去年美光等多家內(nèi)存廠商相繼推出了DDR5內(nèi)存，但去年各大平臺DDR5內(nèi)存上千乃至數(shù)千的價格，加上CPU、主板等硬件支持的普及還不到位等問題，這第一批DDR5內(nèi)存并沒有在市場上掀起多大的風浪。然而
2022-07-12 08:27:00
8641 如果保養(yǎng)不當，就算是質(zhì)量很好的品牌移動電源，使用壽命也會大受影響，甚至會產(chǎn)生安全問題。那么如何保養(yǎng)移動電源呢?小編給大家介紹幾個很實用的小貼士。 移動電源給設備充電
2012-07-22 13:16:554337 
廉價的雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存（以及DDR2和DDR3等后來的版本）為臺式機和筆記本電腦的工作內(nèi)存提供了支柱。通過在脈沖序列的前沿和后沿上為存儲器提供時鐘，存儲器吞吐量加倍，而功耗僅略微增加。
2019-03-25 08:48:004083 
DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061885 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個時代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對比分析。
2011-12-29 14:21:563148 江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 22:58:49
極大提高故障覆蓋率.快速測試: 內(nèi)建式快速測試模式, 使大多數(shù)內(nèi)存故障在電源打開后第1秒鐘顯示.完全測試: 內(nèi)建式完全測試模式, 測試速度:32MB/S頻率測試: 頻率測試向量自動識別各種頻率的DDR
2009-02-10 22:53:43
極大提高故障覆蓋率.快速測試: 內(nèi)建式快速測試模式, 使大多數(shù)內(nèi)存故障在電源打開后第1秒鐘顯示.完全測試: 內(nèi)建式完全測試模式, 測試速度:32MB/S頻率測試: 頻率測試向量自動識別各種頻率的DDR
2009-03-12 16:05:56
概述: JS-9300A內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
極大提高故障覆蓋率.快速測試: 內(nèi)建式快速測試模式, 使大多數(shù)內(nèi)存故障在電源打開后第1秒鐘顯示.完全測試: 內(nèi)建式完全測試模式, 測試速度:32MB/S頻率測試: 頻率測試向量自動識別各種頻率的DDR
2009-02-10 22:50:27
極大提高故障覆蓋率.快速測試: 內(nèi)建式快速測試模式, 使大多數(shù)內(nèi)存故障在電源打開后第1秒鐘顯示.完全測試: 內(nèi)建式完全測試模式, 測試速度:32MB/S頻率測試: 頻率測試向量自動識別各種頻率的DDR
2009-02-10 22:55:45
針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準?！ ?b class="flag-6" style="color: red">DDR內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率
2011-02-27 16:47:17
DDR的電源可以分為哪幾類？拉電流和灌電流分別是什么意思？拉電流和灌電流為什么能夠衡量輸出驅(qū)動能力？
2021-10-08 07:40:35
本等因素正同時給設計和設計人員帶來深刻影響?！ ≡O計電源是一個復雜的過程，涉及到多個步驟。簡單將電源設計工作流程分為10個階段，提供每個階段的測試小貼士。希望這份電源設計全攻略對您有所裨益，讓您的測試
2016-01-12 11:08:55
中每個設計階段的測試要求，并給出小貼士，讓您的測試更高效，讓您的生活更輕松。 在任何電源設計中，第一步都要選擇元器件。良好的電源設計離不開電源元器件及控制芯片?？紤]到所有選項，為最優(yōu)設計選擇適當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">電源
2016-08-18 16:23:38
因素正同時給設計和設計人員帶來深刻影響。設計電源是一個復雜的過程，涉及到多個步驟。我們簡單將電源設計工作流程分為10個階段，提供每個階段的測試小貼士。希望我們這份電源設計全攻略對您有所裨益，讓您的測試
2016-08-03 21:16:24
作者：Robert Kollman，德州儀器 (TI)Note:欲查看《電源設計小貼士》此前章節(jié)的內(nèi)容，請點擊下載PDF合輯（已收集1-10章和11-20章，20-30章敬請期待）。在這篇《電源
2018-09-26 10:23:27
作者：Robert Kollman，德州儀器 (TI)在這篇《電源設計小貼士》中，我們繼續(xù)《電源設計小貼士#32-第 1 部分》的討論，即如何確定 SEPIC 拓撲中耦合電感的漏電感要求。前面，我們
2018-09-26 10:19:06
DDR內(nèi)存電源控制器
2023-03-28 21:13:19
環(huán)路關閉的開關式電源使用 200 uF 的電容，從而帶來更多的成本和電路板面積（參閱《電源設計小貼士 #10》） 總之，DDR 內(nèi)存通過同時對時鐘兩個沿的數(shù)據(jù)計時提高了系統(tǒng)速度，帶來更高的數(shù)據(jù)傳輸速度
2012-02-09 11:09:02
文章目錄主板內(nèi)存顯卡電源硬盤主板注意CPU接口購買前先看主板參數(shù)的CPU插槽信息，如果和CPU接口對不上的話，那么這塊主板將無法用于你的CPU。注意內(nèi)存條限制就如CPU一樣，主板也是有內(nèi)存條限制
2021-12-29 07:07:22
，DDR5標準將提供兩倍于上代的性能并大大提高電源效率。在DDR5內(nèi)存標準下，最高內(nèi)存傳輸速度能達到6.4Gbps。此外，DDR5也改善了DIMM的工作電壓，將電壓從DDR4的1.2V降至1.1V，能夠
2022-10-26 16:37:40
DDR內(nèi)存SPD資料,DDR8X16 266,DDR16X8 266,DDR16X8 333,DDR16X16 266,DDR32X8 266,DDR32X8 400,DDR64X4 266,DDR 8X16.
2008-10-27 21:02:37
205 針對當今電子系統(tǒng)對高速大容量內(nèi)存的需要，本文闡述了使用DDR 控制器IP 核來設計實現(xiàn)DDR內(nèi)存接口的方法。該方法能使設計盡可能簡單，讓設計者更專注于關鍵邏輯設計，以便達到
2009-08-11 09:42:5120 ddr內(nèi)存針腳定義圖
2008-04-28 13:45:414210 
MAX17000 完備的DDR2和DDR3電源管理方案
MAX17000 概述
MAX17000脈寬調(diào)制
2009-01-22 12:59:211018 
DDR內(nèi)存插槽及測試點
一、實物圖上圖就是DDR內(nèi)存插槽實物圖
2009-04-26 15:36:515390 
DDR2內(nèi)存傳輸標準 DDR2可以看作是DDR技術標準的一種升級和擴展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也
2009-04-26 18:05:40786 
DDR 內(nèi)存兼容性列表
主板名稱 主板型號 芯片組 內(nèi)存插槽規(guī)格 ASUS A7A266 ALI 3DDR+2SDRAM A7M266 AMD760 3DDRCUV266 VIA266 3DDR+2SDR
2009-05-22 08:57:081543 什么是DDR SDRAM內(nèi)存
DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術，DDR，英文原意為“DoubleDataRate”，顧名思義，就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也
2009-12-17 11:15:531646 DDR SDRAM內(nèi)存
DDR SDRAM是Double Dat
2009-12-17 16:20:33684 DDR2內(nèi)存傳輸標準
DDR2可以看作是DDR技術標準的一種升級和擴展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也就是說在一個時鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28621 從那時起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設計讓DDR SDRAM技術黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術前，設計人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:145033 
業(yè)界最小負載點直流—直流轉(zhuǎn)換器領先創(chuàng)新者Enpirion 公司發(fā)布了其 DDR 存儲器終端電源的電源集成電路 （IC） 產(chǎn)品組合的新成員。Enpirion EV1320 是 2A （sink/source） DDR 終端轉(zhuǎn)換器，最高效
2012-02-16 09:03:51871 在《電源設計小貼士 40：非隔離式電源的共模電流》中，我們討論了開關級中大電壓擺動如何形成共模電流的問題，并介紹了它驅(qū)動電流進入電容到機架接地的過程。在這篇《電源設計
2012-11-16 15:17:001252 在本篇電源設計小貼士中，我們將繼續(xù)討論共模電流問題。如前所述我們可以使用一個機架電容將共模電流返回至電源，該電容還可以降低噪聲的源阻抗。
2013-01-07 11:43:171002 
SD-DDR-DDR2內(nèi)存條標準尺寸
2013-09-13 15:19:42162 DDR系列內(nèi)存詳解及硬件設計規(guī)范， 好的教程
2015-11-16 18:59:580 內(nèi)存顆粒廠家提供的，DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39471 華芯半導體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120 內(nèi)存緩沖是高性能設計過程中的常見處理瓶頸。應用開發(fā)人員現(xiàn)已將目光投向了比 ?DDR3? 更高的內(nèi)存帶寬、電源效率及成本降低水平。查看本期的實戰(zhàn)論壇，其中電子工程雜志的 Amelia Dalton
2017-02-09 06:18:33470 下一代服務器DIMM緩沖器芯片瞄準DDR5內(nèi)存應用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203096 電源測量小貼士 10 個設計階段
2017-10-16 15:44:486 電源測量的小貼士 10 個設計階段
2017-10-19 09:03:494 雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 LTC3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案，可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未來的較低電壓 DDRX標準。LTC3876 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一個高精度線性 VTT 基準。一個差分輸出檢測放大器與高精度的內(nèi)部基準相組合，可提供一個準確的 VDDQ 電源。
2018-07-05 10:07:001003 
電源設計小貼士52-改造墻式電源
2018-08-24 00:22:001836 電源設計小貼士30：低壓降壓IC讓簡捷、經(jīng)濟的偏置電源成為現(xiàn)實
2018-08-16 00:18:004434 電源設計小貼士 1：為您的電源選擇正確的工作頻率
2018-08-15 01:36:008768 電源設計小貼士38：使用簡易鎖存電路保護電源
2018-08-10 00:03:004147 電源設計小貼士2：駕馭噪聲電源
2018-08-08 02:22:006284 電源設計小貼士27：壓降式并行電源供應
2018-08-08 01:36:002046 電源設計小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源
2018-08-08 01:33:005235 電源設計小貼士34：如何設計簡單的隔離偏置電源
2018-08-22 00:40:003135 電源設計小貼士 40：非隔離式電源的共模電流
2018-08-08 01:38:004716 電源設計小貼士11&12：解決電源電路損耗問題
2018-08-08 00:33:004458 電源設計小貼士53-采用P-Spice設計電源控制環(huán)路
2018-08-21 01:20:002596 通過PMBus電源向ASIC、FPGA?以及DDR電壓軌供電設計
2018-08-06 00:08:004442 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分，都采用源同步時序，即選通信號(時鐘)不是獨立的時鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達1866Mbps；DDR3還采用8位預取技術，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231736 美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們在DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:043332 
嚴格來說，合肥長鑫的內(nèi)存不是第一款國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片，紫光旗下的紫光國微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā)，也曾少量用于國產(chǎn)的服務器等產(chǎn)品中，但是紫光國微沒有生產(chǎn)能力，DDR內(nèi)存無法大量供應。
2020-03-01 10:15:112744 今年，小米10等智能手機都開始用上了LPDDR5內(nèi)存，此后，這樣規(guī)格的內(nèi)存應該也會成為新一代旗艦手機的標配。不過在PC端，DDR5內(nèi)存還是需要等待的，英特爾和AMD的下一代消費級處理器和主板產(chǎn)品
2020-07-30 15:27:122479 最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來了，DDR4內(nèi)存當然不會馬上被淘汰，但前景肯定不會多好
2021-02-02 11:27:393279 對于電源電壓，DDR SDRAM系統(tǒng)要求三個電源，分別為VDDQ、VTT和VREF。
2021-03-18 01:13:0525 用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標準
2021-03-19 08:44:5013 三星發(fā)布3款DDR5內(nèi)存用電源管理芯片 外媒 TheElec 報道稱，在 5 月 19 日的時候，三星電子正式發(fā)布了 3 款 DDR5 內(nèi)存用電源管理芯片，可以做到高效直流降壓。 三星稱，最新的電源
2021-05-21 18:11:342944 DDR內(nèi)存是3.3V，DDR1內(nèi)存是2.5V參考電壓是1.25V，DDR2內(nèi)存是1.8V電壓參考電壓是0.9V。 CPU供電是雙12V的，3.3V主要是供給開機，復位5VSB(待機電壓)內(nèi)存電壓偏低
2021-06-23 16:28:353559 一、DDR電源 DDR的電源可以分為三類： 1.1 主電源VDD和VDDQ 主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO ?buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ
2021-08-18 11:15:294054 
作者：Robert Kollman，德州儀器 (TI)
在這篇《電源設計小貼士》中，我們繼續(xù)《電源設計小貼士? #32-第 1 部分》的討論，即如何確定 SEPIC 拓撲中耦合電感的漏電感要求
2021-11-10 09:44:531611 
作者：Robert Kollman，德州儀器 (TI)
Note:欲查看《電源設計小貼士》此前章節(jié)的內(nèi)容，請點擊下載PDF合輯（已收集1-10章和11-20章，20-30章敬請期待）。
在這
2021-11-10 09:44:531713 
日前，世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示，多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入，至今已長達15年，因為其不再泛用于主流平臺，即便退出市場也不會
2022-04-06 12:22:564679 DDR5在DDR4的基礎上做了許多改進，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯機制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片（PMIC）。
2022-07-12 09:58:503918 電源管理設計小貼士：回到未來，電力電子產(chǎn)品如何變化
2022-11-01 08:26:000 電源小貼士#78：同步整流可改善反激式電源的交叉調(diào)整率
2022-11-01 08:26:562 電源小貼士：在何處連接頻率分析儀參考引線用于波德圖測量——第1部分
2022-11-02 08:16:112 電源小貼士：使用C型USB端口進行電力共享
2022-11-02 08:16:280 電源小貼士：如何成功設計超寬輸入小功率反激式轉(zhuǎn)換器
2022-11-04 09:50:101 電源小貼士：如何用分立組件設計穩(wěn)健的串聯(lián)線性穩(wěn)壓器
2022-11-04 09:50:450 電源小貼士：如何用分立組件設計穩(wěn)健的串聯(lián)線性穩(wěn)壓器
2022-11-04 09:50:460 電源小貼士：如何為波特圖設置頻率響應分析儀
2022-11-04 09:50:470 LTC?3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案，兼容 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR4 較低電壓標準。該 IC 包括 VDDQ和 VTT DC/DC 控制器和精密線性VTT 參考。差分輸出檢測放大器和精密內(nèi)部基準相結(jié)合，提供精確的VDDQ供應。
2023-01-17 10:29:271728 
DDR內(nèi)存由于其快速的數(shù)據(jù)傳輸速率和成本而在服務器和個人計算機中變得非常流行。DDR 內(nèi)存需要主內(nèi)存電源（也稱為 VDD）和跟蹤端接電源 VTT。MAX1917為多功能快速PWM降壓控制器，能夠灌入和拉出高達25A的電流。本應用筆記說明了MAX1917用作服務器DDR存儲器的VDD電源。
2023-03-10 10:24:331930 
電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個數(shù)等進行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設計時，如果有一個完整的電源平面鋪到管腳上，是最理想的狀態(tài)，并且在電源入口加大電容儲能，每個管腳上加一個100nF~10nF的小電容濾波。
2023-06-01 14:37:49514 
編者注：DDR總線的設計相對而言是非常復雜的，比如電源系統(tǒng)中就包含了很多中電源的設計，只是某些工程師在設計的時候做了一些簡化。本文就針對VTT做了比較詳細的介紹。
2023-06-16 16:35:213426 
本設計筆記顯示了用于工作站和服務器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512813 RK3588 VCC_DDR電源PCB設計 1、VCC_DDR覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挘窂讲荒鼙贿^孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN
2023-09-28 07:40:05427 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標準。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關注。 DDR
2023-10-30 09:22:003895 DDR內(nèi)存條的設計
2022-12-30 09:20:0321 再談DDR內(nèi)存布線
2022-12-30 09:21:082 VTT電源對DDR有什么作用？
2023-11-27 16:20:14579 
DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細比較這兩種內(nèi)存技術，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052867 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:120
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