RCD吸收電路的影響和設(shè)計方法（定性分析）
這回主要介紹RCD電路的影響。先分析過程：
2009-11-21 11:10:49
11629 本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設(shè)計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。
2015-06-12 09:51:234738 MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 
【不懂就問】上圖的RCD是吸收電路吸收MOS在關(guān)斷時，引起（變壓器原邊側(cè)繞組）的突波下圖的RCD是鉗位電路，讓MOS在關(guān)斷時，把漏極電位鉗位防止過高損壞MOS現(xiàn)在電路是多用RCD當(dāng)作鉗位電路了嗎？如果還有更詳細(xì)見解，歡迎說明
2018-07-26 13:26:26
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時，還需要探討柵極驅(qū)動器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關(guān)損耗運用要點柵極驅(qū)動 其1柵極驅(qū)動 其2應(yīng)用要點緩沖電容器 專用柵極驅(qū)動器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
激式轉(zhuǎn)換器的特征反激式轉(zhuǎn)換器的工作和緩沖所謂不連續(xù)模式和連續(xù)模式 設(shè)計步驟 電源規(guī)格的決定 設(shè)計使用IC的選擇 絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計變壓器設(shè)計（數(shù)值計算）變壓器設(shè)計（構(gòu)造設(shè)計）－其1變壓器
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
，即非本征缺陷時才有效。與Si MOSFET相比，現(xiàn)階段SiC MOSFET柵極氧化物中的非本征缺陷密度要高得多。電篩選降低了可靠性風(fēng)險與沒有缺陷的器件相比，有非本征缺陷的器件更早出現(xiàn)故障。無缺陷的器件
2022-07-12 16:18:49
了熱管理，減小了印刷電路板的外形尺寸，有利于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。圖1 SiC MOSFET和Si MOSFET性能對比在使用SiC MOSFET進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計時，工程師們通常要考慮如何以最優(yōu)方式驅(qū)動（最大
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實驗室遵循JFET方法，因為當(dāng)時雙極結(jié)晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認(rèn)為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
器件。雪崩堅固耐用評估SiC MOSFET的另一個重要參數(shù)是雪崩耐用性，通過非鉗位感應(yīng)開關(guān)（UIS）測試進(jìn)行評估。雪崩能量顯示MOSFET能夠承受驅(qū)動感性負(fù)載時有時會產(chǎn)生的瞬態(tài)。Littelfuse
2019-07-30 15:15:17
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
有的文獻(xiàn)說mosfet并聯(lián)緩沖電容，可以提升效率？？ 是否有這一說法
2017-02-22 18:19:40
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識評估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計成果分享項目的開展，實施，結(jié)果過程，展示項目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
`今天主要對評估板進(jìn)行了Buck拓?fù)涞膶崿F(xiàn)，通過評估板半橋的結(jié)構(gòu)，搭建Buck降壓電路。Buck電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下。Buck電路拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">電路的主要拓?fù)浣忉屓缦?。?b class="flag-6" style="color: red">電路的輸入端HVdc輸入高電平，SiC
2020-06-07 19:19:09
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等
電路拓?fù)洹Ｎ?/div>
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
SiC模塊，對比相同充放電功率情況下SiC與MOSFET或者IGBT的溫升。預(yù)計成果：在性能滿足要求，價格可接受范圍內(nèi)，后續(xù)適用到產(chǎn)品中
2020-04-24 18:09:35
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
1700V耐壓的SiC MOSFET，使設(shè)計更簡單采用表貼型封裝（TO263-7L），可自動安裝在電路板上與分立結(jié)構(gòu)相比，可大大減少元器件數(shù)量（將12個元器件和1個散熱器縮減為1個器件）與Si
2022-07-27 11:00:52
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
本文將介紹全SiC模塊的應(yīng)用要點—緩沖電容器。在高速開關(guān)大電流的電路中，需要添加緩沖電容器。什么是緩沖電容器緩沖電容器是為了降低電氣布線的寄生電感而連接在大電流開關(guān)節(jié)點的電容器。寄生電感會使開關(guān)
2018-11-27 16:39:33
請教大家一個問題：最近在做一個200kVA的變頻電源項目，輸入380V。前級是不可控整流，后級用1000A的IGBT組成三相逆變橋，IGBT的緩沖電路選用RCD放電阻止型緩沖電路，但是不知道緩沖電路中的電容和快恢復(fù)二極管的耐壓選擇多大，求指點。
2015-01-21 10:50:55
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯式硬開關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開關(guān)損耗使得開關(guān)頻率在硅實現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
反激變壓器中的漏感能量需要使用特殊的鉗位和/或緩沖電路，以幫助保護(hù)電源開關(guān)和二極管免受電壓擊穿故障的影響。 RCD 鉗位是保護(hù)初級電路的常用方法。 一、RCD吸收電路RCD 鉗位通過創(chuàng)建連接到輸入
2021-09-25 07:00:00
情況是對電容的充放電電流。這些電容可能是：電路分布電容、變壓器繞組等效分布電容、設(shè)計不恰當(dāng)?shù)奈针娙?、設(shè)計不恰當(dāng)?shù)闹C振電容、器件的等效模型中的電容成分等等。緩沖的基本方法：在沖擊電流尖峰的路徑上串入某種
2019-11-02 07:00:00
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
IGBT的高開關(guān)損耗，實際開關(guān)頻率受到限制。此外，具有更高功率密度的更輕的OBC的目標(biāo)受到磁性元件和諧振電路的重量和尺寸以及附加的反并聯(lián)SiC二極管的負(fù)面影響。由于SiC MOSFET的體二極管具有良好
2023-02-27 09:44:36
如何采用D型和E型金剛石型MOSFET開發(fā)邏輯電路？
2021-06-15 07:20:40
電路并使用專門設(shè)計的柵極驅(qū)動器可以說是非常好的方法。到目前為止，我們已經(jīng)以“全SiC模塊的的應(yīng)用要點”為題，探討了柵極驅(qū)動、緩沖電路的效果，本次又對專用柵極驅(qū)動器進(jìn)行了介紹?；谶@些補充型部件/電路
2018-11-27 16:36:43
尖峰；三是降低dV／dt或dI／dt。由于MOSFET管的電流下降速度很快，所以它的關(guān)斷損耗很小。雖然MOSFET管依然使用關(guān)斷緩沖電路，但它的作用不是減少關(guān)斷損耗，而是降低變壓器漏感尖峰電壓。本文主要
2018-11-21 16:22:57
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動能力，適用于驅(qū)動 SiC
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
測試，并觀察波形。在雙脈沖測試電路的高邊（HS）和低邊（LS）安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS開關(guān)、LS始終OFF（柵極電壓=0V）。圖1所示的延長電纜已經(jīng)直接焊接
2022-09-20 08:00:00
產(chǎn)品描述：SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A是一款高精度的非隔離降壓型LED控制器，適用于85～265V 全電壓范圍的非隔離降壓型LED照明應(yīng)用。SIC
2021-09-24 11:56:01
SIC9554是一款高精度的非隔離降壓型LED控制器，適用于85V～265V全電壓范圍的小功率非隔離降壓型LED照明應(yīng)用。SIC9554內(nèi)置了高精度的采樣、補償電路，使得電路能夠達(dá)到±3%以內(nèi)的恒流
2022-08-04 14:21:46
概述：SIC953XD是一款超低系統(tǒng)成本的高精度LED恒流驅(qū)動芯片,適用于85V~265V全電壓范圍的小功率非隔離降壓型LED照明應(yīng)用。SIC953XD內(nèi)置了高精度的采樣、補償電路，使得電路能夠達(dá)到
2021-10-12 10:01:01
概述:SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A是一款高精度的非隔離降壓型LED控制器，適用于85～265V全電壓范圍的非隔離降壓型LED照明應(yīng)用。SIC9552A/9553A
2021-08-27 11:29:01
、C3 、D3和電路圖輸入線路、MOSFET相接的電阻R4、電容器C3 、二極管D3，組成所謂的緩沖電路。反激方式中，由于變壓器鐵芯間有間距，會造成磁漏現(xiàn)象，產(chǎn)生漏電感。開關(guān)電流同樣會流過此漏電感并蓄積
2018-11-30 11:33:43
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
與Si-MOSFET的柵極驅(qū)動的不同之處。主要的不同點是SiC-MOSFET在驅(qū)動時的VGS稍高，內(nèi)部柵極電阻較高，因此外置柵極電阻Rg需要采用小阻值。Rg是外置電阻，屬于電路設(shè)計的范疇。但是，柵極驅(qū)動電壓
2018-11-27 16:54:24
，設(shè)計了基于SiC MOSFET的6.6 kW雙向OBC。在充電模式和放電模式下運行的轉(zhuǎn)換器的實驗結(jié)果顯示出高效率和高功率密度。 雙向OBC的規(guī)范和體系結(jié)構(gòu)雙向OBC規(guī)范 6.6kW雙向車載充電器
2019-10-25 10:02:58
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
1. RCD 緩沖電路 Lm=L1+L2 Ls Cs Ds Rs 電源線的線電感緩沖電路電感緩沖電容緩沖二極管緩沖電阻 2. 關(guān)斷波形 Io
2011-01-03 16:45:45
167 反激式變換器中RCD箝位電路的設(shè)計
在反激式變換器中，箝位電路采用RCD 形式具有結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉等優(yōu)點，本文詳細(xì)論述了該種電路
2009-01-12 13:17:582731 
全橋變換器的RCD緩沖電路
關(guān)斷緩沖電路的形式和換流波形
2009-05-13 08:25:364546 
RCD電路原理圖
反激開關(guān)過程和RCD電路的影響
2009-11-21 11:09:238853 JFET-MOSFET耳機功放電路
2010-01-30 14:47:303578 
充放電型IGBT緩沖吸收電路
為
2010-03-14 19:00:559005 
本文為大家介紹rcd吸收電路原理及設(shè)計。
2018-01-22 11:01:1369829 
當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，由于主變壓器的漏感器（Llk）和MOSFET的輸出電容器（COSS）之間發(fā)生共振，漏極引腳上出現(xiàn)高壓尖峰。漏極引腳上的過大電壓可能導(dǎo)致雪崩擊穿，并最終損壞MOSFET。因此，有必要增加一個附加電路來鉗制電壓。本文提出了反激變換器RCD緩沖電路的設(shè)計原則。
2020-06-09 08:00:008 本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過實驗性雙脈沖測試（DPT）結(jié)果驗證。
2022-05-05 10:43:232008 
SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進(jìn)入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102938 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時導(dǎo)通，設(shè)置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:58737 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個應(yīng)用場合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 
緩沖電路來降低線路電感，這是非常重要的。 首先，為您介紹 SiC MOSFET 功率轉(zhuǎn)換電路中，發(fā)生在漏極和源極之間的浪涌。 ·? 漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌 ·?緩沖電路的種類和選擇 ·?C緩沖電路的設(shè)計 ·?RC緩沖電路的設(shè)計 ·?放電型RCD緩沖電路的設(shè)計
2023-06-21 08:35:02425 
首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 
的電路方式——C緩沖電路、RC緩沖電路、放電型RCD緩沖電路和非放電型RCD緩沖電路。 ↓ ↓ 點擊下載 ↓ ↓ SiC功率元器件基礎(chǔ) 本文進(jìn)入本系列文章的第二個主題：“緩沖電路的種類和選擇”。 漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌 緩沖電路的種類和選擇
2023-08-23 12:05:07889 
RC和RCD緩沖電路的工作方式、區(qū)別和優(yōu)缺點？ RC和RCD緩沖電路是電子系統(tǒng)中常用的兩種電路，用于解決信號的延時和沖擊波的衰減問題。它們在工作方式、區(qū)別和優(yōu)缺點方面有一些不同。 首先，我們來了
2023-11-20 17:05:411100 IGBT的RCD緩沖電路各元件參數(shù)選擇？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種用于控制高電壓和高電流的功率半導(dǎo)體器件。它由一對PNP
2023-11-20 17:05:44545 全控型電力電子器件的RCD關(guān)斷緩沖電路的主要不足是什么？ 全控型電力電子器件的RCD關(guān)斷緩沖電路是一種常見的保護(hù)電路，用于保護(hù)電力電子器件免受過電流和過壓的損害。然而，這種保護(hù)電路也存在一些主要
2023-11-21 15:17:55244 SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)是一個復(fù)雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687 RCD緩沖電路是一種常用的電子電路，主要用于保護(hù)電子設(shè)備或電路免受電壓沖擊或電流過載的損害。它由電阻(R)、電容(C)和二極管(D)等元件組成。本文將詳細(xì)分析每個元件的作用，以及RCD緩沖電路
2024-03-11 15:46:56212 
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