[圖文]利用高頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電壓調(diào)節(jié)電路

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增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

總的來說，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能

2012-02-02 11:55:20

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路詳解

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路，場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。

2022-11-30 09:30:00

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一文詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細(xì)介紹一番的。

2023-09-28 09:31:04

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管怎么代替繼電器晶體管輸出和繼電器輸出的區(qū)別

繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)來控制機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制。而場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通過柵極施加正負(fù)偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。

2024-02-18 10:16:41

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種改變電場(chǎng)來控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有

2012-08-03 21:44:34

場(chǎng)效應(yīng)晶體管K值的參數(shù)意義

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的K值得問題：在研究學(xué)習(xí)楊建國老師的負(fù)反饋和運(yùn)算放大器基礎(chǔ)這本書的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)有一道題的一個(gè)參數(shù)不知道什么意思，請(qǐng)大咖們幫忙解惑...Page65 ： K=0.0502A/V*V 這個(gè)參數(shù)是什么意思呢？多謝！~

2019-04-04 11:47:20

場(chǎng)效應(yīng)晶體管與晶體三極管對(duì)比，誰能更勝一籌？

和PNP型晶體三極管引腳對(duì)應(yīng)圖。（2)．場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。場(chǎng)效應(yīng)晶體管道放大系數(shù)是（跨導(dǎo)gm）當(dāng)柵極電壓改變一伏時(shí)能

2019-03-28 11:37:20

場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用詳解

我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2018-03-17 14:19:05

場(chǎng)效應(yīng)晶體管分類、結(jié)構(gòu)、測(cè)試、工作原理是什么

的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。（6）.電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）. MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護(hù)二極管

2011-12-19 16:30:31

場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路中的五大作用，你了解哪一種？

`一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管特點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異

2019-03-25 16:16:06

場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路中的特別應(yīng)用，你未必全都清楚

并不是一個(gè)固定值，它會(huì)隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給場(chǎng)效應(yīng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。為了讓場(chǎng)效應(yīng)晶體管在高gate電壓下安全，很多場(chǎng)效應(yīng)晶體管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate

2019-04-16 11:22:48

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用

2019-06-18 04:21:57

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管容易制造，場(chǎng)效應(yīng)晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場(chǎng)效應(yīng)晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。場(chǎng)效應(yīng)晶體管特點(diǎn)（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小

2019-05-08 09:26:37

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的四大注意事項(xiàng)，一般人我不告訴他

`場(chǎng)效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時(shí)除了留意不要使主要參數(shù)超越允許值外，對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管還應(yīng)特別留意由于感應(yīng)電壓過高而形成的擊穿因素。場(chǎng)效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時(shí)應(yīng)留意以下幾點(diǎn)：1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時(shí)要留意

2019-03-22 11:43:43

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)分享

用功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。所選場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓（或開啟電壓）、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率

2021-05-13 07:10:20

場(chǎng)效應(yīng)晶體管相關(guān)資料下載

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET

2021-05-24 06:27:18

場(chǎng)效應(yīng)晶體管知識(shí)和使用分享！

如何搞定恒流電源電路設(shè)計(jì).doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路.doc場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí).doc全系列場(chǎng)效應(yīng)管

2019-08-11 22:46:35

LABVIEW可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)嗎

向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性測(cè)量”。電路和普通的測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥了，請(qǐng)見諒。能建立下圖這種電路就行。

2014-04-11 12:06:22

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2012-08-20 08:51:08

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理

2012-08-20 08:22:32

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理

2012-08-20 07:46:37

MOS管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管背后的聯(lián)系，看完后就全明白了

分為增強(qiáng)型和耗盡型，這兩種電子元器件工作原理略有不同，增強(qiáng)型管在柵極（G）加上正向電壓時(shí)漏極（D）和源極（S）才能導(dǎo)通，而耗盡型即使柵極（G）沒加正電壓，漏極（D）和源極（S）也是導(dǎo)通的。其實(shí)到這場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2019-04-15 12:04:44

MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用注意事項(xiàng)

，使Gate和Drain之間的場(chǎng)被建立，從而觸發(fā)這種場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。　　MOSFET的主要用途：　　MOSFET在工業(yè)中有廣泛的應(yīng)用，主要用在邏輯電路，放大電路，功率電路等方面。普遍

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MOSFET和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變

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MOS_場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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eGaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管在高頻諧振總線轉(zhuǎn)換器和48 V降壓轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用介紹

場(chǎng)效應(yīng)晶體管。拓?fù)淙鐖D2所示采用諧振技術(shù)，利用變壓器的磁化電感（LM）和漏電感（LK）的諧振加上小的輸出電容（CO）來實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)（ZVS），限制關(guān)閉電流，消除體二極管導(dǎo)通。圖2：高頻總線轉(zhuǎn)換器在高頻

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一文教你秒懂晶體三極管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管選型的訣竅

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一文讓你秒懂場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所有參數(shù)

源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。（2）夾斷電壓夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道

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三極管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管，誰才是電子行業(yè)的領(lǐng)頭羊？

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不懂選擇三極管和場(chǎng)效應(yīng)管？看這篇就夠了

，也要搞好電路板以及場(chǎng)效應(yīng)晶體管的散熱。雪崩擊穿指的是半導(dǎo)體器件上的反向電壓超出最高值，并產(chǎn)生強(qiáng)電場(chǎng)使電子元件內(nèi)電流增加。晶片尺寸的增加會(huì)增強(qiáng)抗雪崩能力，最后提高電子元件的穩(wěn)健性。因而挑選更大的封裝件

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`功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`

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如何判斷場(chǎng)效應(yīng)晶體管方向，學(xué)會(huì)這幾步輕松搞定

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小

2009-04-25 16:05:10

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什么是場(chǎng)效應(yīng)晶體管

場(chǎng)效應(yīng)晶體管 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即

2009-05-24 23:11:15

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管氣敏差分電路圖

場(chǎng)效應(yīng)晶體管氣敏差分電路圖

2009-06-08 09:43:22

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管TVS保護(hù)電路圖

場(chǎng)效應(yīng)晶體管TVS保護(hù)電路圖

2009-06-08 14:53:55

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4CCM場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極輸出電路圖

2009-06-08 15:15:44

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金屬氧化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路圖

金屬氧化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路圖

2009-07-01 12:00:21

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使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的貨車箱形電路圖

使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的貨車箱形電路圖

2009-07-02 13:11:18

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采用金屬氧化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輻射測(cè)量器電路圖

采用金屬氧化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輻射測(cè)量器電路圖

2009-07-03 13:33:49

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MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法該N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)

2009-09-05 15:17:18

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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）電壓表

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）電壓表這個(gè)非常簡(jiǎn)單的

2009-09-24 14:45:47

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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么?

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么? 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的晶體管，簡(jiǎn)稱FET。場(chǎng)效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場(chǎng)的方向或大小，

2010-03-04 15:58:13

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絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管“放電式”長延時(shí)電路圖

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2010-03-30 14:44:54

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絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管長延時(shí)電路圖

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管長延時(shí)電路圖

2010-03-30 14:45:53

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光電池-VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管光敏繼電器電路圖

光電池-VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管光敏繼電器電路圖

2010-03-31 17:15:50

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器

場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器 場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)

2010-04-16 10:08:57

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路

場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管）有結(jié)型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。 場(chǎng)效應(yīng)管作為開關(guān)器件應(yīng)用類似

2010-05-24 15:26:06

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹

電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹

2016-08-22 16:18:03

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及使用

電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及使用

2016-08-22 16:18:03

VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用

VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用

2017-09-21 11:21:24

有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹

本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個(gè)方面介紹了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2018-01-03 14:20:44

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隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介紹

隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。

2018-01-03 15:32:45

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管六大選擇技巧

隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度，大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會(huì)運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2019-08-18 10:07:52

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作特性

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2019-10-11 10:26:31

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特點(diǎn)_功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)

MOSFET的類型很多，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道；根據(jù)柵極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強(qiáng)型。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強(qiáng)型。

2019-10-11 10:33:29

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)引腳符號(hào)

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。

2019-10-11 10:51:09

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兩列典型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用電路

電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過漏極負(fù)載電阻R2，把電壓加在了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，而負(fù)極性電源通過柵極偏置電阻R1，把電壓加在了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極。

2019-10-13 15:33:00

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FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管掃盲

一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場(chǎng)

2020-03-23 11:03:18

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如何進(jìn)行場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類和使用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

2020-07-02 17:19:05

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類說明

場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類?？煞譃橐韵?種?？煞譃榻Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2020-09-18 14:08:44

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MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)_MOS場(chǎng)效應(yīng)管安裝及拆卸流程

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則。

2020-10-02 18:06:00

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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用。

2021-03-19 16:11:17

砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaAsFET)是什么

GaAsFET（砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是高頻、超高頻、微波無線電頻下功放電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名，其形成的內(nèi)部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率

2021-09-13 17:23:42

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。

2023-05-16 15:02:23

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏?？刂茩M向電場(chǎng)的電極稱為柵。

2023-05-16 15:14:08

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。

2023-05-16 15:20:04

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。

2023-05-17 15:15:37

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場(chǎng)效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-09-28 17:10:46

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選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的六大訣竅

選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的六大訣竅

2023-12-05 15:51:38

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【科普小貼士】什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）

【科普小貼士】什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）

2023-12-13 14:36:44

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大

場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性

2023-12-08 10:27:08

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型及特點(diǎn)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動(dòng)。

2024-02-22 18:16:54

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[圖文]利用高頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電壓調(diào)節(jié)電路

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