國內(nèi)上市的碳化硅企業(yè)的表現(xiàn)情況

士兵中若無志于成為將軍之志者，難稱為優(yōu)秀之士。同理，致力于碳化硅（SiC）融資活動的公司，其目標(biāo)多半是朝著股票市場進(jìn)發(fā)。碳化硅之所以受到投資青睞，歸功于其獨特的半導(dǎo)體屬性，能夠在極端的高溫、高壓、高功率、和高頻環(huán)境中發(fā)揮出色，預(yù)示著其在多種應(yīng)用場景中的巨大潛力。

然而，碳化硅的生產(chǎn)工藝不僅復(fù)雜、技術(shù)門檻高昂，而且生產(chǎn)成本也相對較高。這就意味著，從事該材料生產(chǎn)的企業(yè)普遍需要較大的資金投入。通過籌集資金和上市，這些企業(yè)不僅能夠獲得必要的資金支持以擴張生產(chǎn)規(guī)模、提升技術(shù)水平、增強其在市場中的競爭力，還能提高自身的品牌影響力和知名度，吸引更多的人才和合作伙伴，從而為其長期發(fā)展打下堅實的基礎(chǔ)。

盡管如此，走向上市并非企業(yè)發(fā)展的終極目標(biāo)，也并非所有企業(yè)都能順利登陸股票市場。企業(yè)若想在上市之路上取得成功，必須具備強大的技術(shù)力量、穩(wěn)定的市場需求、健全的財務(wù)體系等基礎(chǔ)條件。此外，企業(yè)還需要關(guān)注自身的核心競爭力和持續(xù)發(fā)展能力，不斷提升產(chǎn)品和服務(wù)的質(zhì)量，以滿足顧客及投資者的期待。

讓我們探討一下目前尚未在國內(nèi)上市的碳化硅企業(yè)的表現(xiàn)情況。

爍科晶體

爍科晶體，隸屬于中國電科集團(tuán)，成立于2018年，已經(jīng)成為國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料——碳化硅的研發(fā)與生產(chǎn)企業(yè)。2019年4月1日，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地的第一期項目動工，到了2020年3月，該基地的首批生產(chǎn)設(shè)備投入使用。該期項目設(shè)計容量可達(dá)600臺碳化硅單晶生長爐，預(yù)計完工后的生產(chǎn)能力將達(dá)到每年10萬片4至6英寸n型碳化硅單晶晶片和5萬片4至6英寸高純半絕緣碳化硅單晶晶片，標(biāo)志著其成為國內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅材料生產(chǎn)基地。?? ?

4英寸高純半絕緣碳化硅襯底已成功進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，月產(chǎn)量達(dá)到8000片，占據(jù)了國內(nèi)市場超過50%的份額。在2022年，爍科晶體在保證高純半絕緣襯底穩(wěn)定生產(chǎn)的同時，顯著增加了6英寸n型襯底的生產(chǎn)能力，原先的月產(chǎn)能為6000片。該年，公司還實現(xiàn)了8英寸n型碳化硅拋光片的小批量生產(chǎn)，為國產(chǎn)8英寸n型碳化硅拋光片批量化生產(chǎn)邁出了重要一步。

爍科晶體的二期擴展項目于2023年9月啟動建設(shè)，10月份進(jìn)入了關(guān)鍵的主體鋼結(jié)構(gòu)施工階段，隨后在11月份主體建筑成功封頂，并滿足了設(shè)備入場的條件。到了2024年2月，該二期項目已開始投入生產(chǎn)。預(yù)計到2025年，當(dāng)項目全面投產(chǎn)之后，其年產(chǎn)碳化硅襯底的能力將達(dá)到30萬片，大幅提升了爍科晶體在碳化硅材料領(lǐng)域的生產(chǎn)規(guī)模和市場競爭力。?? ?

天科合達(dá)

天科合達(dá)自2006年成立以來，已經(jīng)成為國內(nèi)率先專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅晶片研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。該公司業(yè)務(wù)覆蓋從碳化硅單晶爐的制造到碳化硅單晶生長原料的準(zhǔn)備、碳化硅單晶襯底及碳化硅外延層的制備，其碳化硅襯底在全球市場的占有率位列第二。

到了2022年11月，天科合達(dá)推出了8英寸導(dǎo)電碳化硅襯底晶片，該產(chǎn)品在多個關(guān)鍵性能指標(biāo)上達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先水平，并已具備量產(chǎn)能力，自2023年起開始進(jìn)行小批量生產(chǎn)。?? ?

在2023年2月，天科合達(dá)完成了Pre-IPO輪的融資，并于8月開啟了碳化硅晶片的二期擴產(chǎn)計劃，預(yù)計新增16萬片的年產(chǎn)能。該擴產(chǎn)項目計劃在2024年6月完成建設(shè)，并于8月正式投產(chǎn)，屆時公司的總年產(chǎn)能預(yù)計將達(dá)到23萬片。

同年5月，天科合達(dá)與全球半導(dǎo)體巨頭英飛凌簽訂了長期供貨協(xié)議，承諾提供6英寸碳化硅晶圓和晶錠，并計劃供應(yīng)占英飛凌長期需求的兩位數(shù)比例；同時，天科合達(dá)還將提供8英寸碳化硅材料，支持英飛凌向更大尺寸晶圓的過渡。

在2023年9月，受到宏觀經(jīng)濟和股市變動的影響，上市政策突遭緊縮，導(dǎo)致天科合達(dá)的上市之路再次遭遇阻礙。盡管面臨這樣的挑戰(zhàn)，該公司在2023年下半年的業(yè)績卻呈現(xiàn)亮眼的表現(xiàn)，實現(xiàn)了營業(yè)收入的歷史性突破，首次超過10億元人民幣，相比去年實現(xiàn)了翻倍的增長。此外，天科合達(dá)已經(jīng)向國內(nèi)外超過500家客戶提供了服務(wù)，累計銷售的導(dǎo)電型碳化硅襯底材料數(shù)量超過了60萬片，展現(xiàn)了其在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的強大實力和廣泛的市場影響力。

同光半導(dǎo)體

同光半導(dǎo)體，自2012年成立以來，專注于碳化硅單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，成為國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅單晶襯底量產(chǎn)企業(yè)之一。此外，它也屬于全球為數(shù)不多的企業(yè)之一，能夠同時掌握高純半絕緣襯底和導(dǎo)電型襯底的制備技術(shù)。?? ?

經(jīng)過超過兩年的研發(fā)努力，同光半導(dǎo)體成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體樣品，并正在致力于將其加工成碳化硅單晶襯底。該公司預(yù)計將在不久的將來開始小批量生產(chǎn)，期待通過客戶反饋來驗證產(chǎn)品的芯片制作成功率。

到了2022年，同光半導(dǎo)體位于河北的碳化硅襯底年產(chǎn)能達(dá)到了大約10萬片，并計劃大規(guī)模擴產(chǎn)。公司正在規(guī)劃建設(shè)一座擁有2000臺碳化硅晶體生長爐的生長基地，以及一個年產(chǎn)60萬片碳化硅單晶襯底的加工基地。預(yù)計到2025年末，這些擴建項目將全面達(dá)到產(chǎn)能，顯著提升同光半導(dǎo)體在碳化硅半導(dǎo)體材料市場的地位和影響力。

世紀(jì)金芯

世紀(jì)金芯，自2019年成立以來，專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅功能材料的研發(fā)與生產(chǎn)。該公司代表著行業(yè)內(nèi)技術(shù)創(chuàng)新的前沿力量。?? ?

到了2022年9月，世紀(jì)金芯在合肥啟動的年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目正式投產(chǎn)。該項目的晶體良率超過92%，而綜合良率達(dá)到了65%。對于襯底外延后的下游芯片流片，SBD產(chǎn)品的綜合良率超過了95%，而MOSFET產(chǎn)品的綜合良率則達(dá)到了88%，產(chǎn)品已經(jīng)開始批量生產(chǎn)和交付。同時，8英寸單晶研發(fā)也取得了顯著進(jìn)展，已經(jīng)進(jìn)入到送樣驗證階段，且所有關(guān)鍵性能指標(biāo)均達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先水平。

到了2024年1月，世紀(jì)金芯的全資子公司宇海電子的年產(chǎn)70萬片6至8英寸碳化硅單晶襯底項目在包頭市發(fā)改委完成了備案審批。該項目計劃總投資高達(dá)35億元人民幣，占地面積達(dá)到270畝，預(yù)計年產(chǎn)能達(dá)到70萬片6至8英寸碳化硅單晶襯底。項目的總建筑面積約為12萬平方米，包括碳化硅長晶爐、切磨拋加工以及測試等相關(guān)設(shè)施?？偟慕ㄔO(shè)周期為三年，計劃從2024年4月開始至2027年4月結(jié)束。?? ?

據(jù)悉，世紀(jì)金芯的產(chǎn)品線已經(jīng)涵蓋了6英寸、8英寸碳化硅襯底以及其他第三代半導(dǎo)體材料的研究。其6英寸碳化硅襯底已經(jīng)與國內(nèi)多家領(lǐng)先的外延和晶圓廠商建立了合作關(guān)系，并成功與HT、ZDK進(jìn)行了多批次的樣品驗證。此外，該公司還在與臺灣的HY、JJ、韓國的GJ實驗室、SX進(jìn)行產(chǎn)品驗證，并與日本的FG等進(jìn)行了8英寸襯底產(chǎn)品的驗證。

中電化合物

中電化合物自2019年起步，得到華大投資支持，成立了一家專注于碳化硅晶體、襯底、外延以及氮化鎵（GaN）外延制造的企業(yè)，其中華大對中電化合物的持股比例高達(dá)48.93%。

在2022年10月，中電化合物宣布了一項總投資額達(dá)10.5億元人民幣的寬禁帶半導(dǎo)體材料項目，并打算在2021至2025年間投入8億元人民幣。項目計劃分為兩個階段進(jìn)行：首期投資2.2億元人民幣，租用一萬平方米的工廠空間；第二期則計劃征用70畝土地，旨在形成年產(chǎn)8萬片4至6英寸碳化硅襯底及外延產(chǎn)品和碳化硅基氮化鎵N外延產(chǎn)品的能力。?? ?

到了2023年6月，中電化合物與韓國的Power Master達(dá)成了一項長期供應(yīng)協(xié)議，包括提供8英寸的碳化硅材料。緊接著在7月，中電化合物成功獲得瑞能半導(dǎo)的投資，金額達(dá)5000萬元人民幣，這進(jìn)一步加強了其在半導(dǎo)體材料制造領(lǐng)域的資金和技術(shù)實力。

南砂晶圓

南砂晶圓，創(chuàng)辦于2018年，標(biāo)志著一家專注于碳化硅單晶材料研究、制造及銷售的綜合型國家級高新技術(shù)企業(yè)的誕生。該企業(yè)依托山東大學(xué)近期在碳化硅單晶生長及襯底處理技術(shù)方面的研究成果，建立了深度的產(chǎn)學(xué)研合作體系。

2022年年末，南砂晶圓成功完成了B+輪的融資活動，此輪融資由渾璞投資牽頭。更早之前，在2021年9月，該公司啟動的總部基地建設(shè)項目達(dá)到了封頂里程碑，該項目總投資達(dá)到9億元人民幣，占地約36.8畝，預(yù)計建成面積達(dá)到91,372.47平方米，旨在年產(chǎn)各類碳化硅襯底達(dá)到150,000片的規(guī)模。

通過與山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室的緊密合作，南砂晶圓在過去幾年中在理論與技術(shù)研發(fā)方面取得了顯著成果，成功研發(fā)出了高品質(zhì)的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶及其襯底材料。

超芯星

超芯星，自2019年設(shè)立以來，已成為國內(nèi)首批致力于大尺寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)之一，目前已成功實現(xiàn)6英寸碳化硅襯底的量產(chǎn)和出貨。該公司的創(chuàng)始團(tuán)隊擁有國際領(lǐng)先的HTCVD技術(shù)背景，來自于全球知名的Norstel公司，并在1、2、3、4、6英寸碳化硅襯底的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化過程中發(fā)揮了關(guān)鍵作用。?? ?

超芯星不僅在國內(nèi)市場取得了顯著成就，還是國內(nèi)為數(shù)不多能在國際競爭中占據(jù)一席之地的碳化硅襯底供應(yīng)商之一。特別值得一提的是，其6英寸碳化硅襯底產(chǎn)品已成功打入美國頂尖器件制造商，標(biāo)志著中國碳化硅襯底企業(yè)在國際市場的重要突破。為了迎合全球市場的高需求，超芯星正按計劃進(jìn)行產(chǎn)品交付并積極擴大產(chǎn)能，預(yù)計在不久的將來6至8英寸碳化硅襯底的年產(chǎn)能將達(dá)到150萬片。

到了2023年12月，超芯星已成功完成了數(shù)億元人民幣的C輪融資，進(jìn)一步加強了其在碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化方面的領(lǐng)先地位。

科友半導(dǎo)體

科友半導(dǎo)體，自2018年成立以來，已經(jīng)成長為一家集第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設(shè)計及科研成果轉(zhuǎn)化為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。該公司的研發(fā)活動涵蓋了半導(dǎo)體裝備制造、晶體生長工藝、襯底加工等多個重要領(lǐng)域。?? ?

2022年5月，科友半導(dǎo)體的產(chǎn)學(xué)研基地一期工程順利完工，該項目自2020年啟動。依托公司自主研發(fā)的技術(shù)，一條年產(chǎn)10萬片第三代半導(dǎo)體襯底材料的生產(chǎn)線預(yù)備投入生產(chǎn)。

科友半導(dǎo)體已經(jīng)成功開發(fā)了6至8英寸碳化硅晶體生長的關(guān)鍵技術(shù)和2至4英寸氮化鋁晶體生長的關(guān)鍵技術(shù)，其中6英寸碳化硅晶體的厚度已經(jīng)突破到了40mm。至2022年年底，該公司利用自主設(shè)計和制造的電阻長晶爐成功生產(chǎn)出直徑超過8英寸、表面光滑無缺陷的碳化硅單晶，其最大直徑超過了204mm，標(biāo)志著科友半導(dǎo)體在6英寸碳化硅晶體厚度突破后又一次實現(xiàn)了重大技術(shù)進(jìn)步。?? ?

目前，科友半導(dǎo)體擁有一條長晶爐生產(chǎn)線，年產(chǎn)能達(dá)200臺長晶爐，以及一套高純石墨加工設(shè)備和一套高純度碳化硅原料制備設(shè)備。此外，公司還運營著一條6至8寸碳化硅晶體生產(chǎn)線，年產(chǎn)6至8寸碳化硅襯底達(dá)10萬片。

科友半導(dǎo)體在8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)上取得了顯著成果，尤其在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速度、制備成本及裝備穩(wěn)定性等方面。到了2023年4月，公司的8英寸碳化硅中試線正式運行并開始生產(chǎn)，平均長晶良率已經(jīng)突破50%，晶體厚度達(dá)到了15mm以上，這一成就突破了國際的限制和封鎖，進(jìn)一步證明了科友半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實力和創(chuàng)新能力。

乾晶半導(dǎo)體

乾晶半導(dǎo)體，創(chuàng)立于2020年，致力于第三代半導(dǎo)體材料的研究與開發(fā)，成為一家融合半導(dǎo)體碳化硅單晶生長、晶片加工及設(shè)備開發(fā)于一體的創(chuàng)新型高新技術(shù)企業(yè)。?? ?

2023年2月，乾晶半導(dǎo)體成功完成了1億元人民幣的Pre-A輪融資。緊接著在4月，公司啟動了“6/8英寸碳化硅拋光襯底研發(fā)及中試項目”，該項目總占地22畝，總建筑面積大約19,000平方米，總投資達(dá)到約3億元人民幣，旨在建立一個集碳化硅6/8英寸單晶生長與襯底加工于一體的中試生產(chǎn)基地。

到了5月，浙江大學(xué)杭州科技創(chuàng)新中心的先進(jìn)半導(dǎo)體研究院與杭州乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室成功開發(fā)出8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品，其中包括8英寸碳化硅晶錠及8英寸碳化硅拋光襯底。采用多段式電阻加熱的物理氣相傳輸（PVT）技術(shù)，實現(xiàn)了27mm厚的8英寸n型碳化硅單晶錠的生長，并進(jìn)一步加工成8英寸碳化硅襯底，使乾晶半導(dǎo)體加入了8英寸碳化硅領(lǐng)域的先進(jìn)行列。?? ?

在長晶技術(shù)上，乾晶半導(dǎo)體生長的6英寸碳化硅晶體厚度超過20mm，最厚處可達(dá)50mm，成品率高達(dá)70%，晶體生長周期僅需5天，位于國內(nèi)先進(jìn)水平。在切割技術(shù)上，公司解決了使用金剛石線進(jìn)行高速切割時的挑戰(zhàn)，包括劇烈的加工過程和晶片的翹曲問題，將單次切割時長縮短至20小時，顯著提升了加工效率。乾晶半導(dǎo)體還在積極開發(fā)激光剝離技術(shù)，以期進(jìn)一步降低晶片切割的損耗和損傷層的厚度，展現(xiàn)了其在半導(dǎo)體材料加工技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新能力和技術(shù)優(yōu)勢。

天達(dá)晶陽

天達(dá)晶陽，自2020年成立伊始，便以中國科學(xué)院物理研究所和天科合達(dá)的先進(jìn)技術(shù)為基礎(chǔ)，迅速在碳化硅單晶襯底行業(yè)中嶄露頭角。其采用的高端技術(shù)綜合實力在國內(nèi)居首位，全球排名第四，標(biāo)志著該公司已達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先及國際先進(jìn)的水平。

2021年4月，天達(dá)晶陽啟動了其碳化硅單晶體項目的關(guān)鍵階段——無塵車間的改造工作。該項目的第一階段涉及54臺碳化硅單晶生長爐，所有設(shè)備已經(jīng)到位，其中30臺設(shè)備已經(jīng)完成安裝并處于調(diào)試階段。

到了2022年4月，公司進(jìn)一步加大投資力度，注資7.31億元人民幣，計劃建設(shè)一條配備400套完整設(shè)備的碳化硅晶體生產(chǎn)線。預(yù)計該生產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后，4至8英寸的碳化硅晶片年產(chǎn)能將能夠達(dá)到12萬片，顯著提升公司在碳化硅單晶襯底市場的競爭力和影響力。

晶越半導(dǎo)體

晶越半導(dǎo)體，自2020年成立以來，專注于6至8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，成為該領(lǐng)域的重要參與者。

2020年6月，晶越半導(dǎo)體在上海與當(dāng)?shù)厥薪?jīng)開區(qū)、溢起投資合伙企業(yè)及高冰博士團(tuán)隊簽訂了“晶越碳化硅晶圓項目”的三方投資協(xié)議書。該項目規(guī)劃分為三個階段進(jìn)行，總投資額達(dá)到驚人的100億元人民幣，預(yù)計第一階段投產(chǎn)后，月產(chǎn)能將達(dá)到1500片碳化硅晶圓。

到了2021年7月，浙江紹興市的生態(tài)環(huán)境局接受了晶越碳化硅項目的環(huán)評文件。項目第一期的計劃投資約為1.35億元人民幣，預(yù)期年產(chǎn)能為1.2萬片6英寸碳化硅晶片，顯示了晶越半導(dǎo)體在產(chǎn)業(yè)發(fā)展和環(huán)保責(zé)任方面的重視。?? ?

2022年6月，晶越成功完成了B輪融資，本輪融資由紅杉資本等領(lǐng)投，融資后的估值達(dá)到了1.35億元人民幣。這一重要的財務(wù)里程碑不僅為晶越半導(dǎo)體的未來發(fā)展注入了新的動力，也反映了資本市場對于晶越在碳化硅襯底材料研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域潛力的高度認(rèn)可。

粵海金半導(dǎo)體

粵海金半導(dǎo)體，成立于2022年，隸屬于高金富恒集團(tuán)，專注于碳化硅半導(dǎo)體材料的研發(fā)與生產(chǎn)。公司擁有山東東營的產(chǎn)業(yè)化基地和北京的研發(fā)中心，這兩大核心板塊構(gòu)成了其強大的產(chǎn)業(yè)與研發(fā)網(wǎng)絡(luò)。

依托于中科鋼研和國宏中宇第三代半導(dǎo)體材料制備關(guān)鍵共性技術(shù)的北京市工程實驗室，粵海金已經(jīng)建立了一套具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)體系。這些技術(shù)的應(yīng)用不僅提升了公司的研發(fā)實力，也為碳化硅半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)化奠定了堅實的基礎(chǔ)。?? ?

國宏中能的年產(chǎn)11萬片碳化硅襯底項目，總投資達(dá)6.5億元，總建筑面積為3萬平方米。項目通過不斷的科研投入，在材料制備技術(shù)體系和核心裝備研制方面取得了顯著進(jìn)展，已經(jīng)具備了投產(chǎn)的條件。

到了2023年5月，粵海金成功完成了超過億元的Pre-A輪融資。從2022年9月起，高金富恒集團(tuán)已經(jīng)累計投入超過6億元人民幣，對北京研發(fā)中心和山東生產(chǎn)基地進(jìn)行了技術(shù)升級與擴能改造。目前，粵海金的碳化硅襯底產(chǎn)品即將開始量產(chǎn)交付。

在2023年11月，粵海金半導(dǎo)體在碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了又一重大成就，成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片，標(biāo)志著公司在高端碳化硅半導(dǎo)體材料研發(fā)和生產(chǎn)方面邁出了重要一步。

國碳半導(dǎo)體

國碳半導(dǎo)體，自2020年成立以來，依托自1991年起始的碳化硅長晶技術(shù)研發(fā)，已成為專注于碳化硅襯底晶體生長、加工及關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的創(chuàng)新型企業(yè)。該公司集合了擁有豐富襯底材料研發(fā)背景和成熟企業(yè)運營管理經(jīng)驗的創(chuàng)始團(tuán)隊，其6-8英寸碳化硅襯底研發(fā)項目已在深圳市中清欣達(dá)膜技術(shù)研究院落戶，并計劃以10億元的投資在深圳建設(shè)一條年產(chǎn)24萬片6寸碳化硅襯底的生產(chǎn)線。?? ?

到了2022年10月，國碳半導(dǎo)體的6英寸車規(guī)級碳化硅襯底項目在深圳正式啟動生產(chǎn)。截至2023年11月，公司已成功獲得全球頂級客戶的Vendor Code，確保了年產(chǎn)50萬片碳化硅襯底的意向性產(chǎn)能需求。

此外，國碳半導(dǎo)體在2023年11月宣布，已經(jīng)聘請華興泛亞投資顧問（北京）有限公司負(fù)責(zé)其融資活動，本輪融資將主要用于中山生產(chǎn)基地的建設(shè)，展示了國碳半導(dǎo)體在碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展和擴張計劃。

晶格領(lǐng)域?? ?

晶格領(lǐng)域，自2020年創(chuàng)立以來，已成為一家融合碳化硅襯底研發(fā)、生產(chǎn)及銷售為一體的創(chuàng)新型高新技術(shù)企業(yè)。作為國內(nèi)首個采用液相法核心技術(shù)生長碳化硅晶體的企業(yè)，晶格領(lǐng)域擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的液相法生長技術(shù)。該技術(shù)相較于現(xiàn)有的物理氣相傳輸法（PVT法），不僅能顯著提升晶體質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本，還能解決碳化硅襯底p型摻雜在產(chǎn)業(yè)化過程中難以實現(xiàn)的問題，對于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有深遠(yuǎn)的意義。

晶格領(lǐng)域的液相法生長碳化硅半導(dǎo)體襯底項目是中國科學(xué)院物理所的科技成果轉(zhuǎn)化項目，項目分三期實施，預(yù)計總投資達(dá)7.5億元人民幣。在項目的第一階段，公司投資5000萬元，在中關(guān)村順義園租賃了1050平方米的廠房，用于建設(shè)4至6英寸液相法碳化硅晶體的中試生產(chǎn)線。2021年4月，項目的首批設(shè)備已經(jīng)到位并啟動了試生產(chǎn)。

目前，晶格領(lǐng)域已經(jīng)成功生長出4至6英寸的p型碳化硅晶體，無論是晶體尺寸、質(zhì)量還是厚度，均達(dá)到了國際先進(jìn)水平，展示了公司在碳化硅襯底技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域的強大實力和創(chuàng)新能力。

審核編輯：黃飛

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