在上一篇文章中，我們通過(guò)工作原理和公式了解了有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來(lái)的影響，從而可降低開(kāi)關(guān)損耗。在本文中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果。
2022-06-15 16:06:20
2920 MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的開(kāi)關(guān)損耗對(duì)ＭOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開(kāi)關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---
2023-09-04 15:13:401134 
開(kāi)關(guān)有關(guān)的損耗功率開(kāi)關(guān)是典型的開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部最主要的兩個(gè)損耗源之一。損耗基本上可分為兩部分：導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。導(dǎo)通損耗是當(dāng)功率器件已被開(kāi)通，且驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)波形已經(jīng)穩(wěn)定以后，功率開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的損耗
2020-08-27 08:07:20
開(kāi)關(guān)有關(guān)的損耗 功率開(kāi)關(guān)是典型的開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部最主要的兩個(gè)損耗源之一。損耗基本上可分為兩部分：導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。導(dǎo)通損耗是當(dāng)功率器件已被開(kāi)通，且驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)波形已經(jīng)穩(wěn)定以后，功率開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)
2023-03-16 16:37:04
3、開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開(kāi)關(guān)損耗是由開(kāi)關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開(kāi)關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間，也稱(chēng)作死區(qū)時(shí)間，在這個(gè)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生
2021-12-29 07:52:21
一、開(kāi)關(guān)損耗包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開(kāi)通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開(kāi)關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類(lèi)型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類(lèi)型。與Si-IGBT功率模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
討論。與功率開(kāi)關(guān)有關(guān)的損耗功率開(kāi)關(guān)是典型的開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部最主要的兩個(gè)損耗源之一。損耗基本上可分為兩部分：導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。導(dǎo)通損耗是當(dāng)功率器件已被開(kāi)通，且驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)波形已經(jīng)穩(wěn)定以后，功率開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)
2019-09-23 08:00:00
，并加強(qiáng)對(duì)大電流柵極驅(qū)動(dòng)器的需求。圖 4：柵極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)損耗與開(kāi)關(guān)頻率的關(guān)系散熱功率損耗會(huì)導(dǎo)致溫度升高，由于需要散熱器或更厚的印刷電路板 （PCB） 銅層，可能會(huì)使熱管理復(fù)雜化。高驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度有助于降低柵極
2022-11-02 12:02:05
的開(kāi)關(guān)工作進(jìn)行比較，而在 Figure 5 所示的電路條件下使 Low Side（LS）的 MOSFET 開(kāi)關(guān)的雙脈沖測(cè)試結(jié)果。High Side（HS）是將 RG_EXT 連接于源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極
2020-11-10 06:00:00
中，實(shí)線(xiàn)是連接到源極引腳的示意圖，虛線(xiàn)是連接到驅(qū)動(dòng)器源極引腳的示意圖。我們來(lái)分別比較導(dǎo)通時(shí)和關(guān)斷時(shí)的漏-源電壓VDS和漏極電流ID的波形以及開(kāi)關(guān)損耗。測(cè)試中使用的是最大額定值（VDSS的波形以及
2022-06-17 16:06:12
這里流過(guò)。這個(gè)共源電感在汲取電流改變時(shí)調(diào)制柵源電壓。共源電感會(huì)高于10nH（其中包括焊線(xiàn)和封裝引線(xiàn)），從而限制了壓擺率 (di/dt)，并增加開(kāi)關(guān)損耗。借助圖1b中所示的集成式封裝，驅(qū)動(dòng)器接地直接焊接至
2018-08-30 15:28:30
如圖片所示，為什么MOS管的開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開(kāi)關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太陽(yáng) 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開(kāi)關(guān)損耗好像不僅僅和開(kāi)關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒(méi)有具體計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
時(shí)間trr快（可高速開(kāi)關(guān)）?trr特性沒(méi)有溫度依賴(lài)性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開(kāi)關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實(shí)際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進(jìn)一步降低器件的開(kāi)關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 16:14:19
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
增大，但是高頻化可以使得模塊電源的變壓器磁芯更小，模塊的體積變得更小，所以可以通過(guò)開(kāi)關(guān)頻率去優(yōu)化開(kāi)通損耗、關(guān)斷損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，但是高頻化卻會(huì)引起嚴(yán)重的EMI問(wèn)題。采用跳頻控制方法，在輕負(fù)載情況下，通過(guò)降低
2019-09-25 07:00:00
與層之間加絕緣膠帶，來(lái)減少層間分布電容。開(kāi)關(guān)管MOSFET上的損耗mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開(kāi)關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是開(kāi)關(guān)損耗。整流管上的吸收損耗輸出整流管上的結(jié)電容與整流管
2019-10-09 08:00:00
上，引起的開(kāi)關(guān)損耗。另外還有吸收電路上的電阻充放電引起的損耗。改善方法：在其他指標(biāo)允許的前提下盡量降低吸收電容的容值，降低吸收電阻的阻值。當(dāng)然還有整流管上的開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗，這應(yīng)該在允許的情況下盡量選擇導(dǎo)通壓降低和反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管。10、輸出反饋電路的損耗
2021-04-09 14:18:40
在功率電子（例如驅(qū)動(dòng)技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開(kāi)關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開(kāi)關(guān)期間。為了最大程度減小開(kāi)關(guān)損耗，要求具備較短的開(kāi)關(guān)時(shí)間。然而，快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬
2020-10-29 08:23:33
同步BUCK降壓變化器是非常經(jīng)典的一種電源結(jié)構(gòu)，其上、下管分別于工作在不同的狀態(tài)，其中，上管工作在主開(kāi)關(guān)狀態(tài)，漏極的電流由漏極D流向源極S；下管工作在同步整流狀態(tài)，漏極的電流由源極S流向漏極D
2020-12-08 15:35:56
討論。與功率開(kāi)關(guān)有關(guān)的損耗功率開(kāi)關(guān)是典型的開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部最主要的兩個(gè)損耗源之一。損耗基本上可分為兩部分：導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。導(dǎo)通損耗是當(dāng)功率器件已被開(kāi)通，且驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)波形已經(jīng)穩(wěn)定以后，功率開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)
2019-09-02 08:00:00
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋I(xiàn)GBT的車(chē)載充電器案例中開(kāi)關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？一、開(kāi)關(guān)損耗
2021-11-18 07:00:00
開(kāi)關(guān)條件得以改善，降低硬開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲，從而 提高了電路的效率?！ D1 理想狀態(tài)下軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)波形比較圖軟開(kāi)關(guān)包括軟開(kāi)通和軟關(guān)斷兩個(gè)過(guò)程： 理想的軟開(kāi)通過(guò)程是：開(kāi)關(guān)器件兩端的電壓先下
2019-08-27 07:00:00
特別是高電流柵極驅(qū)動(dòng)器，其能夠通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗幫助提升整體系統(tǒng)效率。當(dāng)FET開(kāi)關(guān)打開(kāi)或關(guān)閉時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗。為了打開(kāi)FET，柵極電容得到的電荷必須超過(guò)閾值電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流能夠有助于柵極
2022-11-14 06:52:10
，提高開(kāi)關(guān)的速度，從而降低開(kāi)關(guān)損耗，但是過(guò)高的開(kāi)關(guān)速度會(huì)引起EMI的問(wèn)題。（2）提高柵極驅(qū)動(dòng)電壓也可以提高開(kāi)關(guān)的速度，降低開(kāi)關(guān)損耗。同時(shí)，高的柵極驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)增加驅(qū)動(dòng)損耗，特別是輕載的時(shí)候，對(duì)效率
2017-03-06 15:19:01
前面的文章講述過(guò)基于功率MOSFET的漏極特性理解其開(kāi)關(guān)過(guò)程，也討論過(guò)開(kāi)關(guān)電源的PWM及控制芯片內(nèi)部的圖騰驅(qū)動(dòng)器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識(shí)，就可以估算功率MOSFET在開(kāi)關(guān)
2017-02-24 15:05:54
的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開(kāi)關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復(fù)二極管）的trr比較?；謴?fù)的時(shí)間trr很短，二極管關(guān)斷時(shí)的反向電流
2018-12-04 10:26:52
新型電流源極驅(qū)動(dòng)器 BM60059FV-C 如何在有限的 dv/dt 下工作時(shí)將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá) 26%?！ 「膮?shù)時(shí)，通常需要進(jìn)行許多其他更改。因此，找到完美的設(shè)計(jì)通常非常困難。如果功率
2023-02-21 16:36:47
如何更加深入理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗與對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
算法，可根據(jù)負(fù)載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量，與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比，在增加開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)減小了開(kāi)關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開(kāi)關(guān)損耗。
2019-10-12 07:36:22
（5）和（6）可知，影響MOSFET電流速率的源極引腳電感被消除了。根據(jù)等式（2）和（5），較之TO247封裝MOSFET,這縮短了器件的開(kāi)關(guān)速度，降低了開(kāi)關(guān)損耗。最新推出的TO247 4引腳
2018-10-08 15:19:33
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為
2021-07-09 07:00:00
能夠正常工作，這個(gè)損耗是無(wú)法避免的，在IC選型的時(shí)候盡量選擇工作電流小的?！ ∷?、開(kāi)關(guān)管損耗 輸入端的MOS管Q1在待機(jī)的時(shí)候，主要體現(xiàn)的是開(kāi)關(guān)損耗，所以需要降低待機(jī)時(shí)MOS管的損耗，待機(jī)的工作頻率
2023-03-20 16:59:01
150 kW的電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率的輸出。阻斷電壓750V、低 VCEsat、低開(kāi)關(guān)損耗、低QG和Cres、低電感設(shè)計(jì)，Tvjop = 150°C、短時(shí)間工作溫度Tvjop = 175°C?！ 1、P2
2023-03-23 16:01:54
的圖像。圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段
2018-08-30 15:47:38
損耗包括：導(dǎo)通損耗，開(kāi)關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是開(kāi)關(guān)損耗。改善辦法：降低開(kāi)關(guān)頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片（在空載或很輕負(fù)載的情況下芯片進(jìn)入間歇式振蕩）整流管上的吸收損耗輸出整流管
2021-05-18 06:00:00
)越高效率越低，這是因?yàn)殡妷涸礁?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)損耗就越高。負(fù)載電流在1A以上時(shí)，低VIN效率會(huì)相對(duì)較高，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)損耗降低。圖1：LM2673效率現(xiàn)在，你應(yīng)當(dāng)能夠理解DC/DC穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)中不同元件的損耗。根據(jù)你
2018-06-07 10:17:46
周期開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖1中的t1），源極電壓（VGS）正接近MOSFET的閾值電壓，VTH和漏電流為
2018-06-05 09:39:43
今天開(kāi)始看電源界神作《
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》（第3版），發(fā)現(xiàn)第9頁(yè)有個(gè)名詞，叫“交流
開(kāi)關(guān)損耗”，不明白是什么意思，有沒(méi)有哪位大蝦知道它的意思??？謝謝了?。?/div>
2013-05-28 16:29:18
請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開(kāi)關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說(shuō)明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。它與以往驅(qū)動(dòng)電路
2020-07-01 13:52:06
在第 3 部分中，我將全面介紹降壓穩(wěn)壓器電路中影響 EMI 性能和開(kāi)關(guān)損耗的感性和容性寄生元素。通過(guò)了解相關(guān)電路寄生效應(yīng)的影響程度，可以采取適當(dāng)?shù)拇胧⒂绊懡抵磷畹筒p少總體 EMI 信號(hào)。一般來(lái)說(shuō)
2022-11-09 07:38:45
較高的高頻電流，特別是在 MOSFET 開(kāi)關(guān)期間。圖 2：降壓功率級(jí)和柵極驅(qū)動(dòng)器的“剖析原理圖”（包含感性和容性寄生元素）。有效高頻電源回路電感 (LLOOP) 是總漏極電感 (LD)、共源電感 (LS)（即
2020-11-03 07:54:52
在功率電子(例如驅(qū)動(dòng)技術(shù))中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開(kāi)關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開(kāi)關(guān)期間。為了最大程度減小開(kāi)關(guān)損耗，要求具備較短的開(kāi)關(guān)時(shí)間。
2019-08-09 08:22:15
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
開(kāi)關(guān)零損耗驅(qū)動(dòng)
2023-06-25 06:24:20
柵極驅(qū)動(dòng)器，其能夠通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗幫助提升整體系統(tǒng)效率。當(dāng)FET開(kāi)關(guān)打開(kāi)或關(guān)閉時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗。為了打開(kāi)FET，柵極電容得到的電荷必須超過(guò)閾值電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流能夠有助于柵極電容的充電。驅(qū)動(dòng)
2019-08-07 04:45:12
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)降低FET的體二極管的功耗來(lái)提高效率。體二極管是寄生二極管，對(duì)于大多數(shù)類(lèi)型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
MOS門(mén)極功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 MOSFET才導(dǎo)通，因此同步MOSFET是0電壓導(dǎo)通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個(gè)開(kāi)關(guān)周期是0電壓的開(kāi)關(guān)ZVS，開(kāi)關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計(jì)，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，選取時(shí)只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過(guò)打破硅“理論上”的限制
來(lái)將IGBT 開(kāi)關(guān)損耗降低30%
2015-06-15 11:09:231029 為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過(guò)程的解剖，定位了MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗的來(lái)源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少M(fèi)OSFET的開(kāi)關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平臺(tái)實(shí)現(xiàn)最小開(kāi)關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開(kāi)關(guān)損耗SVPWM算法實(shí)現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 當(dāng)今世界，設(shè)計(jì)師們似乎永遠(yuǎn)不停地在追求更高效率。我們希望以更低的功率輸入得到更高的功率輸出!更高的系統(tǒng)效率需要團(tuán)隊(duì)的努力，這包括(但不限于)性能更高的柵極驅(qū)動(dòng)器、控制器和新的寬禁帶技術(shù)。特別是高電流柵極驅(qū)動(dòng)器，其能夠通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗幫助提升整體系統(tǒng)效率。當(dāng)FET開(kāi)關(guān)打開(kāi)或關(guān)閉時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗。
2017-01-12 15:40:391010 
MOS門(mén)極功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見(jiàn)的管腳引線(xiàn)電感。本文在理論分析和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開(kāi)關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2018-01-13 09:28:578162 
一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95％，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開(kāi)關(guān)（高邊＋低邊）是對(duì)VIN和GND電壓進(jìn)行切換（ON/OFF），該過(guò)渡時(shí)間的功率乘以開(kāi)關(guān)頻率后的值即開(kāi)關(guān)損耗。
2020-04-06 10:51:00889 
功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開(kāi)關(guān)損耗包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開(kāi)通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開(kāi)關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開(kāi)關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對(duì)其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-22 17:35:5953 的圖像。
圖1：開(kāi)關(guān)損耗
讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容
2022-01-21 17:01:12831 
，熱損耗極低。 開(kāi)關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開(kāi)關(guān)器件的損耗可以說(shuō)是開(kāi)關(guān)電源中最為重要的一個(gè)損耗點(diǎn)，課件開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是至關(guān)重要的。接下來(lái)普科科技PRBTEK就開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試方案中的探頭應(yīng)用進(jìn)行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 開(kāi)關(guān)過(guò)程中，穿越線(xiàn)性區(qū)（放大區(qū)）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開(kāi)關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間，在開(kāi)關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等的開(kāi)關(guān)損耗問(wèn)題，那就是帶有驅(qū)動(dòng)器源極引腳（所謂的開(kāi)爾文源極引腳）的新封裝。在本文——“通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗”中，將介紹功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果以及使用注意事項(xiàng)。
2023-02-09 10:19:18634 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?目前ROHM有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的封裝包括TO-247-4L和TO-263-7L兩種。
2023-02-09 10:19:20540 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以消除VLSOURCE對(duì)VGS_INT的影響。?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以提高導(dǎo)通速度。
2023-02-09 10:19:20405 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?由于具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同，因此在圖案布局時(shí)需要注意。
2023-02-09 10:19:21356 
－接下來(lái)，請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開(kāi)關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說(shuō)明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
從某個(gè)外企的功率放大器的測(cè)試數(shù)據(jù)上獲得一個(gè)具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開(kāi)關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個(gè)例子：可知，六個(gè)管子的總功耗是714W這跟我在項(xiàng)目用用的那個(gè)150A的模塊試驗(yàn)測(cè)試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗：見(jiàn)文識(shí)意，開(kāi)關(guān)損耗就是開(kāi)關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個(gè)符號(hào)來(lái)表示。
2023-02-23 10:40:49622 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅(qū)動(dòng)能力。本應(yīng)用筆記將詳細(xì)分析導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗以及選擇開(kāi)關(guān)P溝道MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-03-10 09:26:35556 
特別是高電流柵極驅(qū)動(dòng)器，其能夠通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗幫助提升整體系統(tǒng)效率。當(dāng)FET開(kāi)關(guān)打開(kāi)或關(guān)閉時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗。為了打開(kāi)FET，柵極電容得到的電荷必須超過(guò)閾值電壓。
2023-04-08 09:19:29486 
CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2023-07-17 16:51:224671 
同步buck電路的mos自舉驅(qū)動(dòng)可以降低mos的開(kāi)關(guān)損耗嗎？ 同步buck電路的MOS自舉驅(qū)動(dòng)可以降低MOS的開(kāi)關(guān)損耗 同步Buck電路是一種常見(jiàn)的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，它具有高效、穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn)
2023-10-25 11:45:14522 使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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