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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>英飛凌推出CoolGaN雙向開關(guān)和CoolGaN Smart Sense, 提高功率系統(tǒng)的性能和成本效益

英飛凌推出CoolGaN雙向開關(guān)和CoolGaN Smart Sense, 提高功率系統(tǒng)的性能和成本效益

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請問射頻433M雙向反饋功能的開關(guān),如何能夠提高反饋信號強(qiáng)度。發(fā)射功率足夠,反饋信號強(qiáng)度差。

請問射頻433M雙向反饋功能的開關(guān),如何能夠提高反饋信號強(qiáng)度。發(fā)射功率足夠,反饋信號強(qiáng)度差。求大神指點。
2016-09-02 11:36:08

超高性能成本電源芯片U321

`在競爭激烈的市場中要想使產(chǎn)品脫穎而出必須堅持高質(zhì)量低成本這一要求,這樣才能占據(jù)有利的市場資源。深圳銀聯(lián)寶開關(guān)電源芯片U321是一款高性能成本的PWM控制功率器,適用于離線是小功率型應(yīng)用場合,外圍
2018-10-24 14:10:27

JDSU OLP-55功率Smart型光功率

JDSU的手持式光表被全球用戶廣泛使用,JDSU(安科特納)又推出了新的SMART(靈巧型)系列手持式光表幫助您的網(wǎng)絡(luò)達(dá)到更高的性能。JDSU(安科特納)的SMA
2024-04-16 11:22:09

Maxim推出雙向、4選2、USB 2.0交叉點開關(guān)MAX4

Maxim推出雙向、4選2、USB 2.0交叉點開關(guān)MAX4989 Maxim推出雙向、4選2、USB 2.0交叉點開關(guān)MAX4989。該器件能夠切換任何4選2
2008-10-30 09:23:22757

安森美半導(dǎo)體推出用于LED穩(wěn)流的高成本效益離散方案的新線性恒

安森美半導(dǎo)體推出用于LED穩(wěn)流的高成本效益離散方案的新線性恒流穩(wěn)壓器 全球領(lǐng)先的高性能、高效能硅方案供應(yīng)
2009-07-01 09:54:23508

英飛凌推出成本半瓦LED驅(qū)動器系列

英飛凌推出成本半瓦LED驅(qū)動器系列 英飛凌科技股份公司宣布推出新的低成本線性LED驅(qū)動器系列,進(jìn)一步壯大其高能效照明IC產(chǎn)品的陣容。全新推出的BCR320和BCR420產(chǎn)品
2009-12-16 08:54:25633

英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOST

英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件,壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣  2010年1月21日,德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近
2010-01-26 09:25:271092

雙向開關(guān)/SBS,硅雙向開關(guān)/SBS是什么意思

雙向開關(guān)/SBS,硅雙向開關(guān)/SBS是什么意思 硅雙向開關(guān)SBS(Silicon bidirectional Switch)也叫雙向觸發(fā)晶體管。它相當(dāng)于把兩只硅單向開關(guān)反極性
2010-03-03 14:03:111205

雙向模擬開關(guān),雙向模擬開關(guān)原理圖

雙向模擬開關(guān),雙向模擬開關(guān)原理圖 用雙向模擬開關(guān)有多種規(guī)格,表 7.3 中給出了與機(jī)械開關(guān)對應(yīng)的連接方法。
2010-03-22 17:13:278214

奔馳推出Smart汽車專用iPhone助駕系統(tǒng)

奔馳推出Smart汽車專用iPhone助駕系統(tǒng) 戴姆勒集團(tuán)(戴姆勒奔馳)日前宣布,將為旗下迷你車品牌Smart fortwo推出一套整合iPhone的娛樂、導(dǎo)航一體化系統(tǒng)
2010-05-08 08:34:161048

英飛推出全新650V 高性能功率MOSFET系列

英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗)與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261887

英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開關(guān)器件

英飛凌RC-D功率開關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管,具有很低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,并且減小了永磁電機(jī)驅(qū)
2011-05-31 09:00:421681

英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451084

英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片

英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片,可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292556

集成測量IC降低系統(tǒng)成本提高逆變電源性能

奧地利微電子推出全球首款集成測量IC降低系統(tǒng)成本提高逆變電源性能。
2016-03-30 14:45:3910

英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術(shù),助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計達(dá)到前所未有的效率和性能

  2016年5月10日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù),使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性,可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091200

Marvell推出成本效益的高性能ARMADA 8040網(wǎng)絡(luò)社區(qū)開發(fā)板

ARMADA 8040是一款可擴(kuò)展的虛擬片上系統(tǒng)(Marvell vSoC?),可廣泛支持IP應(yīng)用、安全路由、統(tǒng)一控制和數(shù)據(jù)平面應(yīng)用、NFV應(yīng)用、虛擬CPE、企業(yè)應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用。這一高成本效益的超大規(guī)模vSoC可同時提供高水平的集成和效率,具備領(lǐng)先的性能和功耗。
2016-06-24 16:26:242050

英飛凌擴(kuò)大業(yè)界領(lǐng)先的智能功率開關(guān)產(chǎn)品系列,推出PROFET?+2和大電流PROFET?提高能源效率并實現(xiàn)小型化設(shè)計

2017年7月28日,德國慕尼黑訊—汽車制造商希望車載電子系統(tǒng)能在盡可能小的空間大幅提高能源效率。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)依托全新功率IC制造技術(shù)SMART7大力支持這一發(fā)展趨勢。該技術(shù)是專為汽車應(yīng)用而開發(fā),比如車身控制模塊或配電中心等。
2017-07-28 15:59:331504

提高效率——如何將雙向功率流集成到UPS設(shè)計中

隨著對更緊湊和更高效電力系統(tǒng)的日益重視,雙向轉(zhuǎn)換器越來越受到關(guān)注。具有雙向功率流的雙向DC/DC換流器可將電池充電和備份操作傳統(tǒng)上所需的兩個DC/DC換流器組合在一起,降低了整個系統(tǒng)成本、組件數(shù)量和尺寸。
2017-08-26 09:18:524

英飛凌推出光觸發(fā)晶閘管

據(jù)報道,英飛凌科技Bipolar有限公司進(jìn)一步擴(kuò)大雙極半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容,推出光觸發(fā)晶閘管,它們可增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性、降低系統(tǒng)成本并簡化超大功率應(yīng)用的設(shè)計。英飛凌推出的6英寸晶閘管搭載可靠的光觸發(fā)組件
2018-04-17 17:57:001945

英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本

大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:003764

GaN功率器件市場趨熱 英飛凌新方案細(xì)節(jié)曝光

CoolGaN英飛凌GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)系列產(chǎn)品。最近該公司推出了兩款進(jìn)入量產(chǎn)的產(chǎn)品——CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT和GaN開關(guān)管專用驅(qū)動IC GaN
2018-12-06 18:06:214746

如何使用Coolgan進(jìn)行英飛凌2500W PFC全橋圖騰桿功率因數(shù)校正

這是一個應(yīng)用說明,專用于英飛凌的2500瓦圖騰桿全橋功率因數(shù)校正(PFC)演示板,包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器,以及1EDI高壓MOSFET驅(qū)動程序。
2019-03-08 08:00:0011

關(guān)于音頻系統(tǒng)設(shè)計的方法分享和研究

英飛凌MERUS D類音頻放大器功放解決方案適用于各類便攜式/電池供電、家用和專業(yè)音頻設(shè)備。該產(chǎn)品組合的功率范圍為每通道20W至2kW,包含最小巧的單芯片器件和多芯片模塊(MCM),以及由強(qiáng)大
2019-09-23 14:46:062850

關(guān)于大陸集團(tuán)開發(fā)的48 V輕混系統(tǒng)性能分析和應(yīng)用

通過芯片嵌入式工藝,功率MOSFET將不再焊接到電路板上,而是集成在電路板中。主管英飛凌汽車MOSFET業(yè)務(wù)的Frank Findeis博士表示:“由此帶來的熱性能效益有助于提高功率密度,而電路板集成則助力提升系統(tǒng)可靠性。這些優(yōu)勢又能幫助提高48 V系統(tǒng)功率成本效率。
2019-09-23 09:46:062231

Sense Photonics推出Flash激光雷達(dá) 開啟了全固態(tài)深度傳感的新時代

據(jù)了解,Osprey 是 Sense Photonics 推出的第二款激光雷達(dá)。去年 10 月,該公司曾推出一款工業(yè)用固態(tài) Flash 激光雷達(dá)系統(tǒng),該系統(tǒng)提高了整個行業(yè)內(nèi)的高分辨率數(shù)據(jù)輸出性能標(biāo)準(zhǔn)。同年 6 月份,該公司在 A 輪融資中籌集了 2600 萬美元。
2020-01-15 15:02:002034

這趟“高效節(jié)能”車沒有老司機(jī),全靠英飛凌功率技術(shù)帶你飛!

什么樣的MOSFET才適合儲能系統(tǒng)英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET:650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列,幫助儲能系統(tǒng)輕松實現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計。
2020-08-21 14:01:251079

一款高性能、低成本的原邊控制功率開關(guān)

U62113 電源ic是一款高性能、低成本的原邊控制功率開關(guān),內(nèi)置高壓功率三極管,可提供高精度恒壓和恒流輸出性能,尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用。采用 U62113 可以工作無異音,同時可保證優(yōu)異的動態(tài)性能。利用集成的線損補償功能,可獲得高性能的恒壓輸出表現(xiàn)。
2022-07-07 15:51:151122

英飛凌CoolGaN技術(shù)開啟電力電子新時代?

英飛凌的總體戰(zhàn)略是將當(dāng)今的每一項尖端硅技術(shù)與寬帶對應(yīng)技術(shù)相結(jié)合。基于市場上已經(jīng)推出的 CoolSiC? 技術(shù),英飛凌推出了全新的 CoolGaN? 解決方案,這些解決方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:11912

USB-PD 3.1 EPR 140W高功率密度解決方案

隨著市場對筆記本電腦快充需求的增加,英飛凌針對28V輸出, 推出USB PD3.1高功率密度方案,突破了長期以來的100W功率限制,最高功率可達(dá)到140W,進(jìn)一步提高筆記本的充電效率,可以滿足更大功率
2022-11-07 16:28:311223

英飛凌采用第二代MERUS?多電平開關(guān)技術(shù)的全新2 x 37 W音頻放大器

電平開關(guān)技術(shù),旨在降低開關(guān)損耗以及在低輸出功率和高輸出功率下均實現(xiàn)高效的音頻放大性能,為此類應(yīng)用帶來顯著優(yōu)勢。 英飛凌推出采用第二代MERUS?多電平開關(guān)技術(shù)的全新2 x 37 W音頻放大器系列 2022年11月25日,在為消費級音箱應(yīng)用設(shè)計電池
2022-11-30 17:20:44615

如何提高開關(guān)電源EMC性能

系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。本文將從以下幾個方面介紹如何提高開關(guān)電源的EMC性能。 一、優(yōu)化開關(guān)電源的設(shè)計 選擇合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):開關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對EMC性能有很大影響。一般來說,反激式、正激式和LLC等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具有較高的EMC性能。在設(shè)
2023-12-30 16:35:00805

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49553

大聯(lián)大推出3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案

2024年1月4日,致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌(Infineon)XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:01412

英飛凌推出TDM2254xD系列雙相功率模塊

隨著人工智能(AI)技術(shù)的飛速發(fā)展,全球數(shù)據(jù)生成量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長,進(jìn)而推動數(shù)據(jù)中心對高效、可靠且成本優(yōu)化的功率解決方案的需求日益增長。為滿足這一市場需求,英飛凌科技近日正式推出TDM2254xD系列雙相功率模塊,旨在為AI數(shù)據(jù)中心提供卓越的基準(zhǔn)性能,并有效降低總體擁有成本。
2024-03-12 09:44:23376

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2,推動低碳化的高性能系統(tǒng)

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新
2024-03-12 08:13:02260

英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V,在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

密度的需求,而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求,也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiCMOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上
2024-03-20 08:13:05288

微型逆變器綜述與英飛凌解決方案

,進(jìn)一步減小電感、電容尺寸。特別對于交流側(cè)的雙向開關(guān)英飛凌即將推出基于GaN的雙向開關(guān)BDS,在單晶圓上實現(xiàn)可以進(jìn)一步減小尺寸與封裝成本
2024-06-11 12:38:29206

英飛凌攜手酷冷至尊推出功率電源系列

的領(lǐng)軍廠商英飛凌科技攜手,共同推出了X series旗艦級高功率電源系列,以滿足市場對高功率與靜音性能的雙重要求。
2024-06-15 16:07:33365

英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列, 適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用

【 2024 年 6 月 26 日 , 德國慕尼黑 訊 】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出600 V CoolMOS? 8 高壓超結(jié)(SJ)MOSFET
2024-06-26 18:12:00146

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