轉(zhuǎn)5V降壓降壓芯片，48V轉(zhuǎn)3.3V降壓降壓芯片，48V轉(zhuǎn)3V降壓降壓芯片，48V轉(zhuǎn)1.8V降壓降壓芯片，48V轉(zhuǎn)24V穩(wěn)壓芯片，48V轉(zhuǎn)20V穩(wěn)壓芯片，，48V轉(zhuǎn)9V穩(wěn)壓芯片，48V轉(zhuǎn)5V穩(wěn)壓芯片
2020-11-12 13:42:27
`我們常用的48V鋰電池或者48V供電的電源中，需要用到一些電子軟件電路，需要給MCU供電，如STM32等，就需要穩(wěn)定，穩(wěn)壓輸出5V或者3.3V的輸出電壓。 對(duì)于小電流的，幾個(gè)MA-二十MA的應(yīng)用來
2020-11-12 14:49:55
48V轉(zhuǎn)5V芯片，48V轉(zhuǎn)5V電路圖，48V轉(zhuǎn)3.3V芯片，48V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓電路圖，48V轉(zhuǎn)3V穩(wěn)壓芯片，48V轉(zhuǎn)3V電路圖。如何選擇合適的芯片？就需要看選型表了。下表就列出了一小部分可滿足
2020-10-20 09:24:54
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-8-17 11:45 編輯
Diodes Inc MMBT39x車用晶體管專為中等功率放大和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 MMBT39x晶體管是互補(bǔ)
2019-08-17 09:43:27
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出可調(diào)并聯(lián)穩(wěn)壓器AP431i。新產(chǎn)品備有50μA的最低陰極電流，遠(yuǎn)低於同類型行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)431器件。這樣開關(guān)模式電源制造商就可集中
2018-10-08 15:30:01
Diodes公司(Diodes Incorporated)新推出的低壓差(LDO)穩(wěn)壓器AP7342，在1.7V到5.25V的寬廣輸入電壓范圍內(nèi)提供雙150mA輸出電流，以及僅為1%的高電壓精度
2018-10-08 15:27:13
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶體管應(yīng)用電路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型低通濾波器，帶隙型穩(wěn)壓電路，三角波→正弦波變換器，低失真系數(shù)振蕩器，移相器，串聯(lián)調(diào)節(jié)器，斬波放大器等。
2018-01-15 12:46:03
晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊(cè)晶體管電路設(shè)計(jì)(pdf電子書下載):是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)。本書作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電路
2009-11-20 09:41:18
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)。本書作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率
2019-03-06 17:29:48
范圍在400至800之間，這也是更低THD和IMD的一個(gè)原因。 并聯(lián)更小功率的線性穩(wěn)壓器代替單個(gè)大功率穩(wěn)壓器 并聯(lián)使用更小功率的線性穩(wěn)壓器有許多好處。并聯(lián)小功率晶體管代替單個(gè)大功率晶體管(帶或不帶散熱器
2018-11-30 17:04:27
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
型號(hào)的晶體管。 5．開關(guān)三極管的選用小電流開關(guān)電路和驅(qū)動(dòng)電路中使用的開關(guān)晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
級(jí)都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實(shí)用中都簡(jiǎn)稱為TTL電路，它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)
2010-08-12 13:57:39
5V的穩(wěn)壓管中根據(jù)電路設(shè)計(jì)功率在選擇哪種類型的5V穩(wěn)壓管？
再者，如果在電路中已經(jīng)使用了一款穩(wěn)壓管，假設(shè)也是5V，那該如何判斷他是否在穩(wěn)壓狀態(tài)，而不是在反向截止?fàn)顟B(tài)和反向擊穿狀態(tài)？
推廣至晶體管，在
2024-03-07 22:56:47
穩(wěn)壓管限流保護(hù)電路和晶體管限流保護(hù)電路
2009-12-13 18:57:04
的雙向DC/DC控制器產(chǎn)品*用于系統(tǒng)保護(hù)的雙向斷路器產(chǎn)品*可以提高48V系統(tǒng)電源效率的理想二極管*理想二極管橋堆整流電路器*針對(duì)汽車系統(tǒng)EMI問題的Silent Switcher系列開關(guān)*浪涌抑制器
2018-10-30 11:38:59
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
線性穩(wěn)壓器的壓降為2V左右。負(fù)輸出LDO使用NPN作為它的傳遞設(shè)備，其運(yùn)行模式與正輸出LDO的PNP設(shè)備類似。更新的發(fā)展使用MOS功率晶體管，它能夠提供最低的壓降電壓。使用功率MOS，通過穩(wěn)壓器的唯一
2012-12-25 10:35:55
電源晶體管的傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的壓降為 2V 左右。負(fù)輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設(shè)備，其運(yùn)行模式與正輸出 LDO 的 PNP設(shè)備類似。 更新的發(fā)展使用 CMOS 功率晶體管，它能夠提供最低的壓
2020-10-27 08:05:16
LM2731開關(guān)穩(wěn)壓器為電流模式升壓型\固定頻率為1.6mhz（“X”）的轉(zhuǎn)換器選項(xiàng)）和600 kHz（“Y”選項(xiàng)）。SOT-23封裝的使用，使得內(nèi)部1.8A開關(guān)功率損耗小，使用方便電感器和電容器
2020-09-21 18:03:48
描述TPS72xx系列低壓差(LDO)穩(wěn)壓器提供了低電壓、微功率操作和小型化封裝的優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的LDO穩(wěn)壓器相比，這些穩(wěn)壓器具有極低的過電壓和靜止電流的特點(diǎn)。在小輪廓集成電路(SOIC)封裝和8端薄
2021-11-15 09:09:32
;nbsp; 上面關(guān)系式的第一部分是調(diào)整管的功耗；第二部分是電路控制器部分的功耗。有些穩(wěn)壓器的接地電流，特別是那些用飽和雙極型晶體管作調(diào)整管
2009-01-07 16:18:33
效率。eGaN場(chǎng)效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)從48V到負(fù)載點(diǎn)的單級(jí)轉(zhuǎn)換，其直流總線架構(gòu)的實(shí)現(xiàn)如圖3所示。電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)中，在單階段采用基于eGaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法可以產(chǎn)生更高的功率密度并降低系統(tǒng)成本。圖3：?jiǎn)渭?jí)
2019-04-04 06:20:39
，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型低通濾波器，帶隙型穩(wěn)壓電路，三角波→正弦波變換器，低失真系數(shù)振蕩器，移相器，串聯(lián)調(diào)節(jié)器，斬波放大器等。 點(diǎn)擊鏈接進(jìn)入舊版 ：晶體管電路設(shè)計(jì)與制作
2020-08-19 18:24:17
上使用的模擬器“SPICE”對(duì)設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作，以及電路特性的測(cè)量，并對(duì)電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36
`內(nèi)容簡(jiǎn)介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電路
2017-07-25 15:29:55
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
設(shè)備，如上圖所示。一些線性穩(wěn)壓器允許你通過一個(gè)外部電阻器來調(diào)節(jié)輸出電壓。電壓線性調(diào)節(jié)器的缺點(diǎn)線性調(diào)節(jié)器的一個(gè)嚴(yán)重缺點(diǎn)是在許多應(yīng)用中效率低下。穩(wěn)壓器內(nèi)部的晶體管連接在輸入端和輸出端之間，其功能類似于可變
2022-04-18 10:55:58
的微小變化非常敏感。由于這個(gè)原因，達(dá)林頓通常用于觸摸和光傳感器。光電達(dá)林頓專為光敏電路而設(shè)計(jì)?！ ≥敵鰝?cè)通常是高功率、低增益的。使用非常高功率的晶體管，它可以控制電機(jī)，電源逆變器和其他大電流設(shè)備。中等功率
2023-02-16 18:19:11
描述低壓可變穩(wěn)壓器所提出的電路允許在 1.2-9V 范圍內(nèi)獲得穩(wěn)定的電壓。“串聯(lián)”晶體管 Q2 由晶體管 Q1 和 Q3 組成的差分施加器控制。該放大器比較從 2k5 RV1 電位器收集的電壓和來自
2022-06-30 07:55:31
，通常這個(gè)8.5V與48V輸入是電氣隔離的?！ ?.5V電源分別轉(zhuǎn)換成用于RF功率放大器的7.5V(基站設(shè)備)和用于邏輯電路的5V、3.3/3V，或用于FPGA、處理器核的1.8V電壓?？紤]到系統(tǒng)
2019-06-19 06:23:03
800V，隔離對(duì)于48V混合動(dòng)力汽車來說也很重要，究其原因有很多種，其中包括增強(qiáng)的抗抗噪性能和故障保護(hù)。圖1所示為一個(gè)起動(dòng)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)，其中包括H橋和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的功率級(jí)處在48V側(cè)。這些
2022-11-08 08:08:52
描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級(jí)具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
無(wú)法有效地將48V電壓一次轉(zhuǎn)化為大多數(shù)計(jì)算機(jī)硬件所要求的低電壓。而中間步驟則會(huì)降低數(shù)據(jù)中心的功率效率。GaN可以在輸送至服務(wù)器和芯片之前將電壓從48V降低至負(fù)載點(diǎn)電壓。這樣可以大幅降低電源配送損耗并將
2019-03-01 09:52:45
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
設(shè)計(jì)電路時(shí)務(wù)必注意不要讓晶體管的最大功率損耗大于晶體管的額定功率．并注意加散熱片進(jìn)行散熱處理。 為了防止穩(wěn)壓器自激．在穩(wěn)壓器的輸出端應(yīng)并聯(lián)一個(gè)1μF～100μF的電容器。
2021-05-10 07:00:14
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
用來給微控制器供電的示例： 輸入范圍：8.4V至12.6V。輸出范圍：1.71V至3.7V。最大負(fù)載電流：Io_max = 20mA。 雙極型NPN晶體管的選擇 NPN雙極型晶體管Q1是最重要的組件
2022-11-18 06:00:37
調(diào)整管，通常輸出管的壓降大約為2V。
準(zhǔn)LDO穩(wěn)壓器
通常使用達(dá)林頓復(fù)合管結(jié)構(gòu)（見圖2）以便實(shí)現(xiàn)由一只NPN晶體管和一只PNP晶體管組成的調(diào)整管。這種復(fù)合管的壓降，VSAT (PNP)＋VBE
2024-01-08 10:18:28
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級(jí)，設(shè)計(jì)師可以在單級(jí)中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加…
2022-11-15 07:01:49
穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。正輸出電壓的 LDO（低壓降）穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管（也稱為傳遞設(shè)備）作為 PNP.這種晶體管允許飽和，所以
2018-09-29 17:14:42
。對(duì)此，近年待機(jī)功耗降低要求日趨嚴(yán)格，成了開關(guān)穩(wěn)壓器的課題。缺點(diǎn)在于加入電容器等能動(dòng)零件、二極管或晶體管等半導(dǎo)體零件后需要磁性零件、零件數(shù)本身增加且設(shè)計(jì)復(fù)雜。近年來開關(guān)電源用IC由于必要電路的集成化
2018-11-29 14:40:28
（Switching）DC電壓并且只將必要的功率傳送至輸出。降壓型異步（二極管）整流式開關(guān)穩(wěn)壓器的電路和工作圖34比圖31更加具體。該電路也稱為異步整流式或二極管整流式。S1為開關(guān)（通常為晶體管），S2雖然被置換
2018-11-29 14:39:42
電路顯示LTC3872,5V輸入，48V輸出升壓穩(wěn)壓器，提供高達(dá)0.5A的電流
2019-04-24 09:20:02
，但其缺點(diǎn)是，由于所有負(fù)載電流都必須流過，因此串聯(lián)晶體管會(huì)一直在其線性區(qū)域內(nèi)不斷偏置，以其V * I乘積的形式耗散以熱量形式的功率。串聯(lián)晶體管會(huì)導(dǎo)致效率低下，功率浪費(fèi)和持續(xù)發(fā)熱。另外，串聯(lián)穩(wěn)壓器的缺點(diǎn)
2020-09-21 10:05:40
整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
轉(zhuǎn)換器在穩(wěn)態(tài)周期內(nèi)的工作和損耗擊穿3KW LLC 諧振轉(zhuǎn)換器根據(jù)上述損耗分析，可以對(duì)不同的初級(jí)晶體管和不同的開關(guān)頻率進(jìn)行比較，以評(píng)估效率和功率密度的性能。設(shè)計(jì)了一個(gè)輸出為48V的3KW半橋LLC諧振
2023-02-27 09:37:29
。但要讓高壓、高功率 PDN 靠近負(fù)載，則需要高效率和高功率密度的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。如果電路需要很大的電壓步降，比如從 800V 或 400V 降至 48V，那么能夠完成這項(xiàng)工作并具有最高
2022-10-25 08:00:00
交流電源隔離，因此在穩(wěn)壓器總線轉(zhuǎn)換器中無(wú)需隔離。[img][/img]傳統(tǒng)的電信板電源系統(tǒng)架構(gòu)，帶有隔離式總線轉(zhuǎn)換器圖1.具有隔離總線轉(zhuǎn)換器的傳統(tǒng)電信板電源系統(tǒng)架構(gòu)。在48 V已經(jīng)與交流電源隔離的系統(tǒng)中
2019-04-16 18:27:07
的需求也在不斷攀升。這些系統(tǒng)主要依靠多種電池化學(xué)成分，可在不同電壓下工作，從而帶來了對(duì)可支持 12V 與 48V 系統(tǒng)的新一代 DC/DC 穩(wěn)壓器的需求。靈活性、尺寸、密度和效率是一些重要特性，為當(dāng)前及未來不斷演進(jìn)的汽車選擇電源解決方案時(shí)需仔細(xì)考量。 海洋儀器http://www.hyxyyq.com
2018-03-29 09:12:03
設(shè)計(jì)穩(wěn)健的線性穩(wěn)壓器。 下面是一個(gè)用來給微控制器供電的示例： 輸入范圍：8.4V至12.6V。輸出范圍：1.71V至3.7V。最大負(fù)載電流：Io_max = 20mA。雙極型NPN晶體管的選擇 NPN
2018-09-06 15:25:34
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
的 LDO（低壓降）穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管（也稱為傳遞設(shè)備）作為 PNP.這種晶體管允許飽和，所以穩(wěn)壓器可以有一個(gè)非常低的壓降電壓，通常為 200mV 左右；與之相比，使用 NPN 復(fù)合電源晶體管的傳統(tǒng)
2018-09-29 17:02:19
輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。正輸出電壓的 LDO(低壓降)穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管(也稱為傳遞設(shè)備)作為 PNP.這種晶體管允許飽和，所以穩(wěn)壓器可以
2018-10-09 09:46:16
運(yùn)算放大器基本控制電路之一，即反饋（feed back）環(huán)路。輸入或負(fù)載變動(dòng)后，即使輸出電壓開始變動(dòng)，誤差放大器也會(huì)連續(xù)比較來自穩(wěn)壓器輸出電壓的反饋電壓和基準(zhǔn)電壓，調(diào)整功率晶體管使差分為零，將VO維持恒定
2018-11-29 14:32:29
討論設(shè)計(jì)工程師在優(yōu)化系統(tǒng)時(shí)（特別是在電流水平較高時(shí)）必須考慮的因素。如何在應(yīng)用中使用LDO在大多數(shù)應(yīng)用中，LDO主要用于將靈敏的負(fù)載與有噪聲的電源相隔離。與開關(guān)穩(wěn)壓器不同，線性穩(wěn)壓器會(huì)在通路晶體管或
2018-10-09 10:40:29
，即反饋（feed back）環(huán)路。輸入或負(fù)載變動(dòng)后，即使輸出電壓開始變動(dòng)，誤差放大器也會(huì)連續(xù)比較來自穩(wěn)壓器輸出電壓的反饋電壓和基準(zhǔn)電壓，調(diào)整功率晶體管使差分為零，將VO維持恒定。這是反饋環(huán)路控制穩(wěn)定
2021-03-18 09:17:47
線性穩(wěn)壓器的電路構(gòu)成雖然基本上為圖5的反饋環(huán)路電路，不過壓差電壓會(huì)因輸出晶體管種類而異。標(biāo)準(zhǔn)型和LDO型有極大不同，而LDO型中更可分為3種。使用雙極NPN晶體管的LDO雖然品種不太多，但可以處理
2018-11-29 14:45:29
，這樣一來VFB=VREF.另一方面，如果VCC輸出電壓上升，則負(fù)反饋電路采取相似的方式增加VCE以確保3.3V 輸出的準(zhǔn)確調(diào)節(jié)?？傊琕O的任何變化都被線性穩(wěn)壓器晶體管的VCE電壓所消減。所以，輸出電壓
2018-12-03 11:16:02
型的外接電阻的穩(wěn)壓器。內(nèi)部電路線性穩(wěn)壓器的內(nèi)部電路概要如下圖所示。其工作原理與反相放大電路相同，誤差放大器的非反相引腳（FB）電壓與基準(zhǔn)電壓 (VREF) 相同，因此輸出電壓值（VO）由兩個(gè)電阻（R1和R2）的阻值比決定。下圖的輸出晶體管為MOSFET，不過也有使用雙極晶體管的產(chǎn)品。
2019-05-30 04:20:12
圖3-35是小型程控交換機(jī)供電系統(tǒng)電路，-48V的電壓進(jìn)入由VT1和VT2等構(gòu)成的DC/DC變換器。經(jīng)整流橋DB1整流輸出35V的直流，供給小型開關(guān)電源NEC8439輸出穩(wěn)定的+12V和+5V電壓
2012-05-22 14:50:36
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
采用PNP晶體管的TC2575反相降壓 - 升壓穩(wěn)壓器關(guān)斷電路的典型應(yīng)用。 TC2575系列穩(wěn)壓器是單片集成電路，非常適合簡(jiǎn)單方便地設(shè)計(jì)降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器（降壓轉(zhuǎn)換器）。該系列的所有電路均能夠驅(qū)動(dòng)1.0A負(fù)載，具有出色的線路和負(fù)載調(diào)節(jié)性能。這些器件提供3.3V，5V，12V的固定輸出電壓和可調(diào)輸出版本
2019-05-09 09:39:38
的需求是希望將每個(gè)機(jī)架的功率密度能提高到100kW，從而減少整體尺寸。其實(shí)，完全可以通過使用 48V 背板和配電來實(shí)現(xiàn)這一需求，然而這種方法卻存在諸多挑戰(zhàn)，因?yàn)樗鼰o(wú)法依靠傳統(tǒng)同步 Buck 降壓調(diào)節(jié)器將
2021-05-26 19:13:52
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
開發(fā)人員來說，功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn)，對(duì)各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個(gè)單極里的多個(gè)放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
采用纖巧 QFN 封裝的 42V 高功率密度降壓型穩(wěn)壓器
2019-09-12 07:35:56
高功率密度雙8AμModule穩(wěn)壓器
2019-05-17 17:25:42
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
晶體管交流穩(wěn)壓器電路原理圖
2008-11-04 09:45:14
709 
晶體管、晶閘管交流穩(wěn)壓器電路圖
2009-05-13 14:43:061252 
常用的兩管晶體管穩(wěn)壓器電路圖
2009-06-23 11:40:17534 
低成本晶體管穩(wěn)壓器電路圖
2009-06-23 11:41:45405 
低壓串聯(lián)式晶體管穩(wěn)壓器電路圖
2009-06-23 11:42:17523 
兩管晶體管穩(wěn)壓器電路圖
2009-06-23 11:50:28584 
Diodes低壓降穩(wěn)壓器提升系統(tǒng)穩(wěn)定性及瞬態(tài)響應(yīng)
日前，Diodes公司推出專為驅(qū)動(dòng)低等效串聯(lián)電阻（ESR）1µF MLCC電容器設(shè)計(jì)的一系列全新低壓降線性穩(wěn)壓器 (LDO) ，用于
2009-11-30 18:08:08437 Diodes低壓降穩(wěn)壓器提升系統(tǒng)穩(wěn)定性及瞬態(tài)響應(yīng)
Diodes 公司推出專為驅(qū)動(dòng)低等效串聯(lián)電阻（ESR）1µF MLCC電容器設(shè)計(jì)的一系列全新低壓降線性穩(wěn)壓器 (LDO) ，用于降低
2009-12-01 09:25:26440 7800系列與晶體管組成的5A穩(wěn)壓器電路圖
2010-03-30 15:51:09995 
Micrel推出具最高功率密度的降壓穩(wěn)壓器MIC22950
MIC22950是麥瑞半導(dǎo)體(Micrel)的10A全集成同步降壓穩(wěn)壓器，該公司高功率密度系列降壓穩(wěn)壓器的創(chuàng)新產(chǎn)品
2010-04-03 08:41:01921 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出ZXTR2000系列高壓穩(wěn)壓器，把晶體管、Zener二極管及電阻器集成到一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)SOT89封裝，通過減少器件數(shù)量和占位面積，提升
2013-07-18 15:59:311320 TI集成度最高的線性穩(wěn)壓器可提供75%的效率，且功率密度是其他線性穩(wěn)壓器的兩倍。
2019-03-19 17:31:061182 高功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:51
9 采用小型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2021-05-18 20:00:3510 小型QFN封裝的DN1038-42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2021-05-24 17:58:0817 在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
人工智能、5G和大數(shù)據(jù)的發(fā)展需要更高的功率為伺服器、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)機(jī)架供電，并且需要在相同的外型尺寸實(shí)現(xiàn)更高的功率。許多系統(tǒng)正逐漸轉(zhuǎn)用48V配電電壓架構(gòu)，以大大減少功耗和增加功率密度。更高效、更快、更小
2022-11-30 15:33:34453 
當(dāng)穩(wěn)壓電源的效率因高電流而變得非常低時(shí)，使用齊納控制的穩(wěn)壓器。齊納控制的晶體管穩(wěn)壓器有兩種。
2023-07-17 17:25:341233 
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