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2024年7月24日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅(qū)動應用。
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貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2 MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中樹立高質(zhì)量標桿，并進一步利用英飛凌獨特的XT互聯(lián)技術(shù)來提高半導體芯片的性能和散熱能力（例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封裝的型號）。CoolSiC? G2 MOSFET 650V和1200V在不影響質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的關(guān)鍵性能（例如存儲能量和電荷）提高了20%，不僅提升了整體能效，還進一步推動了低碳化進程。G2的散熱能力提高了12%，并將CoolSiC?的SiC性能提升到了一個新的水平。其快速開關(guān)能力可在所有工作模式下將功率損耗降低5%到30%（取決于負載條件），具有出色的節(jié)能效果。
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CoolSiC? G2的新一代SiC技術(shù)能夠加速設計成本更加優(yōu)化，且更加緊湊、可靠、高效的系統(tǒng)，從而節(jié)省能源并減少現(xiàn)場每瓦功率的二氧化碳排放量。
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欲了解更多信息，請訪問https://www.mouser.cn/new/infineon/infineon-coolsic-g2-mosfets。
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貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
- 英飛凌(137345)
- 貿(mào)澤(26351)
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2021-05-24 15:29:062713
2713貿(mào)澤開售Laird Connectivity MIMO汽車天線
貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起備貨Laird Connectivity的多輸入多輸出 （MIMO） 汽車天線。
2021-06-30 17:18:083823
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英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET功率模塊，助力提升功率密度和實現(xiàn)更緊湊的設計
英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301327
1327英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁陶瓷
與業(yè)內(nèi)人士交流互動產(chǎn)品和應用技術(shù)。 借英飛凌碳化硅20周年之際，9月10日，我們在展會會場，隆重舉辦第三屆碳化硅應用技術(shù)發(fā)展論壇，敬請蒞臨。 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置
2021-08-24 09:31:502903
2903貿(mào)澤電子推出全新動態(tài)新聞中心
貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 宣布推出可通過移動設備訪問的全新動態(tài)新聞中心，便于用戶訪問貿(mào)澤資訊、公告和媒體資源。
2021-09-03 14:20:222324
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貿(mào)澤開售適用于可編程光纖模塊的 Renesas高性能FemtoClock2合成器
貿(mào)澤電子即日起備貨Renesas Electronics FemtoClock2高性能時鐘頻率合成器。
2021-10-14 16:03:121429
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貿(mào)澤開售Espressif ESP32-S2-MINI Wi-Fi模塊
貿(mào)澤電子 即日起備貨Espressif Systems的ESP32-S2-MINI模塊。
2021-11-18 14:19:392400
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溫度對CoolSiC? MOSFET的影響
CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實現(xiàn)高功率密度。
2022-06-22 10:22:223490
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CoolSiC MOSFET 電機驅(qū)動評估板
英飛凌科技為電機控制應用開發(fā)了一款評估板，其中包括一個三相 SiC 模塊。特別是，它在電力驅(qū)動器中使用了 CoolSiC MOSFET 模塊的功率。 CoolSiC MOSFET 碳化硅 (SiC
2022-07-27 10:51:521230
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貿(mào)澤電子開售HPQD? 和MPQD? 快速斷開連接器
技術(shù)日新月異，我們每天都走在創(chuàng)新的路上，獲取前沿的領(lǐng)域知識，并轉(zhuǎn)化為自己的成果，創(chuàng)造出更適合用戶的產(chǎn)品。在這一路上，貿(mào)澤電子始終會伴你左右，并隨時提供新的采購情報，希望借此能為你帶來更多創(chuàng)新
2022-10-19 09:51:53785
785貿(mào)澤電子開售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
技術(shù)日新月異，我們每天都走在創(chuàng)新的路上，獲取前沿的領(lǐng)域知識，并轉(zhuǎn)化為自己的成果，創(chuàng)造出更適合用戶的產(chǎn)品。在這一路上，貿(mào)澤電子始終會伴你左右，并隨時提供新的采購情報，希望借此能為你帶來更多創(chuàng)新
2022-10-27 16:33:29893
893貿(mào)澤電子開售各種面向電源轉(zhuǎn)換應用的英飛凌通用MOSFET
。英飛凌豐富多樣的高壓和低壓MOSFET產(chǎn)品組合為各種應用提供靈活性、適應性和高價值，可幫助設計師滿足項目、價格或物流要求。 ? 貿(mào)澤電子供應的英飛凌通用MOSFET包括用于最高250V設計的低壓版本
2022-12-01 14:40:38456
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貿(mào)澤電子開售面向無線音頻應用的 英飛凌MA2304xN MERUS多級開關(guān)放大器
2023 年 4 月 4 日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌的MA2304xN MERUS?多級開關(guān)
2023-04-04 14:29:25520
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AGM G2 GT正式發(fā)布，首發(fā)500米熱成像，售價5999元起
4月25號,AGM正式發(fā)布AGM G2專業(yè)旗艦系列機型,AGM G2共有三款機型,分別是AGM G2 GT、AGM G2 Pro、AGM G2。
2023-04-25 16:51:071188
1188貿(mào)澤開售面向安全應用的英飛凌OPTIGA Trust M物聯(lián)網(wǎng)安全開發(fā)套件
2023 年 5 月 11 日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨英飛凌的OPTIGA? Trust M物聯(lián)網(wǎng)安全
2023-05-12 17:05:36527
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貿(mào)澤開售Murata面向無線IoT應用的Type2BP超寬帶模塊
2023 年 8 月 8 日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售Murata的Type2BP 超寬帶 (UWB) 模塊
2023-08-09 14:41:34261
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車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52806
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貿(mào)澤現(xiàn)已開售運行速度遠超前代產(chǎn)品的樹莓派5單板計算機
2023 年 11 月 2 日 – 新型電子元器件與工業(yè)自動化產(chǎn)品的全球授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售Raspberry Pi的樹莓派5單板計算機。在樹莓派
2023-11-06 16:14:56449
449貿(mào)澤與Ambiq簽約
來源：Silicon Semiconductor 貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）與低功耗人工智能微控制器領(lǐng)先供應商Ambiq簽署了新的全球分銷協(xié)議。 貿(mào)澤電子供應商管理副總裁
2023-12-20 16:17:47242
242貿(mào)澤順利完成SOC 2 Type II、ISO 27001 Stage 2和Cyber Essentials認證
2 Type II、ISO 27001和Cyber Essentials認證。貿(mào)澤電子有嚴格的流程來保護我們的數(shù)據(jù)、系統(tǒng)和產(chǎn)品的安全、隱私及可用性，并已獲得1,200多家半導體和電子元器件制造商的授權(quán)
2024-01-30 14:17:58185
185英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00617
617英飛凌推出CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，提升電力效率與可靠性
另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41780
780英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進一步推動碳化硅技術(shù)的發(fā)展
碳化硅（SiC）技術(shù)一直是推動高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術(shù)，也是要在這個領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標，擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領(lǐng)域的市場份額。
2024-03-12 09:33:26575
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSi MOSFET G2
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29440
440英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新
2024-03-12 08:13:02316
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展
英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:45447
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英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品
英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29499
499英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36590
590英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點
CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:35323
323貿(mào)澤開售英飛凌CYW20822 AIROC低功耗藍牙模塊 為多項應用提供高效無線連接
2024 年 3 月 25 日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌CYW20822
2024-03-26 15:11:14248
248貿(mào)澤電子開售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件
貿(mào)澤電子即日起開售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件。XPLR-HPG-2探索套件為厘米級精度的定位應用（如自主機器人、資產(chǎn)跟蹤和互聯(lián)健康）提供了一個緊湊的開發(fā)和原型設計平臺。
2024-04-17 10:25:24272
272芯聞速遞 | 英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列；Ekkono簡化AURIX?系列嵌入式AI過程
英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC? MOSFET，針對圖騰柱
2024-04-19 14:45:26186
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英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:20711
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英飛凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。
2024-05-24 10:13:45430
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CoolSiC? MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場
英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術(shù)，再度突破極限，實現(xiàn)更高效率、更低功耗，這也使英飛凌在日益發(fā)展且競爭激烈的碳化硅市場，屹立于創(chuàng)新浪潮之巔。在過去三年，碳化硅市場經(jīng)歷了蓬勃發(fā)展，特別是在
2024-07-12 08:14:41155
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工商網(wǎng)監(jiān)
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