PCB走線注意事項(xiàng)

　　1. 一般規(guī)則

　　1.1 PCB板上預(yù)劃分?jǐn)?shù)字、模擬、DAA信號(hào)布線區(qū)域。

　　1.2 數(shù)字、模擬元器件及相應(yīng)走線盡量分開并放置於各自的布線區(qū)域內(nèi)。

　　1.3 高速數(shù)字信號(hào)走線盡量短。

　　1.4 敏感模擬信號(hào)走線盡量短。

　　1.5 合理分配電源和地。

　　1.6 DGND、AGND、實(shí)地分開。

　　1.7 電源及臨界信號(hào)走線使用寬線。

　　1.8 數(shù)字電路放置於并行總線/串行DTE接口附近，DAA電路放置於電話線接口附近。

　　2. 元器件放置

　　2.1 在系統(tǒng)電路原理圖中：

　　a） 劃分?jǐn)?shù)字、模擬、DAA電路及其相關(guān)電路；

　　b） 在各個(gè)電路中劃分?jǐn)?shù)字、模擬、混合數(shù)字/模擬元器件；

　　c） 注意各IC芯片電源和信號(hào)引腳的定位。

　　2.2 初步劃分?jǐn)?shù)字、模擬、DAA電路在PCB板上的布線區(qū)域（一般比例2/1/1），數(shù)字、模擬元器件及其相應(yīng)走線盡量遠(yuǎn)離并限定在各自的布線區(qū)域內(nèi)。

　　Note：當(dāng)DAA電路占較大比重時(shí)，會(huì)有較多控制/狀態(tài)信號(hào)走線穿越其布線區(qū)域，可根據(jù)當(dāng)?shù)匾?guī)則限定做調(diào)整，如元器件間距、高壓抑制、電流限制等。

　　2.3 初步劃分完畢后，從Connector和Jack開始放置元器件：

　　a） Connector和Jack周圍留出插件的位置；

　　b） 元器件周圍留出電源和地走線的空間；

　　c） Socket周圍留出相應(yīng)插件的位置。

　　2.4 首先放置混合型元器件（如Modem器件、A/D、D/A轉(zhuǎn)換芯片等）：

　　a） 確定元器件放置方向，盡量使數(shù)字信號(hào)及模擬信號(hào)引腳朝向各自布線區(qū)域；

　　b） 將元器件放置在數(shù)字和模擬信號(hào)布線區(qū)域的交界處。

　　2.5 放置所有的模擬器件：

　　a） 放置模擬電路元器件，包括DAA電路；

　　b） 模擬器件相互靠近且放置在PCB上包含TXA1、TXA2、RIN、VC、VREF信號(hào)走線的一面；

　　c） TXA1、TXA2、RIN、VC、VREF信號(hào)走線周圍避免放置高噪聲元器件；

　　d） 對(duì)於串行DTE模塊，DTE EIA/TIA-232-E

　　系列接口信號(hào)的接收/驅(qū)動(dòng)器盡量靠近Connector并遠(yuǎn)離高頻時(shí)鐘信號(hào)走線，以減少/避免每條線上增加的噪聲抑制器件，如阻流圈和電容等。

　　2.6 放置數(shù)字元器件及去耦電容：

　　a） 數(shù)字元器件集中放置以減少走線長(zhǎng)度；

　　b） 在IC的電源/地間放置0.1uF的去耦電容，連接走線盡量短以減小EMI；

　　c） 對(duì)并行總線模塊，元器件緊靠

　　Connector邊緣放置，以符合應(yīng)用總線接口標(biāo)準(zhǔn)，如ISA總線走線長(zhǎng)度限定在2.5in；

　　d） 對(duì)串行DTE模塊，接口電路靠近Connector；

　　e） 晶振電路盡量靠近其驅(qū)動(dòng)器件。

　　2.7 各區(qū)域的地線，通常用0 Ohm電阻或bead在一點(diǎn)或多點(diǎn)相連。

　　3. 信號(hào)走線

　　3.1 Modem信號(hào)走線中，易產(chǎn)生噪聲的信號(hào)線和易受干擾的信號(hào)線盡量遠(yuǎn)離，如無(wú)法避免時(shí)要用中性信號(hào)線隔離。

　　Modem易產(chǎn)生噪聲的信號(hào)引腳、中性信號(hào)引腳、易受干擾的信號(hào)引腳如下表所示：

　　3.2 數(shù)字信號(hào)走線盡量放置在數(shù)字信號(hào)布線區(qū)域內(nèi)；

　　模擬信號(hào)走線盡量放置在模擬信號(hào)布線區(qū)域內(nèi)；

　　（可預(yù)先放置隔離走線加以限定，以防走線布出布線區(qū)域）

　　數(shù)字信號(hào)走線和模擬信號(hào)走線垂直以減小交叉耦合。

　　3.3 使用隔離走線（通常為地）將模擬信號(hào)走線限定在模擬信號(hào)布線區(qū)域。

　　a） 模擬區(qū)隔離地走線環(huán)繞模擬信號(hào)布線區(qū)域布在PCB板兩面，線寬50-100mil；

　　b） 數(shù)字區(qū)隔離地走線環(huán)繞數(shù)字信號(hào)布線區(qū)域布在PCB板兩面，線寬50-100mil，其中一面PCB板邊應(yīng)布200mil寬度。

　　3.4 并行總線接口信號(hào)走線線寬》10mil（一般為12-15mil），如/HCS、/HRD、/HWT、/RESET。

　　3.5 模擬信號(hào)走線線寬》10mil（一般為12-15mil），如MICM、MICV、SPKV、VC、VREF、TXA1、TXA2、RXA、TELIN、TELOUT。

　　3.6 所有其它信號(hào)走線盡量寬，線寬》5mil（一般為 10mil），元器件間走線盡量短（放置器件時(shí)應(yīng)預(yù)先考慮）。

　　3.7 旁路電容到相應(yīng)IC的走線線寬》25mil，并盡量避免使用過孔。

　　3.8 通過不同區(qū)域的信號(hào)線（如典型的低速控制/狀態(tài)信號(hào)）應(yīng)在一點(diǎn)（）或兩點(diǎn)通過隔離地線。如果走線只位於一面， 隔離地線可走到PCB的另一面以跳過信號(hào)走線而保持連續(xù)。

　　3.9 高頻信號(hào)走線避免使用90度角彎轉(zhuǎn)，應(yīng)使用平滑圓弧或45度角。

　　3.10 高頻信號(hào)走線應(yīng)減少使用過孔連接。

　　3.11 所有信號(hào)走線遠(yuǎn)離晶振電路。

　　3.12 對(duì)高頻信號(hào)走線應(yīng)采用單一連續(xù)走線，避免出現(xiàn)從一點(diǎn)延伸出幾段走線的情況。

　　3.13 DAA電路中，穿孔周圍（所有層面）留出至少60mil的空間。

　　3.14 清除地線環(huán)路，以防意外電流回饋影響電源。

　　4. 電源

　　4.1 確定電源連接關(guān)系。

　　4.2 數(shù)字信號(hào)布線區(qū)域中，用10uF電解電容或鉭電容與0.1uF瓷片電容并聯(lián)后接在電源/地之間。在PCB板電源入口端和遠(yuǎn)端各放置一處，以防電源尖峰脈沖引發(fā)的噪聲干擾。

　　4.3 對(duì)雙面板，在用電電路相同層面中，用兩邊線寬為 200mil的電源走線環(huán)繞該電路。（另一面須用數(shù)字地做相同處理）

　　4.4 一般地，先布電源走線，再布信號(hào)走線。

　　5. 地

　　5.1雙面板中，數(shù)字和模擬元器件（除DAA）周圍及下方未使用之區(qū)域用數(shù)字地或模擬地區(qū)域填充，各層面同類地區(qū)域連接在一起，不同層面同類地區(qū)域通過多個(gè)過孔相連：Modem DGND引腳接至數(shù)字地區(qū)域，AGND引腳接至模擬地區(qū)域;數(shù)字地區(qū)域和模擬地區(qū)域用一條直的空隙隔開。

　　5.2 四層板中，使用數(shù)字和模擬地區(qū)域覆蓋數(shù)字和模擬元器件（除DAA）；Modem DGND引腳接至數(shù)字地區(qū)域，AGND引腳接至模擬地區(qū)域;數(shù)字地區(qū)域和模擬地區(qū)域用一條直的空隙隔開。

　　5.3 如設(shè)計(jì)中須EMI過濾器，應(yīng)在接口插座端預(yù)留一定空間，絕大多數(shù)EMI器件（Bead/電容）均可放置在該區(qū)域;未使用之區(qū)域用地區(qū)域填充，如有屏蔽外殼也須與之相連。

　　5.4 每個(gè)功能模塊電源應(yīng)分開。功能模塊可分為：并行總線接口、顯示、數(shù)字電路（SRAM、EPROM、Modem）和DAA等，每個(gè)功能模塊的電源/地只能在電源/地的源點(diǎn)相連。

　　5.5 對(duì)串行DTE模塊，使用去耦電容減少電源耦合，對(duì)電話線也可做相同處理。

　　5.6 地線通過一點(diǎn)相連，如可能，使用Bead；如抑制EMI需要，允許地線在其它地方相連。

　　5.7 所有地線走線盡量寬，25-50mil。

　　5.8 所有IC電源/地間的電容走線盡量短，并不要使用過孔。

　　6. 晶振電路

　　6.1 所有連到晶振輸入/輸出端（如XTLI、XTLO）的走線盡量短，以減少噪聲干擾及分布電容對(duì)Crystal的影響。XTLO走線盡量短，且彎轉(zhuǎn)角度不小於45度。（因XTLO連接至上升時(shí)間快，大電流之驅(qū)動(dòng)器）

　　6.2 雙面板中沒有地線層，晶振電容地線應(yīng)使用盡量寬的短線連接至器件上離晶振近的DGND引腳，且盡量減少過孔。

　　6.3 如可能，晶振外殼接地。

　　6.4 在XTLO引腳與晶振/電容節(jié)點(diǎn)處接一個(gè)100 Ohm電阻。

　　6.5 晶振電容的地直接連接至 Modem的GND引腳，不要使用地線區(qū)域或地線走線來(lái)連接電容和Modem的GND引腳。

　　7. 使用EIA/TIA-232接口的獨(dú)立Modem設(shè)計(jì)

　　7.1 使用金屬外殼。 如果須用塑料外殼，應(yīng)在內(nèi)部貼金屬箔片或噴導(dǎo)電物質(zhì)以減小EMI。

　　7.2 各電源線上放置相同模式的Choke。

　　7.3 元器件放置在一起并緊靠EIA/TIA-232接口的Connector。

　　7.4 所有EIA/TIA-232器件從電源源點(diǎn)單獨(dú)連接電源/地。電源/地的源點(diǎn)應(yīng)為板上電源輸入端或調(diào)壓芯片的輸出端。

　　7.5 EIA/TIA-232電纜信號(hào)地接至數(shù)字地。

　　針對(duì)模擬信號(hào)，再作一些詳細(xì)說明：

　　模擬電路的設(shè)計(jì)是工程師們頭疼、但也是致命的設(shè)計(jì)部分，盡管目前數(shù)字電路、大規(guī)模集成電路的發(fā)展非常迅猛，但是模擬電路的設(shè)計(jì)仍是不可避免的，有時(shí)也是數(shù)字電路無(wú)法取代的，例如 RF 射頻電路的設(shè)計(jì)！這里將模擬電路設(shè)計(jì)中應(yīng)該注意的問題總結(jié)如下，有些純屬經(jīng)驗(yàn)之談，還望大家多多補(bǔ)充、多多批評(píng)指正！。..

　　（1）為了獲得具有良好穩(wěn)定性的反饋電路，通常要求在反饋環(huán)外面使用一個(gè)小電阻或扼流圈給容性負(fù)載提供一個(gè)緩沖。

　?。?）積分反饋電路通常需要一個(gè)小電阻（約 560 歐）與每個(gè)大于 10pF 的積分電容串聯(lián)。

　?。?）在反饋環(huán)外不要使用主動(dòng)電路進(jìn)行濾波或控制 EMC 的 RF 帶寬，而只能使用被動(dòng)元件（為 RC 電路）。僅僅在運(yùn)放的開環(huán)增益比閉環(huán)增益大的頻率下，積分反饋方法才有效。在更高的頻率下，積分電路不能控制頻率響應(yīng)。

　?。?）為了獲得一個(gè)穩(wěn)定的線性電路，所有連接必須使用被動(dòng)濾波器或其他抑制方法（如光電隔離）進(jìn)行保護(hù)。

　　（5）使用 EMC 濾波器，并且與 IC 相關(guān)的濾波器都應(yīng)該和本地的 0V 參考平面連接。

　?。?）在外部電纜的連接處應(yīng)該放置輸入輸出濾波器，任何在沒有屏蔽系統(tǒng)內(nèi)部的導(dǎo)線連接處都需要濾波，因?yàn)榇嬖?a target="_blank">天線效應(yīng)。另外，在具有數(shù)字信號(hào)處理或開關(guān)模式的變換器的屏蔽系統(tǒng)內(nèi)部的導(dǎo)線連接處也需要濾波。

　　（7）在模擬 IC 的電源和地參考引腳需要高質(zhì)量的 RF 去耦，這一點(diǎn)與數(shù)字 IC 一樣。但是模擬 IC 通常需要低頻的電源去耦，因?yàn)槟M元件的電源噪聲抑制比（PSRR）在高于 1KHz 后增加很少。在每個(gè)運(yùn)放、比較器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的模擬電源走線上都應(yīng)該使用 RC 或 LC 濾波。電源濾波器的拐角頻率應(yīng)該對(duì)器件的 PSRR 拐角頻率和斜率進(jìn)行補(bǔ)償，從而在整個(gè)工作頻率范圍內(nèi)獲得所期望的 PSRR 。

　?。?）對(duì)于高速模擬信號(hào)，根據(jù)其連接長(zhǎng)度和通信的頻率，傳輸線技術(shù)是必需的。即使是低頻信號(hào)，使用傳輸線技術(shù)也可以改善其抗干擾性，但是沒有正確匹配的傳輸線將會(huì)產(chǎn)生天線效應(yīng)。

　?。?）避免使用高阻抗的輸入或輸出，它們對(duì)于電場(chǎng)是非常敏感的。

　?。?0）由于大部分的輻射是由共模電壓和電流產(chǎn)生的，并且因?yàn)榇蟛糠汁h(huán)境的電磁干擾都是共模問題產(chǎn)生的，因此在模擬電路中使用平衡的發(fā)送和接收（差分模式）技術(shù)將具有很好的 EMC 效果，而且可以減少串?dāng)_。平衡電路（差分電路）驅(qū)動(dòng)不會(huì)使用 0V 參考系統(tǒng)作為返回電流回路，因此可以避免大的電流環(huán)路，從而減少 RF 輻射。

　?。?1）比較器必須具有滯后（正反饋），以防止因?yàn)樵肼暫透蓴_而產(chǎn)生的錯(cuò)誤的輸出變換，也可以防止在斷路點(diǎn)產(chǎn)生振蕩。不要使用比需要速度更快的比較器（將 dV/dt 保持在滿足要求的范圍內(nèi)，盡可能低）。

　　（12）有些模擬 IC 本身對(duì)射頻場(chǎng)特別敏感，因此常常需要使用一個(gè)安裝在 PCB 上，并且與 PCB 的地平面相連接的小金屬屏蔽盒，對(duì)這樣的模擬元件進(jìn)行屏蔽。注意，要保證其散熱條件。