損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動器電壓或者實(shí)測，或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 11:52:00
3550 
從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)，導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中，MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細(xì)節(jié)的問題，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。
2021-03-07 10:47:002511 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:52:08747 
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>
2023-08-03 11:09:57740 
特征?6-V至60-V工作電源電壓范圍?1.7 A源極和2.3 A陷波柵驅(qū)動電流能力?用于減少電磁干擾的轉(zhuǎn)換速率控制?具有100%占空比支持的引導(dǎo)門驅(qū)動器?6或3個(gè)PWM輸入模式?增益和偏移可調(diào)的雙
2020-09-14 17:31:17
最近遇到一個(gè)棘手的問題，請大神們幫忙解決一下，能解決必有重謝！問題：用MOSFET 驅(qū)動BLDC電機(jī)，用的是光耦隔離驅(qū)動，采用上下橋互補(bǔ)驅(qū)動。在未加母線電壓時(shí)，MCU輸出的PWM（光耦前端
2021-01-08 22:52:39
、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長外
2018-08-27 20:50:45
的效果。然后，降低驅(qū)動電壓，正常工作時(shí)候，RDSON會增大，系統(tǒng)效率會降低，MOSFET的溫度會升高，對于器件和系統(tǒng)的可靠性會產(chǎn)生問題。短路保護(hù)最好通過優(yōu)化短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)、減小保護(hù)的延時(shí)來調(diào)節(jié)，不
2016-12-21 11:39:07
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)應(yīng)用中， MOSFET驅(qū)動器可用來直接驅(qū)動電機(jī)。 不過，在本應(yīng)用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
這是MOSFET驅(qū)動電壓，請大神指點(diǎn)，其中的高電平電壓波動原因是什么？
2022-05-24 09:32:29
類型?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的工作原理： MOSFET是一種可控制的三極管，由 Gate（門） 、 Drain（漏極）和Source（源極）構(gòu)成。當(dāng)在Gate上施加一個(gè)能通過MOSFET的電壓，則形成電場
2023-03-08 14:13:33
MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
（off-chipload）的驅(qū)動器阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn)，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們最主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且
2020-07-06 11:28:15
MOSFET 晶體管是可以電壓驅(qū)動電流。常用的是N溝道MOSFET，P溝道的制作成本高。簡單功率MOSFET電機(jī)控制器。這是一個(gè)典型的 MOSFET開關(guān)電路。由于電動機(jī)負(fù)載是電感性的，因此在電感
2021-09-13 08:27:30
為什么呢？因?yàn)槲腋緵]有加驅(qū)動電壓，MOS怎么會導(dǎo)通？用下面的圖，來做個(gè)仿真： 去探測G極的電壓，發(fā)現(xiàn)電壓波形如下： G極的電壓居然有4V多，難怪MOSFET會導(dǎo)通，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET
2011-08-17 16:08:07
源電壓在12V左右，以保護(hù)Q1；3.C2作用為濾除MOS_ON上的干擾以及延緩Q1上下電時(shí)間，如下圖：分別為添加電容和不添加電容Q1門極電壓變化情況結(jié)論：通過在開關(guān)g s 并聯(lián)電容，可以有效提升開關(guān)mosfet抗干擾能力，尤其在mosfet需要通過外部按鍵使能的應(yīng)用，另外并聯(lián)的電容可以有效濾除由
2021-12-30 07:40:23
，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動)，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，使用與源極接VCC
2016-11-24 15:27:49
電路設(shè)計(jì)如圖；問題：MOSFET測量柵極有開啟電壓+3.6V，漏極電壓+12V，但是源極電壓測量為+1V;分析：有可能是MOSFET壞了，除了這個(gè)可能性，不清楚是不是設(shè)計(jì)上有問題，希望大家?guī)兔?，目前?b class="flag-6" style="color: red">極沒有接負(fù)載，這對電路有沒有影響呢？
2019-09-11 14:32:13
, Cgd2, Ld2共同組成。由于震蕩， 并聯(lián)MOSFET的門極驅(qū)動電壓并不能保持一致，門極電壓高于Vgsth的MOSFET仍然開通，門極電壓低于Vgsth的MOSFET關(guān)閉，使得各MOSFET之間
2018-12-10 10:04:29
mosfet沒有上電時(shí)，mosfet驅(qū)動電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅(qū)動電壓卻變成了這個(gè)樣子，請問這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
IGBT門極驅(qū)動器能夠在太陽能和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用中，為Mitsubishi生產(chǎn)的New Mega Power Dual IGBT模塊提供高效的驅(qū)動。該驅(qū)動器具有較高的集成度和優(yōu)越的抗EMI性能，便于實(shí)現(xiàn)緊湊且高可靠性的功率變換器設(shè)計(jì)，是一種靈活且即時(shí)可用的解決方案。
2019-04-20 16:13:50
IGBT/MOSFET等全控型開關(guān)器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日趨廣泛，相應(yīng)的驅(qū)動芯片集成度也越來越高，其中欠壓保護(hù)功能由于可以防止開關(guān)管在門極電壓較低時(shí)飽和導(dǎo)通，被各大驅(qū)動芯片公司集成到了自家
2019-08-22 04:45:14
（1）門級電路的功耗優(yōu)化綜述 門級電路的功耗優(yōu)化(Gate Level Power Optimization，簡稱GLPO)是從已經(jīng)映射的門級網(wǎng)表開始，對設(shè)計(jì)進(jìn)行功耗的優(yōu)化以滿足功耗的約束，同時(shí)
2021-11-12 06:14:26
Figure 4 是具有驅(qū)動器源極引腳的 MOSFET 的驅(qū)動電路示例。它與以往驅(qū)動電路（Figure 2）之間的區(qū)別只在于驅(qū)動電路的返回線是連接到驅(qū)動器源極引腳這點(diǎn)。從電路圖中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
PWM輸入變高時(shí)，高壓側(cè)驅(qū)動器將通過從CBST中抽出電荷開始打開高壓側(cè)MOSFET，Q1當(dāng)Q1打開時(shí)，SW引腳將上升到VIN，迫使BST引腳達(dá)到VIN+VC（BST），這是足以保持Q1打開的門到源電壓
2020-07-21 15:49:18
FOD8342TR2是一款 3.0 A 輸出電流門極驅(qū)動光耦合器，能夠驅(qū)動中等功率 IGBT/MOSFET。它適用于電機(jī)控制逆變器應(yīng)用和高性能電源系統(tǒng)中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速
2022-01-17 09:31:39
和三極管，它們倆功能上差不多，但是原理和應(yīng)用范圍還是有較大的區(qū)別的。這里主要討論一些MOSFET的應(yīng)用，說得比較淺顯。MOSFET的門極（G極，gate），顧名思義就是將MOSFET導(dǎo)通的電壓，起到一...
2021-07-05 07:18:34
驅(qū)動電壓提供優(yōu)化應(yīng)用所需的靈活性，包括門電荷和傳導(dǎo)損耗之間的權(quán)衡。自適應(yīng)零穿透保護(hù)集成到防止上下mosfet傳導(dǎo)同時(shí)盡量減少死區(qū)時(shí)間。這些產(chǎn)品增加了操作過電壓保護(hù)功能在VCC超過其開啟閾值之前相節(jié)點(diǎn)連接
2020-09-30 16:47:03
，MOSFET Q1門極驅(qū)動信號關(guān)斷，諧振電感電流開始流經(jīng)MOSFET Q2的體二極管，為MOSFET Q2產(chǎn)生ZVS條件。這種模式下應(yīng)該給MOSFET Q2施門極信號。由于諧振電流的劇增，MOSFET
2019-09-17 09:05:04
一般說明 LM9061是一種電荷泵裝置，它提供門驅(qū)動到任何尺寸的外部功率MOSFET配置作為高壓側(cè)的駕駛員或開關(guān)。CMOS邏輯兼容電路開/關(guān)輸入控制輸出柵極驅(qū)動電壓。在在ON狀態(tài)下，電荷泵電壓
2020-07-14 14:53:05
MOS管門極驅(qū)動電路問題1.Q2的存在為什么可以加速Q(mào)門極輸入電容的放電？2.D1的作用?是加速Q(mào)導(dǎo)通？
2021-09-29 10:30:09
，那柵極電流需要多少呢？所以在柵極或者三極管的基極會有一些增強(qiáng)驅(qū)動的電路，比如互補(bǔ)推挽、圖騰柱、上拉、復(fù)合管、門極驅(qū)動器等。這是除了考慮柵極或者基極的驅(qū)動電壓，還要考慮基極的驅(qū)動電流？柵極電容也是要考慮的一個(gè)參數(shù)吧？
2022-05-30 14:11:34
描述：NCP302155MNTWG是一款集成了MOSFET驅(qū)動器，高?側(cè)面MOSFET而且很低?將側(cè)邊MOSFET封裝成單個(gè)封裝。驅(qū)動器和MOSFET已經(jīng)過優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)高性能?現(xiàn)在的直流?直流降壓
2021-07-14 19:55:16
SCALE-2技術(shù)可優(yōu)化外形尺寸，提高耐壓在3300V以內(nèi)的功率逆變器和變換器的效率、性能和深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號
2021-09-09 11:00:41
`羅姆低門驅(qū)動電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅(qū)動類型。 這種廣泛的驅(qū)動器類型范圍支持從小信號到高功率的各種應(yīng)用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小
2021-02-02 09:55:16
）”，非常適用于FA等工業(yè)設(shè)備和基站（冷卻風(fēng)扇）的電機(jī)驅(qū)動。近年來，為了支持工業(yè)設(shè)備和基站的電機(jī)所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅(qū)動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力
2021-07-14 15:17:34
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
，與Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低。 4. 驅(qū)動門極電壓和導(dǎo)通電阻 SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低?！摂?shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低?！摂?shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
，CoolSiCTM MOSFET推薦驅(qū)動電壓為15V，與現(xiàn)在Si基IGBT驅(qū)動需求兼容。CoolSiCTM MOSFET典型閾值電壓4.5V, 高于市面常見的2~3V的閾值電壓。比較高的閾值電壓可以避免門
2019-04-22 02:17:17
ID迅速下降，較高的電流變化率在功率源極雜散電感Lsource上產(chǎn)生負(fù)壓降LSource*（dID）/dt（上負(fù)下正），該電壓降使得MOSFET芯片上的門極電壓VGS_int在關(guān)斷的第一瞬間并不是驅(qū)動
2023-02-27 16:14:19
漏源電壓保持截止時(shí)高電平不變，從圖1可以看出，此部分有VDS與ID有重疊，MOSFET功耗增大;t3-t4區(qū)間：柵極電壓從平臺上升至最后的驅(qū)動電壓(模塊電源一般設(shè)定為12V)，上升的柵壓使導(dǎo)通電
2019-09-25 07:00:00
確保漏極檢測電路不會啟動時(shí)觸發(fā)錯(cuò)誤?？梢栽O(shè)置此時(shí)間常數(shù)從幾微秒到幾秒鐘。但是，非常長時(shí)間的延遲可能會使MOSFET面臨被摧毀的危險(xiǎn)由于短路情況。（參見應(yīng)用程序信息第節(jié)）。狀態(tài)Pin狀態(tài)引腳是一個(gè)低驅(qū)動
2020-09-08 17:28:16
?當(dāng)輸入與輸出電壓之間有正電壓時(shí)，運(yùn)放肖特基二極管電路使MOSFET導(dǎo)通，如下式：VGATE=VOUT-(R2/R1)(VIN-VOUT)其中，肖特基二極管電路的VGATE是MOSFET的柵極驅(qū)動
2021-04-08 11:37:38
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動
2018-09-01 09:53:17
在通孔板上建立電路數(shù)小時(shí)后，我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET時(shí)Vgs并不容易。經(jīng)過搜索，我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關(guān)斷MOSFET。對我來說非常重要的是，當(dāng)
2018-08-23 10:30:01
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時(shí)，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
目前想設(shè)計(jì)一個(gè)關(guān)于MOSFET的DG極驅(qū)動方案，存在問題為MOSFET可以正常開通，但無法關(guān)斷，帶負(fù)載時(shí)GS極始終存在4V電壓無法關(guān)斷MOSFET 。
電路圖如下：
空載時(shí)，GS極兩端電壓：
是可以
2023-12-17 11:22:00
驅(qū)動電壓提供優(yōu)化應(yīng)用所需的靈活性，包括門電荷和傳導(dǎo)損耗之間的權(quán)衡。自適應(yīng)零穿透保護(hù)集成到防止上下mosfet傳導(dǎo)同時(shí)盡量減少死區(qū)時(shí)間。這些產(chǎn)品增加了操作過電壓保護(hù)功能在VCC超過其開啟閾值之前相節(jié)點(diǎn)連接
2020-09-29 17:38:58
了。一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動電路有以下幾點(diǎn)要求：（1）開關(guān)管開通瞬時(shí)，驅(qū)動電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2
2019-02-21 06:30:00
1.直接驅(qū)動 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時(shí)提供放電回路的;穩(wěn)壓二極管D1和D2是保護(hù)MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速M(fèi)OS的關(guān)斷
2018-11-16 11:43:43
利用IR2103驅(qū)動mosfet實(shí)現(xiàn)電壓輸出，幫忙看看這個(gè)電路是怎么工作的？其中PULSE1是PWM脈沖，HIV_ADJ1是50-130的直流電壓，要求將50-130的直流電變成脈沖實(shí)現(xiàn)輸出
2018-01-19 10:32:04
一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?）等效電路：2）說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻
2021-08-29 18:34:54
功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
施加正電壓，打開漏極和源極引腳之間的通道，并允許電流流過 LED。P溝道MOSFETP溝道MOSFET開關(guān)電路圖二、場效應(yīng)管MOSFET用作電機(jī)驅(qū)動電路N溝道MOSFET如下圖所示，兩個(gè)二極管反向偏置
2022-09-06 08:00:00
，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)，導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中，MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細(xì)節(jié)的問題，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。`
2011-09-27 11:25:34
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
如何連接MOSFET和MOSFET的驅(qū)動，還有MOSFET的驅(qū)動如何選型
2016-04-24 18:05:56
MOSFET一般工作在橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)模式下，如圖1所示。由于下橋MOSFET驅(qū)動電壓的參考點(diǎn)為地，較容易設(shè)計(jì)驅(qū)動電路，而上橋的驅(qū)動電壓是跟隨相線電壓浮動的，因此如何很好地驅(qū)動上橋MOSFET成了設(shè)...
2021-07-27 06:44:41
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
瞬態(tài)操作。圖1所示為硬開關(guān)關(guān)斷瞬態(tài)下，理想MOSFET的工作波形和工作順序。 圖1 升壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET的典型關(guān)斷瞬態(tài)波形 當(dāng)驅(qū)動器發(fā)出關(guān)斷信號后，即開始階段1 [t=t1]操作，柵極與源極之間
2018-10-08 15:19:33
電路中U1 為電壓檢測IC ， IC 是當(dāng)1和2兩腳電壓會3.3V以上時(shí)輸出腳3電壓為3.3V， 那么當(dāng)R1電阻上電壓3.3V以上的時(shí)候，IC 輸出3.3V 電壓驅(qū)動 MOSFET 短路掉電阻R1
2012-11-09 20:09:35
重要了。一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動電路有以下幾點(diǎn)要求：（1）開關(guān)管開通瞬時(shí)，驅(qū)動電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2
2017-01-09 18:00:06
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
關(guān)系。若適當(dāng)增大器件的開通時(shí)間，即可在很大程度上減小振蕩幅值，因此考慮在驅(qū)動芯片與MOSFET柵極間加設(shè)緩沖電路，即人為串接驅(qū)動電阻，在MOSFET柵源極間并聯(lián)電容以延長柵極電容的充電時(shí)間，降低電壓
2018-08-27 16:00:08
求一款低邊MOSFET驅(qū)動,輸入電壓12V,電流1A以上，且一顆芯片驅(qū)動兩個(gè)MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
的門極驅(qū)動問題做了一些總結(jié)，希望對廣大IGBT應(yīng)用人員有一定的幫助。 1 IGBT門極驅(qū)動要求 1.1 柵極驅(qū)動電壓 因IGBT柵極-發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行驅(qū)動，但
2016-11-28 23:45:03
的門極驅(qū)動問題做了一些總結(jié)，希望對廣大IGBT應(yīng)用人員有一定的幫助?！ ? IGBT門極驅(qū)動要求 1.1 柵極驅(qū)動電壓 因IGBT柵極-發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行驅(qū)動，但
2016-10-15 22:47:06
?。?)直接驅(qū)動 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時(shí)提供放電回路的;穩(wěn)壓二極管D1和D2是保護(hù)MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速M(fèi)OS的關(guān)斷
2018-12-24 14:39:02
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
通過金屬物短路，從而避免寄生三極管的意外導(dǎo)通。當(dāng)柵極沒有加驅(qū)動電壓時(shí)，功率MOSFET通過反向偏置的P-體區(qū)和N-^^的epi層形成的PN結(jié)承受高的漏極電壓。在高壓器件中絕大部分電壓由低摻雜的epi層來
2023-02-20 17:21:32
MOSFET基本上已經(jīng)導(dǎo)通。圖1：AOT460柵極電荷特性對于上述的過程，理解難點(diǎn)在于：(1) 為什么在米勒平臺區(qū)，VGS的電壓恒定？(2) 驅(qū)動電路仍然對柵極提供驅(qū)動電流、仍然對柵極電容充電，為什么柵極
2016-11-29 14:36:06
上一節(jié)我們講了由NMOS與PMOS組成的CMOS，也就是一個(gè)非門，各種邏輯門一般是由MOSFET組成的。上圖左邊是NMOS右邊是PMOS。上圖兩圖是非門兩種情況，也就是一個(gè)CMOS，輸入高電壓輸出
2023-02-15 14:35:23
;lt;br/>門極電壓不能超過Vgs的最大值。在設(shè)計(jì)驅(qū)動線路時(shí)，應(yīng)考慮驅(qū)動電源電壓和線路的抗干擾性，確保MOSFET在帶感性負(fù)載且工作在開關(guān)狀態(tài)時(shí)柵極電壓不超過Vgs的最大值
2009-12-03 17:25:55
to 125IXRFDSM607X2IXYS18+17080 門驅(qū)動器 15A Low-Side RF MOSFET DriverUCC5390ECDRTexas Instruments18+17080 門驅(qū)動器 10A/10A 3-kVRMS
2018-08-01 09:29:40
MOSFET DriverTC4424COE713Microchip Technology18+9800 門驅(qū)動器 3A DualSI8234BB-D-IS1RSilicon Labs18+9800 門驅(qū)動
2018-08-02 09:39:35
供的電阻要小得多。正因?yàn)槿绱耍?dāng)與等效功率 MOSFET 相比，電流額定值要高得多。與其他類型的晶體管器件相比，使用絕緣門雙極性晶體管的主要優(yōu)點(diǎn)是其高電壓能力、低開關(guān)電阻、易于驅(qū)動、相對快速的開關(guān)速度以及
2022-04-29 10:55:25
的外延層epi厚度N-決定。功率MOSFET的N+源極和P-體區(qū)形成的結(jié)通過金屬物短路，從而避免寄生三極管的意外導(dǎo)通。當(dāng)柵極沒有加驅(qū)動電壓時(shí)，功率MOSFET通過反向偏置的P-體區(qū)和N-的epi層形成
2016-09-06 15:41:04
絕大多數(shù)情況下都取決于IC的規(guī)格，因此雖然不是沒有方法，但選用專為SiC-MOSFET用而優(yōu)化的電源IC應(yīng)該是上策。具體一點(diǎn)來講，在規(guī)格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET的驅(qū)動電壓為VGS
2018-11-27 16:54:24
MOS管的門極開通電壓典型值為多少伏？那么IGBT的門極開通電壓典型值又為多少伏呢？
2019-08-20 04:35:46
請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
當(dāng)今多種MOSFET 技術(shù)和硅片制程并存，而且技術(shù)進(jìn)步日新月異。要根據(jù)MOSFET 的電壓/ 電流或管芯尺寸，對如何將MOSFET 驅(qū)動器與MOSFET 進(jìn)行匹配進(jìn)行一般說明，實(shí)際上顯得頗為
2009-07-04 13:49:05
95 MOSFET與MOSFET驅(qū)動電路原理及應(yīng)用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 如何驅(qū)動碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性
2018-08-20 01:10:008382 如何驅(qū)動碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性
2018-08-02 01:20:005114 器件尺寸的挑戰(zhàn)也增加了。這種降低通常是通過提高工作頻率來實(shí)現(xiàn)的。反過來，這種增加需要更復(fù)雜的驅(qū)動器和碳化硅 (SiC) MOSFET 或 IGBT 的驅(qū)動電壓優(yōu)化。 提高效率同時(shí)減小器件尺寸的目標(biāo)增加了對高性能功率器件和柵極驅(qū)動器的需求。因
2022-08-08 09:56:58185 
使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
2022-12-29 10:02:53785 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:54:02518 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
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