摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時,需要對化學(xué)蝕刻劑有基本的了解,以實現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對正
2022-01-07 15:07:481129 項工作中,使用光刻和蝕刻技術(shù)將晶體硅(c- Si)晶片深度蝕刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻膠,使用四甲基氫氧化銨(TMAH)濕法各向異性蝕刻和基于等離子體的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蝕刻的制造層。4英寸c-Si晶片的TMAH蝕刻在80℃的溫度
2022-06-10 17:22:587363 在半導(dǎo)體器件制造中,蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù),該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定,其產(chǎn)生在光刻中有詳細描述,一旦掩模就位,可以通過濕法化學(xué)或“干法”物理方法對不受掩模保護的材料進行蝕刻,圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:522866 atm)約等于760毫米高水銀柱產(chǎn)生的壓強(mmHg)。不同領(lǐng)域、不同國家和地區(qū)使用不同的壓強單位,工此技術(shù)中常用的壓強單位是: ?。?)真空與真空度 通常所說的真空是指氣體壓強低于大氣壓強的一種狀態(tài)
2018-09-07 16:26:35
真空接觸器有一個延時的抖動,請問這是什么原因?
2014-04-12 16:52:41
請問有人熟悉成都國光嗎,國光的真空接觸器怎么樣,有人發(fā)現(xiàn)有什么問題嗎?
2014-04-12 16:50:24
真空測試儀又稱真空度測試儀,(英譯:Vacuum degree reflectoscope reflector)是電力系統(tǒng)中普遍使用的高壓電器,其核心部件是真空滅弧室,由于滅弧室是以真空條件作為工作基礎(chǔ)的,所以它不象油開關(guān),SF6開關(guān)那樣容易檢測其質(zhì)量。
2020-03-26 09:02:55
尋求大神幫助??!目前設(shè)計電路原理:160uf大電容充滿電后,需要通過真空觸發(fā)開關(guān)導(dǎo)通瞬間釋放,但真空觸發(fā)開關(guān)在電流到零后會自動關(guān)斷,此時電容中的電壓反向且能量并沒有完全釋放;請問怎樣設(shè)計觸發(fā)電路才能讓電流到零后不自動關(guān)斷將電容中的能量完全釋放??
2021-12-17 11:10:13
PCB,電路板,基板上面如何出現(xiàn)電路呢?這就要蝕刻來實現(xiàn)。所謂蝕刻,先在板子外層需保留的銅箔部分,也就是電路的圖形部分,在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層,一層
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu),必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常,蝕刻過程分為兩類:浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻,其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中,我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯
各位大俠:有誰知道哪家有供應(yīng)蝕刻鈦的藥水,請告知或提供聯(lián)系方法。謝謝?。?!本人的QQ號碼是:414615292
2012-08-08 14:51:57
`請問PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些?`
2020-03-03 15:31:05
,通過光化學(xué)法,網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層,然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機械加工方法除去不需要的銅箔,在單
2018-09-21 16:45:08
的厚度對電路圖形的導(dǎo)線密度有著重要影響。銅箔薄,蝕刻時間短,側(cè)蝕就很??;反之,側(cè)蝕就很大。所以,必須根據(jù)設(shè)計技術(shù)要求和電路圖形的導(dǎo)線密度及導(dǎo)線精度要求,來選擇銅箔厚度。同時銅的延伸率、表面結(jié)晶構(gòu)造等
2018-09-11 15:19:38
對電路圖形的導(dǎo)線密度有著重要影響。銅箔薄,蝕刻時間短,側(cè)蝕就很?。环粗?,側(cè)蝕就很大。所以,必須根據(jù)設(shè)計技術(shù)要求和電路圖形的導(dǎo)線密度及導(dǎo)線精度要求,來選擇銅箔厚度。同時銅的延伸率、表面結(jié)晶構(gòu)造等,都會
2013-10-31 10:52:34
PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素有哪些
2021-04-25 06:45:00
具有高反應(yīng)能力的技術(shù)秘訣 ),可見一價銅離子的影響是不小的。將一價銅由5000ppm降至50ppm,蝕刻速率會提高一倍以上。 由于蝕刻反應(yīng)過程中生成大量的一價銅離子,又由于一價銅離子總是與氨的絡(luò)合
2018-11-26 16:58:50
的板子受阻 (7)蝕刻機上下噴淋壓力不均勻,下壓過大時會頂高板子 解決方法: (1)按設(shè)備說明書進行調(diào)整,調(diào)整各段滾輪的水平角度與排列,應(yīng)符合技術(shù)要 求?! ?2)詳細檢查各段噴管擺動是否正確
2018-09-19 16:00:15
作用是降低一價銅離子(這些即是他們的產(chǎn)品具有高反應(yīng)能力的技術(shù)秘訣 ),可見一價銅離子的影響是不小的。將一價銅由5000ppm降至50ppm,蝕刻速率會提高一倍以上?! ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻反應(yīng)過程中生成大量的一價
2018-09-13 15:46:18
目前,有三種天線制造技術(shù):蝕刻/沖壓天線(etched/punchedantenna)、印刷天線(printedantenna)和繞線式天線。其中,繞線和印刷技術(shù)在中國大陸得到了較為廣泛
2019-06-26 06:17:24
鏡面硅結(jié)構(gòu)時,表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法,用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向,但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
(這些即是他們的產(chǎn)品具有高反應(yīng)能力的技術(shù)秘訣 ),可見一價銅離子的影響是不小的。將一價銅由5000ppm降至50ppm,蝕刻速率會提高一倍以上。[hide]由于蝕刻反應(yīng)過程中生成大量的一價銅離子,又由于一
2018-04-05 19:27:39
具有多年旋片式真空泵維修的企業(yè),對旋片式真空泵的工作原理非常了解熟悉,能夠通過專業(yè)技術(shù)及設(shè)備快速尋找并解決問題,提高企業(yè)的生產(chǎn)效率,讓旋片式真空泵更好地發(fā)揮作用。歡迎各行各業(yè)的旋片式真空泵用戶來電咨詢了解。
2017-04-08 09:11:06
凝汽器真空度的計算夏天,冷卻器投入運行前的真空度為89.8%,冷卻器投入運行后的真空度為91.4%,冷卻器投入運行后的真空度提高1.6%.冬天,冷卻器投入運行前的真空度為95.1%,冷卻器投入運行后
2012-11-22 10:17:35
摘要:在印制電路制作過程中,蝕刻是決定電路板最終性能的最重要步驟之一。所以,研究印制電路的蝕刻過程具有很強的指導(dǎo)意義,特別是對于精細線路。本文將在一定假設(shè)的基礎(chǔ)上建立模型,并以流體力學(xué)為理論基礎(chǔ)
2018-09-10 15:56:56
印制電路板的蝕刻可采用以下方法: 1 )浸入蝕刻; 2) 滋泡蝕刻; 3) 潑濺蝕刻; 4) 噴灑蝕刻?! ∮捎趪姙?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻的產(chǎn)量和細紋分辨率高,因此它是應(yīng)用最為廣泛的一項技術(shù)。 1 浸入
2018-09-11 15:27:47
適用范圍 印制線路板制造業(yè)發(fā)達地區(qū)集中開展含銅蝕刻廢液綜合利用。 主要技術(shù)內(nèi)容 一、基本原理 將印制線路板堿性蝕刻廢液與酸性氯化銅蝕刻廢液進行中和沉淀,生成的堿式氯化銅沉淀用于生產(chǎn)工業(yè)級硫酸銅;沉淀
2018-11-26 16:49:52
產(chǎn)品都含有價銅離子的特殊配位基(一些復(fù)雜的溶劑)﹐其作用是降低一價銅離子(產(chǎn)品具有高反應(yīng)能力的技術(shù)秘訣)﹐可見一價銅離子的影響是不小的。 將一價銅由5000ppm降至50ppm,蝕刻速率即提高一倍以上
2017-06-23 16:01:38
晶片與工作臺面間的空間小,氣體噴出凹槽噴出的氣體對蝕刻液會形成阻力,造成蝕刻液回滲太少,去除晶片邊緣上的硅針效果不佳?! 榱丝朔F(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的是為了解決上述問題而提供一種晶片邊緣的蝕刻
2018-03-16 11:53:10
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程,該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓,也稱為基板,通常是平面表面,其中添加了薄薄的材料層,以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ);最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
我司是做濕法蝕刻藥水的,所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問,很愿意為大家解答。謝謝!QQ:278116740
2017-05-08 09:58:09
大量涉及蝕刻面的質(zhì)量問題都集中在上板面被蝕刻的部分,而這些問題來自于蝕刻劑所產(chǎn)生的膠狀板結(jié)物的影響。對這一點的了解是十分重要的, 因膠狀板結(jié)物堆積在銅表面上。一方面會影響噴射力,另一方面會阻檔了
2017-06-24 11:56:41
即是他們的產(chǎn)品具有高反應(yīng)能力的技術(shù)秘訣 ),可見一價銅離子的影響是不小的。將一價銅由5000ppm降至50ppm,蝕刻速率會提高一倍以上?! ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻反應(yīng)過程中生成大量的一價銅離子,又由于一價銅離子
2018-09-19 15:39:21
適用范圍: 隔膜真空泵主要應(yīng)用于醫(yī)療醫(yī)藥產(chǎn)品分析、精細化工、生化制藥、食品檢驗、公安刑偵技術(shù)等領(lǐng)域,是為其精密色譜儀器配套的產(chǎn)品,也是實驗室必備的裝備之一。真空度較高的,適用于旋轉(zhuǎn)蒸發(fā),常規(guī)干燥
2014-05-09 12:50:59
真空技術(shù)基礎(chǔ)
2009-05-20 14:27:3419 真空技術(shù)的理論基礎(chǔ)
2009-05-20 14:30:2931 裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.離子蝕刻機 7.5 IBE 技術(shù)規(guī)格真空腔1 set, 主體不銹鋼,水冷基片尺寸1 set, 4”/6”φ
2022-11-07 16:41:22
本文概要論述了燃氣式真空爐技術(shù)的發(fā)展概況,重點闡述了燃氣式真空爐的主要爐型、結(jié)構(gòu)及特點,以及蓄熱式輻射管燃氣真空爐技術(shù)的特點、HTAC燒嘴結(jié)構(gòu)、爐內(nèi)溫度分布、熱平衡
2009-12-21 11:44:1310 真空測量是真空技術(shù)中的一個重要組成部分。用于測量真空度的儀器稱為真空計
2009-12-21 13:35:1815 在簡述真空滲碳及碳氮共滲近況的基礎(chǔ)上,重點介紹了乙炔真空滲碳及乙炔、氨氣真空碳氮共滲的效果及應(yīng)用。在WZST 系列雙室真空滲碳淬火爐滲碳后,滲碳層深度均勻性為±0. 05 ~0
2009-12-21 14:40:387
印制線路板的蝕刻技術(shù)
2009-09-08 14:53:52475 水環(huán)式真空泵/液環(huán)真空泵工作原理
水環(huán)真空泵(簡稱水環(huán)泵)是一種粗真空泵,它所能獲得的極限真空為2000~4000Pa
2009-10-25 14:32:172685 印制電路板的蝕刻設(shè)備和技術(shù)
印制電路板的蝕刻可采用以下方法:
1 )浸入蝕刻;
2) 滋泡蝕刻;
3)
2009-11-18 08:54:212158 PCB蝕刻技術(shù)通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻,指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達到溶解腐蝕的作用。
2017-04-21 17:08:275084 本文首先介紹了蝕刻機的分類及用途,其次闡述了蝕刻機的配件清單,最后介紹了蝕刻機的技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用。
2018-04-10 14:38:324723 地描述,但實際上蝕刻技術(shù)的實現(xiàn)還是頗具有挑戰(zhàn)性,特別是在生產(chǎn)微細線路時,很小的線寬公差要求,不允許蝕刻過程存在任何差錯,因此蝕刻結(jié)果要恰到好處,不能變寬,也不能過蝕。
2018-08-12 10:29:499586 蝕刻液的種類:不同的蝕刻液化學(xué)組分不同,其蝕刻速率就不同,蝕刻系數(shù)也不同。例如:酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3,堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)可達到4。近來的研究表明,以硝酸為基礎(chǔ)的蝕刻系統(tǒng)可以做到幾乎沒有側(cè)蝕,達到蝕刻的線條側(cè)壁接近垂直。這種蝕刻系統(tǒng)正有待于開發(fā)。
2018-10-12 11:27:366335 蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。它可通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-24 15:52:5729780 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻(photochemicaletching),指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 蝕刻指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護摸去處,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版。蝕刻機可以分為化學(xué)蝕刻機及電解蝕刻機兩類。
2019-06-26 16:02:4820205 側(cè)蝕問題是蝕刻參數(shù)中經(jīng)常被提出來討論的一項,它被定義為側(cè)蝕寬度與蝕刻深度之比, 稱為蝕刻因子。
2019-09-02 10:17:391755 真空繼電器是真空系統(tǒng)自動控制的關(guān)鍵元件,是真空應(yīng)用和真空獲得設(shè)備配套最常用的配件之一。它可以直接對真空系統(tǒng)(真空空間、容器或管道內(nèi))的真空度進行可靠而精確的設(shè)定、控制,以達到特定的真空應(yīng)用工藝要求。
2020-03-02 14:11:212017 PCB,電路板,基板上面如何出現(xiàn)電路呢?這就要蝕刻來實現(xiàn)。所謂蝕刻,先在板子外層需保留的銅箔部分,也就是電路的圖形部分,在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層,一層需要
2020-03-08 14:45:214248 一、蝕刻的目的 蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護的非導(dǎo)體部分銅蝕刻去,形成線路。 蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻,內(nèi)層采用酸性蝕刻,濕膜或干膜為抗蝕劑;外層采用堿性蝕刻
2020-12-11 11:40:587458 圖1為覆晶(Flip Chip)技術(shù)沈積錫鉛凸塊之流程圖,在電鍍積錫鉛凸塊之后會進行光阻去除(PP Stripping)和UBM蝕刻,其中UBM蝕刻是以凸塊或光阻當作蝕刻屏蔽層(Etching
2020-09-29 08:00:0058 先進的真空蝕刻技術(shù)所代替。 一、PCB 蝕刻定義 蝕刻:將覆銅箔板表面由化學(xué)藥水蝕刻去除不需要的銅導(dǎo)體,留下銅導(dǎo)體形成線路圖形,這種減去法工藝是當前印制電路板加工的主流。 二、 蝕刻的關(guān)鍵是蝕刻溶液、蝕刻操作條件和
2022-12-26 10:10:331688 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈,僅此而已。在PCB制造過程中,如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031008 蝕刻機的基礎(chǔ)原理一、蝕刻的目的蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護的非導(dǎo)體部分銅蝕刻去,形成線路。蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻,內(nèi)層采用酸性蝕刻,濕膜或干膜為抗蝕劑;外層采用堿性蝕刻,錫鉛為抗蝕劑
2020-12-24 12:59:384836 真空技術(shù)實用指南說明。
2021-03-19 14:36:2010 一 .?什么是真空灌膠工藝 真空灌膠工藝是保證產(chǎn)品在絕對負壓情況下的一種自動灌膠操作方式。將產(chǎn)品放置在真空箱內(nèi),然后將真空箱中的空氣除去,讓真空箱達到負壓狀態(tài),然后自動將混合好的AB膠水灌注到產(chǎn)品
2021-11-15 14:54:041264 引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35484 不可預(yù)測地改變了蝕刻劑的質(zhì)量。 為了解決成分變化的問題,研究開始了確定一種可靠的分析蝕刻劑的方法。當分析程序最終確定時,將建立一個控制程序,其中蝕刻劑成分將保持盡可能接近一個固定的值。經(jīng)過嘗試的各種分析技術(shù),
2022-01-07 16:47:46840 我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率,并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面,同時通過原子力顯微鏡測量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55716 在 KOH 水溶液中進行濕法化學(xué)蝕刻期間,硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測量法使用掩膜樣品進行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60
2022-03-04 15:07:09845 在半導(dǎo)體器件制造中,蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個能夠抵抗蝕刻過程的掩模定義,其創(chuàng)建過程在光刻中有詳細描述。一旦掩模就位,就可以通過濕化學(xué)或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護的材料。圖1顯示了該過程的示意圖。
2022-03-10 13:47:364332 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術(shù)語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程,每個晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過程。用于保護晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-03-16 16:31:581134 本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜,采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅,樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結(jié)果表明,氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術(shù)制備黑硅是可行的,比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:59819 關(guān)于在進行這種濕法或干法蝕刻過程中重要的表面反應(yīng)機制,以Si為例,以基礎(chǔ)現(xiàn)象為中心進行解說。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細加工、厚膜材料的三維加工和基板貫通加工,而且是通過研磨和研磨等機械
2022-04-06 13:31:254183 本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法,在通過臭氧氧化去除一些硅原子層,然后用氫氟酸蝕刻氧化物后,重復(fù)測量,然后確定了成分和表面電位的深度分布,因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率
2022-04-18 16:35:05261 微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術(shù)語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程,每個晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過程。用于保護晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-04-20 16:11:571972 本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法,在通過臭氧氧化去除一些硅原子層,然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測量,確定了成分和表面電位的深度分布,因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率,通過
2022-05-06 15:50:39366 本文講述了我們?nèi)A林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度,以及決定它的蝕刻機制,在涉及掩模的情況下,M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結(jié)處的成核的影響,以這種方式影響蝕刻或生長速率的結(jié)可以
2022-05-20 17:12:59853 通常在蝕刻過程之后通過將總厚度變化除以蝕刻時間或者通過對不同的蝕刻時間進行幾次厚度測量并使用斜率的“最佳擬合”來測量,當懷疑蝕刻速率可能不隨時間呈線性或蝕刻開始可能有延遲時,這樣做有時可以實時測量蝕刻速率。
2022-05-27 15:12:133471 【泵軸維修】真空泵軸維修技術(shù)方案
2022-05-31 15:39:592 引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機理。首先,確定控制底切的蝕刻前沿的晶面,并測量它們的蝕刻速率。然后,基于測量數(shù)據(jù),檢驗了凸角補償技術(shù)
2022-06-10 17:03:481113 引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝,適用于等離子體一次蝕刻一個晶片。結(jié)果表明,蝕刻速率主要取決于Cl濃度,而與用于驅(qū)動放電的rf功率無關(guān)。幾種添加劑用于控制蝕刻過程。加入BCl以開始
2022-06-13 14:33:14904 在實踐中,在這一過程中出現(xiàn)了一些物理問題。通常,系統(tǒng)會使用水平線。在這里通??梢源_定一個缺陷:在電路板的上下兩側(cè)通??梢杂^察到不同的蝕刻結(jié)果。對板上部的精確檢查顯示,板的邊緣和中心在蝕刻速率方面
2022-06-16 10:32:58351 的逐層秘密。隨著制造工藝的變化和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的變化,這些技術(shù)需要在時間和程序上不斷調(diào)整。雖然有許多工具有助于這些分析,如RIE(反應(yīng)離子蝕刻-一種干法蝕刻技術(shù))、離子銑削和微切割,但鎢的濕法化學(xué)蝕刻有時比RIE技術(shù)更具重現(xiàn)性。
2022-06-20 16:38:205220 高效交錯背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積,以提供足夠的家庭消費能源。我們認為,即使在20μm的厚度下,借助光捕獲方案,適當鈍化的IBC電池也能保持20%的效率。在這項工作中,光刻和蝕刻技術(shù)被用于對厚度小于20μm的晶硅(cSi)晶片的深度蝕刻。
2022-06-28 11:20:260 這種修補真空伏輥磨損的技術(shù)你試過么?
2022-07-04 15:17:100 蝕刻工藝 蝕刻過程分類
2022-08-08 16:35:34736 這兩種蝕刻液被廣為使用的原因之一是其再生能力很強。通過再生反應(yīng),可以提高蝕刻銅的能力,同時,還能保持恒定的蝕刻速度。在批量PCB生產(chǎn)中,既要保持穩(wěn)定的蝕刻速度,還要確保這一速度能實現(xiàn)最大產(chǎn)出率,這一點至關(guān)重要。蝕刻速度對生產(chǎn)速率會產(chǎn)生很大的影響,所以在對比蝕刻液的性能時,蝕刻速度是主要考量因素。
2022-08-17 15:11:198547 實驗分析了各個因素對蝕刻率的具體影響。 根據(jù)目前廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)中的技術(shù), 介紹了如何對相關(guān)因素進行控制調(diào)節(jié), 為得到穩(wěn)定的熱磷酸蝕刻率提供了方向。
2022-08-30 16:41:592997 反應(yīng)性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果:其具有一定的各向異性,而且未與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料會被蝕刻。首先,蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊,基材分子會進入激發(fā)態(tài),從而更加易于發(fā)生反應(yīng)。
2022-09-19 15:17:553387 PTFE管用途:可用于蝕刻搖擺機的搖擺架,PTFE也稱:可溶性聚四氟乙烯、特氟龍、Teflon 蝕刻機的簡單介紹: 1、采用傳動裝置,霧化噴淋,結(jié)構(gòu)合理;加工尺寸長度不限制,速度快、精度高
2022-12-19 17:05:50407 蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過程,而是“減”過程。另外,根據(jù)刮削方式的不同,分為兩大類,分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡單來說,前者是熔法,后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 性能較差,抗疲勞性能差,因此容易造成疲勞磨損、微動磨損等。該企業(yè)曾經(jīng)采用過其他技術(shù)修復(fù)水環(huán)真空泵軸徑磨損問題,但是修復(fù)效果并不理想,在這種情況下企業(yè)聯(lián)系到我司工程師,咨詢我司技術(shù)能否有效解決水環(huán)真空泵軸徑磨損問題。
2023-04-06 17:45:340 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻)
2023-04-12 14:54:331004 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進一步細分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù),它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù),允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 關(guān)鍵詞:氫能源技術(shù)材料,耐高溫耐酸堿耐濕膠帶,高分子材料,高端膠粘劑引言:蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163504 真空泵是用各種方法在某一封閉空間中產(chǎn)生、改善和維持真空的裝置。 真空泵是用各種方法在某一封閉空間中產(chǎn)生、改善和維持真空的裝置。真空泵可以定義為:利用機械、物理、化學(xué)或物理化學(xué)的方法對被抽容器進行抽氣
2023-06-20 11:48:251226 蝕刻是一種從材料上去除的過程?;砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 蝕刻是一種從材料上去除的過程?;砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 真空回流焊(Vacuum reflow soldering)是一種在高真空或低氣壓環(huán)境下進行的電子組裝焊接技術(shù)。相比于常規(guī)的氣體環(huán)境下的回流焊,真空回流焊具有以下不同。
2023-08-21 09:40:098347 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能,GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法,大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 在物理學(xué)和工程學(xué)中,我們經(jīng)常會遇到與壓力相關(guān)的概念,如真空度、正壓和負壓。這些概念在多個領(lǐng)域,包括真空技術(shù)、氣象學(xué)、流體力學(xué)以及許多工業(yè)應(yīng)用中都有著重要的作用。本文將詳細探討真空度、正壓和負壓之間的關(guān)系,以及真空單位的換算方法。
2024-01-24 09:40:32459
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