等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計不當，容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效，因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點。
2018-01-05 09:14:13
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MOSFET的柵極電阻有什么關(guān)鍵作用？
2019-05-11 09:32:1113279 
等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計不當，容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效，因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點。
2022-08-23 09:27:541525 首先說一下電源IC直接驅(qū)動，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動電路未做過多處理，因此我們進行PCB LAYOUT時要盡量進行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長度，增加走線寬度，盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進的位置，從而達到減少寄生電感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386460 
等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計不當，容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效，因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點。
2023-05-04 09:43:01735 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:52:08748 
MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
NPN和PNP 是三極管的兩種類型，一般的作用是放大和做開關(guān)使用，下面從常見的驅(qū)動蜂鳴器的電路來進行分析。
2023-08-11 09:06:493632 
上一篇文章我們介紹過，為了使MOS管完全導通，需要盡量提高柵極的驅(qū)動電流。那是不是柵極驅(qū)動電流越大越好呢，即驅(qū)動電路的內(nèi)阻越小越好？
2023-08-14 09:34:182447 
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
IGBT柵極信號在第二個集電極電流過零點以前不被清除，從而顯著降低IGBT ZCS Eoff。MOSFET的 Eoff能耗是其米勒電容Crss、柵極驅(qū)動速度、柵極驅(qū)動關(guān)斷源阻抗及源極功率電路路徑中寄生電感
2018-08-27 20:50:45
【不懂就問】在單端反激電路中常見的一部分電路就是RCD組成的吸收電路，或者鉗位電路，與變壓器原邊并聯(lián)其目的是吸收MOSFET在關(guān)斷時，引起的突波，尖峰電壓電流到那時MOSFET是壓控器件，為什么在關(guān)斷時會引起尖峰電壓電流？怎么在三極管BJT的應用中看不到類似吸收電路
2018-07-10 10:03:18
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動方式
2021-03-29 07:29:27
MOSFET柵極驅(qū)動器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4441功能和特點LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
MOSFET驅(qū)動電路中自舉電容如何發(fā)揮作用？為何漏極48V導通后柵極就變成63V了？
2015-07-30 14:49:53
IGBT GFS較高，而CIES較低。這里的關(guān)鍵之處在于，為了從MOSFET轉(zhuǎn)換到IGBT，必須對柵極驅(qū)動電路進行調(diào)節(jié)。傳導損耗需謹慎在比較額定值為600V的器件時，IGBT的傳導損耗一般比相同芯片大小
2021-06-16 09:21:55
MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
做為正激變換器的假負載，用于消除關(guān)斷期間輸出電壓發(fā)生振蕩而誤導通。同時它還可以作為功率MOSFET關(guān)斷時的能量泄放回路。該驅(qū)動電路的導通速度主要與被驅(qū)動的S2柵極、源極等效輸入電容的大小、S1的驅(qū)動信號
2019-06-14 00:37:57
我看一個MOSFET驅(qū)動電路的設(shè)計與仿真PPT里面說，Vg中存在負電壓，一定程度上加長了驅(qū)動延遲時間，要消除負壓，然后又看了一個技術(shù)手冊，專門介紹了一種負壓驅(qū)動電路。如下圖所示，所示可以負壓驅(qū)動可以加速關(guān)斷速度~然后我就懵了，想問下大家，什么時候要用負壓驅(qū)動？還有負壓驅(qū)動能加速關(guān)斷嗎？
2019-01-23 15:57:14
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
具有較低導通電阻和非常高的關(guān)斷電阻，驅(qū)動電路中的功耗大大降低。為在柵極轉(zhuǎn)換期間控制邊沿速率，Q1 的漏極和Q2的柵極之間外加一個小電阻。使用MOSFET的另一個優(yōu)點是其易于在裸片上制作，而制作電阻則相對
2021-07-09 07:00:00
了一種獨特但簡單的柵極脈沖驅(qū)動電路，為快速開關(guān)HPA提供了另一種方法，同時消除了與漏極開關(guān)有關(guān)的電路。實測切換時間小于200 ns，相對于1 s的目標還有一些裕量。其他特性包括：解決器件間差異的偏置編程
2019-02-27 08:04:56
使其導通；而對于上橋臂的2個MOSFET，要使VGS》10V，就必須滿足VG》Vm+10V，即驅(qū)動電路必須能提供高于電源電壓的電壓，這就要求驅(qū)動電路中增設(shè)升壓電路，提供高于柵極10V的電壓。考慮到
2020-07-15 17:35:23
高端和低端兩個N溝道MOSFET，能提供較大的柵極驅(qū)動電流，并具有硬件死區(qū)、硬件防同臂導通等功用。運用兩片IR2104型半橋驅(qū)動芯片能夠組成完好的直流電機H橋式驅(qū)動電路，而且IR2104價錢低廉，功用
2019-12-25 18:24:49
減小關(guān)斷時的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時電流過大，把電源IC給燒掉。圖4改進型加速MOS關(guān)斷在第二點介紹的圖騰柱電路也有加快關(guān)斷作用。當電源IC的驅(qū)動能力足夠時，對圖 2中電路改進可以加速MOS管關(guān)斷時間
2018-10-23 15:59:18
并能快速完成柵極輸入電容充電。如圖所示，推挽驅(qū)動電路包含一個PNP三極管及一個NPN三極管，采用互補輸出。輸入高電平時，上管NPN開啟，下管PNP關(guān)閉，驅(qū)動MOS管開啟；輸入低電平時，上管NPN關(guān)閉
2023-10-07 17:00:40
1.直接驅(qū)動電路比較簡單又比較可靠的驅(qū)動方式是使用集電極開路的 TTL 按圖1 所示與功率MOSFET連接。這種方式可以產(chǎn)生足夠高的柵壓使器件充分導通，并保證較高的關(guān)斷速度。由于外接負載電阻RL
2017-08-19 21:55:13
本文從MOSFET技術(shù)和開關(guān)運行概述入手，按照由易而難的順序，對各類問題進行了闡述。詳細介紹了解接地參考和高側(cè)柵極驅(qū)動電路的設(shè)計流程，以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。
2019-05-22 07:00:00
對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間，但是減少了關(guān)斷時間，開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。3、驅(qū)動電路加速MOS管關(guān)斷時間圖3加速MOS關(guān)斷關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能
2019-02-21 06:30:00
(b)。 這種在家電產(chǎn)品中適用的MOSFET驅(qū)動電路具有多種優(yōu)點。首先，這一電路的結(jié)構(gòu)比較簡單可靠，具有電氣隔離作用。當脈寬變化時，驅(qū)動的關(guān)斷能力不會隨著變化。其次，圖1所展示的這兩種電路只需一個電源
2018-10-09 14:33:55
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測試的原理圖和相關(guān)波形見圖1所示。在測量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動，也就是使用恒流源IG給測試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的感性負載關(guān)斷過程和開通過程一樣，有4個階段，但是時間常數(shù)不一樣。驅(qū)動回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻
2017-03-06 15:19:01
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關(guān)管，TL494做脈沖寬度調(diào)制 (Pwm) 控制電路，請問怎么驅(qū)動MOSFET，，，加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則 MOSFET 導通,這樣 PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若 IGBT 的柵極
2021-03-19 15:22:33
尖峰；三是降低dV／dt或dI／dt。由于MOSFET管的電流下降速度很快，所以它的關(guān)斷損耗很小。雖然MOSFET管依然使用關(guān)斷緩沖電路，但它的作用不是減少關(guān)斷損耗，而是降低變壓器漏感尖峰電壓。本文主要
2018-11-21 16:22:57
，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間，但是減少了關(guān)斷時間，開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。3、驅(qū)動電路加速MOS管關(guān)斷時間圖 3 加速MOS關(guān)斷關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路
2017-01-09 18:00:06
變壓器耦合方式來實現(xiàn)對高壓功率開關(guān)器件的激勵和輸入級與輸出級之間的隔離，同時還兼有對功率開關(guān)器件關(guān)斷時，施加反向偏置，來加速器件的關(guān)斷。當驅(qū)動MOSFET器件時，常規(guī)的驅(qū)動電路是用一個驅(qū)動變壓器實現(xiàn)
2009-10-24 09:30:11
的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則
2019-06-27 09:00:00
實測波形，此時驅(qū)動芯片直接與MOSFET的柵極相連，由于沒有考慮分布電感的作用，芯片與MOSFET擺放位置相對較遠。實際測得驅(qū)動電路分布電感L為135nH，驅(qū)動電阻近似為零，從圖4中可以看出，改進前振蕩
2018-08-27 16:00:08
改進型加速MOS關(guān)斷在第二點介紹的圖騰柱電路也有加快關(guān)斷作用。當電源IC的驅(qū)動能力足夠時，對圖2中電路改進可以加速MOS管關(guān)斷時間，得到如圖4所示電路。用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果
2019-02-22 10:46:45
接PWM驅(qū)動電路，再來控制功率mosfet。這個PWM應該是具有負脈沖，可以快速關(guān)斷MOS管?！ OS管的加速關(guān)斷原理第一還有就是.R4的作用.也搞不懂.沒?！ 】磥順遣惶宄龢O管的原理了，沒有R4
2019-01-08 13:51:07
開通，但在MOSFET關(guān)斷時，分立器件驅(qū)動電路因為有三極管放電，所以能提供更大的放電電流關(guān)閉MOSFET，而半橋驅(qū)動電路由于要經(jīng)過柵極電阻放電，所以放電電流相對較小，導致MOSFET關(guān)閉時間過長
2009-12-03 17:25:55
能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間，但是減少了關(guān)斷時間，開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩?！ ?、驅(qū)動電路加速MOS管關(guān)斷時間 圖3加速MOS關(guān)斷
2018-10-22 15:45:25
拓撲增加了導通所需要的時間，但是減少了關(guān)斷時間，開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。三、驅(qū)動電路加速MOS管關(guān)斷時間圖3 加速MOS關(guān)斷關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵
2019-09-25 07:30:00
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
所示。PMOS具有較低導通電阻和非常高的關(guān)斷電阻，驅(qū)動電路中的功耗大大降低。為在柵極轉(zhuǎn)換期間控制邊沿速率，Q1的漏極和Q2的柵極之間外加一個小電阻。使用MOSFET的另一個優(yōu)點是其易于在裸片上制作，而
2018-11-01 11:35:35
高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設(shè)計與應用指南
2019-03-08 22:39:53
`<font face="Verdana">高速MOSFET柵極驅(qū)動電路設(shè)計和應用指南<br/>&
2009-03-27 16:08:33
是功耗，I是電流，V是電壓降），通過MOSFET通道的傳導損耗顯著低于通過體二極管的傳導損耗。這些概念在電力電子電路的同步整流中發(fā)揮作用。同步整流通過用諸如功率MOSFET的有源控制器件代替二極管來提高
2019-03-08 06:45:10
摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動電路。該電路通過循環(huán)儲存在柵極電容中的能量來實現(xiàn)減少驅(qū)動功率損耗的目的，從而保證了此驅(qū)動電路可以在較高的頻率下工作。
2010-05-04 08:38:12
53 自關(guān)斷器件及其驅(qū)動與保護電路實驗
一、實驗目的
(1) 加深理解各種自關(guān)斷器件對驅(qū)動與保護電路的要求?！ ?2) 熟悉各種自關(guān)斷器件的驅(qū)動與保護電路
2008-10-17 22:57:433682 典型柵極驅(qū)動電路框圖
2008-11-05 23:14:23906 
功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動電路
2009-04-02 23:36:182182 
MOSEET柵級驅(qū)動電路
MOSFET驅(qū)動電路用一個穩(wěn)壓管VD1（UDRM=8.3V）加在柵極，給其一個恒一的驅(qū)動電壓，這能保證MOSFET管一直能很好的導通
2009-08-07 21:24:291043 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
MOSFET與MOSFET驅(qū)動電路原理及應用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 增加軟關(guān)斷技術(shù)的驅(qū)動電路
2010-02-18 11:16:161466 
增加軟關(guān)斷技術(shù)的驅(qū)動電路
2010-02-18 21:52:591680 
本內(nèi)容提供了兩種常見的MOSFET驅(qū)動電路
2011-09-23 10:03:5922187 
高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅(qū)動電路設(shè)計，功率mosfet驅(qū)動電路原理圖。
2016-08-04 18:15:3534308 
高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 和開爾文結(jié)構(gòu)封裝的串擾問題分別進行分析，柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會引起處于關(guān)斷狀態(tài)開關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串擾問題的驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡單、易于控制的特點。分析該驅(qū)動電路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:223 提出一種耐高溫200℃的碳化硅MOSFET驅(qū)動電路。該驅(qū)動電路采用雙極性結(jié)型晶體管（ BJT）作為開關(guān)器件，避免了高溫下硅基MOSFET關(guān)斷能力弱化而引起的驅(qū)動電路失效。該驅(qū)動電路利用充電與放電兩條
2018-04-20 16:15:2924 還兼有對功率開關(guān)器件關(guān)斷時，施加反向偏置，來加速器件的關(guān)斷。當驅(qū)動MOSFET器件時，常規(guī)的驅(qū)動電路是用一個驅(qū)動變壓器實現(xiàn)的?？紤]到驅(qū)動變壓器的漏感和引線電感，給具有大Cg-s的主MOSFET高速充放電
2018-09-20 18:26:553032 主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動調(diào)整電路
2019-07-02 15:06:293454 開通和需要關(guān)斷時需要一定的動態(tài)驅(qū)動功率。小功率MOSFET的Cgs一般在10-100pF之內(nèi)，對于大功率的絕緣柵功率器件，由于柵極電容Cgs較大。一般在1-100nF之間，因而需要較大的動態(tài)驅(qū)動功率。更由于漏極到柵極的密勒電容Cdg，柵極驅(qū)動功率往往是不可忽視的。
2019-07-03 16:26:554307 
IGBT的驅(qū)動電路必須具備兩種功能：一是實現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動IGBT柵極的電位隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動脈沖。實現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0012785 
不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅(qū)動電路設(shè)計?；?b class="flag-6" style="color: red">柵極對源電容的RC值通常會導致柵極驅(qū)動嚴重不足。雖然柵極對源電容是一個重要
2020-03-09 08:00:0024 使用圖1的驅(qū)動電路，使用合適的開通和關(guān)斷電阻，并使用柵極下拉的PNP管。一些大功率ACDC電源有時為了提高驅(qū)動能力，外部會使用二個對管組成的圖騰柱。
2020-06-07 12:01:325064 來源：羅姆半導體社區(qū) 柵極驅(qū)動器的作用 柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因為MOSFET有個柵極電容，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導通和關(guān)斷、功率半導體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供7種MOSFET柵極電路的常見作用資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:53:0512 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點，因此被廣泛的應用于開關(guān)電源、電機控制、電動工具等各行各業(yè)。
2022-03-28 09:35:453628 當我們使用MOS管進行一些PWM輸出控制時，由于此時開關(guān)頻率比較高，此時就要求我們能更快速的開關(guān)MOS管，從理論上說，MOSFET 的關(guān)斷速度只取決于柵極驅(qū)動電路。當然電流更高的關(guān)斷電路可以更快
2022-04-11 08:03:0119956 
MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應用
技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動控制板的應用實例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 分享四種常見的MOS管柵極驅(qū)動電路，都用過嗎？
2022-10-26 10:06:204072 強魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動電路設(shè)計指南
2022-10-28 11:59:551 本文介紹了三個驅(qū)動MOSFET工作時的功率計算 以及通過實例進行計算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動設(shè)計中電流的計算 不是mosfet導通電流 是mosfet柵極驅(qū)動電流計算和驅(qū)動功耗計算
2022-11-11 17:33:0335 在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個外部齊納二極管，可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意，齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-01-02 06:54:00771 本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路及其導通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行解說。
2023-02-08 13:43:23491 
在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路的導通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行了解說。
2023-02-08 13:43:23291 
上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時的動作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:23399 
使用圖1的驅(qū)動電路，使用合適的開通和關(guān)斷電阻，并使用柵極下拉的PNP管。一些大功率ACDC電源有時為了提高驅(qū)動能力，外部會使用二個對管組成的圖騰柱。
2023-02-16 10:08:12745 
柵極驅(qū)動參考 1.PWM直接驅(qū)動2.雙極Totem-Pole驅(qū)動器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅(qū)動 在電源應用中，驅(qū)動主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 柵極驅(qū)動路徑中的交流耦合可為柵極驅(qū)動信號提供簡單的電平位移。交流耦合的主要作用是修改主MOSFET的開通和關(guān)斷柵極電壓，而高側(cè)柵極
驅(qū)動則不同，它最需要關(guān)注的是縮小較大的電勢差。在如 圖31 所示
2023-02-23 15:31:242 1.PWM直接驅(qū)動驅(qū)動主開關(guān)晶體管柵極的最簡單方法是利用 PWM 控制器的柵極驅(qū)動輸出，如圖（1）如 圖 8中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅(qū)動和接地環(huán)路跡線
2023-02-24 10:45:172 常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:54:02518 
MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設(shè)備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:38185 
7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！
2023-12-15 09:46:07255 
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個專門的驅(qū)動電路來控制其開通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動電路。 一、IGBT驅(qū)動電路的作用 IGBT驅(qū)動電路的主要作用是向IGBT提供適當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">柵極
2024-01-17 13:56:55554 
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