基于電壓－電流的變化率特性，LED驅(qū)動(dòng)器需要一個(gè)符合要求的設(shè)計(jì)，所以了解它們的特性和基于特定應(yīng)用選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)電路是至關(guān)重要的。這樣專用的驅(qū)動(dòng)電路才能為這些LED提供額定
2012-03-21 08:43:55
1137 IGBT驅(qū)動(dòng)光耦HCPL-316J的特性
2012-05-23 12:05:182718 本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開(kāi)關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。
2015-06-12 09:51:234738 人們普遍認(rèn)為，SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非常快的開(kāi)關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實(shí)際應(yīng)用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力
2021-01-27 15:22:243069 
本文會(huì)著重介紹TI集成MOSFET的有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的電流輸出級(jí)特性，以及如何增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)峰值電流。
2023-07-04 10:21:231844 
74H245驅(qū)動(dòng)芯片具有哪些特性參數(shù)應(yīng)用？
2021-09-29 08:17:59
,推測(cè)為AD7192的采樣引起.換用AD440+0.1uf作為參考電壓則其電壓幾乎無(wú)類似脈沖出現(xiàn).是否OP727輸出阻抗過(guò)大?因系統(tǒng)并無(wú)參考電壓精度要求, 考慮成本原因, 能否推薦其它合適的運(yùn)放做緩沖器? 或者更廉價(jià)但驅(qū)動(dòng)能力較強(qiáng)的電壓參考來(lái)驅(qū)動(dòng)ADC?
2023-12-22 07:44:27
BLDC電機(jī)正弦驅(qū)動(dòng)特性是什么？STM32步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)程序中你能學(xué)到什么？電動(dòng)機(jī)控制板電路特性參數(shù)是什么？
2021-12-21 07:29:01
DDHD雙軸伺服驅(qū)動(dòng)器的主要特性是什么？
2021-11-15 07:50:17
本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用，對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要求。
2021-03-04 08:44:36
：0.54%)的實(shí)驗(yàn)條件下進(jìn)行的。[img][/img] LED驅(qū)動(dòng)與有關(guān)技術(shù)要求 對(duì)LED 驅(qū)動(dòng)電路主要技術(shù)指標(biāo)有：最大輸出功率，允許工作溫度范圍，瞬態(tài)開(kāi)/關(guān)工作特性，功率因數(shù)不低于0.9，輸入和輸出
2019-10-06 17:08:42
：0.54%)的實(shí)驗(yàn)條件下進(jìn)行的?！ ED驅(qū)動(dòng)與有關(guān)技術(shù)要求 對(duì)LED 驅(qū)動(dòng)電路主要技術(shù)指標(biāo)有：最大輸出功率，允許工作溫度范圍，瞬態(tài)開(kāi)/關(guān)工作特性，功率因數(shù)不低于0.9，輸入和輸出電壓變化范圍，允許的最大
2019-07-09 10:22:19
LED驅(qū)動(dòng)器通用要求是什么？LED驅(qū)動(dòng)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)LED驅(qū)動(dòng)器的校準(zhǔn)要求？
2021-04-12 06:21:19
產(chǎn)品能否順利通過(guò)CE、UL等認(rèn)證，因此在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)就要選用先進(jìn)的拓樸結(jié)構(gòu)和高壓生產(chǎn)工藝?！ ?、驅(qū)動(dòng)芯片的自身功耗要求小于0.5W，開(kāi)關(guān)工作頻率要求大于120Hz，以免發(fā)生工頻干擾產(chǎn)生可見(jiàn)閃爍
2013-05-15 17:32:57
技術(shù)細(xì)節(jié)決定LED照明設(shè)計(jì)的內(nèi)容包括：LED光源的技術(shù)日趨成熟LED光源工作特點(diǎn) LED燈具對(duì)低壓驅(qū)動(dòng)芯片的要求
2021-04-06 09:15:51
調(diào)整LED的發(fā)光顏色和強(qiáng)度。⑤為了凸顯LED的節(jié)能效果，電源必須具有較高的轉(zhuǎn)換效率。綜上所述，對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電源的要求可歸結(jié)為一下幾點(diǎn)：① 電源電壓必須是直流電壓，且電壓值應(yīng)高過(guò)工作時(shí)LED的正向壓降
2014-02-27 16:56:42
隨著全球蜂窩通信網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商逐步采用LTE，滿足所有LTE要求的需求也在增長(zhǎng)，其中包括衰落特性。第三代合作伙伴計(jì)劃(3GPP) 在其TS 36.521-1標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了衰落的技術(shù)規(guī)格，用以測(cè)量LTE手機(jī)的衰落特性。
2019-08-09 06:16:00
MM32SPIN423C低壓?jiǎn)纹诫姍C(jī)驅(qū)動(dòng)MCU有哪些特性？MM32SPIN423C低壓?jiǎn)纹诫姍C(jī)驅(qū)動(dòng)MCU有哪些技術(shù)規(guī)格？
2021-08-23 07:52:36
CREE第二代SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理圖及PCB板設(shè)計(jì)電路原理圖光耦隔離電路和功率放大電路原理圖隔離電源電路原理圖PCB layout第一層layout第二層layout（負(fù)電層）第三層
2021-11-15 07:26:07
也是不允許的。下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。1，MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種
2012-11-12 15:40:55
，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。1，MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P
2012-12-18 15:37:14
NMOS的驅(qū)動(dòng)電路與PMOS的驅(qū)動(dòng)電路有何區(qū)別？NMOS驅(qū)動(dòng)電路的特性有哪些呢？
2021-11-03 08:07:37
USART主要特性是什么？USART工作基本要求是什么？
2021-12-13 07:19:58
在功率電子（例如驅(qū)動(dòng)技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開(kāi)關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開(kāi)關(guān)期間。為了最大程度減小開(kāi)關(guān)損耗，要求具備較短的開(kāi)關(guān)時(shí)間。然而，快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬
2020-10-29 08:23:33
在一定范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，作為驅(qū)動(dòng)用途的電動(dòng)機(jī)，這一特性是合適的。但作為伺服電動(dòng)機(jī)，則要求機(jī)械特性必須是單值函數(shù)并盡量具有線性特性，以確保在整個(gè)調(diào)速范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。為滿足這一要求，通常的做法是，加大轉(zhuǎn)子電阻，使得產(chǎn)生
2018-10-10 18:09:15
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的工作原理？基本要求有哪些？
2021-09-28 08:20:29
基于照明特性分析的串聯(lián)飽和型恒流驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)摘要:發(fā)光二極管（LED）技術(shù)的快速發(fā)展使其在照明工程中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。針對(duì)LED 照明的特點(diǎn)和光學(xué)特性參數(shù)，  
2009-12-01 10:28:21
混合信號(hào)測(cè)試的特點(diǎn)和測(cè)試要求是什么如何實(shí)現(xiàn)對(duì)ADC/DAC的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性的測(cè)試?基于DSP的混合信號(hào)測(cè)試方案
2021-04-09 06:18:19
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開(kāi)關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
求關(guān)于各種驅(qū)動(dòng)器的特性資料，十分感謝{:23:}
2013-08-14 17:12:37
隨著新能源市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車，光伏、儲(chǔ)能等下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，碳化硅功率器件迎來(lái)了新一輪增長(zhǎng)期。特別是電動(dòng)汽車上SiCMOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后，在近幾年可以看到，國(guó)內(nèi)外各大廠商都密集地加入到SiC
2024-01-19 14:55:55
隨著新能源市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車，光伏、儲(chǔ)能等下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，碳化硅功率器件迎來(lái)了新一輪增長(zhǎng)期。特別是電動(dòng)汽車上SiCMOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后，在近幾年可以看到，國(guó)內(nèi)外各大廠商都密集地加入到SiC
2024-01-19 14:53:16
傳統(tǒng)安全技術(shù)的弊端及其所面臨的挑戰(zhàn)是什么？用于驗(yàn)證個(gè)人身份的生物特征要求具有什么特性？幾種生物識(shí)別技術(shù)對(duì)比分析哪個(gè)好？指紋識(shí)別技術(shù)具有什么優(yōu)點(diǎn)？
2021-06-01 07:03:13
陶瓷揚(yáng)聲器有哪些特性？陶瓷揚(yáng)聲器的聲壓與頻率和幅度有什么關(guān)系？陶瓷揚(yáng)聲器對(duì)放大器有什么要求？陶瓷揚(yáng)聲器與電動(dòng)式揚(yáng)聲器的效率有什么不同？
2021-04-14 06:12:58
阻抗特性設(shè)計(jì)要求
2006-05-11 19:13:24
0 摘要：發(fā)光二極管（LED）技術(shù)的快速發(fā)展使其在照明工程中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。針對(duì)LED 照明的特點(diǎn)和光學(xué)特性參數(shù)，從驅(qū)動(dòng)電路入手，設(shè)計(jì)了一款照明燈實(shí)用LED 驅(qū)動(dòng)電路，并將
2010-11-09 17:07:5510 本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡(jiǎn)要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，
2010-11-11 15:34:22201 對(duì)補(bǔ)償后電源系統(tǒng)的頻率特性要求
電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的原則（對(duì)補(bǔ)償后的頻率特性要求）如下：
（1）增益交越頻率ωc足夠高，則
2009-02-19 11:12:18679 IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理
通過(guò)對(duì)功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動(dòng)要求和保護(hù)方法等討
2009-10-09 09:56:011851 
LED驅(qū)動(dòng)電源的分類及特性簡(jiǎn)介
1、按驅(qū)動(dòng)方式可分為兩大類：（1）恒流式:a、 恒流驅(qū)動(dòng)電路輸出的電流是恒定的，而輸出的
2009-11-27 14:26:15504 半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)和要求有哪些?
半導(dǎo)體材料-特性參數(shù)
LED燈泡半
2010-03-04 10:39:593352 驅(qū)動(dòng)電路IR2110的特性及應(yīng)用
功率變換裝置中的功率開(kāi)關(guān)器件，根據(jù)主電路的不同，一般可采用直接驅(qū)動(dòng)和隔離驅(qū)動(dòng)兩種方式。其中隔離驅(qū)動(dòng)可分為
2010-03-19 11:08:109279 
本次主要想探討阻性/感性/容性/電流型負(fù)載對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求，與大家分享，請(qǐng)網(wǎng)友看看有何不足，先看一個(gè)圖吧，F(xiàn)ET的等效模型是：
2010-08-16 11:57:491085 
根據(jù)電網(wǎng)的用電規(guī)則和LED驅(qū)動(dòng)電源的特性要求，在選擇和設(shè)計(jì)LED驅(qū)動(dòng)電源時(shí)要考慮到以下九大性能特點(diǎn)要求：
2010-10-29 18:00:51821 本文將介紹一種系統(tǒng)層閃光燈 LED驅(qū)動(dòng)器 設(shè)計(jì)，以及能夠確保系統(tǒng)安全運(yùn)行和集成的一些特性。 高效的相機(jī)閃光燈LED驅(qū)動(dòng) 高分辨率相機(jī)在最低光照環(huán)境下，要求有高亮度的閃光來(lái)完成照
2011-08-31 14:05:352890 
本文在分析了中大功率IGBT 特性、工作原理及其驅(qū)動(dòng)電路原理和要求的基礎(chǔ)上，對(duì)EXB841、M57962AL、2SD315A 等幾種驅(qū)動(dòng)電路的工作特性進(jìn)行了比較。并針對(duì)用于輕合金表面防護(hù)處理的特種脈
2011-09-15 16:57:37130 討論了液晶光閥頻率驅(qū)動(dòng)方式的原理, 并分析了液晶光閥在頻率驅(qū)動(dòng)方式下的電光特性。在特定的交流電壓下改變外加電場(chǎng)頻率, 測(cè)量了TB3639 型液晶光閥在頻率驅(qū)動(dòng)方式下的電光特性關(guān)
2011-09-20 17:07:3876 基于電壓-電流的變化率特性， LED驅(qū)動(dòng)器 需要一個(gè)符合要求的設(shè)計(jì)，所以了解它們的特性和基于特定應(yīng)用選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)電路是至關(guān)重要的。這樣專用的驅(qū)動(dòng)電路才能為這些LED提供額定
2011-11-01 10:33:28948 LED是特性敏感的半導(dǎo)體器件，又具有負(fù)溫度特性，因而在應(yīng)用過(guò)程中需要對(duì)其進(jìn)行穩(wěn)定工作狀態(tài)和保護(hù)，從而產(chǎn)生了驅(qū)動(dòng)的概念。LED器件對(duì)驅(qū)動(dòng)電源的要求近乎于苛刻，LED不像普通的白
2012-05-17 14:21:592743 LED 是特性敏感的 半導(dǎo)體器件 ，又具有負(fù)溫度特性，因而在應(yīng)用過(guò)程中需要對(duì)其進(jìn)行穩(wěn)定工作狀態(tài)和保護(hù)，從而產(chǎn)生了驅(qū)動(dòng)的概念。LED器件對(duì)驅(qū)動(dòng)電源的要求近乎于苛刻，LED不像普通的
2012-05-17 16:35:272390 LED是特性敏感的半導(dǎo)體器件，又具有負(fù)溫度特性，因而在應(yīng)用過(guò)程中需要對(duì)其進(jìn)行穩(wěn)定工作狀態(tài)和保護(hù)，從而產(chǎn)生了驅(qū)動(dòng)的概念。LED器件對(duì)驅(qū)動(dòng)電源的要求近乎于苛刻，LED不像普通的白
2012-10-15 15:59:16598 激光器電源的基本特性及其對(duì)電源的要求
2016-01-20 15:41:2110 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。
2016-08-05 16:16:3223351 
LED特性和白光LED的基礎(chǔ)知識(shí)與驅(qū)動(dòng)
2017-01-24 17:21:0418 瞬變時(shí)既快速又精確地產(chǎn)生事件響應(yīng)。ACOPOS伺服驅(qū)動(dòng)具備這一特性，它在運(yùn)行時(shí)掃描時(shí)間非常短且通信循環(huán)周期僅400us，控制循環(huán)僅50 U S。
2017-10-23 09:28:217 。手機(jī)功放的特性要求 GSM/GPRS四頻手機(jī)是依據(jù)ETSI/3GPP的通訊標(biāo)準(zhǔn)來(lái)傳送信號(hào)，所以功率放大器的特性必須符合以下的要求。
2017-11-23 17:20:042814 
。但是IGBT良好特性的發(fā)揮往往因其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)上的不合理，制約著IGBT的推廣及應(yīng)用。本文分析了IGBT對(duì)其柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，設(shè)計(jì)了一種適用于高頻條件下小功率電路可靠穩(wěn)定的分立式IGBT驅(qū)動(dòng)電路。
2018-06-29 15:25:004062 
這種電隔離驅(qū)動(dòng)器的絕緣測(cè)試電壓達(dá)到VISO=2500Vrms，60秒，通過(guò)了UL577認(rèn)證。并且具備高達(dá)1000kHz的高開(kāi)關(guān)速度，因此它們不僅能驅(qū)動(dòng)IGBT，而且可以作為SiCMOSFET的驅(qū)動(dòng)。
2018-06-20 14:12:494631 表B51給出了所有高邊驅(qū)動(dòng)輸出的電氣特性。分段顯示了高邊驅(qū)動(dòng)輸出子類別的具體示意圖和額外的電氣特性:ODH_Vs_x、ODHS_Vs_x、ODH_Vcc_x、OPH_Vs_x、OPHS_Vs_x、OPH_Vcc_x、OFH_Vs_x、OFH_Vcc_x。表B52中的附加參數(shù)必須在一般的高邊驅(qū)動(dòng)輸出中指定。
2018-06-29 08:44:375271 
深度掌握隔離驅(qū)動(dòng)器瞬態(tài)共模噪音抑制及其特性
2018-08-13 00:11:004414 如果能夠通過(guò)使LED正向電流相等而確保白光發(fā)射的均勻性，則可以并聯(lián)驅(qū)動(dòng)白光LED。為驅(qū)動(dòng)LED，應(yīng)該選擇可控的電流源或者帶有電流控制的步進(jìn)轉(zhuǎn)換器。采用電荷泵或者開(kāi)關(guān)升壓轉(zhuǎn)換器可以實(shí)現(xiàn)這樣的與幾個(gè)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的結(jié)合。
2019-07-03 08:14:002720 
由中國(guó)科大、澳大利亞伍倫貢大學(xué)和蘇州大學(xué)組成的聯(lián)合研究組近年來(lái)研究液態(tài)金屬的驅(qū)動(dòng)特性及其在機(jī)器人上的應(yīng)用，設(shè)計(jì)了基于鎵基室溫液態(tài)金屬的新型機(jī)器人驅(qū)動(dòng)器，首次實(shí)現(xiàn)了液態(tài)金屬驅(qū)動(dòng)的功能性輪式移動(dòng)機(jī)器人。
2018-10-20 10:35:515489 基于電動(dòng)汽車的特點(diǎn)和應(yīng)用要求，對(duì)車用電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)電磁騷擾特性及傳播機(jī)制進(jìn)行了分析，采用騷擾源抑制、系統(tǒng)接地、電磁屏蔽、系統(tǒng)合理布局等措施實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)電磁兼容性能的有效提升。文中給出的整改方案已應(yīng)用于某款純電動(dòng)汽車，滿足了國(guó)標(biāo)要求，證明文中給出的電磁兼容方案是行之有效的。
2019-01-09 15:52:464026 電阻通常都會(huì)有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的阻值、功率及最大耐壓，除此常規(guī)參數(shù)以外，很少有人關(guān)注電阻的峰值特性，也不會(huì)計(jì)算，更不用提可靠性要求了，其實(shí)器件的失效往往就在這些不關(guān)注的地方。
2019-08-18 11:24:276086 
?現(xiàn)已通過(guò)AEC-Q100汽車級(jí)認(rèn)證。新品件經(jīng)過(guò)設(shè)定后可支持常用SiC MOSFET的門極驅(qū)動(dòng)電壓要求，并具有先進(jìn)的安全和保護(hù)特性。
2020-03-19 09:56:073102 （SiC）器件所具有的高開(kāi)關(guān)速度與低通態(tài)電阻特性增加了其瞬態(tài)波形的非理想特性與對(duì)雜散參數(shù)影響的敏感性，對(duì)其瞬態(tài)建模的精度提出更高的要求。 通過(guò)功率開(kāi)關(guān)器件瞬態(tài)過(guò)程的時(shí)間分段、機(jī)理解耦與參數(shù)解耦，突出器件開(kāi)關(guān)特性，弱化物理機(jī)理，
2022-12-09 10:22:55517 風(fēng)閥驅(qū)動(dòng)器的基本特性包括電機(jī)靜態(tài)數(shù)據(jù)特性、不斷運(yùn)動(dòng)健身特性(動(dòng)態(tài)特性)、電機(jī)啟動(dòng)特性和電機(jī)剎車系統(tǒng)特性(暫態(tài)過(guò)程特性)。下邊各自作詳細(xì)介紹： 1、靜態(tài)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)距特點(diǎn) 風(fēng)閥驅(qū)動(dòng)器的磁鐵線圈通交流電
2021-02-25 11:17:32453 為半橋配置的高端柵極供電起初似乎是一項(xiàng)棘手的任務(wù)，因?yàn)榇蟛糠窒到y(tǒng)都有較高的電平轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度要求。本文論述讓設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)這一目標(biāo)的可行解決方案。
2021-03-15 10:56:463194 
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的特性及應(yīng)用綜述
2021-06-25 10:17:3021 歐盟關(guān)于LED驅(qū)動(dòng)電源的安規(guī)、性能要求
2022-03-07 15:34:1611 對(duì)于GaN開(kāi)關(guān)，需要仔細(xì)設(shè)計(jì)其門極驅(qū)動(dòng)電路，以實(shí)現(xiàn)更高能效、功率密度及可靠性。此外，謹(jǐn)慎的布板，使用專用驅(qū)動(dòng)器如安森美半導(dǎo)體的NCP51820，及針對(duì)高低邊驅(qū)動(dòng)器的一系列特性，確保GaN器件以最佳性能工作。
2022-05-09 15:01:322209 
總線電流要求與收發(fā)器驅(qū)動(dòng)能力
2022-11-07 08:07:300 IGBT的驅(qū)動(dòng)電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用，IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題之一是驅(qū)動(dòng)電路的合理設(shè)計(jì)。由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能不好，常常會(huì)造成IGBT的損壞。
2023-02-16 15:07:431771 這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行特性對(duì)比。在電路構(gòu)成中，有上次介紹過(guò)的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，作為柵極誤導(dǎo)通對(duì)策，增加微法級(jí)的CGS，對(duì)VGS施加-5V作為負(fù)偏壓（搭載第二代SiCMOSFET的全SiC模塊）。
2023-02-27 13:38:59221 
SIC MOSFET的特性 1、導(dǎo)通電阻隨溫度變化率較小，高溫情況下導(dǎo)通阻抗很低，能在惡劣的環(huán)境下很好的工作。2、隨著門極電壓的升高，導(dǎo)通電阻越小，表現(xiàn)更接近于壓控電阻。3、開(kāi)通需要門極電荷較小
2023-02-27 14:37:383 另外，步進(jìn)電機(jī)的牽入轉(zhuǎn)矩特性和失步轉(zhuǎn)矩特性會(huì)因勵(lì)磁方法和驅(qū)動(dòng)電路而異。因此，對(duì)步進(jìn)電機(jī)的特性研究中，需要進(jìn)行包括驅(qū)動(dòng)方法和電路在內(nèi)的整體評(píng)估。
2023-03-09 11:52:28454 
SiCMOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiCMOSFET單管保證3us的短路時(shí)間，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來(lái)具體
2022-05-24 15:09:571074 
SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件，以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性，已經(jīng)越來(lái)越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么，如何用最有效的方式驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET，發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢(shì)，盡可能
2022-11-30 15:28:282647 
的控制目的。既然伺服驅(qū)動(dòng)器如此的重要，那我們對(duì)于它都應(yīng)該有哪些要求呢？簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)說(shuō)：1、伺服驅(qū)動(dòng)器的調(diào)速范圍一定要夠?qū)挘抢媳３忠环N電機(jī)轉(zhuǎn)速，那我們要它沒(méi)有任何意
2023-01-13 16:20:16814 
)等。LED驅(qū)動(dòng)電源出口歐盟的話是需要辦理CE認(rèn)證的，那么LED驅(qū)動(dòng)電源CE認(rèn)證的要求是什么呢？19107516775 LED驅(qū)動(dòng)電源CE認(rèn)證要求包括2個(gè)部分:EMC和LVD， 一、EMC,包括EMS和EMI
2023-08-01 16:57:43670 新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來(lái)驅(qū)動(dòng)IGBT
2023-07-31 17:55:56430 、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER1
2023-08-17 09:27:25581 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開(kāi)關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOS管的特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 10:18:270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要求.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 10:22:462 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何根據(jù)IGBT的驅(qū)動(dòng)要求設(shè)計(jì)過(guò)流保護(hù).doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:15:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED燈具對(duì)低壓驅(qū)動(dòng)芯片的要求.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-15 11:20:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于逆變器的解決方案及驅(qū)動(dòng)和信號(hào)隔離要求.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-29 09:20:191 碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低，開(kāi)關(guān)速度快，dv/dt高，短路時(shí)間小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的選擇、驅(qū)動(dòng)參數(shù)配置及短路響應(yīng)時(shí)間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212 
電流互感器的特性和使用要求? 電流互感器是一種常用的電流測(cè)量和保護(hù)裝置，其主要功能是將高電流通過(guò)互感器變換成低電流，以便于測(cè)量、保護(hù)和控制。它廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)中的輸配電設(shè)備和裝置中，如變電站
2023-12-20 14:34:29299 SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 低壓線性恒流驅(qū)動(dòng)芯片的產(chǎn)品特性與應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-05 14:25:53201 
汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)是電動(dòng)汽車的核心部件，它將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能，驅(qū)動(dòng)汽車行駛。隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境污染問(wèn)題日益嚴(yán)重，電動(dòng)汽車作為一種清潔、高效的交通工具，越來(lái)越受到關(guān)注。本文將對(duì)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)的特性進(jìn)行詳細(xì)
2024-01-09 15:12:57277 
隨著新能源市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車，光伏、儲(chǔ)能等下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，碳化硅功率器件迎來(lái)了新一輪增長(zhǎng)期。特別是電動(dòng)汽車上SiCMOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后，在近幾年可以看到，國(guó)內(nèi)外各大廠商都密集地加入到SiC
2024-01-19 14:49:54359 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種在功率電子領(lǐng)域中廣泛使用的半導(dǎo)體器件，用于在高電壓、高電流的情況下控制電能的傳輸和轉(zhuǎn)換。IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求
2024-03-12 15:27:38209
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