck? 控制拓撲，從單一變壓器生成用于三相逆變器
2015-04-27 16:55:43
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計指南
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計指南
2022-11-02 12:07:56
單IGBT驅(qū)動器偏置的雙路隔離輸出Fly-Buck電源模塊
描述PMP10654 參考設(shè)計是適用于單個 IGBT 驅(qū)動器偏置的雙路隔離式輸出 Fly-Buck 電源模塊。兩個電壓軌適合向電動汽車/混合動力汽車和工業(yè)應用的電機驅(qū)動器中的 IGBT 柵極驅(qū)動器
2018-12-21 15:06:17
可避免柵極電流回路機制的并聯(lián)IGBT驅(qū)動器
驅(qū)動半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動器級（驅(qū)動強度不足）以及系統(tǒng)級均會帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導通和關(guān)斷。此參考設(shè)計使用增強型隔離式
2018-12-07 14:05:13
四路輸出隔離式IGBT柵極驅(qū)動Fly-Buck電源包括BOM及層圖
描述TIDA-00174 參考設(shè)計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負偏置電壓
2018-09-05 08:54:59
如何使用電流源極驅(qū)動器BM60059FV-C驅(qū)動SiC MOSFET和IGBT？
過。另據(jù)報道，與基于IGBT的電機驅(qū)動器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動器可以帶來更高的效率［3］。在驅(qū)動應用中使用 SiC-MOSFET 的優(yōu)勢可以通過 CSD
2023-02-21 16:36:47
實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器
闡述這些設(shè)計理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計基礎(chǔ)
驅(qū)動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動器的功能是驅(qū)動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導通損耗，同時通過快速開關(guān)時間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計途徑
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力?！ 〔捎霉怦詈?b class="flag-6" style="color: red">器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
應用全SiC模塊應用要點：專用柵極驅(qū)動器和緩沖模塊的效果
作為應用全SiC模塊的應用要點，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動器對開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動模式與基本結(jié)構(gòu)這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
推挽式隔離型控制拓撲IGBT門驅(qū)動電源設(shè)計包括BOM及框圖
描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動器的三相逆變器中用于控制交流電機的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計使用推挽式
2018-09-20 08:49:06
支持ADuM3123ARZ隔離式精密柵極驅(qū)動器
EVAL-ADUM3123EBZ，評估板支持ADuM3123ARZ隔離式精密柵極驅(qū)動器。由于評估板分別具有TO-263或TO-252封裝的隔離柵雙極晶體管（IGBT）和MOSFET的占位面積，因此
2019-05-23 07:15:06
新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動器不斷變化的格局
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動器不斷變化的格局
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動器的趨勢和格局
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
汽車類雙通道SiC MOSFET柵極驅(qū)動器包括BOM及層圖
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
用于三相逆變器的IGBT柵極驅(qū)動隔離型電源包括BOM及層圖
描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設(shè)計采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型
2018-09-06 09:07:35
用于三相逆變器的寬輸入隔離型 IGBT 柵極驅(qū)動 Fly-Buck 電源
`描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設(shè)計采用 Fly-Buck? 控制拓撲，從單一變壓器生成用于三相逆變器
2015-03-23 14:53:06
適合于IGBT柵極驅(qū)動器偏置的四路輸出隔離式Fly-Buck電源參考設(shè)計
描述TIDA-00174參考設(shè)計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負偏置電壓用于
2022-09-26 07:54:11
適用于UPS和逆變器的碳化硅FET和IGBT柵極驅(qū)動器參考設(shè)計
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設(shè)計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
采用MP188XX 隔離式柵極驅(qū)動器系列構(gòu)建電源系統(tǒng)
概述電源對5G 通信、數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、車載電源、充電樁以及LED 控制系統(tǒng)至關(guān)重要。 與此同時，所有這些電源系統(tǒng)都需要一個隔離式柵極驅(qū)動器來高效、可靠地驅(qū)動開關(guān)管，以進行電源轉(zhuǎn)換。隔離式柵極
2022-09-30 14:05:41
集成反激式控制器的智能柵極驅(qū)動光電耦合器
會影響房地產(chǎn)的大小和高度。由于到達所有六個柵極驅(qū)動器所需的較長跡線，集中式電源還存在諸如電磁干擾（EMI）和IGBT通道之間的噪聲耦合等固有問題。 分布式電源ACPL-302J器件的開發(fā)旨在改善隔離
2018-08-18 12:05:14
面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔離式單通道柵極驅(qū)動
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
開源硬件-TIDA-01160-適用于 UPS 和逆變器的緊湊型、單通道、隔離式 SiC 和 IGBT 柵極驅(qū)動器 PCB layout 設(shè)計
此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設(shè)計基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS
2017-12-25 11:13:00
0
0用于三相逆變器系統(tǒng)的隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器評估平臺參考設(shè)計
本參考設(shè)計采用一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 (IGBT) 柵極驅(qū)動器 ISO5852S，適用于交流驅(qū)動器等各類 三相逆變器。
2018-05-08 17:03:2524
24各種應用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET
對于更緊湊的純SiC/GaN應用，新型隔離式柵極驅(qū)動器ADuM4121是解決方案。該驅(qū)動器同樣基于ADI公司的iCoupler數(shù)字隔離技術(shù)，其傳播延遲在同類器件中最低 (38 ns)，支持最高開關(guān)
2018-05-24 17:24:387790
7790
現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943
4943
IGBT柵極驅(qū)動器的隔離式反激轉(zhuǎn)換器的設(shè)計
工業(yè)快速以太網(wǎng) 隔離式IGBT柵極驅(qū)動器需要隔離式電源，以實現(xiàn)安全隔離和電平轉(zhuǎn)換。不幸的是，基于標準電源控制IC的隔離式電源設(shè)計并非易事。要使用離散的組件定制解決方案，就需要專門知識和大量的驗證工作
2021-05-26 18:05:172342
2342
現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制
，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、...
2021-01-20 15:00:2413
13隔離式柵極驅(qū)動器揭秘
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820
20ADuM4135：提供米勒箝位的單電源 / 雙電源 高電壓隔離 IGBT 柵極驅(qū)動器
ADuM4135：提供米勒箝位的單電源 / 雙電源 高電壓隔離 IGBT 柵極驅(qū)動器
2021-03-21 13:47:029
9UG-1932：評估采用密勒鉗位的ADuM4146單/雙電源高壓隔離SiC柵極驅(qū)動器
UG-1932：評估采用密勒鉗位的ADuM4146單/雙電源高壓隔離SiC柵極驅(qū)動器
2021-03-22 17:22:388
8ADuM4146：單/雙電源高壓隔離SiC柵極驅(qū)動器，帶密勒鉗位數(shù)據(jù)表
ADuM4146：單/雙電源高壓隔離SiC柵極驅(qū)動器，帶密勒鉗位數(shù)據(jù)表
2021-03-22 17:24:196
6ACPL-P349/W349評估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動器配置分析
本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評估板處于良好狀態(tài)。
2021-06-23 10:45:213357
3357
探究羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器以及超級結(jié)MOSFET PrestoMOS
ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC，還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器，再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409
2409意法半導體雙通道柵極驅(qū)動器優(yōu)化并簡化SiC和IGBT開關(guān)電路
意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。
2022-02-15 14:23:261103
1103
意法半導體推出新雙通道電流隔離柵極驅(qū)動器
意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。
2022-02-17 10:06:141783
1783納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動器介紹
納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布，均適用于驅(qū)動SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車規(guī)（滿足AEC-Q100標準）和工規(guī)兩種等級，廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應用場景。
2022-07-20 13:20:202261
2261
SiC功率器件的柵極驅(qū)動器電路優(yōu)化?
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動器。隔離式柵極驅(qū)動器通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:001509
1509
隔離式柵極驅(qū)動器輸入級對電機驅(qū)動應用的影響
本文介紹了在電機驅(qū)動應用中為功率級選擇隔離式柵極驅(qū)動器時，您有多種選擇。柵極驅(qū)動器可簡單可復雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發(fā)射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:211105
1105
川土微電子發(fā)布CA-IS3211單通道隔離式柵極驅(qū)動器
CA-IS3211是一款光耦兼容的單通道隔離式柵極驅(qū)動器，可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT和SiC器件。隔離等級達到5.7kVRMS，芯片可提供5A拉、6A灌輸出峰值電流能力。
2022-12-05 10:00:45697
697隔離式柵極驅(qū)動器：什么、為什么以及如何
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機驅(qū)動器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121151
1151
保姆級攻略 | 使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計指南（一）
(onsemi) 的隔離柵極驅(qū)動器針對SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等技術(shù)所需的最高開關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計，為 MOSFET 提供可靠控制。電力電子行業(yè)的許多設(shè)計人員對于在諸多類型的電力電子應用中使用Si MOSFET、SiC和GaN MOSFET 具有豐富的經(jīng)驗，
2023-02-05 05:55:01763
763
MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路之高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動
高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動可按照所驅(qū)動的器件類型或涉及的驅(qū)動電路類型來分類。相應地，無論是
2023-02-23 15:35:241
1納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動器NSi68515
納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動器NSi68515，專為驅(qū)動高達2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET，IGBT而設(shè)計
2023-02-23 16:22:231001
1001用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器使用指南
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02378
378
Allegro在慕展期間推出GaN隔離柵極驅(qū)動器，實現(xiàn)領(lǐng)先的功率轉(zhuǎn)換密度
、更高效的系統(tǒng)設(shè)計。 開 發(fā) 背 景 全球清潔能源市場要求汽車和工業(yè)領(lǐng)域的功率系統(tǒng)設(shè)計師更高效地產(chǎn)生、儲存和使用能源，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）能夠在系統(tǒng)級提供明顯的效率優(yōu)勢，但往往也伴隨著一些巨大的集成挑戰(zhàn)。 傳統(tǒng)柵極驅(qū)動器的實現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動器和
2023-07-13 16:05:02416
416
6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板（配SiC MOSFET）
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個柵極驅(qū)動IC1ED3142MU12F來驅(qū)動IGBT
2023-07-31 17:55:56431
431
柵極驅(qū)動DC/DC系列產(chǎn)品擴展
非對稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動 - 現(xiàn)在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動器供電變得空前簡單。
2023-12-21 11:46:42334
334適用于SiC/IGBT器件和汽車應用的單通道隔離式柵極驅(qū)動器UCC5350-Q1數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于SiC/IGBT器件和汽車應用的單通道隔離式柵極驅(qū)動器UCC5350-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:17:510
0
工商網(wǎng)監(jiān)
評論