根據(jù)2019年Yole發(fā)布的SiC市場(chǎng)報(bào)告，2018年SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.2億美元，該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)SiC市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率為29%，也就是說(shuō)到2024年，SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)19.3億美元。
2020-04-03 18:26:13
14945 賽事、場(chǎng)館參觀(guān)活動(dòng)，也開(kāi)始應(yīng)用RFID作為門(mén)票防偽、安保、資產(chǎn)管理與溯源的保證。 2015年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)373億元 雖然中國(guó)RFID行業(yè)在過(guò)去的幾年間經(jīng)歷過(guò)了一段高速的成長(zhǎng)期，但在2008年全球
2014-04-16 09:27:36
2016上海世界移動(dòng)大會(huì)期間，中國(guó)移動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)公司副總經(jīng)理喬輝向第一財(cái)經(jīng)等媒體表示，預(yù)計(jì)到2020年，中國(guó)移動(dòng)將實(shí)現(xiàn)1000億元收入規(guī)模，實(shí)現(xiàn)50億互聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)。 據(jù)中國(guó)移動(dòng)預(yù)測(cè)，到2020年
2016-06-30 14:54:26
據(jù)有關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2014-2017年，我國(guó)MEMS壓力傳感器市場(chǎng)規(guī)模呈穩(wěn)步上升的趨勢(shì)，其年復(fù)合增長(zhǎng)率為11.46%。2017年我國(guó)MEMS壓力傳感器市場(chǎng)規(guī)模為32.4億元，同比去年增長(zhǎng)12.5
2018-12-17 11:30:50
銷(xiāo)售量為6.63億臺(tái)，預(yù)計(jì)到2023年這一數(shù)字將增加到19.4億臺(tái)。
報(bào)告稱(chēng)：“2018年，智能家居相關(guān)硬件，服務(wù)以及安裝等費(fèi)用總支出將達(dá)到近960億美元，預(yù)計(jì)到2023年，達(dá)1550億美元，年
2018-06-12 09:25:21
;Associates（全球連接器市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)）預(yù)測(cè)，2025年，全球汽車(chē)連接器市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)194.52億美元，其中，中國(guó)的汽車(chē)連接器市場(chǎng)就獨(dú)占其中的23%，規(guī)模約為44.68億美元。中國(guó)汽車(chē)
2023-05-22 15:31:10
2018年全球光通信器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)108.4億美元，同比2017年增長(zhǎng)9.0%，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到141.47億美元，全球光通信市場(chǎng)正處于高速發(fā)展期。移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算和三網(wǎng)融合等新型
2020-03-24 15:44:18
SIC73-560 - Low Profile (2.5mm max, height) SMD type - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車(chē)輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
員已經(jīng)在Si IGBT上使用SiC MOSFET觀(guān)察到系統(tǒng)級(jí)價(jià)格的顯著優(yōu)勢(shì)，并且我們預(yù)計(jì)隨著150 mm晶圓的規(guī)模經(jīng)濟(jì)，SiC MOSFET的價(jià)格將繼續(xù)下降。 圖7：在Digi-Key上看到的市售
2023-02-27 13:48:12
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-03-14 06:20:14
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-04-22 06:20:22
從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開(kāi)始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
vs IF）、以及正向電壓與抗浪涌電流特性（VF vs IFSM）比較圖。第2代SiC-SBD通過(guò)改善制造工藝，保持了與以往產(chǎn)品同等的漏電流和trr性能，同時(shí)將VF降低了約0.15V。因而改善了VF帶來(lái)
2018-11-30 11:51:17
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開(kāi)始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”）的結(jié)構(gòu)開(kāi)始
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
從本文開(kāi)始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來(lái)要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
實(shí)現(xiàn)“充電5分鐘，續(xù)航超200公里?！睒O氪智能旗下威睿電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)有限公司正式發(fā)布了600kW超充技術(shù)，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，據(jù)稱(chēng)可實(shí)現(xiàn)充電5分鐘續(xù)航里程增加300公里。哪吒汽車(chē)發(fā)布浩智800V SiC高性能
2022-12-27 15:05:47
輸出電流:50mA輸出功率耗散：150mW操作溫度：-55~100℃儲(chǔ)存溫度：-55~125℃焊接溫度：260℃想了解更多億光光耦，可登陸超毅電子官網(wǎng)查看：www .chaoyi1688 .com`
2015-04-20 14:59:41
的份額。數(shù)據(jù)顯示，如果AMD和賽靈思達(dá)成協(xié)議，今年迄今規(guī)模最大的交易中，將有三筆來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)。另外兩筆分別是ADI斥資200多億美元收購(gòu)Maxim，9月份英偉達(dá)斥資400億美元收購(gòu)軟銀集團(tuán)旗下的英國(guó)芯片
2020-10-10 15:41:19
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導(dǎo)體材料，GaO的導(dǎo)熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過(guò)SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要?jiǎng)恿χ?b class="flag-6" style="color: red">將需要更多的研發(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，調(diào)查機(jī)構(gòu)In-Stat預(yù)測(cè)稱(chēng)，移動(dòng)計(jì)算設(shè)備，包括平板電腦、上網(wǎng)本和筆記本電腦的出貨量將保持19.1%的年復(fù)合增長(zhǎng)率，到2014年總出貨量將超過(guò)4億部。 “盡管面臨著來(lái)自低端互聯(lián)網(wǎng)
2011-03-03 16:33:50
出貨量成長(zhǎng)將趨緩。 IC Insights指出，MCU市場(chǎng)銷(xiāo)售額在2015年幾乎沒(méi)有成長(zhǎng)，幅度不到0.5%，但金額規(guī)模卻達(dá)到了略高于159億美元的新高紀(jì)錄，主要是因?yàn)镸CU出貨量成長(zhǎng)了15%，在去年
2017-05-24 09:20:40
5.405億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)超過(guò)18%。此外，IHS Markit的研究表明，預(yù)計(jì)SiC MOSFET器件到2025年將產(chǎn)生超過(guò)3億美元營(yíng)收，幾乎達(dá)到肖特基二極管的水平，成為第二大暢銷(xiāo)SiC分立
2018-10-23 16:22:24
技術(shù)領(lǐng)域都擁有強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)，雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后，通過(guò)將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與Apex Microtechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合，雙方將能夠提供滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案，從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻(xiàn)。
2023-03-29 15:06:13
SuperData數(shù)據(jù)顯示，在2016年VR軟件4.07億美元銷(xiāo)售額中，72%來(lái)自游戲。到2020年，這個(gè)百分比將降至41%，屆時(shí)企業(yè)、媒體以及其他VR軟件將會(huì)崛起。再加上硬件收入，預(yù)計(jì)2020年VR
2016-12-15 14:32:33
國(guó)際市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)ReportsnReports日前發(fā)布智能電網(wǎng)研究報(bào)告稱(chēng)，2017年，全球智能電網(wǎng)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到208.3億美元。隨著***政策扶持，立法授權(quán)，以及對(duì)智能電表部署的激勵(lì)將進(jìn)一步
2018-01-24 14:32:00
半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概覽WSTS 預(yù)測(cè)，2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將同比減少4.1％，降至 5,566億美元，但這一波下行周期有望在2023年下半年出現(xiàn)拐點(diǎn)，受益于國(guó)際行情，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)占全球半導(dǎo)體
2023-03-17 11:08:33
%，精品網(wǎng)絡(luò)初步建成。據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至2011年底，TD-SCDMA規(guī)模產(chǎn)業(yè)化已帶動(dòng)近萬(wàn)億規(guī)模投入，直接和間接拉動(dòng)GDP計(jì)5000億元人民幣，創(chuàng)造就業(yè)崗位43萬(wàn)多個(gè)。預(yù)計(jì)2013年，TD-SCDMA將步入完全依靠
2013-03-16 14:19:56
半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概覽WSTS 預(yù)測(cè)，2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將同比減少4.1％，降至 5,566億美元，但這一波下行周期有望在2023年下半年出現(xiàn)拐點(diǎn)，受益于國(guó)際行情，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)占全球半導(dǎo)體
2023-03-17 11:13:35
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況。據(jù)悉，今年南京智能電網(wǎng)產(chǎn)值突破500億元，2015年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)1000億元，躋身于國(guó)內(nèi)第一方陣。 位于江寧的中電光伏是一家生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的企業(yè)，電池片產(chǎn)能躋身于國(guó)內(nèi)同類(lèi)企業(yè)前列
2012-06-05 15:52:28
我在 SPC560 MCU 中使用了 PWM，此外 ws2811 可尋址 LED 還需要 DMA。如何將 PWM 與 DMA 結(jié)合使用。
2023-01-04 08:02:13
到千億規(guī)模。可能有些朋友不太了解大規(guī)模特征是怎么來(lái)的，舉個(gè)簡(jiǎn)單的例子，假設(shè)你有百萬(wàn)的商品，然后你有幾百個(gè)用戶(hù)側(cè)的profile，二者做個(gè)交叉特征，很容易規(guī)模就過(guò)10億。特征規(guī)模大了之后，需要PS才能訓(xùn)練
2018-11-19 09:35:28
，預(yù)計(jì)2021-Q1逐步上量，二期150億只/月產(chǎn)能將在2021年底建成，屆時(shí)公司產(chǎn)能規(guī)模將達(dá)到250億只/月。核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)實(shí)力配合，整合配套能力強(qiáng) 作為以自主研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、銷(xiāo)售及技術(shù)服務(wù)為主
2021-12-31 11:56:10
12月14日工信部通信發(fā)展司司長(zhǎng)張峰在2012廣東互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)上表示，截至今年三季度，我國(guó)網(wǎng)民規(guī)模達(dá)到5.50億人，互聯(lián)網(wǎng)普及率達(dá)41.1%。電子商務(wù)交易額突破5萬(wàn)億元，同比增長(zhǎng)13.7
2012-12-24 15:37:44
導(dǎo)讀：根據(jù)IDC本周三發(fā)布的最新一期報(bào)告，受智能手表和智能服飾的推動(dòng)，2021年全球可穿戴市場(chǎng)規(guī)模將翻番，智能手表出貨量將達(dá)到1.61億塊。
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IDC在報(bào)告中稱(chēng)，隨著
2017-06-27 09:32:12
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
` 本帖最后由 zhihuizhou 于 2011-10-28 14:38 編輯
在“2011NFC技術(shù)與移動(dòng)支付論壇”上，支付寶無(wú)線(xiàn)事業(yè)部總經(jīng)理諸寅嘉表示，目前支付寶交易賬戶(hù)已超6億，去年
2011-10-27 20:09:22
看到的高科技工具，離普通老百姓的生活越來(lái)越近。據(jù)專(zhuān)家預(yù)測(cè)，到2018年，全球無(wú)人機(jī)市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)攀升到10億美元以上。 而在無(wú)人機(jī)和機(jī)器人的控制中，傳感器起了至關(guān)重要的作用。近年來(lái)，全球傳感器市場(chǎng)一直
2016-06-03 10:30:10
` 本帖最后由 boeone 于 2016-12-8 15:54 編輯
未來(lái)5年無(wú)線(xiàn)充電設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)135億，你看好嗎？ 無(wú)線(xiàn)充電是近幾年的熱點(diǎn)技術(shù)，但卻一直因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的“三足鼎立”而放緩
2016-12-08 15:42:33
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-05-07 06:21:51
深?lèi)?ài)全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
可謂是魚(yú)龍混雜。所以，廣州超毅電子在此提示led燈具廠(chǎng)商在選購(gòu)led燈珠光源時(shí)要注意對(duì)其公司的詳情做一個(gè)了解，而避免上當(dāng)受騙。億光2835貼片LED品牌：億光電子（Everlight）產(chǎn)品尺寸
2015-12-24 14:04:17
以上。預(yù)計(jì)到2025年，全球物聯(lián)網(wǎng)總連接數(shù)規(guī)模將達(dá)到246億。通常情況下，每增加一個(gè)物聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)，將增加1-2個(gè)無(wú)線(xiàn)模組?！ ∥锫?lián)網(wǎng)連接數(shù)量的增加帶動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)對(duì)無(wú)線(xiàn)模組的需求。據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2019年
2021-02-02 17:08:03
和更廣泛的封裝選擇將出現(xiàn)，以適應(yīng)更高電壓和功率等級(jí)的應(yīng)用范圍?！ ±?，最新的共源共柵超快速（常關(guān)型SiC-FET）與IGBT或Si-MOSFET一樣易于驅(qū)動(dòng)和使用，但在速度及較低靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗方面
2023-02-27 14:28:47
方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約30％，實(shí)現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。另外，通過(guò)獨(dú)創(chuàng)的安裝技術(shù)，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體
2019-03-18 23:16:12
個(gè)月的研發(fā)合作。本文將討論本專(zhuān)案中與車(chē)用電子的相關(guān)內(nèi)容，并聚焦在有關(guān)SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新。WInSiC4AP聯(lián)盟由來(lái)自4個(gè)歐盟國(guó)家（意大利、法國(guó)、德國(guó)和捷克共和國(guó)）的20個(gè)合作伙伴組成，包括大型企業(yè)
2019-06-27 04:20:26
CECT S560驅(qū)動(dòng)下載.rar
2010-01-21 16:50:38
3 RTU560遠(yuǎn)方終端單元數(shù)據(jù)手冊(cè)總線(xiàn)接口模塊560BCU01
2010-08-17 16:34:5621 RTU560數(shù)據(jù)手冊(cè)通信單元模塊560CMU02
2010-08-18 18:47:089 RTU560數(shù)據(jù)手冊(cè)通信單元模塊560CMU04
2010-08-18 18:48:108 RTU560遠(yuǎn)方終端單元數(shù)據(jù)手冊(cè)電源模塊560PSU40
2010-08-18 19:10:3923 SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類(lèi)型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C
2010-03-04 13:25:266541 MDE-14D560K
2017-03-04 17:52:581 寶駿560由于個(gè)性的外觀(guān)、不俗的空間以及較高的性?xún)r(jià)比成為了不少年輕人的購(gòu)車(chē)首選。在一部分人的印象里，寶駿560就是裹著漂亮外衣的面包車(chē)。而在今年年初，寶駿560在16款的基礎(chǔ)上推出了改款律動(dòng)版，著重升級(jí)了獨(dú)立后懸掛，這也是寶駿有史以來(lái)第一次獨(dú)立后懸的嘗試。這次我們特意將它升起，看看它的底盤(pán)表現(xiàn)如何。
2018-07-18 14:49:004517 近日，英飛凌與GT Advanced Technologies（GTAT）已經(jīng)簽署碳化硅（SiC）晶棒供貨協(xié)議，合同預(yù)期五年。英飛凌此舉無(wú)疑是看到了SiC廣闊的市場(chǎng)規(guī)模，據(jù)Yole預(yù)測(cè)，SiC
2020-12-29 16:12:162786 HMC560A Gerber Files
2021-01-28 14:58:280 DC560A-設(shè)計(jì)文件
2021-04-11 13:05:170 HMC560數(shù)據(jù)表
2021-04-25 19:20:110 能將達(dá)50萬(wàn)輛，上海廠(chǎng)計(jì)劃年底產(chǎn)能50萬(wàn)輛，使其總產(chǎn)能規(guī)模近100萬(wàn)輛，相當(dāng)于Tesla一年平均約要50萬(wàn)片6英寸SiC。而目前全球SiC硅晶圓總年產(chǎn)能約在40—60萬(wàn)片，如此就消耗掉全球當(dāng)下SiC
2021-04-29 10:13:141205 ABB RTU560通信單元模塊560CMU02資料。
2021-05-18 09:58:373 DC560A-模式
2021-05-22 21:07:257 DC560A-演示手冊(cè)
2021-05-23 17:49:060 ABB-RTU560實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊560RTC01資料免費(fèi)下載。
2021-05-24 10:16:417 HMC560 S參數(shù)
2021-06-04 19:02:300 DC560A-設(shè)計(jì)文件
2021-06-11 19:26:001 貼片工字電感SP73-560K ，電感值560μH
2022-05-28 09:49:120
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