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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>逆勢(shì)而上,第三代半導(dǎo)體碳化硅在2023年大放異彩

逆勢(shì)而上,第三代半導(dǎo)體碳化硅在2023年大放異彩

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第三代半導(dǎo)體測(cè)試的突破 —— Micsig光隔離探頭

第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場(chǎng)強(qiáng),使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-01-06 15:26:41613

深度解讀第三代半導(dǎo)體碳化硅

碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料,是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04845

揚(yáng)杰科技:積極布局第三代半導(dǎo)體,已成功開發(fā)多款碳化硅器件產(chǎn)品

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2020-10-14 10:09:207582

三星發(fā)力第三代半導(dǎo)體

,也點(diǎn)燃半導(dǎo)體業(yè)新戰(zhàn)火。 ? 第三代半導(dǎo)體主要和氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)兩種材料有關(guān),不少大廠都已先期投資數(shù)十年,近年隨著蘋果、小米及現(xiàn)代汽車等大廠陸續(xù)宣布產(chǎn)品采用新材料的計(jì)劃,讓第三代半導(dǎo)體成為各界焦點(diǎn)。 ? 目前各大廠都運(yùn)用不同
2021-05-10 16:00:572569

2023第三代半導(dǎo)體融資超62起,碳化硅器件及材料成投資焦點(diǎn)

。 ? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。某機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2022年,國內(nèi)有超26家碳化硅企業(yè)拿到融資。而根據(jù)電子發(fā)燒友的不完全統(tǒng)計(jì),今年光上半年就有32家碳化硅企業(yè)拿到融資。2023全年第三代半導(dǎo)體行業(yè)融資超
2024-01-09 09:14:331408

并購、擴(kuò)產(chǎn)、合作——盤點(diǎn)2023年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

在清潔能源、電動(dòng)汽車的發(fā)展趨勢(shì)下,近年來第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無前例的關(guān)注,市場(chǎng)以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度,擴(kuò)張規(guī)模不斷擴(kuò)大。在過去的2023年,全球第三代半導(dǎo)體
2024-02-18 00:03:002542

5G相關(guān)核心產(chǎn)業(yè)鏈有哪些?

化合物半導(dǎo)體通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體分別作為第二第三代半導(dǎo)體的代表,相比第一半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多,制造成本更為高昂,可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19

8英寸!第四半導(dǎo)體再突破,我國氧化鎵研究取得系列進(jìn)展,產(chǎn)業(yè)化再進(jìn)一步

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碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

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碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
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碳化硅與氮化鎵的發(fā)展

5G將于2020將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14

碳化硅二極管選型表

、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),可以用來制造
2019-10-24 14:21:23

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
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碳化硅深層的特性

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2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車制動(dòng)器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

,熱導(dǎo)率是硅材料的3倍,電子飽和漂移速率是硅的2倍,臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是硅的10倍。材料特性對(duì)比如圖(1)所示?! D(1) 4H型碳化硅與硅基材料特性對(duì)比  硅基半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)進(jìn)入瓶頸期時(shí),碳化硅材料
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碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

基于基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管1D20065K(650V/20A),電流特性(5A、10A、15A):  硅快速恢復(fù)二極管(環(huán)境溫度25℃)  碳化硅肖特基二極管(環(huán)境溫度25℃)  硅快恢復(fù)二極管
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國,半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展:歐美出于對(duì)我國技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國新材料技術(shù)的發(fā)展想法,第三代半導(dǎo)體材料方面,對(duì)我國進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下,我國科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。  光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件C波段以上受頻率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
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第三代半導(dǎo)體科普,國產(chǎn)任重道遠(yuǎn)

出來之后,材料質(zhì)量逐步完善,器件性能和可靠性也逐步改善。到目前為止,碳化硅的二極管以其優(yōu)異的性能和使用過程中展現(xiàn)的可靠性,已經(jīng)廣泛應(yīng)用在很多場(chǎng)合。氮化鎵GaN和碳化硅同屬于第三代半導(dǎo)體材料。為了區(qū)別于
2017-05-15 17:09:48

第三代移動(dòng)通信技術(shù)定義

3G定義 3G是英文3rd Generation的縮寫,至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一模擬制式手機(jī)(1G)和第二GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)(2G)來說,第三代手機(jī)是指將無線通信與國際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52

第三代紅外技術(shù)(IR-III)并不是陣列式

第三代紅外攝像機(jī)技術(shù)散熱性能好、發(fā)光點(diǎn)大、亮度高等特點(diǎn)大大提高了紅外燈的使用效率,并且采用獨(dú)特的COB封裝技術(shù)能有效地將紅外燈5內(nèi)的光衰減控制10%以內(nèi),比陣列式的使用壽命延長(zhǎng)5。使用壽命
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第三代紅外(IR3)技術(shù)與激光紅外差別

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2011-02-19 09:38:46

LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)

LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED:變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來,LED 照明因具 有
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2018-06-12 10:22:42

TGF2023-2-10碳化硅晶體管銷售

TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價(jià)TGF2023-2-10理TGF2023-2-10TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-11-15 11:59:01

liklon的第三代MP3

`第一沒有留下痕跡。第二之前論壇展示過:https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生:`
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【華秋×薩科微】2023年半導(dǎo)體行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)

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2023-02-20 15:15:50

為什么我們要重視第三代半導(dǎo)體!#半導(dǎo)體 #硬聲創(chuàng)作季

半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體
Hello,World!發(fā)布于 2022-10-06 00:30:27

第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略意義重大 #芯片 #第三代半導(dǎo)體 #碳化硅 #氮化鎵 #SiC 芯球崛起#硬聲創(chuàng)作季

SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體時(shí)事熱點(diǎn)
電子師發(fā)布于 2022-10-20 09:12:31

#重慶市半導(dǎo)體科技館 #半導(dǎo)體集成電路 #科普知識(shí) #第三代半導(dǎo)體 碳化硅SiC氮化鎵GaN國#硬聲創(chuàng)作季

半導(dǎo)體科技Ga碳化硅集成電路技術(shù)第三代半導(dǎo)體
電子知識(shí)科普發(fā)布于 2022-10-27 17:22:15

#重慶市半導(dǎo)體科技館 #半導(dǎo)體集成電路 #科普知識(shí) #第三代半導(dǎo)體 SiC GaN 碳化硅 氮#硬聲創(chuàng)作季

半導(dǎo)體科技碳化硅集成電路技術(shù)第三代半導(dǎo)體
電子知識(shí)科普發(fā)布于 2022-10-27 17:22:53

第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)綠色科技:氮化鎵與碳化硅的崛起

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北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-05-16 13:26:21

2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵期 2025年核心器件國產(chǎn)化率達(dá)到95%

第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。預(yù)測(cè)2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期,第三代半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)將迎來景氣拐點(diǎn)。到2025年,第三代半導(dǎo)體器件將大規(guī)模的使用。
2017-12-19 11:56:163226

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1235825

盤點(diǎn)第三代半導(dǎo)體性能及應(yīng)用

近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過項(xiàng)目的實(shí)施,我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破。
2018-09-14 10:51:1620140

八張圖看清中國第三代半導(dǎo)體的真實(shí)實(shí)力

日前,科技部高新司在北京組織召開十二五期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過項(xiàng)目的實(shí)施,中國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光
2018-10-24 22:38:02478

5G時(shí)代,第三代半導(dǎo)體將大有可為

第三代半導(dǎo)體,又稱寬禁帶半導(dǎo)體,是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的半導(dǎo)體材料,具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739

華為布局碳化硅半導(dǎo)體以為5G鋪路

華為為5G鋪路,布局碳化硅半導(dǎo)體,打破國外第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)壟斷
2019-08-27 11:19:034989

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:574129

“新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí),全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“

碳化硅,作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì),是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 11:56:351470

長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工

7月20日,長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料,在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819

碳化硅材料的特點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。
2020-10-02 18:20:0012091

第三代半導(dǎo)體 全村的希望

什么是第三代半導(dǎo)體? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:203299

長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目廠區(qū)“心臟”封頂

據(jù)公告介紹,該項(xiàng)目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈,投資總額160億元。
2020-10-13 14:31:193388

為什么說第三代半導(dǎo)體有望成為國產(chǎn)替代希望?

呢?為什么說第三代半導(dǎo)體有望成為國產(chǎn)替代希望? 第三代半導(dǎo)體也被稱為寬帶隙半導(dǎo)體,主要是以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬帶隙半導(dǎo)體材料,其帶隙寬度大于2.2eV,是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)新基建產(chǎn)業(yè)的重要材料,同時(shí)也是
2020-10-29 18:26:404897

第三代半導(dǎo)體的發(fā)展研究

。 什么是第三代半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別? 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料,發(fā)
2020-11-04 15:12:374305

瑞能半導(dǎo)體關(guān)于第三代半導(dǎo)體的發(fā)展思量

近年來,隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的飛速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體材料也成為人們關(guān)注的重點(diǎn)。第三代半導(dǎo)體材料指的是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石(C)、氮化鋁(AlN)等新興材料。而這
2020-11-09 17:22:052755

什么是第三代半導(dǎo)體?一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別?

在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1287783

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅預(yù)計(jì)2020年全球市場(chǎng)規(guī)模將突破6億美元

碳化硅(SiC)又名碳硅石、金剛砂,是第三代半導(dǎo)體材料的代表之一,SiC主要用于電力電子器件的制造。受新能源汽車、工業(yè)電源等應(yīng)用的推動(dòng),全球電力電子碳化硅的市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng),預(yù)計(jì)2020年的市場(chǎng)規(guī)模
2020-12-30 15:52:097765

第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)?

日前,阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測(cè)了2021年科技趨勢(shì),其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同?為何這兩年會(huì)成為爆發(fā)的節(jié)點(diǎn)?第三代半導(dǎo)體之后
2021-01-07 14:19:483427

第三代半導(dǎo)體行業(yè)拐點(diǎn)已至,瀚薪獨(dú)創(chuàng)整合型碳化硅JMOSFET結(jié)構(gòu)技術(shù)

? 第三代半導(dǎo)體主要指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,它具有寬禁帶、耐高壓、耐高溫、大電流、導(dǎo)熱好、高頻率等獨(dú)特性能和優(yōu)勢(shì)。第三代半導(dǎo)體目前主要應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件、射頻電子器件
2021-02-01 09:23:113265

“碳中和”第三代半導(dǎo)體未來可期

半導(dǎo)體的觸角已延伸至數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域,整個(gè)行業(yè)漸入佳境,未來可期。 第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率 以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢(shì),相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618

國內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839

羅姆將量產(chǎn)下一代碳化硅功率半導(dǎo)體

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅較寬的禁帶寬度保證了其可擊穿更高的電場(chǎng)強(qiáng)度,適合制備耐高壓、高頻的功率器件,是電動(dòng)汽車、5G 基站、衛(wèi)星等新興領(lǐng)域的
2022-11-28 16:51:24498

第三代半導(dǎo)體碳化硅器件在應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析

SiC(碳化硅)器件作為第三代半導(dǎo)體,具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等特性,碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì)...以下針對(duì)SiC器件進(jìn)行深度分析:
2022-12-09 11:31:261087

一文了解SiC碳化硅扥性能優(yōu)勢(shì)和使用場(chǎng)景

碳化硅(SiC) 是第三代半導(dǎo)體,相較于前兩代半導(dǎo)體(一代硅,二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能,上優(yōu)于硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求。
2023-01-16 10:22:08412

第三代半導(dǎo)體測(cè)試的突破 — Micsig光隔離探頭

第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場(chǎng)強(qiáng),使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-01-31 10:28:21627

什么是碳化硅(SiC)?

碳化硅(SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420966

第三代半導(dǎo)體材料有哪些

第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看,第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164201

淺談碳化硅的應(yīng)用

碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會(huì)被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933

碳化硅(SiC)打開新能源車百億市場(chǎng)空間

碳化硅:前途光明的第三代半導(dǎo)體材料。我們認(rèn)為下游電力電子領(lǐng) 域向高電壓、高頻等趨勢(shì)邁進(jìn),碳化硅材料的特性決定了它將會(huì)逐 步取代傳統(tǒng)硅基,打開巨大的市場(chǎng)空間。由于碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈涉及多 個(gè)復(fù)雜技術(shù)環(huán)節(jié)
2023-02-21 09:29:162

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢(shì)

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090

解讀第三代半導(dǎo)體及寬禁帶半導(dǎo)體

作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體,它們通常都具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點(diǎn)
2023-02-27 15:19:2912

什么是第三代半導(dǎo)體及寬禁帶半導(dǎo)體

領(lǐng)域的性能方面表現(xiàn)不佳,但還有性價(jià) 比助其占據(jù)市場(chǎng)。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、磷化銦(InP)為代表,主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)楣怆娮?、微? 子、微波功率器件等。第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金
2023-02-27 15:20:113

千億市場(chǎng),第三代半導(dǎo)體技術(shù)從何突破?

隨著高壓、高頻及高溫領(lǐng)域應(yīng)用的逐漸提高,第三代半導(dǎo)體技術(shù)高頻化和可靠性等性能的要求已是必須。 第三代半導(dǎo)體材料通常是指氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等,其中氮化鎵、碳化硅為主要代表。在禁帶寬
2023-03-09 14:56:53497

碳化硅第三代半導(dǎo)體之星

按照電學(xué)性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AIN)、氧化鋅(ZnO)和金剛石等,其中
2023-05-18 10:57:361018

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入快速增長(zhǎng)期

  日前,2023中關(guān)村論壇“北京(國際)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上,科技部黨組成員、副部長(zhǎng)相里斌表示,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能,在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場(chǎng)。
2023-06-15 11:14:08313

第三代半導(dǎo)體測(cè)試的突破 —— Micsig光隔離探頭

第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場(chǎng)強(qiáng),使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-03-13 17:42:58495

第三代半導(dǎo)體嶄露頭角:氮化鎵和碳化硅在射頻和功率應(yīng)用中的崛起

半導(dǎo)體是當(dāng)今世界的基石,幾乎每一項(xiàng)科技創(chuàng)新都離不開半導(dǎo)體的貢獻(xiàn)。過去幾十年,硅一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主流材料。然而,隨著科技的發(fā)展和應(yīng)用需求的增加,硅材料在一些方面已經(jīng)無法滿足需求,這促使第三代半導(dǎo)體
2023-07-05 10:26:131322

碳化硅晶圓對(duì)半導(dǎo)體的作用

 如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域,碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

小而美的絕緣線材,在新能源場(chǎng)景大放異彩

在新興市場(chǎng)發(fā)展下,膜包線越來越多地應(yīng)用于新能源汽車及充電樁中,彼利奧生產(chǎn)的膜包線營收占總營收的50%,已成替代趨勢(shì)。 隨著新能源汽車的“新四化”加速演進(jìn),以性能優(yōu)異的氮化鎵、碳化硅為代表的第三代
2023-10-10 10:28:14295

第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用面臨哪些挑戰(zhàn)?如何破局?

近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694

?第三代半導(dǎo)體碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求,砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20821

第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)

芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng),自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間,芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍,器件性能與國際頂級(jí)企業(yè)齊肩,并且已穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:38248

半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越,應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314

深圳第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地啟用

總計(jì)投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點(diǎn)關(guān)注的項(xiàng)目之一,同時(shí)也是深圳全球招商大會(huì)的重點(diǎn)簽約項(xiàng)目。
2024-02-28 16:33:34336

總投資32.7億!第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用

2月27日,第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用,由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“重投天科”)建設(shè)運(yùn)營,預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片
2024-02-29 14:09:14236

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