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電子發(fā)燒友網(wǎng)>PCB設(shè)計(jì)>布線技巧與EMC>熱風(fēng)整平工藝技術(shù)

熱風(fēng)整平工藝技術(shù)

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條件?! ?.FPC熱風(fēng)  熱風(fēng)平原本是為剛性印制板PCB涂覆鉛錫而開發(fā)出來的技術(shù),由于這種技術(shù)簡便,也被應(yīng)用于柔性印制板FPC上。熱風(fēng)是把在制板直接垂直浸入熔融的鉛錫槽中,多余的焊料用熱風(fēng)
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OSP工藝簡介

關(guān)于PCB生產(chǎn)的表面處理,我們之前介紹了熱風(fēng)。熱風(fēng)是把多余的質(zhì)料去除,但PCB的生產(chǎn),從第一道工序開始,到最終結(jié)束,需要經(jīng)過很多流程,歷時(shí)較長,基板裸露在空氣中會(huì)生銹。那么,如何保護(hù)基板
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,不得有導(dǎo)通孔邊緣發(fā)紅上錫;導(dǎo)通孔藏錫珠,為了達(dá)到客戶的要求,導(dǎo)通孔塞孔工藝可謂五花八門,工藝流程特別長,過程控制難,時(shí)常有在熱風(fēng)及綠油耐焊錫實(shí)驗(yàn)時(shí)掉油;固化后爆油等問題發(fā)生?,F(xiàn)根據(jù)生產(chǎn)的實(shí)際條件
2018-09-21 16:45:06

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,不得有導(dǎo)通孔邊緣發(fā)紅上錫;導(dǎo)通孔藏錫珠,為了達(dá)到客戶的要求,導(dǎo)通孔塞孔工藝可謂五花八門,工藝流程特別長,過程控制難,時(shí)常有在熱風(fēng)及綠油耐焊錫實(shí)驗(yàn)時(shí)掉油;固化后爆油等問題發(fā)生?,F(xiàn)根據(jù)生產(chǎn)的實(shí)際條件
2018-09-19 15:56:55

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2018-09-17 17:17:11

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2019-08-13 04:36:05

PCB表面處理工藝,大全集在這!

(俗稱噴錫),它是在PCB表面涂覆熔融錫(鉛)焊料并用加熱壓縮空氣(吹)工藝,使其形成一層既抗銅氧化,又可提供良好的可焊性的涂覆層。熱風(fēng)平時(shí)焊料和銅在結(jié)合處形成銅錫金屬間化合物。PCB進(jìn)行熱風(fēng)
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為什么PCB要把過孔堵上?

,凸凹正負(fù)1mil,不得有導(dǎo)通孔邊緣發(fā)紅上錫;導(dǎo)通孔藏錫珠,為了達(dá)到客戶的要求,導(dǎo)通孔塞孔工藝可謂五花八門,工藝流程特別長,過程控制難,時(shí)常有在熱風(fēng)及綠油耐焊錫實(shí)驗(yàn)時(shí)掉油;固化后爆油等問題發(fā)生?,F(xiàn)
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2009-12-24 08:44:23659

什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容?

什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容? CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們??梢栽贑PU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項(xiàng),其中有“
2010-02-04 10:41:53742

創(chuàng)建靈敏的MEMS結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)介紹

創(chuàng)建靈敏的MEMS結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)介紹  表面微加工技術(shù)可用于創(chuàng)建微機(jī)電傳感器及激勵(lì)器系統(tǒng),它能夠通過高適應(yīng)度的彈性,形成錨
2010-03-11 14:20:49651

超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹

超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹  目前,集成度呈越來越高的趨勢,許多公司紛紛開始SOC技術(shù),但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題,因
2010-03-30 16:43:081181

采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品

采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品 恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe:C技術(shù)的產(chǎn)品,其QUBiC4 SiGe:C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367

中國全線打通AMOLED制造工藝技術(shù)

  日前,記者從有關(guān)方面獲悉,昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心(簡稱昆山平板顯示中心)和維信諾公司在中國本土率先全線打通了LTPS-TFT背板和OLED顯示屏制造工藝技術(shù),并于201
2010-12-29 09:29:35533

光刻膠與光刻工藝技術(shù)

光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210

3D封裝與硅通孔(TSV)工藝技術(shù)

對3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52149

科銳公司推出兩項(xiàng)新型GaN工藝技術(shù)

科銳公司(CREE)宣布推出兩項(xiàng)新型GaN工藝:0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無線射頻功率密度,與傳統(tǒng)的技術(shù)相比
2012-07-18 14:30:561306

TSMC持續(xù)開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn) 中國IC設(shè)計(jì)發(fā)展可期

隨著芯片微縮,開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對外發(fā)言人孫又文表示,臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開發(fā),今年年底臺(tái)積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782

MEMS加工工藝技術(shù)詳解

本文重點(diǎn)描述運(yùn)用MEMS微機(jī)械加工工藝技術(shù)設(shè)計(jì)、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片,希望對大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:267238

半導(dǎo)體工藝技術(shù)

半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340

PCB測試工藝技術(shù)

PCB測試工藝技術(shù),很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480

發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子銅排成型工藝技術(shù)指標(biāo)的優(yōu)化

發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子銅排成型工藝技術(shù)指標(biāo)的優(yōu)化_胡陽
2017-01-01 15:31:541

撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究

撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130

蜂窩趨勢引領(lǐng)半導(dǎo)體工藝技術(shù)發(fā)展方向

業(yè)界對哪種 半導(dǎo)體 工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像 CMOS 、B iC MOS、砷化鎵(GaAs)、磷化
2017-11-25 02:35:02456

工藝技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)蜂窩網(wǎng)絡(luò)技術(shù)

業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-03-15 11:06:13447

微間距LED顯示屏的各項(xiàng)工藝技術(shù)淺析

印刷電路板工藝:伴隨微間距LED顯示屏發(fā)展趨勢,4層、6層板被采用,印制電路板將采用微細(xì)過孔和埋孔設(shè)計(jì),印制電路圖形導(dǎo)線細(xì)、微孔化窄間距化,加工中所采用的機(jī)械方式鉆孔工藝技術(shù)已不能滿足要求,迅速發(fā)展起來的激光鉆孔技術(shù)將滿足微細(xì)孔加工。
2018-07-06 14:11:063768

Synopsys推出支持TSMC 7nm工藝技術(shù)

新思科技(Synopsys)推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231516

CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說明

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說明。主要包括了:1.典型工藝技術(shù):①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù),BCD工藝技術(shù),HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0075

曝光成像與顯影工藝技術(shù)的原理及特點(diǎn)

PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來完成的,無論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時(shí)都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231330

熱風(fēng)整平的處理工藝及優(yōu)劣勢分析

熱風(fēng)整平又名熱風(fēng)焊料整平(俗稱噴錫),它是在PCB表面涂覆熔融錫(鉛)焊料并用加熱壓縮空氣整(吹)平的工藝,使其形成一層既抗銅氧化,又可提供良好的可焊性的涂覆層。熱風(fēng)整平時(shí)焊料和銅在結(jié)合處形成銅錫金屬間化合物。
2019-06-12 14:35:159737

PCB熱風(fēng)整平工藝技術(shù)是怎么一回事

熱風(fēng)整平技術(shù)是目前應(yīng)用較為成熟的技術(shù),但因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">工藝處于一個(gè)高溫高壓的動(dòng)態(tài)環(huán)境中,品質(zhì)難以控制穩(wěn)定。
2019-08-22 09:23:261791

SONNET中的工藝技術(shù)層介紹

在14版本中,SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層,以實(shí)現(xiàn)EDA框架和設(shè)計(jì)流程的平滑過渡。該工藝技術(shù)層實(shí)際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個(gè)屬性對象的集合體,其中包括了很多基本屬性設(shè)置,比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網(wǎng)格控制選項(xiàng)等等。
2019-10-08 15:17:412021

CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2020-12-09 08:00:000

微間距LED屏工藝技術(shù)的解析

這幾年來,微間距LED顯示屏的高清顯示、高刷新頻率、無縫拼接、良好的散熱系統(tǒng)、拆裝方便靈活、節(jié)能環(huán)保等特點(diǎn)已經(jīng)被廣大的行業(yè)用戶熟知,但是,再進(jìn)一步,說到微間距LED屏具體的工藝技術(shù),普通大眾則很少知曉,“只知其一不知其二”,專業(yè)知識(shí)的匱乏,直接導(dǎo)致了選購盲點(diǎn)的出現(xiàn)。
2020-12-24 10:14:521903

IBM推出一項(xiàng)微芯片工藝技術(shù)中的新改進(jìn)

IBM日前推出一項(xiàng)微芯片工藝技術(shù)中的新改進(jìn)。該公司表示,這項(xiàng)改進(jìn)將讓為手機(jī)和其它通信設(shè)備制造更高速的硅設(shè)備
2021-03-26 11:08:541280

多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述

多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593

電子工藝技術(shù)論文-反射層對倒裝LED芯片性能的影響

電子工藝技術(shù)論文-反射層對倒裝LED芯片性能的影響
2021-12-08 09:55:046

全面解讀電子封裝工藝技術(shù)

全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:51876

Ansys多物理場解決方案榮獲臺(tái)積電N4工藝技術(shù)和FINFLEX?架構(gòu)認(rèn)證

Ansys憑借實(shí)現(xiàn)靈活的功耗/性能權(quán)衡,通過臺(tái)積電N3E工藝技術(shù)創(chuàng)新型FINFLEX架構(gòu)認(rèn)證?? 主要亮點(diǎn) Ansys Redhawk-SC與Ansys Totem電源完整性平臺(tái)榮獲臺(tái)積電N3E
2022-11-17 15:31:57696

氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思

氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思? 氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度
2023-02-05 10:24:521177

2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求

2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:033

電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解

電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:22373

多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制(一).zip

多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制(一)
2022-12-30 09:21:223

多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制(三).zip

多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制(三)
2022-12-30 09:21:223

多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制(二).zip

多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制(二)
2022-12-30 09:21:235

DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命

DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:33120

MEMS封裝中的封帽工藝技術(shù)

密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽??偨Y(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對吸附劑易于飽和問題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28171

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