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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術>碳化硅IDM巨頭實現(xiàn)突破,年產能24萬片!

碳化硅IDM巨頭實現(xiàn)突破,年產能24萬片!

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碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料,由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料,除了寬禁帶的特點外,碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182

?228億涌入國內碳化硅賽道

三安光電近日宣布,將與國際功率半導體巨頭意法半導體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:0385

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業(yè)務達139億

Frontier公司的原國富工廠。收購計劃將于2023年10月完成,2024年開始運營工廠,到2030年將碳化硅產能提升至2021年的
2023-07-19 19:37:01724

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢和應用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

天科合達徐州經(jīng)開區(qū)碳化硅晶片二期擴產項目開工

項目投資8.3億元,購置安裝單晶生長爐及配套設備合計647臺(套),可實現(xiàn)年產碳化硅襯底16萬片,并計劃明年6月份建設完成,同年8月份竣工投產,屆時江蘇天科合達總產能將達到23萬片,年產值10億元以上。 資料顯示,北京天科合達是國
2023-08-10 16:45:49797

碳化硅的性能和應用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042

三安光電8英寸碳化硅量產加速!

業(yè)內人士預測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面,碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展,多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969

環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產能建設

環(huán)球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預期,她強調環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產能建設,預估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進行認證,并于2025年量產。
2023-10-27 15:07:43394

汽車缺“芯”,這是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵

目前汽車業(yè)仍結構性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設期需18-24個月,去年有許多碳化硅項目的投資,要2025年才會釋放產能,預計2025年碳化硅功率半導體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664

2024年中國碳化硅晶圓全球占比將達到50%

天岳先進、天科合達、三安光電等公司紛紛增加碳化硅晶圓/襯底的產能。目前,這些中國企業(yè)的總產能約為每月6萬片。隨著各公司產能的逐步釋放,預計到2024年,每月產能將達到12萬片,年產能將達到150萬片。
2023-11-20 10:59:33872

2024年中國碳化硅晶圓產能,或超全球總產能的50%

天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產能,目前這些中國企業(yè)每月的總產能約為6萬片。隨著各公司產能釋放,預計2024年月產能將達到12萬片,年產能150萬。
2023-11-24 15:59:231078

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點和應用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

三種碳化硅外延生長爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn),高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎,外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現(xiàn)
2023-12-15 09:45:53607

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅逆變器是什么 功能介紹

等。這些特性使得碳化硅逆變器在電力電子領域具有廣泛的應用前景,特別是在新能源、電動汽車、軌道交通等領域。碳化硅逆變器的工作原理是利用碳化硅半導體材料的高載流子遷移率和低導通電阻特性,實現(xiàn)對電能的高效轉換。具體
2024-01-10 13:55:54272

國內主要碳化硅襯底廠商產能現(xiàn)狀

國內主要的碳化硅襯底供應商包括天岳先進、天科合達、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線,覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設備及外延片等產品。
2024-01-12 11:37:03864

普興電子擬建六寸低密缺陷碳化硅外延片產線

預計該項目投資總額3.5億元人民幣,將引進碳化硅外延設備及輔助設備共計116套。其中包括一條具備24萬片年產量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產線。
2024-02-29 16:24:01218

2023年國內主要碳化硅襯底供應商產能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在過去的2023年里,國內碳化硅產業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進展神速,同時三安和天岳先進、天科合達等獲得海外芯片巨頭的認可,簽下
2024-01-08 08:25:342171

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