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開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中如何減小EMI(2)

2011年03月24日 11:55 電源網(wǎng) 作者:秩名 用戶(hù)評(píng)論(0
可以看到在振蕩頻率(大概30M)之后,A波形的諧波,要大于B波形。

  再來(lái)看,下面的波形,一個(gè)是具有導(dǎo)通尖峰的電流波形,一個(gè)沒(méi)有導(dǎo)通尖峰。

  

 

  對(duì)兩個(gè)波形做傅立葉分析:

  

 

  可以看到紅色波形的高次諧波,要大于綠色波形。

  繼續(xù)對(duì)兩個(gè)波形,作分析

  紅色: 固定頻率的信號(hào)

  綠色:具有稍微頻率抖動(dòng)的信號(hào)

  

 

  可以看到,頻率抖動(dòng),可以降低低頻段能量。進(jìn)一步,放大低頻段的頻譜能量:

  

 

  可以看到,頻率抖動(dòng)就是把頻譜能量分散了,而固定頻率的頻譜能量,集中在基波的諧波頻率點(diǎn),所以峰值比較高,容易超標(biāo)。

  最后稍微總結(jié)一下,如果從源頭來(lái)抑制EMI。

  1.對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率的選擇,比如傳導(dǎo)測(cè)試150K-30M,那么在條件容許的情況下,可選擇130K之類(lèi)的開(kāi)關(guān)頻率,這樣基波頻率可以避開(kāi)測(cè)試。

  2.采用頻率抖動(dòng)的技術(shù)。頻率抖動(dòng)可以分散能量,對(duì)低頻段的EMI有好處。

  3.適當(dāng)降低開(kāi)關(guān)速度,降低開(kāi)關(guān)速度,可以降低開(kāi)關(guān)時(shí)刻的di/dt,dv/dt。對(duì)高頻段的EMI有好處。

  4.采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù),比如PSFB,AHB之類(lèi)的ZVS可以降低開(kāi)關(guān)時(shí)刻的di/dt,dv/dt。對(duì)高頻段的EMI有好處。而LLC等諧振技術(shù),可以讓一些波形變成正弦波,進(jìn)一步降低EMI。

  5.對(duì)一些振蕩尖峰做吸收,這些管子上的振蕩,往往頻率很高,會(huì)發(fā)射很大的EMI.

  6.采用反向恢復(fù)好的二極管,二極管的反向恢復(fù)電流,不但會(huì)帶來(lái)高di/dt.還會(huì)和漏感等寄生電感共同造成高的dv/dt.

  下面來(lái)看一下傳播途徑,這個(gè)是poon & Pong 兩位教授總結(jié)的。

  傳播途徑,比較的直觀全面

  

 

  我們先來(lái)看傳導(dǎo)途徑:

  傳導(dǎo)干擾的傳遞都是通過(guò)電線來(lái)傳遞的,測(cè)試的時(shí)候,使測(cè)試通過(guò)電線傳導(dǎo)出來(lái)得干擾大小。

  

 

  

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