在一周前看到在公眾號(hào)“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文，“Why 100Ω？ 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡(jiǎn)單結(jié)論背后不簡(jiǎn)單的問(wèn)題”，對(duì)MOSFET管柵極為什么放置“一個(gè)約100Ω串聯(lián)電阻”進(jìn)行討論。
2022-07-01 14:19:00
6634 為了穩(wěn)定性，必須在 MOSFET 柵極前面放一個(gè) 100 Ω 電阻嗎？
2023-03-13 10:18:05986 在驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們?cè)跍y(cè)得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 14:26:262247 
在做一個(gè)仿真的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)一些奇怪現(xiàn)象，于是就單獨(dú)把MOS管拿出來(lái)放一邊仿真看看。1.左邊2N7002mos管源極如果接100歐電阻，發(fā)現(xiàn)電阻上還會(huì)有2.16V的電壓(如圖1)。2.如果改為1000歐
2019-03-15 13:51:28
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極很容易發(fā)生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個(gè)小電阻，我想問(wèn)為什么電阻可以抑制振蕩？請(qǐng)眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
大功率電源的PFC電路中，根據(jù)MOS管的Qg和導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)電流約5A。按照一般的說(shuō)法，如果驅(qū)動(dòng)電流設(shè)計(jì)的太大，會(huì)引起電壓過(guò)沖和振蕩，除此之外，還會(huì)有什么不利后果？會(huì)損壞MOS管嗎？根據(jù)經(jīng)驗(yàn)一般最大在多少A比較好？謝謝指教！
2022-05-05 23:01:18
通是要考慮Vgs，就像三極管的Vbe一樣，導(dǎo)通之后Vbe（Vgs）依然是不變的，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">柵極和源極間是一個(gè)反向PN結(jié)（因此導(dǎo)通電壓較BJT高些），導(dǎo)通時(shí)該P(yáng)N結(jié)反向擊穿，通過(guò)你上面說(shuō)的100電阻到地，壓降還是
2012-07-04 17:34:06
通是要考慮Vgs，就像三極管的Vbe一樣，導(dǎo)通之后Vbe（Vgs）依然是不變的，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">柵極和源極間是一個(gè)反向PN結(jié)（因此導(dǎo)通電壓較BJT高些），導(dǎo)通時(shí)該P(yáng)N結(jié)反向擊穿，通過(guò)你上面說(shuō)的100電阻到地，壓降還是
2012-07-06 16:19:39
的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至有可能擊穿其G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用。
2017-06-01 15:59:30
閾值電壓，可以在柵極接一個(gè)到地的電阻。但是這個(gè)電阻又不能太小，否則會(huì)在開(kāi)關(guān)低邊MOS管的時(shí)候，電流被分流很大一部分。尤其是在驅(qū)動(dòng)能力比較差的驅(qū)動(dòng)器中，會(huì)導(dǎo)致低邊MOS管的開(kāi)啟時(shí)間拉長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)損耗會(huì)變得
2023-03-15 16:55:58
的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010
2012-08-15 21:08:49
，平均功率很低，所以待測(cè)MOS管均不明顯發(fā)熱，保護(hù)器件不受損。 選定了MOS管的供應(yīng)商后將挑選參數(shù)盡量一致的MOS管。圖為一塊具有16只IRF4905管的待測(cè)部件。 這些MOS管源極并聯(lián)，柵極通過(guò)電阻
2015-07-24 14:24:26
數(shù)字電路中MOS管常被用來(lái)作開(kāi)關(guān)管，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開(kāi)關(guān)的電路中，根據(jù)構(gòu)成和導(dǎo)通特性可分為四類(lèi)MOS管：g被稱(chēng)為柵極，d為漏極，s為源極，B為襯底，在實(shí)際生產(chǎn)中，襯底與源極相連，所以MOS管
2019-01-28 15:44:35
三極管放大好理解，輸入電流被放大，波形相位都保持不變，峰峰值變大。但是MOS管放大我就不理解了，柵極絕緣沒(méi)有電流流入，那么他放大的是什么呢？看起來(lái)MOS管只是由柵極電壓控制的一個(gè)開(kāi)關(guān)，或者說(shuō)是由柵極電壓控制一個(gè)可變電阻。請(qǐng)前輩們來(lái)解答疑惑
2020-03-04 14:22:43
，可以使MOS管的VT值降到2～3V?！ ?.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω?！ ?.漏源擊穿
2018-11-20 14:06:31
～3V。 2.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω?！ ?.漏源擊穿電壓BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10:23
嗎，為什么？2、導(dǎo)通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級(jí)別的，非常小。所以具體過(guò)程是不是剛開(kāi)始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導(dǎo)通后柵極電流就變小，但為什么這個(gè)電流會(huì)變小呢？
2021-04-27 12:03:09
現(xiàn)在用全橋輸出拓?fù)漭^多經(jīng)?？匆?jiàn)在每個(gè)橋臂的MOS管G極前加一個(gè)阻值不大但是功率較大的電阻同時(shí)和MOS并聯(lián)的還有一個(gè)RCD（電阻+二極管+電容）電路現(xiàn)在知道這個(gè)RCD電路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 編輯
（以N管為例）簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是：1. 柵極加正電壓（VGS>VTH），形成縱向電場(chǎng)，吸引電子、排斥空穴，在柵氧化層下
2012-07-06 16:06:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
（以N管為例）簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是：1. 柵極加正電壓（VGS>VTH），形成縱向電場(chǎng)，吸引電子、排斥空穴，在柵氧化層下
2012-07-04 17:27:52
MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速度比三極管快。
2023-03-12 05:16:04
MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
連接的二極管，它們之間的電阻很大，漏極D與源極S之間不具備導(dǎo)電的溝道，所以加任何電壓，都不會(huì)產(chǎn)生漏極電流Id。圖3 N溝道增強(qiáng)型當(dāng)將襯底B與源極S短接，在柵極G和源極S之間加正電壓，即Vgs＞0
2020-05-17 21:00:02
MOS管具有正溫度系數(shù)，網(wǎng)上很多說(shuō)不需要均流電阻。三極管是負(fù)溫度系數(shù)，才需要在發(fā)射極串接均流電阻。網(wǎng)上看到有人說(shuō)，MOS管只在一定的電流范圍內(nèi)才能起到均流作用，那么大電流下還是要加均流電阻咯?，F(xiàn)在
2021-01-05 18:19:30
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來(lái)了解一下MOS管開(kāi)關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-03 07:00:00
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來(lái)了解一下MOS管開(kāi)關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 08:00:00
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來(lái)了解一下MOS管開(kāi)關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 07:30:00
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)
2018-10-25 14:40:18
、BulkFinFET和SOIFinFET。 1、鋁柵MOS管 MOS管誕生之初，柵極材料采用金屬導(dǎo)體材料鋁，因?yàn)殇X具有非常低的電阻，它不會(huì)與氧化物發(fā)生反應(yīng)，并且它的穩(wěn)定性非常好。柵介質(zhì)材料采用
2018-11-06 13:41:30
分析mos管的封裝形式 主板的供電一直是廠商和用戶(hù)關(guān)注的焦點(diǎn)，視線從供電相數(shù)開(kāi)始向MOS管器件轉(zhuǎn)移。這是因?yàn)殡S著MOS管技術(shù)的進(jìn)展，大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOS管以及多芯片DrMOS開(kāi)始
2018-11-14 14:51:03
不能用?！ ”３稚鲜鰻顟B(tài)；此時(shí)用一只100K～200K電阻連接于柵極和漏極，如下圖所示；這時(shí)表針指示歐姆數(shù)應(yīng)該越小越好，一般能指示到0歐姆，這時(shí)是正電荷通過(guò)100K電阻對(duì)MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極
2018-11-01 15:21:31
1.直接驅(qū)動(dòng) 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時(shí)提供放電回路的;穩(wěn)壓二極管D1和D2是保護(hù)MOS管的門(mén)]極和源極;二極管D3是加速MOS的關(guān)斷
2018-11-16 11:43:43
管的柵極和源極連接起來(lái)，假如指針立刻返回?zé)o限大，則MOS完好。 3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無(wú)限大?！ ?、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極
2018-11-29 12:03:42
關(guān)于mos管的驅(qū)動(dòng)知識(shí)點(diǎn)不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
)：290NS工作溫度：-55~+150℃引線數(shù)量：3 1、去掉連接6N60柵極和源極的電阻，萬(wàn)用表紅黑表筆不變。如果去掉電阻后針逐漸恢復(fù)到高阻或無(wú)窮大，則MOS管就漏電，不變則完好。2、然后用一根導(dǎo)線
2021-10-23 15:15:38
目的：IO口控制第一個(gè)MOS管通斷來(lái)實(shí)現(xiàn)第二個(gè)MOS管柵極是否有15v加上繼而控制第二個(gè)MOS的快速通斷。措施一：如圖一所示，第一個(gè)MOS管G加IO口，此MOS管vgs（th）為0.45到1v
2018-10-17 15:16:30
全橋逆變后接的是容性負(fù)載，全橋的高壓是220v整流的，驅(qū)動(dòng)是用的ir21834做的 自舉電容是用的1uf快速二極管用的是rf107mos管耐壓是500v 電流8a 全橋逆變接容性負(fù)載工作大概3分鐘mos管的漏極和柵極通了且mos管的封轉(zhuǎn)裂了 是由于負(fù)載引起的過(guò)熱還是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成2個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問(wèn)題就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過(guò)渡。Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小
2019-07-26 07:00:00
（），低壓平臺(tái)管子設(shè)置平臺(tái)時(shí)間范圍（）A、平臺(tái)時(shí)間一般300ns-1us柵極電阻10R-100RB、平臺(tái)時(shí)間一般90ns-300ns柵極電阻10R-50R2、橋式電路MOS互補(bǔ)方波輸入，死區(qū)波形（），為什么要加入死區(qū)（）`
2021-06-05 07:07:11
原理相同于V2屏。只是在每一只大功率MOS開(kāi)關(guān)管的柵極泄放電阻（R209、R206）上又并聯(lián)了過(guò)壓保護(hù)二極管；ZD202、ZD201及ZD204、ZD203圖3-33、 海信液晶開(kāi)關(guān)電源PFC部分激勵(lì)電路分析
2012-08-09 14:45:18
向右偏轉(zhuǎn)的情形。其原因是人體幾個(gè)部位和電阻對(duì)MOS管起到偏置作用，使之進(jìn)入飽和區(qū)。（2）也可以用舌尖舔住柵極，現(xiàn)象同上。來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)，如侵刪
2019-01-08 13:28:49
。 可是很多實(shí)際MOS管電路中，在MOS管柵極上所串聯(lián)的電阻幾乎無(wú)處不在，似乎大家都忘記了，這個(gè)電阻存在會(huì)延長(zhǎng)MOS導(dǎo)通和截止的時(shí)間，增加無(wú)謂的損耗。 那為什么有些電路上還要在MOS管的柵極前放這個(gè)
2023-03-10 15:06:47
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應(yīng)該可以測(cè)得到電阻一般為幾千歐以?xún)?nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開(kāi)快關(guān)
2021-12-31 06:20:08
管偏置的極性。如結(jié)型MOS管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等?！ 。?）MOSMOS管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝
2020-06-28 16:41:02
請(qǐng)問(wèn)一下大家，這個(gè)電路圖是不是有問(wèn)題啊，我在網(wǎng)站上看見(jiàn)他的分析是說(shuō)，當(dāng)Vo增加時(shí)，V+增加，Va增加，導(dǎo)致MOS管的柵極電壓下降，導(dǎo)致MOS管的阻抗減小，使得Vo增加，從而抑制了Vo的下降；反之
2016-03-19 21:52:21
大家好，問(wèn)個(gè)在網(wǎng)上經(jīng)常碰到的問(wèn)題，但我想再問(wèn)得深入些。 關(guān)于MOSFET，就說(shuō)NMOS管吧，平時(shí)說(shuō)到柵極，大家都習(xí)慣性的串接一個(gè)柵極電阻大小從10歐--100歐不等。 而且有人說(shuō)為了提高開(kāi)通速度甚至
2013-02-08 15:28:29
都怕靜電； Mos開(kāi)關(guān)原理（簡(jiǎn)要）：Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了mos芯片
2020-06-26 13:11:45
兩個(gè)mos管，第一個(gè)MOS管柵極接單片機(jī)io口，通過(guò)io口控制通斷繼而控制第二個(gè)mos管通斷，開(kāi)關(guān)頻率要求不高，對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻有要求，開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻都要盡可能小，有沒(méi)有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫(huà)的簡(jiǎn)單示意圖
2018-10-16 22:40:53
在一張圖中，源漏相連，襯底接地，柵極接入電路中加電壓，那這個(gè)時(shí)候MOS管是有什么作用呢？那為什么要用MOS而不直接用一個(gè)電容呢？這個(gè)地方加一個(gè)MOS電容的作用是什么呢，濾波？
2021-06-24 06:28:33
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長(zhǎng)，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說(shuō)明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，每個(gè)MOS管都由獨(dú)立
2018-10-12 16:47:54
維修過(guò)程中的攔路虎，如何區(qū)分和判斷成為必要手段。MOS管和IGBT管的辨別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管的識(shí)別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管它們的柵極位置一樣
2019-05-02 22:43:32
怎樣去計(jì)算MOS管柵極的驅(qū)動(dòng)電流呢？如何對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試呢？
2021-09-28 07:36:15
可能擊穿其G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用。<p></p> 挖掘mos管被擊穿的原因及解決方案`
2018-11-05 14:26:45
。 2、n型 上圖表示的是p型MOS管，讀者可以依據(jù)此圖理解n型的，都是反過(guò)來(lái)即可。因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通，而p型的相反?！ ?、增強(qiáng)型 相對(duì)于耗盡型，增強(qiáng)型是通過(guò)“加厚
2019-01-03 13:43:48
整流管使用時(shí)柵極的電壓應(yīng)當(dāng)取多少合適？作為整流的mos管Q1,Q2,Q3,Q4是否與S1,S2,S3,S4的導(dǎo)通時(shí)間形成互補(bǔ)？感謝！
2017-08-03 14:31:02
開(kāi)關(guān)MOS管與線性MOS管的區(qū)別，1.是不是開(kāi)關(guān)MOS管的只有“開(kāi)”與“關(guān)”2種狀態(tài)？2.是不是線性MOS管可以利用柵極的電壓大小來(lái)控制導(dǎo)通的比率?3.開(kāi)關(guān)的MOS管是使用數(shù)字信號(hào)控制。而線性的MOS管使用模擬信號(hào)控制？
2023-03-15 11:51:44
，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長(zhǎng)，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說(shuō)明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，每個(gè)MOS管都由獨(dú)立
2018-11-28 12:08:27
。 求問(wèn)MOS管關(guān)斷延遲大怎么調(diào)？ 搞搞前級(jí)，搞搞后級(jí)。就可以了。。。斷掉前級(jí)，測(cè)試MOS輸入電平。是低就上拉，高就下拉?？傊麑?duì)著干。然后把前級(jí)加上去。試試看。調(diào)柵極的電阻啊或許
2019-01-08 13:51:07
一.基本原理MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生電容，這是由制作工藝決定的。MOS管的開(kāi)通和關(guān)斷其實(shí)就是對(duì)Cgs充放電的過(guò)程。開(kāi)啟時(shí)通過(guò)柵極R1電阻對(duì)Cgs充電，充電時(shí)間常數(shù)=R1*Cgs。所以
2023-02-16 13:44:12
對(duì)MOS管是有害的。如果必須在MOS管柵極前加齊納二極管,那么可以在MOS管的柵極和齊納極管之間插入一個(gè)5~10歐的小電阻或在柵源之間接一個(gè)小電容(電容值要小于MOS管輸入電容的1/50)來(lái)消除自振蕩
2018-10-19 16:21:14
，或者有可能造成功率管遭受過(guò)高的di／dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在MOS驅(qū)動(dòng)器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個(gè)電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆。 2)防止柵源極間過(guò)電壓，由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16
擊穿有兩種方式： 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣，有
2019-02-15 11:33:25
的電子通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)入被耗盡的垂直的N區(qū)中和正電荷，從而恢復(fù)被耗盡的N型特性，因此導(dǎo)電溝道形成。由于垂直N區(qū)具有較低的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOS管將明顯降低?！ ⊥ㄟ^(guò)以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)
2018-11-01 15:01:12
請(qǐng)問(wèn)這個(gè)電壓跟隨器前加R8電阻的作用是什么呢？?jī)H僅是限流作用嗎？
2022-03-25 22:54:19
為0，此時(shí)mos管柵極電壓變?yōu)?6.3V（正常情況下，AI+輸入0時(shí)，柵極電壓受ref反偏影響在-3v左右），即使再次給定AI+AI-至50a電流的給定值，mos管仍無(wú)法開(kāi)通，柵極電壓仍維持在-6.3v。請(qǐng)大家?guī)兔?b class="flag-6" style="color: red">分析下什么原因？謝謝
2018-08-22 11:27:10
Rg具體會(huì)影響到那些參數(shù)？我個(gè)人的理解是①這個(gè)電阻對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)頻率有關(guān)，決定了對(duì)mos管的輸入輸出電容的充放電時(shí)間②匹配集成驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)能力，電阻越到，集成驅(qū)動(dòng)所需的最大驅(qū)動(dòng)電流也就越小。大家有什么看法，請(qǐng)教一下
2017-06-05 11:28:22
這個(gè)是一個(gè)升壓電路的部分電路，6腳PWM輸出控制N-MOS，我仿真發(fā)現(xiàn)不同的柵極電阻R6，PWM經(jīng)過(guò)R6后，波形失真很?chē)?yán)重，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)R6是如何影響到后級(jí)波形，圖中灰色的代表PWM輸出，黃色代表經(jīng)過(guò)R6后的柵極門(mén)波形
2017-08-11 10:24:02
MOS管柵極接的100K電阻起什么作用，這個(gè)電阻取值是的依據(jù)是什么。
2018-10-24 15:51:49
選用了UTC6N10G，VGS(th) =1-3V ，驅(qū)動(dòng)電壓為5V，現(xiàn)在有兩種方式圖1是把柵極電阻R1放在泄放電阻R2前，優(yōu)點(diǎn)是不會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓造成分壓，確保mos可靠開(kāi)通，缺點(diǎn)暫時(shí)不知道。圖2是把
2019-07-31 09:34:23
選用了UTC6N10G，VGS(th) =1-3V ，驅(qū)動(dòng)電壓為5V，現(xiàn)在有兩種方式，圖1是把柵極電阻R1放在泄放電阻R2前，優(yōu)點(diǎn)是不會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓造成分壓，確保mos可靠開(kāi)通，缺點(diǎn)暫時(shí)不知道。圖2
2018-10-23 11:07:38
ncp81074a這個(gè)mos管的驅(qū)動(dòng)看不太懂，為啥珊級(jí)要加兩個(gè)電阻，OUTL和OUTH不是是驅(qū)動(dòng)兩個(gè)mos管嗎？只用一個(gè)電阻不行嗎？
2020-08-10 10:34:51
傳送與運(yùn)輸過(guò)程需要特別注意，以減少損失，避免無(wú)所謂的糾紛。防護(hù)的話加齊納穩(wěn)壓管保護(hù)?！ ‖F(xiàn)在的MOS管沒(méi)有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的VMOS，主要是不少都有二極管保護(hù)?！ MOS柵極電容大，感應(yīng)
2022-05-14 10:22:39
文章介紹了MOS管柵極電阻會(huì)影響開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)的損耗，應(yīng)該選用多大阻值的呢？
2016-05-06 16:57:53
37 老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-09 15:21:0019 MOS管也可以沒(méi)有柵極電阻的情況下工作，但添加一個(gè)柵極電阻可以防止一些潛在的問(wèn)題。一般為1000 Ω就可以。
2022-07-29 16:18:324197 在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個(gè)極的基礎(chǔ)知識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用
2022-09-27 15:29:507510 如果沒(méi)有
柵極電阻，或者
電阻阻值太小
MOS導(dǎo)通速度過(guò)快，高壓情況下容易擊穿周?chē)钠骷?/div>
2022-10-27 09:41:296133 1、如果沒(méi)有柵極電阻，或者電阻阻值太小 ? MOS導(dǎo)通速度過(guò)快，高壓情況下容易擊穿周?chē)钠骷?? ? 2、柵極電阻阻值過(guò)大 ? MOS管導(dǎo)通時(shí)，Rds會(huì)從無(wú)窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆
2022-11-04 13:37:245193 在高壓下，PCB的設(shè)計(jì)也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導(dǎo)線不要與母線電壓平行分布。否則母線高壓容易耦合至下方導(dǎo)線，柵極電壓過(guò)高擊穿MOS管。
2023-01-10 11:33:55709 MOS管，又叫絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于電壓控制電流型元件，是開(kāi)關(guān)電路中的基本元件。其特點(diǎn)是柵極（G）的內(nèi)阻極高。場(chǎng)
效應(yīng)管分為P型和N型，P型場(chǎng)效應(yīng)管由于跨導(dǎo)小、閾值電壓高等原因，已經(jīng)逐漸被NMOS所取代。
2023-03-20 11:21:432 已全部加載完成
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