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兩種高功率因數(shù)開關(guān)電源設(shè)計方案的比較(3)
2012年04月12日 10:36 來源:本站整理 作者:秩名 我要評論(0)
3 有源功率因數(shù)校正技術(shù)
本節(jié)采用如圖2所示的方案,基于Boost-APFC的功率因數(shù)校正電路如圖5所示。該電路由主電路和控制電路組成。主電路包括橋式整流器、升壓電感、功率開關(guān)管、續(xù)流二極管以及濾波電容等,控制電路包括電壓誤差放大器VA、電流誤差放大器CA、基準(zhǔn)電壓源、乘法器、PWM 比較器以及柵極驅(qū)動器。
圖5 基于Boost-APFC的功率因數(shù)校正電路
工作原理:APFC主電路的輸出電壓經(jīng)電阻分壓后與基準(zhǔn)電壓相比較,誤差值輸入到VA;VA 輸出信號X與輸入電壓檢測信號Y一起輸入乘法器,經(jīng)過平均化處理、放大、比較后,再經(jīng)過PWM 比較器加到柵極驅(qū)動器,產(chǎn)生對開關(guān)管VT的控制信號,從而使電感Ls上的電流(即輸入電流)平均值始終跟蹤模擬乘法器輸出的半正弦信號,即跟蹤了輸入電壓波形,并實現(xiàn)了輸入電流正弦化,使功率因數(shù)接近1,達(dá)到校正功率因數(shù)的目的。
4 仿真分析
4.1 PWM 整流器電路仿真與分析
采用Matlab7.6對所設(shè)計的單相全橋電壓型PWM 整流器進(jìn)行建模和仿真,在Simulink中搭建仿真模型,主電路仿真參數(shù):峰值電壓為311V,頻率為50Hz,相位為0°,采樣時間為0s;Ls=2mH,Rs=0.5Ω,直流側(cè)濾波電容Cd=2 500μF,直流側(cè)負(fù)載電阻RL=50Ω;從Power Electronics中調(diào)用Universal Bridge 模塊,并將其設(shè)置成二橋臂IGBT/Diodes模式,仿真算法設(shè)置為可變步長類算法中的ode45算法。
交流輸入側(cè)電壓與電流的仿真波形如圖6所示,可見交流側(cè)電流、電壓能始終保持同相,且電流能實現(xiàn)正弦化。直流側(cè)輸出電壓波形如圖7所示,可見0.06s后輸出電壓穩(wěn)定在400V左右。
在Powergui模塊中對電路進(jìn)行FFT分析,在Available Signals中進(jìn)行相關(guān)設(shè)置后對輸入側(cè)電流進(jìn)行諧波分析,結(jié)果如圖8所示。由圖8可知,總諧波畸變率DTH=0.77%,實現(xiàn)了系統(tǒng)低諧波畸變率的目標(biāo),電流諧波得到了很好的抑制。
圖8 輸入側(cè)電流諧波分析結(jié)果
PWM 整流器功率因數(shù)波形如圖9所示。由圖9可知,電路功率因數(shù)始終大于0.985,且工作0.03s后功率因數(shù)能達(dá)到1.
圖9 整流器功率因數(shù)波形
本文導(dǎo)航
- 第 1 頁:兩種高功率因數(shù)開關(guān)電源設(shè)計方案的比較(1)
- 第 2 頁:單相PWM 整流電路的基本原理
- 第 3 頁:有源功率因數(shù)校正技術(shù)
- 第 4 頁:單相APFC電路仿真與分析
標(biāo)簽:開關(guān)電源(817)高功率因數(shù)(3)
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