為了更好地理解對(duì)功率密度的關(guān)注，讓我們看看實(shí)現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:14
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美國(guó)柏恩Bourns全球知名電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，推出兩款新型TVS二極管浪涌保護(hù)系列，滿足現(xiàn)今高度集成、高功率密度設(shè)計(jì)所需的組件小型化。
2019-06-02 08:57:391583 URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對(duì)更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2020-08-04 11:13:351227 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢(shì)，每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會(huì)越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:522114 Bourns? EdgMOV? 壓敏電阻采用單一外形尺寸，提供多款型號(hào)選項(xiàng)，讓設(shè)計(jì)人員能夠縮小其浪涌保護(hù)方案的尺寸或加強(qiáng)其保護(hù)效果 2024 年 1 月 18 日 - 美國(guó)柏恩 Bourns 全球
2024-02-01 16:14:02773 
日益增長(zhǎng)的需求，適于使用自動(dòng)化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、電池充電和蓄電等?！ ∮w凌的超薄TRENCHSTOP 5技術(shù)可以縮小芯片尺寸、提高
2018-10-23 16:21:49
保護(hù)系列產(chǎn)品包括 TISP? 過載電壓保護(hù)器、Multifuse? 過載電流保護(hù)器、氣體放電管以及突波電阻等，為您的電信通訊提供完整的解決方案。 可攜式電子設(shè)備Bourns 了解可攜式電子產(chǎn)品制造商追求
2017-08-23 15:29:04
）能夠承受5/310、70A浪涌電流的高浪涌電流保護(hù)器； （4）支持設(shè)備的瞬態(tài)抗擾性與電磁兼容性?！ 。?）利用的離子注入平面垂直電力結(jié)構(gòu)編造的保護(hù)裝置可以達(dá)到更高的可靠性 Bourns
2018-09-27 15:11:31
1.25 ，脈沖寬度為50 。此外，電涌脈沖能量可以達(dá)到90 J，比ESD或EFT脈沖的能量高出三到四個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，電涌瞬變被認(rèn)為是最嚴(yán)重的EMC瞬變。ESD與EFT相似，因此電路保護(hù)的設(shè)計(jì)可以相似
2018-10-16 06:24:22
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
電涌保護(hù)器(SPD)的原理和結(jié)構(gòu)電涌保護(hù)器(Surge protection Device)是電子設(shè)備雷電防護(hù)中不可缺少的一種裝置，過去常稱為“避雷器”或“過電壓保護(hù)器”英文簡(jiǎn)寫為SPD。電涌保護(hù)
2009-04-10 09:49:38
本帖最后由 王棟春 于 2020-10-12 22:34 編輯
電涌保護(hù)器SPD原理與應(yīng)用 資料分享來自網(wǎng)絡(luò)資源
2020-10-12 22:33:35
電涌保護(hù)器SPD原理與應(yīng)用
2021-12-05 22:42:07
電涌保護(hù)器SPD原理與應(yīng)用 資料分享來自網(wǎng)絡(luò)資源
2020-11-14 22:40:35
電涌保護(hù)器SPD原理與應(yīng)用 資源來自網(wǎng)絡(luò)
2020-10-20 22:25:18
什么是電涌？ 電涌又稱浪涌，定義是超過相應(yīng)穩(wěn)定的電壓峰值的任何電壓峰值，即瞬變電壓。瞬間的高電壓導(dǎo)流導(dǎo)通，當(dāng)電壓及電流高于正常值的雙倍時(shí)，稱之為電涌（來自于國(guó)際電工委員會(huì)IEC664-1）。從
2020-12-10 15:23:44
等。 怎么做到電涌保護(hù)？ 電涌保護(hù)要分級(jí)實(shí)施，最終達(dá)到對(duì)配電系統(tǒng)和電子設(shè)備完善保護(hù)的目的。分級(jí)實(shí)施電涌防護(hù)的第一步是對(duì)電涌環(huán)境進(jìn)行分類。 電涌環(huán)境的分類是依據(jù)電涌的強(qiáng)度和頻度。國(guó)際上一般將電涌
2018-01-09 12:07:48
描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 電源，滿足基站遠(yuǎn)程射頻單元 (RRU) 應(yīng)用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 內(nèi)核電壓軌電源規(guī)格。該電源在
2022-09-27 06:47:49
采用纖巧 QFN 封裝的 42V 高功率密度降壓型穩(wěn)壓器
2019-09-12 07:35:56
高功率密度雙8AμModule穩(wěn)壓器
2019-05-17 17:25:42
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過機(jī)電元件
2022-11-07 06:45:10
%的緊湊型電子變壓器?！ ∵@種緊湊型變壓器的設(shè)計(jì)，首先遇到的問題是要在高功率密度和高效率兩者間作折衷選擇，其研制出的主要技術(shù)是使用銅箔交疊的平面繞組結(jié)構(gòu)，以增加銅箔密度的方法減小在高頻(MHz級(jí)
2016-01-18 10:27:02
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
`Bourns SMxJ瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）二極管采用緊湊的芯片封裝尺寸格式，適用于浪涌和ESD保護(hù)應(yīng)用。 這些Bourns瞬態(tài)電壓抑制器二極管可滿足便攜式通信，計(jì)算和視頻設(shè)備市場(chǎng)對(duì)越來越小
2019-07-01 09:32:54
以防止過壓瞬變。所選GDT為Bourns公司的2038-15-SM-RPLF。該第三級(jí)保護(hù)方案提供高達(dá)8 kV(接觸放電)和15 kV(空氣放 電)ESD保護(hù)、2 kV EFT保護(hù)和6 kV電涌保護(hù)
2018-10-16 08:56:48
：7A 負(fù)載條件下的啟動(dòng)波形結(jié)論LTC7820 是一款固定比例高電壓高功率開關(guān)電容器控制器，具有內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET，可實(shí)現(xiàn)非常高的效率 (達(dá) 99%) 和高功率密度。堅(jiān)固的保護(hù)功能
2018-10-31 11:26:48
交互能夠協(xié)同工作，保護(hù)它們免遭靜電放電（ESD）、電快速瞬變脈沖群（EFT）和電涌的破壞——分別由IEC61000-4-2、IEC61000-4-4和IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)定義。本電路使用經(jīng)過
2015-05-08 10:04:01
RS-485接口ESD、EFT和電涌(常見于惡劣工作環(huán)境) 保護(hù)。選用TVS、PTC、GDT協(xié)同工作，可以耐受更大的過壓和過流應(yīng)力。
2017-12-25 16:49:26
USB接口的ESD保護(hù)器件要求:掌握USB元件的ESD防護(hù)本質(zhì)知識(shí)，有助于明確針對(duì)USB應(yīng)用的半導(dǎo)體器件所必需的特性： 1. 快速工作響應(yīng)時(shí)間(納秒)，可以在ESD脈沖的快速上升時(shí)間內(nèi)保護(hù)USB元件
2008-07-22 14:26:33
獵頭職位：硬件工程師（高功率密度ACDC硬件） （薪資：17-20K/月，具體面議）工作職責(zé)：1、負(fù)責(zé)采用軟開關(guān)拓?fù)?kW-10kW的DCDC硬件方面設(shè)計(jì)；2、負(fù)責(zé)高功率密度ACDC硬件方面的開發(fā)
2017-09-06 17:28:43
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 16:29:16
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 15:43:13
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數(shù)設(shè)計(jì)校正(PFC)和非對(duì)稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應(yīng)用程序。在升壓PFC設(shè)計(jì)中，采用了GaNSense功率ic，以實(shí)現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
針便攜式電子產(chǎn)品所使用的ESD保護(hù)組件需符合下列幾項(xiàng)要求： 第一，為符合這類電子產(chǎn)品輕薄小巧、易于攜帶的需求，ESD保護(hù)組件的尺寸必須夠小，例如0402封裝尺寸，甚至0201封裝尺寸，以達(dá)到在
2014-01-15 09:52:29
光伏系統(tǒng)防雷及電涌保護(hù)
2014-04-27 12:58:13
的功率密度。整板重量不足 230g。在穩(wěn)定的 950kHz 開關(guān)頻率下，可達(dá)到 97.6% 的峰值效率。 特性390V - 48V/1kW 高頻諧振轉(zhuǎn)換器諧振頻率為 950kHz，重量小于 210g
2022-09-23 07:12:02
本帖最后由 科雷盾電子 于 2013-3-27 12:59 編輯
我單位08年使用至今,效果不錯(cuò)，現(xiàn)與同行分享一款智能控制電涌保護(hù)器,供參考.KLD-ACPD系列智能控制電涌保護(hù)器是利用機(jī)械
2013-01-13 15:07:57
ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴(yán)重的失效機(jī)理之一，嚴(yán)重的會(huì)造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護(hù)的必要性，研究了在CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理，分析了該結(jié)構(gòu)對(duì)版圖的相關(guān)要求，重點(diǎn)討論了在I/O電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求。
2021-04-02 06:35:57
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
功率密度本設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實(shí)現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
被認(rèn)為是最嚴(yán)重的EMC瞬變。ESD與EFT相似，因此電路保護(hù)的設(shè)計(jì)可以相似，但電涌則不然，其能量非常高，因此必須以不同方式處理。這是開發(fā)保護(hù)措施以改善數(shù)據(jù)端口對(duì)所有三種瞬變的抗擾度，同時(shí)保持高性價(jià)比
2018-10-18 10:29:55
脈沖能量可以達(dá)到90 J，比ESD或EFT脈沖的能量高出三到四個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，電涌瞬變被認(rèn)為是最嚴(yán)重的EMC瞬變。ESD與EFT相似，因此電路保護(hù)的設(shè)計(jì)可以相似，但電涌則不然，其能量非常高，因此必須以
2019-11-23 08:00:00
針對(duì)高電涌級(jí)別的保護(hù)解決方案則更為復(fù)雜。第一個(gè)解決方案提供四級(jí)ESD和EFT保護(hù)及二級(jí)電涌保護(hù)。本文描述的所有電涌測(cè)試都使用1.2/50 μs波形。 此解決方案使用Bourns公司
2024-01-03 09:42:39
收發(fā)器系列，該系列包括業(yè)界尺寸最小和性能最強(qiáng)大的PROFIBUS收發(fā)器。本文還將展示如何保護(hù)隔離總線節(jié)點(diǎn)免受ESD、EFT和瞬間浪涌的影響。
2021-03-08 08:26:32
如何在高功率密度模塊電源中實(shí)現(xiàn)低損耗設(shè)計(jì)？這個(gè)問題是很多生產(chǎn)商和研發(fā)人員所面臨的頭號(hào)問題。畢竟，高功率密度的模塊電源目前在我國(guó)的工業(yè)、通訊和制造業(yè)領(lǐng)域占據(jù)著主導(dǎo)地位。所以，下文將會(huì)就這一問題展開
2016-01-25 11:29:20
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
尺寸，應(yīng)用通常極其受到空間限制（參見圖2）。需要更高功率密度的解決方案，換句話講，需要可在更小空間中處理更多電流的FET。[url=http://www.deyisupport.com
2017-08-21 14:21:03
)，達(dá)到高速率回路的要求?！ IM卡/天線：有專門為此類端口設(shè)計(jì)的集ESD(TVS)/EMI/RFI防護(hù)于一個(gè)芯片的器件，充分體現(xiàn)了片式器件的無限集成方案。 電源/充電口：由于是直流回路，可選用高
2014-03-28 09:38:31
前端共模和差模的動(dòng)態(tài)范圍”（http://ezchina.analog.com/message/18709#18709），本周主題——如何才能達(dá)到ESD、環(huán)境和除顫器保護(hù)的要求 設(shè)計(jì)工程師必須防止
2018-10-19 09:20:36
怎么測(cè)量天線輻射下空間中某點(diǎn)的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
高密度智能功率模塊（IPM）推向市場(chǎng)。由于采用精細(xì)間距技術(shù)實(shí)現(xiàn)高布線密度的直接鍵合銅（DBC）基板，改善了熱性能，這些緊湊型IPM遠(yuǎn)小于具有相同電流和電壓額定值的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品。它們也表現(xiàn)出降低的功率損耗
2018-10-18 09:14:21
`新型TVS ESD 系列保護(hù)器件新型TVS ESD ARRAYS保護(hù)器件提供了低電容、低箝位電壓以及高靜電放電耐受性，這些正是高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)。本產(chǎn)品在傳輸線路脈沖（TLP）這項(xiàng)典型
2020-07-22 10:02:56
整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
，它們的關(guān)鍵屬性如下。多層壓敏電阻(MLV)：這類基于氧化鋅的器件可提供ESD保護(hù)和低級(jí)別的電涌保護(hù)。它們的小形狀因子(尺寸已下降到0402和0201)使得它們非常適合于便攜式應(yīng)用(如手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等
2019-05-22 05:01:12
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
EFT是電快速瞬變脈沖群，ESD是靜電釋放?！ ?b class="flag-6" style="color: red">電快速瞬變脈沖群騷擾是由于電網(wǎng)電路中斷開感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的干擾（對(duì)其它電網(wǎng)設(shè)備的干擾），特別是接的馬達(dá)之類的感性負(fù)載，它的特點(diǎn)是騷擾信號(hào)不是單個(gè)脈沖
2016-01-14 16:14:14
適配器。此外，不同的便攜式設(shè)備內(nèi)部的電池?cái)?shù)串聯(lián)節(jié)數(shù)也有可能不同。這就要求電池充電器集成電路（IC）采用降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， 去適應(yīng)輸入電壓和電池電壓的這些任意的變化。 具有高功率密度的降壓-升壓充電芯片
2020-10-27 08:10:42
分立式電源解決方案和預(yù)先設(shè)計(jì)好的模塊之間最常見的折衷之處就是，占據(jù)的空間和提供的相關(guān)功率密度的折衷。 功率密度衡量的是單位占用體積所轉(zhuǎn)換功率的瓦數(shù)；通常表示為瓦特每立方英寸。如今大多數(shù)行業(yè)不斷對(duì)設(shè)備
2018-12-03 10:00:34
EPD TVS 二極管，用于 ESD 和閂鎖保護(hù)，SLVU2.8 系列400 W 峰值脈沖功率 (tp = 8/20μs)瞬時(shí)保護(hù)，用于高速數(shù)據(jù)線路至IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV
2020-10-27 15:19:29
描述此設(shè)計(jì)展示了采用 TPS54478 的高功率密度 3A 同步降壓轉(zhuǎn)換器解決方案。輸入電壓范圍為 3V - 6V?？傮w外形尺寸為 15.5mm x 7.8mm。
2018-07-23 09:21:10
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對(duì)產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
目前業(yè)內(nèi)最常見的板級(jí)ESD保護(hù)器件主要有以下三種，它們的關(guān)鍵屬性如下?！ 《鄬訅好綦娮?MLV)：這類基于氧化鋅的器件可提供ESD保護(hù)和低級(jí)別的電涌保護(hù)。它們的小形狀因子(尺寸已下降到0402
2022-07-12 17:04:45
本帖最后由 王棟春 于 2020-12-6 22:27 編輯
高清書簽版電涌保護(hù)器SPD原理與應(yīng)用資料來自網(wǎng)絡(luò)資源
2020-12-06 22:21:59
工業(yè)電源必需滿足一些特殊的要求，如低功耗(以減輕機(jī)箱冷卻方面的負(fù)擔(dān))、高功率密度(以減小空間要求)、高可靠性和高耐用性，以及其它在普通電源中不常見的特性
2011-04-06 10:57:141267 
工業(yè)電源必需滿足一些特殊的要求，如低功耗（以減輕機(jī)箱冷卻方面的負(fù)擔(dān)）、高功率密度（以減小空間要求）、高可靠性和高耐用性，以及其它在普通電源中不常見的特性，如易于并
2012-10-11 20:42:571850 
在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體研發(fā)了智能功率級(jí)（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:011811 高功率密度逆變電源研制，有需要的下來看看
2016-03-25 13:57:20
20 TI高功率密度電源設(shè)計(jì)中的散熱解決方案-上篇
2018-08-24 00:10:002790 設(shè)計(jì)超高功率密度的小功率AC-DC電源
2019-05-13 06:21:004845 
美國(guó)柏恩Bourns全球知名電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，近日推出兩款新型TVS二極管浪涌保護(hù)系列，滿足現(xiàn)今高度集成、高功率密度設(shè)計(jì)所需的組件小型化。Bourns? SMF4L和SMF4L-Q系列采用緊湊
2019-06-04 11:40:363867 URB_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對(duì)更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2019-10-22 13:48:241750 
機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 元件集成來減小系統(tǒng)體積，我還將演示如何與 TI 合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)。
2020-11-19 15:14:0011 高功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:519 的散熱
通過機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:261733 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:061906 
小型封裝尺寸 — 對(duì)于高功率密度解決方案，請(qǐng)使用具有高電流能力的小型封裝尺寸。DRV8243-Q1 系列推出了汽車類 HotRod 四方扁平無引線封裝，尺寸下限為 3mm x 4.5mm，是同類產(chǎn)品中用于有刷直流驅(qū)動(dòng)器的超小封裝之一。
2022-06-30 10:08:28643 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評(píng)價(jià)，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)；一般乘用車動(dòng)力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，而商用車動(dòng)力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評(píng)價(jià)。
2022-10-31 10:11:213711 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢(shì)，每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會(huì)越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:02723 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:201160 
的微調(diào)，以便設(shè)計(jì)能夠滿足給定尺寸約束下的系統(tǒng)要求。以下是?TI?專注于優(yōu)化熱性能和突破芯片級(jí)功率密度障礙的三個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。
2023-03-15 09:31:47510 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277 
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