看懂MOSFET數(shù)據(jù)表系列第 5 部分——開(kāi)關(guān)參數(shù)

最后，我們來(lái)到了這個(gè)試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個(gè)博客中，我們將花時(shí)間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開(kāi)關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對(duì)于總體器件性能的相關(guān)性（或者與器件性能沒(méi)什么關(guān)系）。

另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開(kāi)關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開(kāi)關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。不好意思，我說(shuō)的這些聽(tīng)起來(lái)有點(diǎn)兒前言不搭后語(yǔ)，不過(guò)設(shè)計(jì)人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同的FET時(shí)要小心，這是因?yàn)闇y(cè)試條件決定一切，事情往往是如此！

圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個(gè)不同di/dt速率上測(cè)得的輸出電荷和反向恢復(fù)電荷，這代表了一個(gè)事物的兩個(gè)方面。在左側(cè)，Qrr在360A/μs時(shí)測(cè)得的值為85nC，在右邊，2000A/μs時(shí)測(cè)得的值為146nC。雖然沒(méi)有測(cè)量部件的di/dt行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，但我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，為了得到極地的Qrr，我們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手將測(cè)量時(shí)的di/dt速率調(diào)低至100 A/us。

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第5部分—開(kāi)關(guān)參數(shù)

圖1：360A/μs（左側(cè)）和2000A/μs（右側(cè)）時(shí)，在CSD18531Q5A上測(cè)得的Qrr和QOSS值。

Qrr 甚至可以對(duì)測(cè)試執(zhí)行性的二極管正向電流 (If) 具有更強(qiáng)的依賴(lài)關(guān)系。而進(jìn)一步使事情復(fù)雜化的原因在于，某些廠商未將QOSS 作為一個(gè)單獨(dú)參數(shù)包含在內(nèi)，而是只將這個(gè)參數(shù)吸收到Qrr 的技術(shù)規(guī)格當(dāng)中。除了數(shù)據(jù)表中列出的測(cè)試條件，事實(shí)上，其它諸如電路板寄生電感和主觀測(cè)量方法等考慮也使得比較單獨(dú)廠商數(shù)據(jù)表中的這些參數(shù)變得不太可能。這并不是說(shuō)這些參數(shù)對(duì)于設(shè)計(jì)不重要，而是為了說(shuō)明，要獲得可靠的比較數(shù)據(jù)，唯一有效的解決方案就是使用通常的方法和電路板對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行獨(dú)立采集。

我在這個(gè)系列中將要提到的最后一個(gè)參數(shù)就是開(kāi)關(guān)時(shí)間。這4個(gè)參數(shù)通常由下方圖2中的波形定義，并且會(huì)出現(xiàn)在每個(gè)廠商的數(shù)據(jù)表中。它們是如此地依賴(lài)于電路板和測(cè)試條件，以至于FET行業(yè)的一位元老級(jí)人物（也是個(gè)人導(dǎo)師）經(jīng)常把這些參數(shù)引用為“FET數(shù)據(jù)表中最沒(méi)用的參數(shù)”。本來(lái)是為了指示出開(kāi)關(guān)速度，而實(shí)際上，由于這些參數(shù)是FET特性值，所以它們至多只反映出驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度和漏電流。TI在器件的額定電流上進(jìn)行測(cè)試時(shí)將這些參數(shù)包含在內(nèi)，而其它廠商只在1A ID 上測(cè)試這些參數(shù)，其目的在于使它們的器件看起來(lái)具有更快的開(kāi)關(guān)速度。更能說(shuō)明器件實(shí)際開(kāi)關(guān)速度的是器件的柵極電荷參數(shù)和內(nèi)部柵極電阻，Rg，這兩個(gè)參數(shù)幾乎不受這些技術(shù)指針差距 (specmanship) “游戲”的影響。

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第5部分—開(kāi)關(guān)參數(shù)

圖2：定義MOSFET數(shù)據(jù)表開(kāi)關(guān)時(shí)間的波形。

謝謝你花時(shí)間閱讀了這個(gè)與MOSFET數(shù)據(jù)表有關(guān)的博客系列。我希望這些文章對(duì)你有所啟發(fā)，在閱讀之后能夠更清楚地理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的參數(shù)值和含糊不清的地方。請(qǐng)分享整個(gè)博客系列，也讓其他人能夠從文中介紹的角度閱讀MOSFET數(shù)據(jù)表，并從中受益。此外，請(qǐng)觀看視頻“NexFET?：世界上最低Rdson 80和100V TO-220 MOSFET”，并在下次設(shè)計(jì)中考慮使用TI的NexFET功率MOSFET產(chǎn)品。

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2016-12-16 16:53:16

十步輕松學(xué)會(huì)MOSFET選型

特性參數(shù)有關(guān)。QG影響驅(qū)動(dòng)損耗，這一部分損耗并不消耗在功率MOSFET中，而且是消耗在驅(qū)動(dòng)IC中。QG越大，驅(qū)動(dòng)損耗越大?；赗DSON選取了功率MOSFET的型號(hào)后，這些開(kāi)關(guān)特性參數(shù)都可以在數(shù)據(jù)表中

2019-04-04 06:30:00

哪些參數(shù)才能理解本數(shù)據(jù)表中的最大時(shí)鐘頻率

嗨！我是FPGA新手。我需要了解哪些參數(shù)才能理解本數(shù)據(jù)表中的最大時(shí)鐘頻率？http://www.xilinx.com/support/documentation/data_sheets/ds183_Virtex_7_Data_Sheet.pdf謝謝亞歷山德羅

2020-06-18 14:46:53

喚醒源的參考數(shù)據(jù)表找不到

您好!對(duì)不起，我問(wèn)的很簡(jiǎn)單。我在使用PROBLE。首先，我想獲得有關(guān)喚醒源的參考數(shù)據(jù)表。不幸的是，我找不到詳細(xì)的代碼或數(shù)據(jù)表。我只使用了名為“1001-92584YAN92584SY”的數(shù)據(jù)表。其次

2019-10-09 11:22:38

如何正確理解功率MOSFET的數(shù)據(jù)表（上篇）.

`如何正確理解功率MOSFET的數(shù)據(jù)表（上篇）.`

2012-08-13 14:24:17

存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀SAN測(cè)試系統(tǒng)1730系列數(shù)據(jù)表

存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀（SAN）測(cè)試系統(tǒng)1730系列 - 數(shù)據(jù)表

2019-09-09 17:44:28

小于5 mA的TDA7377數(shù)據(jù)表備用引腳電流如何驅(qū)動(dòng)小負(fù)載呢

根據(jù) TDA7377 數(shù)據(jù)表，備用引腳 7 的電流必須小于 5 mA。我正在使用雙橋配置，并在引腳 1 和 2 之間施加了 10 歐姆的負(fù)載，放大器運(yùn)行良好。如果我想輸出 2 A 的電流（引腳 1

2022-12-01 07:29:54

打開(kāi)數(shù)據(jù)表命令錯(cuò)誤

嘗試在任何組件上使用“打開(kāi)數(shù)據(jù)表”命令時(shí)，我會(huì)得到以下錯(cuò)誤：GDE.M025:不能啟動(dòng)PDF閱讀器無(wú)法啟動(dòng)PDF閱讀器。安裝PDF閱讀器并確保它與PDF文件相關(guān)。在完成此操作之前，此應(yīng)用程序?qū)o(wú)法顯示

2019-03-19 08:33:28

有沒(méi)有辦法確認(rèn)數(shù)據(jù)表中可能存在的錯(cuò)誤或以其他方式解決明顯的沖突？

SPI1_SCK 連接到 PB3。在第 28/99 頁(yè)的數(shù)據(jù)表表 5 中，PB3 Remap（最右列）僅包括 TIM2_CH2/PB3/TRACESWO。PB4 和 PB5 確實(shí)在同一列中包含

2022-12-07 12:24:02

模塊數(shù)據(jù)表解密

在這兩部分博客系列的第1部分中，我討論了除數(shù)據(jù)表的首頁(yè)之外，了解有關(guān)電源模塊集成和解決方案尺寸的完整故事至關(guān)重要。在本系列中，我將討論與電源模塊瞬態(tài)響應(yīng)和效率相似的問(wèn)題。瞬態(tài)響應(yīng)是最具挑戰(zhàn)的模塊功能

2019-08-20 04:45:02

淺談DC/DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表中的電流限制規(guī)格

，數(shù)據(jù)表將在電感電流的峰值或谷指定限制。然而，正是平均電感電流代表降壓轉(zhuǎn)換器的輸出電流。方程1和2將電感電流限制轉(zhuǎn)化為最大輸出電流：作為一個(gè)示例，讓我們將LMR16030從24V輸入轉(zhuǎn)換為5V輸出。如圖1

2022-05-06 14:14:52

測(cè)試VL53L5CX，LPn引腳的行為與數(shù)據(jù)表中描述的不同是為什么？

我正在測(cè)試 VL53L5CX，發(fā)現(xiàn) LPn 引腳的行為與數(shù)據(jù)表中描述的不同。數(shù)據(jù)表說(shuō)“當(dāng)設(shè)備處于 LP 模式時(shí)，將此引腳驅(qū)動(dòng)為邏輯 0 以禁用 I2C 通信。將此引腳驅(qū)動(dòng)為邏輯 1 以在 LP 模式

2022-12-12 06:41:39

直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表——系統(tǒng)效率揭秘

MOSFET的轉(zhuǎn)換器來(lái)講，數(shù)據(jù)表中并未列出QG等參數(shù)。因此，你需要在實(shí)驗(yàn)臺(tái)上以不同的方式估算ICC。啟動(dòng)設(shè)備后，斷開(kāi)負(fù)載，測(cè)量輸入電流。在未連接載荷的情況下，該輸入電流測(cè)量基本上測(cè)量ICC電流。ICC電流也

2018-08-31 08:59:27

直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表中的電流限制解讀

，而非最大的輸出電流。作為一個(gè)示例，LMR62421被稱(chēng)為“2.1A升壓電壓調(diào)節(jié)器”。這是指MOSFET開(kāi)關(guān)電流，而非輸出電流。您可以使用公式1估計(jì)升壓轉(zhuǎn)換器的最大輸出電流：首先，你需要通過(guò)查看數(shù)據(jù)表

2022-11-15 06:14:26

直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表的電流限制概述

DC / DC轉(zhuǎn)換器的電流限制規(guī)格有時(shí)會(huì)讓不熟悉此類(lèi)型調(diào)壓器的設(shè)計(jì)師感到困惑。此系列博文包括兩部分，我希望此內(nèi)容能幫您消除一些困惑。首先，DC / DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表中的電流限制規(guī)格與低壓差穩(wěn)壓器

2019-07-19 04:45:05

請(qǐng)問(wèn)mosfet引腳如何分配使用？

第一次用IRL530 的mosfet芯片，看數(shù)據(jù)表上寫(xiě)to-262封裝，第2,4腳都是Drain。4腳標(biāo)明是背面散熱片的位置，這個(gè)需要外接嗎，還是說(shuō)它內(nèi)部已經(jīng)連接好了？

2018-12-28 10:04:46

選擇合適的晶體管：了解低頻MOSFET參數(shù)

通不是“開(kāi)/關(guān)”的事情。柵極超過(guò)閾值電壓幾毫伏后，F(xiàn)ET不會(huì)達(dá)到最佳性能：由Vishay Siliconix提供。從本數(shù)據(jù)表中提取的圖; 該FET的最大閾值電壓為2.5V。如果限于相對(duì)較低的驅(qū)動(dòng)電壓，則可

2019-10-25 09:40:30

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表系列第 2 部分——安全工作區(qū) (SOA)

嗨，我的FET狂熱愛(ài)好者同行們，歡迎回到看懂MOSFET數(shù)據(jù)表博客系列的第2部分！作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)工程師，在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中，除了電流額定值（本博客系列中的下一篇文章，這么看來(lái)，也不算是巧合）之外，我被問(wèn)到的最多的問(wèn)題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。

2017-04-18 11:35:01

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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表（第1部分）UIS/雪崩額定值

在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可（IDA、SOA曲線），而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無(wú)用處（比如說(shuō)：開(kāi)關(guān)時(shí)間）。

2017-04-18 11:36:11

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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表系列第 3 部分——連續(xù)電流額定值

嗨，我的FET狂熱愛(ài)好者同行們，歡迎回到看懂MOSFET數(shù)據(jù)表博客系列的第3部分！今天我們來(lái)談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定

2017-04-18 11:47:32

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功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的數(shù)據(jù)解析

視頻簡(jiǎn)介：功率MOSFET數(shù)據(jù)表包含特性、額定值和性能詳細(xì)信息，這對(duì)應(yīng)用中MOSFET的選-用至關(guān)重要。雖然每一應(yīng)用都是獨(dú)一無(wú)二的，MOSFET數(shù)據(jù)表可提供有用的信息用于初-始功率損失的計(jì)算，并提供器件性能能力的快照。本視頻將提供功率MOSFET數(shù)據(jù)表概覽，并闡明具體的數(shù)據(jù)表參數(shù)和定義。

2019-03-12 06:10:00

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IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義

的一些等效圖。 IXYS為數(shù)據(jù)表提供的參數(shù)對(duì)于選擇合適的器件以及重新檢測(cè)其在應(yīng)用中的性能至關(guān)重要。數(shù)據(jù)表中包含的圖表代表典型的性能特征，可用于從一組工作條件推斷出另一組工作條件。功率MOSFET通常包含一個(gè)體二極管，該二極管在感性負(fù)載開(kāi)關(guān)中提供

2021-05-26 14:52:16

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MOSFET數(shù)據(jù)表五開(kāi)關(guān)參數(shù)應(yīng)該如何了解

最后，我們來(lái)到了這個(gè)試圖破解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表的“看懂 MOSFET 數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個(gè)博客中，我們將花時(shí)間看一看 MOSFET 數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開(kāi)關(guān)參數(shù)，并且檢查

2020-12-28 00:02:00