全新60W GaN HEMT Psat晶體管幫助降低軍用和民用雷達系統(tǒng)，對于高功率放大器尺寸、重量以及散熱的要求
2012-07-10 09:36:52
1022 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?， Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）RF晶體管
2018-03-21 16:37:1012515 
GaN晶體管越來越多地用于各個領域：汽車領域中的電源供應以及電流的轉換和使用。這些組件將很快取代它們各自的前身。讓我們看一下如何更好地管理包括臨界條件在內的不同工作條件，以優(yōu)化電路性能并獲得
2021-04-01 14:23:253847 
可以使用極快的開關晶體管：超級結 MOSFET (SJ)、碳化硅 MOSFET (SiC) 和基于氮化鎵 (GaN) 的晶體管；這些仍然比傳統(tǒng)晶體管昂貴得多，但它們使設計更小、更高效的開關電源
2021-10-14 15:33:003704 
貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。
2020-03-16 15:04:331200 D類放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增強型高電子遷移率晶體管 （E-HEMT）。E-HEMT采用GaN Systems的島技術 （Island Technology?） 單元布局以減小器件尺寸和成本，同時提供比其他GaN器件更高的電流和更優(yōu)異的性能。
2020-07-06 14:10:191024 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
GaN Systems其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:442690 硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設計的支柱。雖然它們仍然被廣泛使用，但是在一些新設計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術的最新發(fā)展，以及改進的GaN器件和驅動器電路
2017-05-03 10:41:53
如果基于GaN的HEMT可靠性的標準化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時提供高質量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
的消息是硅供應商現在可以提供基于GaN HEMT的集成解決方案，大大簡化了高壓高頻交流電機的逆變器設計。在此之前GaN HEMT被包裝成一個帶有獨立驅動的分立器件，因為晶體管和驅動元件是基于不同工
2019-07-16 00:27:49
50V以下。需要說明的一點是，捕捉波形時使用的是1GHz示波器和探頭。結論GaN晶體管與其驅動器的封裝集成消除了共源電感，從而實現了高電流壓擺率。它還減少了柵極環(huán)路電感，以盡可能地降低關閉過程中的柵極應力，并且提升器件的關斷保持能力。集成也使得設計人員能夠為GaN FET搭建高效的過熱和電流保護電路。
2018-08-30 15:28:30
，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
（MOSFET）是在20世紀70年代末開發(fā)的，但直到20世紀90年代初，JEDEC才制定了標準。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認證對GaN晶體管而言意味著什么。 標準滯后于技術的采用，但標準無需使技術可靠
2018-09-10 14:48:19
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
領域的熱點。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導體材料的核心技術之一，具有禁帶寬度高、擊穿場強大、電子飽和速度高等優(yōu)勢。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關速度快、寄生參數低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調制摻雜場效應晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
本帖最后由 刺客508 于 2017-4-18 15:03 編輯
可靠性和成本效益比較長的工作壽命在烹飪和加熱應用中，射頻功率晶體管具有比磁控管長得多的工作壽命。磁控管典型的總工作壽命一般為
2017-04-17 18:19:05
` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
` 本帖最后由 射頻微波技術 于 2021-4-8 09:15 編輯
Wolfspeed的CGHV60040D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能
2021-04-07 14:24:11
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，因此，這個過去由行波管主導的領域已經開始讓步于半導體設備。更短柵極長度的GaAs和GaN晶體管的出現以及電路設計技術的升級，衍生了一些可以輕松操作毫米波頻率的新設備，開啟了幾十年前難以想象
2018-10-17 10:35:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術40W輸出功率AB類操作預先匹配的內部阻抗經過100％大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號：IGT2731L120產品名稱： S波段晶體管 產品特性GaN HEMT技術對SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT2020產品名稱：射頻晶體管NPT2020產品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應用從直流3.5 GHz調諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
）= + 25°CSGC7172-30A砷化鎵晶體管SGC7172-120A砷化鎵晶體管SGC8598-50A-R砷化鎵晶體管SGC8598-100A-R砷化鎵晶體管SGC8598-200A-R砷化鎵晶體管
2021-03-30 12:28:02
°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管SGN26H080M1H砷化鎵
2021-03-30 11:37:49
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
作者： Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰(zhàn)等問題。相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53
解決的問題，以開發(fā)適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍寶石襯底的候選者之一，藍寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發(fā)光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN的晶體濕化學蝕刻[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
型驅動電源。為了滿足這些嚴格要求，RECOM新開發(fā)了兩款隔離型1W DC?疍C轉換器系列來為最新的GaN驅動器供電。 高轉換速率的GaN晶體管驅動器需要使用具有高隔離電壓和低隔離電容的隔離型+6V
2017-09-20 10:28:09
方形，通過兩個晶格常數（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
典型GaN晶體管的核心是一個導電通道，它由AlGaN阻擋層和GaN緩沖層間界面上產生的二維電子氣形成（見圖1）。這種器件傾向在一個異質基板上生產，典型的是硅或碳化硅，并具備三個電極：源極、漏極、柵極。為
2020-11-27 16:30:52
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
目前傳統(tǒng)硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲，效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅動器方案，解決設計過程的風險。
2020-10-28 06:59:27
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數字電源轉換器等高開關頻率應用大有裨益，可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負載，結果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
混淆VI(on): 數字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數字晶體管啟動。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
。 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hello, Can anybody tell me how to add GaN device in schematic window because when I
2019-01-17 15:55:31
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場也存在整并壓力，這一點從英飛凌收購IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集電極功率 (PC(max)) 不超過1W的晶體管。相對功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過1W。相比
2019-05-05 01:31:57
X-GaN晶體管在Vds尖峰電壓額定值為750V（1微秒）時獲得認證。垂直場依賴擊穿也在相同的1kV范圍內; 松下柵極驅動器IC 松下于2016年底為希望使用GiT快速部署解決方案的開發(fā)人員推出了自己
2023-02-27 15:53:50
是 電感與電路板厚度無關 是 是 需要屏蔽層 是 否 否 表1：傳統(tǒng)和最佳電源回路設計的特點 積分對寄生效應的影響 為了進一步降低基于GaN晶體管的設計的寄生電感，可以使用單片GaN功率級
2023-02-24 15:15:04
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時的半橋 LLC 諧振轉換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器中的優(yōu)勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
和頻率電子應用中實現更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉換器我們首先要宣布的是來自意法半導體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉換器，為
2022-06-15 11:43:25
的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨撝担瑥亩谟查_關應用中關斷晶體管。 圖1：E模式GaN HEMT等效電路（左）和建議的驅動方案（右）。 當并聯配置CoolGaN?晶體管時，可使用相同參數的RC驅動網絡
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
處理，謝謝。GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）已經成為5G宏基站功率放大器的主流候選技術。GaN HEMT憑借其固有的高擊穿電壓、高功率密度、大帶寬和高效率，已成為基站PA的有力候選技術。GaN是極
2019-04-13 22:28:48
增長，未來功率GaN技術將成為高效率功率轉換的新標準。以下是維安新推出的E-Mode GaN器件，歡迎大家前來索樣并與維安的專家討論其特性。[size=0.19]WGB65E450S WGB65E225S WGB65E150S WGZ65E150S表三 維安GaN晶體管新品列表
2021-12-01 13:33:21
。本文中，我們將為您介紹需要了解的非線性GaN 模型的基礎知識。什么是非線性GaN 模型？對許多工程師來說，設計PA 的第一步是閱讀晶體管產品的數據手冊并查看S 參數。S 參數文件很有用，但有關器件大信號
2018-08-04 14:55:07
描述此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現了一款數兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區(qū)時間調節(jié)，此參考設計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
日前，射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有產品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:371842 了合作關系，把基于氮化鎵（GaN）的電源方案推出市場，今天美國時間宣布推出聯名的NTP8G202N （TPH3202PS）和NTP8G206N （TPH3206PS） 600 V GaN共源共柵（cascade）晶體管和使用這些器件的240 W參考設計。
2015-03-19 14:28:432552 當測定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時間時，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細心留意您的測量設置和設備。讓我們初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進行準確測量的最佳實踐方法。
2017-04-18 12:34:042857 
低壓氮化鎵（GaN）器件市場越來越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應商。
2017-10-18 17:22:0710585 經過大量實踐檢驗，已被證明安全可靠的硅MOSFET已經成為電源電路設計的中流砥柱，但隨著基于氮化鎵的最新功率器件技術的發(fā)展，電源設計的趨勢正逐漸轉向GaN晶體管。
2018-08-06 15:04:375664 
）晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。
2020-09-28 14:16:52582 
）晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。
2020-09-30 14:30:213345 
ST 發(fā)布了市場首個也是唯一的單封裝集成 600 V 柵極驅動器和兩個加強版氮化鎵（GaN）晶體管的 MASTERGAN1。同類競品只提供一顆 GaN 晶體管，而 ST 決定增加一顆 GaN，實現
2020-10-30 12:04:45329 基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產品，是一個適用于軟開關有源鉗位反激拓撲的GaN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:442816 ) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感
2022-01-26 15:11:021649 
如何高效、安全地驅動Rad-Hard E型GaN晶體管
2021-11-29 16:31:42
1 GaN材料是第三代半導體的典型代表，具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優(yōu)質性能。因此，GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求，GaN功率晶體管一直是L和S波段
2022-04-14 09:12:14395 ) 和氮化鎵 (GaN)。在這些潛在材料中，GaN 或氮化鎵正變得被廣泛認可和首選。這是因為 GaN 晶體管與材料對應物相比具有多個優(yōu)勢。
2022-07-29 15:00:301363 GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進行實驗。
2022-08-05 08:04:54580 
GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
2022-08-05 08:04:55881 
是一種高度移動的半導體電子半導體 (HEMT)，被證明在滿足新應用方面具有真正的附加值。 GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術無法實現的新應用。板空間非常昂貴。eGaN?的FET，從EPC，在低電感，低電阻，
2022-08-08 09:38:242060 
GaN功率晶體管:器件、技術和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11425 基于模型的 GAN PA 設計基礎知識：GAN 晶體管 S 參數、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
2022-12-26 10:16:211645 
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應力，從而產生二維電子氣（2DEG）。2DEG用于在電場作用下，高效
2023-02-10 11:05:173854 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212337 
潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34693 解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現上述目標，隨著該項技術商用步伐的加快，在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點呢？GaN在品質因數（
2023-08-03 14:43:28225 650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17968 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。
2023-09-28 17:44:221864 
全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現優(yōu)化及業(yè)界領先的質量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52262 英飛凌科技集團今天宣布，對GaN Systems Inc.的收購已經完成。這家總部位于渥太華的公司提供廣泛的氮化鎵(GaN)電源轉換解決方案和尖端應用專業(yè)知識。已獲得所有必要的監(jiān)管批準，截至
2023-10-25 14:51:13479
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