為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
377 
CMT-TIT0697柵極驅(qū)動(dòng)器板被設(shè)計(jì)為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達(dá)2.5W功率的板載隔離電源（且無需降低高達(dá)125°C的額定環(huán)境溫度），該柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頻率高達(dá)100KHz的XM3模塊，從而實(shí)現(xiàn)高功率密度。
2020-01-15 08:09:001117 本文討論了在電動(dòng)汽車應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中選擇CISSOID三相全橋1200V SiC MOSFET智能功率模塊（IPM）體系所帶來的益處，尤其表現(xiàn)在該體系是一個(gè)可擴(kuò)展的平臺(tái)系列。
2020-11-07 12:00:362169 描述這一經(jīng)過驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)概述了如何實(shí)現(xiàn)基于 SiC 的三級(jí)三相直流/交流并網(wǎng)逆變器級(jí)。50kHz 的較高開關(guān)頻率降低了濾波器設(shè)計(jì)的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通過使用可降低開關(guān)損耗
2018-10-29 10:23:06
國(guó)際整流器公司推出堅(jiān)固型600 V三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC，主要應(yīng)用于包括永磁電機(jī)驅(qū)動(dòng)的家電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、微型變頻器驅(qū)動(dòng)和電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)等在內(nèi)的高、中和低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2016-06-21 18:20:36
半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優(yōu)點(diǎn)。隨著SiC基半導(dǎo)體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環(huán)境溫度和較大功率場(chǎng)合下的--寬禁帶半導(dǎo)體材料。近年來隨著電力電子技術(shù)在電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電
2019-10-24 14:25:15
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
可以通過在SiC功率器件上運(yùn)行HTGB（高溫柵極偏壓）和HTRB（高溫反向偏壓）應(yīng)力測(cè)試來評(píng)估性能。Littelfuse在溫度為175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上進(jìn)行了壓力測(cè)試，具有
2019-07-30 15:15:17
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
實(shí)現(xiàn)“充電5分鐘，續(xù)航超200公里。”極氪智能旗下威睿電動(dòng)汽車技術(shù)有限公司正式發(fā)布了600kW超充技術(shù)，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，據(jù)稱可實(shí)現(xiàn)充電5分鐘續(xù)航里程增加300公里。哪吒汽車發(fā)布浩智800V SiC高性能
2022-12-27 15:05:47
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時(shí)功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動(dòng)方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請(qǐng)關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
和PCN 分別表示A 相、B 相和C 相負(fù)載各自吸收的平均功率。這就是三表法。這種接線方法是最容易理解的。實(shí)際上，三表法測(cè)三相功率不止圖1 所示的一種接線方式，另外還有三種接線方式，如圖2 所示，分別
2008-12-04 11:36:22
器件的耐壓等級(jí)通常為650V,700V和800V.如果對(duì)于三相應(yīng)用，考慮到變壓器的反射電壓及漏感和設(shè)計(jì)余量，該類器件無法滿足要求。而單純采用一個(gè)高壓開關(guān)器件，如1000V或1200V以上的功率開關(guān)器件
2018-11-29 11:26:20
三相電動(dòng)機(jī)為什么可以正反轉(zhuǎn)？怎樣調(diào)換三相電源呢？
2021-10-14 09:12:35
LAUNCHXL-F28027 用于生成逆變器控制所需的 PWM 信號(hào)。主要特色 三相逆變器系統(tǒng)具有：額定電壓為 1200V、額定電流范圍為 50A-200A 的 IGBT 模塊。（支持多家供應(yīng)商）7 個(gè)增強(qiáng)型隔離式
2018-12-27 11:41:40
三相異步電動(dòng)機(jī)是電工常接觸的設(shè)備，本文以圖文并茂形式介紹三相異步電動(dòng)機(jī)原理和三相異步電動(dòng)機(jī)結(jié)構(gòu)，是電工入門的必讀干貨文章。
2021-01-27 07:43:40
三相異步電動(dòng)機(jī)原理
2019-10-21 09:02:33
智能電動(dòng)汽車的三大主題分別是什么？eysight仿真設(shè)計(jì)軟件在汽車毫米波雷達(dá)中的應(yīng)用是什么？Keysight智能汽車是如何應(yīng)用到復(fù)雜電磁環(huán)境模擬系統(tǒng)中去的？
2021-06-28 08:54:34
電動(dòng)汽車Electric Car：電動(dòng)汽車是以電代替燃料作為動(dòng)力的低噪音、無廢氣排放的汽車。電動(dòng)車鋰電池、電動(dòng)汽車是1835年由美國(guó)人湯姆斯發(fā)明的，它比燃油汽車的發(fā)明整整早了半個(gè)世紀(jì)。到19世紀(jì)出現(xiàn)
2013-05-14 10:50:16
汽車是現(xiàn)代生活中不可或缺的交通工具，但隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染問題日益嚴(yán)峻，傳統(tǒng)燃油汽車的發(fā)展面臨著越來越大的壓力。電動(dòng)汽車憑借其在環(huán)保和節(jié)能等方面的優(yōu)勢(shì)，已成為汽車工業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。然而，電動(dòng)汽車
2020-04-20 06:54:10
電壓，直流總線電壓至少必須為DC800V，此時(shí)必須采用定額為1200V/400A的IGBT?！ ? 結(jié)語(yǔ) 本文根據(jù)SAEJ-1773對(duì)感應(yīng)耦合器的規(guī)定，對(duì)電動(dòng)汽車供電電池的充電器進(jìn)行了討論。根據(jù)感應(yīng)
2012-11-29 14:29:17
，直流總線電壓至少必須為DC800V，此時(shí)必須采用定額為1200V/400A的IGBT。 5 結(jié)語(yǔ) 本文根據(jù)SAEJ-1773對(duì)感應(yīng)耦合器的規(guī)定，對(duì)電動(dòng)汽車供電電池的充電器進(jìn)行了討論。根據(jù)感應(yīng)
2012-12-05 16:10:53
、6.6-kW推拉 用于HEV/EV車載充電器的PFC參考設(shè)計(jì)配兩級(jí)關(guān)閉保護(hù)的汽車雙通道SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)用于太陽(yáng)能串逆變器的10kW三相三電平并網(wǎng)逆變器參考設(shè)計(jì)更多關(guān)于充電系統(tǒng)
2019-03-11 06:45:02
電動(dòng)汽車電池智能快速充電器的設(shè)計(jì)本文介紹了一種電動(dòng)汽車智能快速充電器的設(shè)計(jì)過程。該充電器基于Cygnal 公司的C8051F040單片機(jī)為控制核心，將C8051F040 特有的模擬電路模塊、高精度A
2009-05-17 11:39:32
求一個(gè)芯片，電動(dòng)汽車里用的，8V-36V轉(zhuǎn)成12V的DC/DC芯片，要求輸出電流大于50mA,求高手指教，謝謝！
2016-09-02 19:52:00
，而且距離工業(yè)革命還不到三個(gè)世紀(jì)，人們強(qiáng)烈要求保護(hù)這些自然資源并尋找替代能源。圖1: 電動(dòng)汽車的代表性圖像由于如此猖獗地使用這些消耗性資源所產(chǎn)生的副作用，地球上脆弱的生態(tài)系統(tǒng)正面臨嚴(yán)重危險(xiǎn)。如果這些
2022-04-28 16:27:19
。在今年 7 月的 PCIM（電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)）虛擬展位上，展示了采用CoolSiC?汽車 MOSFET 技術(shù)的 EasyPACK?模塊，即 1200V/8mΩ(150A)的半橋模塊
2021-03-27 19:40:16
電動(dòng)汽車變革進(jìn)行時(shí)，芯片IP供應(yīng)商扮演著怎樣的角色？
2021-01-13 06:25:54
的鋰離子電池可能限于1C，但一些汽車電池可以用遠(yuǎn)高于這個(gè)限值的電流充電，從而縮短再次充電時(shí)間。事實(shí)上，工作在480V/三相電壓的大功率三類充電器，給電動(dòng)汽車電池充電的時(shí)間與加滿一箱油的時(shí)間相近。請(qǐng)注意
2019-05-13 14:11:37
(MCU) 控制功率級(jí)的方法。用于此設(shè)計(jì)的硬件和軟件可幫助您縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。高功率三相功率因數(shù)校正應(yīng)用中（例如非板載電動(dòng)汽車充電和電信整流器）使用了 Vienna 整流器電源拓?fù)洹４嗽O(shè)計(jì)說明
2018-10-24 16:36:45
`編輯-ZD45XT100在DXT-5封裝里采用的玻璃鈍化硅整流二極管芯片，外殼采用環(huán)氧樹脂，是一款大功率三相整流橋。D45XT100的浪涌電流Ifsm為450A，漏電流(Ir)為10uA，其工作
2021-07-16 14:15:18
FCI為混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車推出大功率連接器設(shè)計(jì)
2021-05-10 06:18:51
R12KT4（450A/1200V）FF300R12KT4（300A/1200V）FF200R12KT4（200A/1200V）FF150R12RT4（150A/1200V）FS200R12KT4R(200A
2022-05-10 10:06:52
RD-354，參考設(shè)計(jì)使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆變器。該參考設(shè)計(jì)支持1200 V Motion SPM 2系列的設(shè)計(jì)
2020-07-18 12:23:30
RD-354，參考設(shè)計(jì)使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆變器。該參考設(shè)計(jì)支持1200 V Motion SPM 2系列的設(shè)計(jì)
2020-07-18 12:46:31
的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V
2023-03-29 15:06:13
三相交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)移● 真空或氣動(dòng)控制：向電子控制模塊（ECM）轉(zhuǎn)移● 線控驅(qū)動(dòng)（DbW）系統(tǒng)：向高功率機(jī)電執(zhí)行器轉(zhuǎn)移● 停車制動(dòng)器：向電動(dòng)卡鉗轉(zhuǎn)移● 驅(qū)動(dòng)輪系統(tǒng)：向端到端電氣化轉(zhuǎn)移邏輯上，這些
2018-07-19 16:30:38
電動(dòng)汽車充電領(lǐng)域的研究，想借助發(fā)燒友論壇完成項(xiàng)目的設(shè)計(jì)。項(xiàng)目計(jì)劃：1）研究與分析雙向諧振式DCDC變換器的工作原理；2）下載器件模型在ADS上搭建仿真電路，同時(shí)設(shè)計(jì)SiC管的驅(qū)動(dòng)策略；3）采用耐壓1200V
2020-04-24 18:11:27
的運(yùn)行狀態(tài)演示及常規(guī)信號(hào)檢測(cè)。2.產(chǎn)品組成：動(dòng)力總成拆裝實(shí)訓(xùn)臺(tái).智能信息采集檢測(cè)箱.驅(qū)動(dòng)能量供給平臺(tái).三相高壓連接線纜.低壓通信連接線纜等重要組成件組成。3.電動(dòng)機(jī)類型為三相永磁交流同步電機(jī)，電動(dòng)
2021-06-30 07:42:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
智能型22kw電動(dòng)汽車充電 便攜式智能型11kw電動(dòng)汽車充電 便攜式智能型7kw電動(dòng)汽車充電便攜式智能型3.6kw電動(dòng)汽車充電 便攜式本款充電方案采用先進(jìn)的碳化硅技術(shù)，主要優(yōu)勢(shì)在功率密度、功率轉(zhuǎn)換
2022-09-22 10:09:01
。目前，ROHM正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產(chǎn)品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產(chǎn)品類型。以下整理了現(xiàn)有機(jī)型產(chǎn)品陣容和主要規(guī)格。1200 V耐壓80A～600A
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動(dòng)汽車全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季（第
2018-12-04 10:24:29
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開關(guān)損耗使得開關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
如何設(shè)計(jì)來應(yīng)對(duì)未來電動(dòng)汽車的需要？這兩個(gè)問題是比較復(fù)雜的兩個(gè)問題，如果要系統(tǒng)完整的回答要寫好幾千字，老代只是從充電模塊和系統(tǒng)的角度簡(jiǎn)單做以回答：1. 充電的速度和充電機(jī)的功率有關(guān)系，功率越大，充電
2016-03-24 09:53:06
上應(yīng)用，就會(huì)存在兼容性不足和利用率不高的問題?！ 【仃囀饺嵝猿潆姸芽梢暂^好地解決這個(gè)問題。其將充電站內(nèi)所有充電模塊整合在一起，根據(jù)電動(dòng)汽車需求功率智能分配，實(shí)現(xiàn)充電功率按需分配。同時(shí)，該技術(shù)還可改善充電模塊
2016-09-22 15:47:41
本文為芬蘭赫爾辛基應(yīng)用科學(xué)大學(xué)（作者：Lars Dautermann）的學(xué)士論文，共63頁(yè)。本論文的目的是為方程式大賽學(xué)生（Formula Student）的電動(dòng)汽車提供一個(gè)三相逆變器。設(shè)計(jì)逆變器
2021-08-27 07:02:06
本文為芬蘭赫爾辛基應(yīng)用科學(xué)大學(xué)（作者：Lars Dautermann）的學(xué)士論文，共63頁(yè)。本論文的目的是為方程式大賽學(xué)生（Formula Student）的電動(dòng)汽車提供一個(gè)三相逆變器。設(shè)計(jì)逆變器
2021-08-30 07:05:10
1、【判斷題】()測(cè)量三相有功功率只能用三相有功功率表進(jìn)行測(cè)量。（×）2、【判斷題】三相電動(dòng)機(jī)接在同一電源中，作△形聯(lián)接時(shí)的總功率是作Y聯(lián)接時(shí)的3倍。（√）3、【判斷題】()額定電壓10千...
2021-09-17 08:19:13
如何實(shí)現(xiàn)三相感應(yīng)電動(dòng)機(jī)的設(shè)計(jì)？
2021-11-01 06:22:56
380V的線電壓。如照明不多時(shí)，可將兩只功率相同的燈泡串聯(lián)后接在兩火線之間；若照明燈具較多，則應(yīng)將功率相同的燈具三個(gè)為一組接成Y后，再接到三相電源上，如圖1所示。
2021-05-13 07:29:14
頻率選擇演示了基于 1200V SiC MOSFET 的 500-840V 可變直流母線的 OBC 設(shè)計(jì)，用于 250-450V 電池電壓 ［10］。OBC的整體效率得到了優(yōu)化，但是，1200V SiC
2023-02-27 09:44:36
技術(shù)幾十年來最迅速的進(jìn)展。例如，新的符合AEC車規(guī)的ASPM 27三相智能功率模塊(IPM)，集成了驅(qū)動(dòng)器、IGBT和二極管，提供一種更小、更可靠的方案，增強(qiáng)了熱性能，用于諸如汽車空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)、電動(dòng)油泵
2018-10-30 09:06:50
? 至10m?）的分立MOSFET和模塊、用于電動(dòng)汽車輔助系統(tǒng)的600至1200V智能功率模塊（IPM）、和用于泵及電機(jī)的各種40 V至60 V MOSFET。展望未來，安森美半導(dǎo)體電源方案部正擴(kuò)展針對(duì)
2018-10-25 08:53:48
/混合動(dòng)力汽車半導(dǎo)體領(lǐng)袖，緊跟市場(chǎng)趨勢(shì)，提供全面的高性能方案，包括超級(jí)結(jié)SuperFET? III MOSFET、碳化硅(SiC)二極管、IGBT、隔離型門極驅(qū)動(dòng)器、電流檢測(cè)放大器、快恢復(fù)二極管，滿足電動(dòng)汽車充電樁市場(chǎng)需求并推動(dòng)創(chuàng)新。
2019-08-06 06:39:15
電動(dòng)汽車大功率充電樁的三相PFC整流裝置是什么？帶升降壓功能的電動(dòng)汽車大功率充電樁的控制方法是什么？
2021-07-02 06:52:26
。右圖為SiC-MOSFET＋SiC-SBD組成的全SiC模塊BSM300D12P2E001（1200V/300A）與IGBT＋FRD的模塊在同一環(huán)境下實(shí)測(cè)的開關(guān)損耗結(jié)果比較。Eon是開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的損耗
2018-12-04 10:14:32
怎樣去設(shè)計(jì)一種大功率電動(dòng)汽車充電機(jī)？
2021-05-13 07:16:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
金鑒出品】新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電紅外熱點(diǎn)定位+FIB解析碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢(shì)，可以突破現(xiàn)有電動(dòng)汽車電機(jī)設(shè)計(jì)上因器件性能而受到的限制，這是目前國(guó)內(nèi)外電動(dòng)汽車電機(jī)領(lǐng)域研發(fā)
2018-11-02 16:25:31
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
使用。此外還有第三方充電站網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商，這些運(yùn)營(yíng)商既不是電力公司，也不是電動(dòng)汽車原始設(shè)備制造商。第 5 種不實(shí)傳言：高功率級(jí)別充電器功效更高電源拓?fù)?、控制方法、設(shè)計(jì)和元件選型對(duì)充電器的整體功效有重大
2022-11-03 07:45:06
日益嚴(yán)格的能效及環(huán)保法規(guī)推動(dòng)汽車功能電子化趨勢(shì)的不斷增強(qiáng)和混合電動(dòng)汽車/電動(dòng)汽車(HEV/EV)的日漸普及，這加大了對(duì)高能效和高性能的電源和功率半導(dǎo)體器件的需求。安森美半導(dǎo)體作為汽車功能電子化的領(lǐng)袖
2019-07-23 07:30:07
AN1315，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的L6386 MOSFET功率驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板。 L6386，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的MOSFET功率驅(qū)動(dòng)器。三相演示板是用于評(píng)估和設(shè)計(jì)高壓柵極驅(qū)動(dòng)器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07
HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模塊，采用業(yè)界公認(rèn)的汽車封裝，針對(duì)牽引逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了優(yōu)化。為了提供汽車級(jí)HPDSiC功率模塊
2023-02-20 16:26:24
功率開關(guān)技術(shù)也是如此，特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經(jīng)從5年前的商業(yè)起步躍升到今天的第三代，價(jià)格已與硅開關(guān)相當(dāng)，特別是在考慮到連鎖效益的情況下?！ ‰S著電動(dòng)汽車、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
]。雖然優(yōu)化了OBC的整體效率，但是1200V SiC MOSFET的成本很高。高直流母線電壓也會(huì)增加PFC MOSFET和PFC扼流圈的功率損耗。840V直流鏈路設(shè)計(jì)需要兩個(gè)串聯(lián)的500V或450V
2019-10-25 10:02:58
: 電動(dòng)汽車工作原理示意圖圖2是眾人所熟悉之矽和寬帶隙材料（SiC，GaN）的比較圖。在開關(guān)頻率還不是重點(diǎn)的汽車應(yīng)用中，卓越的驅(qū)動(dòng)性能和寬廣的工作溫度范圍，讓SiC成為電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)者的首選功率元件。圖
2019-06-27 04:20:26
地進(jìn)行比較，10 kW是合適的輸出功率，因?yàn)??該系統(tǒng)將為三相，易于操作并且非常適合可用SiC器件的額定功率。此外，通常需要1200 V的擊穿電壓，其中有多種選擇，可從不同的拓?fù)浜碗娖街羞M(jìn)行選擇，例如半
2019-10-25 10:01:08
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
英飛凌IGBT模塊FF300R12ME4 300A,1200V,IGBT4,螺栓型 EconoDUAL3 ?江蘇求購(gòu)英飛凌IGBT模塊FF450R12ME4 450A,1200V,IGBT4,螺栓型
2021-09-17 19:23:57
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
比利時(shí)，蒙-圣吉貝爾—— 2016 年 4 月 15 日。高溫及長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID公司宣布，向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首個(gè)三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模塊（IPM）原型。
2016-04-15 17:23:471873 科銳（Nasdaq: CREE）旗下Wolfspeed于近日宣布推出最新第三代1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）系列，為電動(dòng)汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)帶來性能突破。
2018-07-19 10:17:593499 日前，Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半橋模塊CAB450M12XM3，該產(chǎn)品可最大限度地提高功率密度，同時(shí)最大限度地降低環(huán)路電感并實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的功率總線。XM3適用于電動(dòng)車充電器，牽引驅(qū)動(dòng)器和不間斷電源（UPS）等應(yīng)用。
2019-09-14 10:54:001843 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對(duì)汽車和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰(zhàn)，并推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺(tái)。
2020-03-07 09:31:30950 Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示：“開發(fā)和優(yōu)化快速開關(guān)SiC電源模塊并可靠地驅(qū)動(dòng)它們?nèi)匀皇且粋€(gè)挑戰(zhàn)，這款SiC智能電源模塊是針對(duì)極端溫度和電壓環(huán)境開發(fā)電源模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器的多年經(jīng)驗(yàn)的成果。有了它，我們很高興支持汽車行業(yè)向高效的電動(dòng)汽車解決方案過渡。”
2020-03-07 13:59:472573 據(jù)外媒報(bào)道，比利時(shí)Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動(dòng)出行。
2020-04-22 15:54:253711 值從SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。 在電動(dòng)汽車牽引電機(jī)或充電站等汽車應(yīng)用中，以及在太陽(yáng)能發(fā)電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用中，使用SiC MOSFET可使設(shè)計(jì)者獲得各種好處，包括： ●減小功率級(jí)的尺寸和重量 ●實(shí)現(xiàn)更高的功率密度 ●減小功率電路無源元件的尺
2020-11-26 16:33:521178 
作為國(guó)內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實(shí)現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的規(guī)?；瘧?yīng)用。
2022-06-21 14:40:571216 意法半導(dǎo)體最近推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對(duì)先進(jìn)的功率應(yīng)用（例如 EV 動(dòng)力系統(tǒng)）和其他功率密度、能效和可靠性是相關(guān)關(guān)鍵因素的應(yīng)用。 向電動(dòng)汽車的過渡和內(nèi)燃機(jī)
2022-07-29 18:09:27647 
2022年11月，上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:332073 
隨著電動(dòng)汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展，對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長(zhǎng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢(shì)
2023-06-08 15:40:02691 
1200V-600A/450A IGBT模塊被廣泛應(yīng)用于新能源光伏和集中式儲(chǔ)能、大功率工業(yè)電機(jī)變頻及伺服、新能源車電驅(qū)等重要系統(tǒng)中。在這些應(yīng)用系統(tǒng)中，IGBT模塊作為最核心的零部件之一，其性能
2023-06-20 11:26:021328 
據(jù)悉，國(guó)聯(lián)萬眾公司已研發(fā)出具備指標(biāo)性能堪比國(guó)外知名廠商的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，部分型號(hào)產(chǎn)品已開始供應(yīng)市場(chǎng)。另一方面，針對(duì)比亞迪在內(nèi)的多方潛在客戶，該公司的電動(dòng)汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品正在進(jìn)行進(jìn)一步洽談。
2023-12-12 10:41:48229 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽(yáng)能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2024-03-06 11:43:19282 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論