晶體管并聯(lián)穩(wěn)壓電源電路圖

　　電路原理分析

　　圖3-1-2是晶體管并聯(lián)穩(wěn)壓電源。其中T1是調(diào)整管、D1是基準(zhǔn)穩(wěn)壓管，R1是D1的限流電阻，R2是限流電阻，R3是負(fù)載。這個(gè)穩(wěn)壓電路的輸出電壓約等于穩(wěn)壓管D1的穩(wěn)壓值（實(shí)際上要加上T1發(fā)射結(jié)電壓，一般鍺管取0.3V，硅管取0.7V）。

　　這是由于電源在工作時(shí)，T1發(fā)射結(jié)導(dǎo)通，發(fā)射極電壓與基極電壓保持一致，而基極電壓被D1穩(wěn)定在一個(gè)固定值。這個(gè)電路可以看作T1將D1的穩(wěn)壓作用放大了β倍，相當(dāng)于接入一個(gè)穩(wěn)壓值為D1穩(wěn)壓值，穩(wěn)壓效果為β倍D1穩(wěn)壓效果的穩(wěn)壓管。

　　電路工作原理是：

　　UI↑→UD1↑→（UT1）EC↑→（IT1）EC↑→IR2↑→UR2↑→（UT1）EC↓

　　UI↓→UD1↓→（UT1）EC↓→（IT1）EC↓→IR2↓→UR2↓→（UT1）EC↑

　　元件選擇

　　這個(gè)電路選擇元件的步驟與硅穩(wěn)壓管并聯(lián)穩(wěn)壓電路類(lèi)似，主要從下面幾個(gè)方面考慮。

　?。?）初選調(diào)整管T1和穩(wěn)壓管D1

　　選擇調(diào)整管T1時(shí)，主要考慮其額定電流ICM要大于輸出電流IO，以保證負(fù)載開(kāi)路時(shí)調(diào)整管不會(huì)因?yàn)殡娏鬟^(guò)大而損壞。另外，為了保證調(diào)整管有良好的調(diào)整作用，還要求β值大、漏電流小。

　　選擇穩(wěn)壓管D1時(shí)，主要考慮其穩(wěn)定電壓與T1發(fā)射結(jié)電壓之和要等于輸出電壓。

　?。?）選定輸入電壓

　　為保證穩(wěn)壓電源的效率，輸入電壓一般不要選擇過(guò)高，以不超過(guò)2UI為宜。

　?。?）選定限流電阻R2

　　對(duì)于并聯(lián)穩(wěn)壓電路而言，限流電阻R2是整個(gè)電路工作好壞的關(guān)鍵。R2選擇大，穩(wěn)壓效果較好，但功耗大（因?yàn)殡娮韫腜=I2R），同時(shí)要求輸入電壓增大，電源的效率就比較低。具體計(jì)算方法可參考硅穩(wěn)壓管并聯(lián)穩(wěn)壓電路元件選擇的第三步。

　?。?）檢查電路穩(wěn)定度

　　整個(gè)電路的穩(wěn)定度需要根據(jù)實(shí)際電路的要求來(lái)確定，如果穩(wěn)定度不夠，可以適當(dāng)增加R1和UI，還可以選擇β值較大、漏電流較小的調(diào)整管。

　　使用復(fù)合調(diào)整管的并聯(lián)穩(wěn)壓電源

　　圖3-1-3是一種使用復(fù)合調(diào)整管的并聯(lián)穩(wěn)壓電源，與圖3-1-2電路最大的區(qū)別是將調(diào)整管改為符合管結(jié)構(gòu)，這樣既可以得到較大的β值，又能夠有較大的ICM。元件選擇時(shí)可采用與圖3-1-2類(lèi)似的方法，但是由于這個(gè)電路的電流較大，要注意限流電阻R1選擇時(shí)除考慮阻值外還要考慮其功率。以免負(fù)載斷路時(shí)燒壞限流電阻。

　　并聯(lián)穩(wěn)壓電源的優(yōu)缺點(diǎn)

　　并聯(lián)穩(wěn)壓電源的優(yōu)點(diǎn)：

　　·在負(fù)載變化小時(shí)，穩(wěn)壓性能比較好。

　　·對(duì)瞬時(shí)變化的適應(yīng)性較好。

　　·有過(guò)載自保護(hù)性能，輸出斷路時(shí)調(diào)整管不會(huì)損壞。

　　并聯(lián)穩(wěn)壓電路的缺點(diǎn)：

　　·輸出電壓調(diào)節(jié)范圍很小。

　　·穩(wěn)定度不易做得很高。

　　·效率較低，特別是輕負(fù)載時(shí)，電能幾乎全部消耗在限流電阻和調(diào)整管上。

　　其實(shí)并聯(lián)穩(wěn)壓電源的這些優(yōu)點(diǎn)對(duì)于串聯(lián)穩(wěn)壓電源而言，都可以通過(guò)采用一些特殊的電路實(shí)現(xiàn)。但是并聯(lián)穩(wěn)壓電源的這些固有的缺點(diǎn)卻很難改進(jìn)，所以現(xiàn)在普遍使用的都是串聯(lián)穩(wěn)壓電源。