`菜鳥問一個問題：MOS 管在做開關使用時為什么常常都要配合一個三極管使用？而不是用MCU的I/O口直接控制MOS管的G極，如圖。謝謝各位大神回答。`
2017-06-05 10:51:57
(VGE)：5.5VG-E極漏電流(IGES)：100na工作溫度：-55~+150℃引線數(shù)量：3 MOS管25N120又稱場效應管，我們首先介紹一個更簡單的器件——MOS電容，可以更好地理解MOS管
2021-10-30 15:41:50
我們打開一個MOS管的SPEC，會有很多電氣參數(shù)，今天說一說熱阻、電容和開關時間這三個。
2021-01-26 07:48:11
求助：請問一下大家對于MOS管參數(shù)的測試工裝有沒有了解的啊？
2019-04-10 17:35:38
如圖，請問一下，如果C1被短路，也就是MOS管的GD短路，最終會擊穿MOS管，使MOS管三個極都導通嗎？其中VCC是13V
2018-02-02 09:59:30
：SOA（Safe operating area）是由一系列（電壓，電流）坐標點形成的一個二維區(qū)域，開關器件正常工作時的電壓和電流都不會超過該區(qū)域。簡單的講，只要MOS管器件工作在SOA區(qū)域內(nèi)就是安全
2019-04-08 13:42:38
，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導 ·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù) ·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)6. 導通電
2012-08-15 21:08:49
MOS管主要參數(shù)及使用注意事項
2018-03-06 17:12:25
的是MOS管作為開關管的使用。對于MOS管的選型，注意4個參數(shù)：漏源電壓（D、S兩端承受的電壓）、工作電流（經(jīng)過MOS管的電路）、開啟電壓（讓MOS管導通的G、S電壓）、工作頻率（最大的開關頻率
2021-10-28 07:46:04
只相當于一個導體。因此，我們電路或者電源設計人員最關心的是MOS的最小傳導損耗?！ ∥覀兘?jīng)常看MOS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS（ON）參數(shù)來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS
2018-10-31 13:59:26
在MOS管中 寄生電阻、電感、電容過大過小可能對雙閉環(huán)電路產(chǎn)生的短路/短路故障，根據(jù)輸出的電壓波形做具體的分析判斷，可以倒推出MOS管中具體哪部分出的問題附件中列出了可能的故障類型，是否可以調(diào)節(jié)具體的參數(shù)來實現(xiàn)？ 謝謝
2020-05-23 23:48:06
不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4905型PMOS管。從圖中可見此PMOS管
2015-07-24 14:24:26
，MOS管的輸入與輸出是相位相反，恰好180度，也就是等效于一個反相器，也可以理解為一個反相工作的運放，如下圖：有了以上模型，就好辦了，尤其從運放這張圖中，可以一眼看出，這就是一個反相積分電路，當
2018-11-21 14:43:01
mos管的基本參數(shù)，大家熟悉的必然是Ids電流，Ron導通電阻，Vgs的閾值電壓，Cgs、Cgd、Cds這幾項，然而在高速應用中，開關速度這個指標比較重要。上圖四項指標，第一項是導通延時時間，第二項
2018-12-05 14:15:27
一般有三個極。四類MOS管增強型運用較為普遍，下圖是畫原理圖時增強型NMOS和PMOS管的符號：漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負載（指有線圈負載的電路，如馬達），這個二極管
2019-01-28 15:44:35
1、首先看一個普通SOT-23封裝mos管的開關參數(shù)Qg表示MOS管開關導通時柵極需要的總的電荷量，這個參數(shù)直接反應mos管的開關速度，越小的話MOS管的開關速度就越快。
2021-10-29 08:10:05
MOS管的半導體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機制MOS管的驅(qū)動應用
2021-03-08 06:06:47
和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導。gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)。一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)?！ ?.導通電阻RON 導通電阻RON說明
2018-11-20 14:06:31
跨導。gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)。一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)?！ ?.導通電阻RON 導通電阻RON說明了VDS對ID的影響，是漏極特性某一
2018-11-20 14:10:23
的情況下，測得的漏極和柵極之間的電容為反向傳輸電容。反向傳輸電容等同于柵漏電容。Cres =Cgd，反向傳輸電容也常叫做米勒電容，對于開關的上升和下降時間來說是其中一個重要的參數(shù)，他還影響這關斷延時
2019-08-20 07:00:00
[*附件：MOS管的ID與極限參數(shù)介紹.pdf]()歡迎咨詢，謝謝。
2023-04-03 13:36:59
?！ ?、MOS管的調(diào)試是一個復雜而又重要的過程，必須要確保每一個細節(jié)都滿足實際要求，以有效地為MOS管工作提供恒定的參數(shù)和精確的電壓等。原作者：8點專利數(shù)據(jù)
2023-03-08 14:17:15
擊穿，進而保護MOS；對于高速開關場合，寄生二極管由于開通速度慢，導致反向后無法迅速開通，進而損壞MOS，因此需要在外部并聯(lián)一個快恢復或肖特基二極管?！ ?.MOS管的主要參數(shù) IRF3205
2021-01-20 16:20:24
現(xiàn)在用全橋輸出拓撲較多經(jīng)?？匆娫诿總€橋臂的MOS管G極前加一個阻值不大但是功率較大的電阻同時和MOS并聯(lián)的還有一個RCD（電阻+二極管+電容）電路現(xiàn)在知道這個RCD電路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。2，寬電壓應用中輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路
2018-11-14 09:24:34
MOS管的漏電流在微型可穿戴設備中，對于電池的功耗要求很高，所以為了省電，其實電路也是很多的，最省電的無疑就是直接斷開電池的供電了。這種方案要用到一個NMOS和一個PMOS組合使用，NMOS作為下管
2021-10-12 16:45:51
在開關電源當中，開關管的關斷和開通時間影響著開關電源的工作效率，而MOS管的一些參數(shù)起著決定性的作用，那么MOS管的選擇又存在哪些技巧呢? 由于MOS管對電路的輸出有很好的益處，其在電源中經(jīng)
2021-10-28 08:44:51
電壓、最大電流?！ 〉芏鄷r候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個最好的設計方案?！ 《鴮?b class="flag-6" style="color: red">MOS管更細致地追求，還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一...
2022-01-03 06:54:52
**。所以開關電源和馬達驅(qū)動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。 MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于**工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在
2019-02-14 11:35:54
相當于與一個0.1歐姆電阻并聯(lián)放電，瞬間電流從200多A降到幾毫安，mos管關于電流的參數(shù)主要有兩個，持續(xù)工作最大電流IDM，最大單次脈沖電流IDM，這兩個都不太適合來評價我的這種用法是否可行，不知道
2018-11-21 14:47:12
問題（1）流過MOS管的瞬時電流就是60乘以5為300A嗎?（2）給MOS管選型，看到的DATASHEET中有兩個參數(shù)，Id（連續(xù)工作電流）圖中是102A和Idm（寫的是脈沖最大電流）圖中是300A 我
2017-08-18 13:50:39
一、MOS管選型注重的參數(shù)1、負載電流IL?--它直接決定于MOSFET的輸出能力；2、輸入-輸出電壓–它受MOSFET負載占空比能力限制；3、開關頻率FS–參數(shù)影響MOSFET開關瞬間的耗散功率
2021-11-16 09:06:09
想請教大家一下MOS管的問題，原來產(chǎn)品上使用一個IRF4905S的MOS管，現(xiàn)在想用其他的替代。設計要求是120℃的環(huán)境下，最大電流30A能持續(xù)工作。我找了幾個相近的，不知道適不適合，請大家指教。IPD50P04P4-13 ； DMP4010SK3Q ；ATP114 ；有沒有合適的MOS管推薦？
2016-10-12 20:16:45
自己設計了一個MOS管驅(qū)動電路，仿真時候上管正常開關，下管始終關斷，但是測得上管柵源極之間電壓波形是這樣的，有一個很大的抖動，想請教這是為什么？
2019-11-06 20:46:17
`我司專注中低壓mos管（場效應管）AON6144參數(shù)以及各系列、型號，保證原裝正品，大量現(xiàn)貨供應，閃電發(fā)貨。產(chǎn)品品牌有AOS美國萬代、松木MOS管、新潔能MOS管、mojay茂捷AC-DC
2020-03-13 11:28:27
做開關電源尋找MOS功率管時，對其電流參數(shù)不理解，Continuous Drain Current (Package limited)=100A，Continuous Drain Current
2018-01-09 12:08:26
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS,導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統(tǒng)里，要得
2019-07-03 07:00:00
Mos管有哪些參數(shù)？Mos管的功耗主要來自哪？
2021-09-30 06:34:24
誰來闡述一下mos管三個引腳怎么區(qū)分？
2019-10-28 14:47:13
mos管測試的時候有個是測試GMP的這個是測試的什么？他和跨導GM是什么關系？
2015-08-13 16:45:08
三極管選型要看功率結(jié)合進行選型，那么MOS管需要結(jié)合功率選型嗎？看了很多MOS管選型，就是考慮VDS ，VGS， 等效電阻，損耗，結(jié)溫，就是沒有考慮MOS管的功率，請問MOS選型是不是可以自動忽略功率這項參數(shù)，我用的是AO3400驅(qū)動150mA的電機。有老哥知道不，請解答下。
2020-11-27 22:58:39
一個簡單的NPN+P_MOS開關控制，負載是850nm激光二極管，驅(qū)動MCU是STC15F2?，F(xiàn)在出現(xiàn)mos管容易損壞的情況，本人菜鳥不知道是什么原因造成的，還望各位大神能指點一二
2018-08-29 18:06:20
來搭建H橋，一般常用的元器件是三極管，MOS管，三極管的電路比較簡單，但有一個問題，CE極導通的時候會有一個0.7V左右的壓降，從而使加到電機上電壓減小，采用MOS管可以很好的解決這個問題，MOS管導
2018-05-23 18:37:13
選型最近在推MOS管的過程中，遇到一些問題，最主要的是一個品牌交換參數(shù)的對應問題，很多時分我們只關注了電流電壓
2021-11-12 08:43:18
LT1910高端MOS管驅(qū)動IC具有哪些參數(shù)應用？
2021-11-03 06:11:06
目的：IO口控制第一個MOS管通斷來實現(xiàn)第二個MOS管柵極是否有15v加上繼而控制第二個MOS的快速通斷。措施一：如圖一所示，第一個MOS管G加IO口，此MOS管vgs（th）為0.45到1v
2018-10-17 15:16:30
想必電路設計的設計師在選擇MOS管是都有考慮過一個問題，是該選擇P溝MOS管還是N溝MOS管？作為廠家而言，一定是想要自己的產(chǎn)品能夠以更低的價格來競爭其他的商家，也需要反復推選。那到底該怎么挑選呢？具有豐富經(jīng)驗的飛虹MOS管廠家這就為大家分享。
2019-01-24 17:48:59
1.15（a）所示，是Salicide的MOS管結(jié)構(gòu)圖。1.6 溝道離子注入和暈環(huán)離子注入技術MOS器件的特征尺寸縮小到深亞微米導致的另外一個問題是短溝道效應引起的亞閾值漏電流。隨著MOS器件的柵極長度
2018-09-06 20:50:07
極性三極管，它是電流控制器件。它的基極串聯(lián)電阻是為了了限制基極電流的大小，否則對于驅(qū)動信號源來說，三極管的基極對地之間就等效成一個二極管，會對前面驅(qū)動電路造成影響?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">MOS管，由于它的柵極相對于漏極
2023-03-10 15:06:47
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
MOS管的選型是很重要的一個環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本，同時也會給工程師帶來諸多麻煩，下面就跟著銀聯(lián)寶科技一起來學習下MOS管正確的選擇方法吧！第一步：選用N溝道還是P
2018-10-19 10:10:44
創(chuàng)作時間：2020-11-17目錄：1.使用MOS管作為開關控制的應用2.單晶體管負載開關3.MOS管說明，什么是PMOS,什么是NMOS?4.實例，采用PMOS進行開關控制，且如何看懂
2021-10-29 08:39:45
設計一個mos管作為負載的電池放電器，如何控制mos管的開關特性，Vgs又如何控制
2016-03-10 12:02:57
參數(shù)的，怎么不能修改寬長??？2、我主要是想：在后續(xù)的共源共柵放大器設計中，能夠根據(jù)設計的電路圖，計算出每一個mos管的寬長，并設置相應參數(shù)。求大神賜教??！
2015-04-16 21:36:28
只相當于一個導體。因此，我們電路或者電源設計人員最關心的是MOS的最小傳導損耗?！ ∥覀兘?jīng)?？?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS（ON）參數(shù)來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS
2018-10-25 14:40:18
，而且也沒有一個簡單的公式可用于MOS管的評估。但我們不妨考慮一些關鍵的參數(shù)，以及這些參數(shù)為什么至關重要。傳統(tǒng)上，許多電源設計人員都采用一個綜合品質(zhì)因數(shù)(柵極電荷QG×導通阻抗RDS(ON))來評估
2018-12-17 14:16:21
代碼主要在這個文件里：C:\Users\DQ_SZU\Desktop\RoboFlyDEMO\Drive\src\motor.c我們要利用mos管的特性，定義4個引腳復用推挽輸出，同時要注意每一個
2022-01-19 08:19:48
兩個mos管，第一個MOS管柵極接單片機io口，通過io口控制通斷繼而控制第二個mos管通斷，開關頻率要求不高，對開關時間和導通電阻有要求，開關時間和導通電阻都要盡可能小，有沒有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫的簡單示意圖
2018-10-16 22:40:53
MOS管的參數(shù)如何查看，以及如何修改參數(shù)，如寬長比？ORCAD謝謝
2013-05-12 12:41:29
如何去選擇新MOS管來提高產(chǎn)品效能？選擇新的MOS管要考慮哪些參數(shù)？
2021-06-08 07:09:13
阻，兩者均為幾千歐。因此根據(jù)測量可知，兩個管子的導通程度不一樣，MOS管的D、S之間電阻值是遠小于IGBT管c、e之間的電阻值，于是可以分辨出MOS與IGBT管。`
2019-05-02 22:43:32
@[TOC]驅(qū)動一個MOS管1 如何驅(qū)動一個MOS管1.1 推挽電路直接上菜，這就是大名鼎鼎的推挽電路了，學過單片機的小伙伴們是不是很熟悉，沒錯就是IO口內(nèi)部的推挽電路，也叫圖騰柱電路，古代部落對于
2022-02-28 13:41:37
本帖最后由 hrbcw 于 2014-1-8 11:36 編輯
如下圖中的可調(diào)電源：1. 如何將Q改成MOS管，要并聯(lián)幾個MOS管，要修改那些電路。2.如果能改的話用什么MOS 管 或什么參數(shù)
2014-01-07 18:50:06
構(gòu)成了一個N溝道（NPN型）增強型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。MOS管的基本特性：MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在
2018-10-25 16:36:05
，買的不好就很糟心。 在電子元件當中，參數(shù)和型號也很重要的，要知道電子產(chǎn)品是由不同的電子元件組成，每一個電子元件在自己的位置上發(fā)揮自己的作用。在選購電子元件時要能看懂上面的參數(shù)和型號，參數(shù)沒看懂型號沒
2022-05-23 14:13:33
。影響MOS管質(zhì)量高低的參數(shù)非常多，像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上無法標注這么多參數(shù)，所以在MOS管表面一般只標注了產(chǎn)品的型號?！ ∵€要說明的是，溫度也是MOS管一個非常重要的性能參數(shù)。主要包括環(huán)境溫度
2018-12-28 11:54:50
用MOS管做一個加熱電路，請教哈各位。我應該怎么設置電路，選擇哪個型號的MOS管
2015-07-29 14:23:13
1、溝道 上面圖中，下邊的p型中間一個窄長條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導通后是電阻特性，因此它的一個重要參數(shù)就是導通電阻，選用MOS管必須清楚這個參數(shù)是否符合需求
2019-01-03 13:43:48
多以NMOS為主?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS
管的三
個管教之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的，寄生電容的存在使得在設計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩
一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹?！ ≡?/div>
2018-12-03 14:43:36
的單向?qū)ǚ较?b class="flag-6" style="color: red">一致?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">一些電池保護電路中，常有兩個MOS管共漏極使用的情況，因為在這些保護電路中，既要進行過充檢測也要進行過放檢測?！ 〈蜷_該類MOS的規(guī)格書我們會看到許多如下參數(shù)： 那么如何測試
2023-03-10 16:26:47
對于一個MOS電路來說，計算的話，有兩個參數(shù)是比較重要的。一個是vth，一個是UnCox。不考慮其他效應。那有一個工藝庫，就要知道工藝庫的這兩個參數(shù)。一種方法直接看工藝庫參數(shù)，但是現(xiàn)在的工藝庫
2022-07-15 17:54:48
求助一個完善的MOS管 H橋電機驅(qū)動電路，帶PWM控制的
2017-04-08 09:51:04
求推薦一款光MOS管，要兩個光MOS管封裝在一個片子里，隔離電壓在1000v以上，現(xiàn)在用的是松下的AQV258HAX，產(chǎn)品升級，如果要用兩個的話空間和成本都受較大限制，現(xiàn)在希望尋找一款產(chǎn)品進行替代。
2016-07-22 10:07:18
特性對開關電源工程師來說至關重要，下面就對MOS管的特性做一個簡要的分析?！ ?b class="flag-6" style="color: red">一、MOS管的電壓特性，在MOS管柵源之間的施加電壓在多數(shù)情況下不能超過20V,在實際應用中功率MOS管的柵極電壓一般被控
2018-10-19 16:21:14
加入保護電阻，所以這也是MOS管可能擊穿的原因，而通過更換一個內(nèi)部有保護電阻的MOS管應可防止此種失效的發(fā)生。還有由于保護電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護電路失去作用。所以
2012-07-14 15:34:14
θsink-ambiance等。如其間還有絕緣材料還須將其熱阻考慮進去?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管損耗的8個組成部分 在器件設計選擇過程中需要對MOS管的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計算值和預計波形，套用公式進行理論上的近似計算）。`
2019-02-21 12:02:20
在MOS管的G極和S極所加的電壓大于芯片所規(guī)定的最大值，MOS管會出現(xiàn)什么現(xiàn)象、？比如在IRF540N的GS端電壓為24V，在IRF4905的GS端電壓為-24V，這個倆個管子會出現(xiàn)什么現(xiàn)象？IRF540/IRF4905的datasheet的參數(shù)如下圖片所示、謝謝?。?！
2016-01-09 20:56:09
請問單獨用MOS管開關和三極管配合MOS管做開關有什么區(qū)別呢？
2018-11-27 15:28:29
請問高手，DLPA3005D內(nèi)部集成了mos管，為什么要用外置mos管？是因為內(nèi)置mos管的電流小嗎？如果是的話，能給出一個參數(shù)嗎？比如電流有多少。我看資料上好像沒提。
2019-02-13 07:42:42
有一道題，現(xiàn)在需要用一顆MOS管來控制閃光燈，要求閃光的時間盡可能的短，對于這顆MOS管的選型，你會關注哪些參數(shù)？求指教謝謝！
2019-07-03 04:36:03
求推薦一款光MOS管，要兩個光MOS管封裝在一個片子里，隔離電壓在1000v以上，現(xiàn)在用的是松下的AQV258HAX，產(chǎn)品升級，如果要用兩個的話空間和成本都受較大限制，現(xiàn)在希望尋找一款產(chǎn)品進行替代。
2020-05-20 10:00:34
ncp81074a這個mos管的驅(qū)動看不太懂，為啥珊級要加兩個電阻，OUTL和OUTH不是是驅(qū)動兩個mos管嗎？只用一個電阻不行嗎？
2020-08-10 10:34:51
麻煩推薦一個1MHz的mos管
2012-11-28 11:07:13
二極管上面流過，然后與R1串聯(lián)放電，這樣等減小了驅(qū)動電阻，讓MOS管快速的關斷，減小了關斷損耗，這一個電路中，一般R1與R4的電阻參數(shù)的匹配，一般R1要小于R4，比如R1 是22Ω，R4是47Ω的參數(shù)
2021-06-28 16:44:51
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