65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，是被國際普遍關(guān)注并認可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
`這是一款本公司開發(fā)的一款A(yù)SIC專用OPPO閃充數(shù)據(jù)線方案。英銳恩現(xiàn)提供支持VOOC閃充技術(shù)的OPPO R7、OPPO R7 Plus、OPPO R7s等手機數(shù)據(jù)線；OPPO快充數(shù)據(jù)線碼片
2018-08-23 17:25:46
技高一籌?！ ?b class="flag-6" style="color: red">OPPO超級閃充、VOOC閃充、普通充電速度對比 仔細觀看這段快充視頻可以發(fā)現(xiàn)，測試的手機是從電量5%開始充電，充到100%用了10分鐘左右時間，而官方宣傳中說的是15分鐘可以充滿
2018-10-09 14:39:10
新一代納秒級高帶寬仿真工具平臺——HAC Express
2021-01-11 06:47:24
新一代軍用通信系統(tǒng)挑戰(zhàn)
2021-03-02 06:21:46
本文介紹了歐勝微電子公司最新一代音頻數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)的架構(gòu)，專注于設(shè)計用于消費電子應(yīng)用中提供高電壓線驅(qū)動器輸出的新器件系列。
2019-07-22 06:45:00
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
技術(shù)迭代。2018 年，氮化鎵技術(shù)走出實驗室，正式運用到充電器領(lǐng)域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統(tǒng)硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù)，當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發(fā)的特點；納微半導(dǎo)體的GaNFast方案則可以通過高頻實現(xiàn)充電器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。對于氮化鎵快充普及浪潮的來臨，各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率晶體管的引入，氮化鎵器件市場發(fā)生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經(jīng)濟高效的替代品，并成為實現(xiàn)新一代高功率超小型功率模塊的關(guān)鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設(shè)計人員能夠
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
數(shù)據(jù)中心），或任何可以處理高達數(shù)百伏高電壓的設(shè)備，均可受益于氮化鎵等技術(shù)，從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個新的水平。）
?
尋找理想開關(guān)
任何電源管理系統(tǒng)的核心
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通，這個系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
的關(guān)鍵時刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術(shù)的性能優(yōu)勢已經(jīng)過驗證，這推動了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應(yīng)用，并使其定位為最適合未來5G無線基礎(chǔ)設(shè)施的實際促技術(shù)，其轟動性市場影響可能會遠遠超出手機連接領(lǐng)域
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計？
2021-06-17 10:56:45
降低了產(chǎn)品成本。搭載GaN的充電器具有元件數(shù)量少、調(diào)試方便、高頻工作實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)點，可以簡化設(shè)計，降低GaN快充的開發(fā)難度，有助于實現(xiàn)小體積、高效氮化鎵快充設(shè)計。 Keep Tops氮化鎵內(nèi)置多種
2023-08-21 17:06:18
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
板上看出，得益于使用合封氮化鎵器件，芯片無需輔助散熱措施即可滿足27W的連續(xù)輸出，并且合封將控制器和開關(guān)管集成在一顆芯片內(nèi)，初級的元件也十分精簡，可滿足高性價比的氮化鎵快充設(shè)計。鈺泰半
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解決方案控股有限公司(納斯達克證交所代碼: MTSI) (簡稱“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化鎵GaN 合作開發(fā)協(xié)議。據(jù)此協(xié)議，意法半導(dǎo)體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片。除擴大
2018-02-12 15:11:38
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
系列光隔離探頭現(xiàn)場條件因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）?，F(xiàn)場連接圖如下：▲圖1：接線
2023-01-12 09:54:23
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
VOOCC to C：支持MTK PE可通過雙頭 USB-C 線支持華為 SCP 快充和 OPPO VOOC 閃充，并且還能支持 MTK PE 快充。SW2305 快充20W PD多協(xié)議快充芯片，其
2021-04-14 19:27:28
適合發(fā)燒友DIY改造。值得一提的是，智融是OPPO授權(quán)的首批兩家快充協(xié)議芯片原廠之一，在研發(fā)實力上得到上游肯定。目前這顆快充芯片已經(jīng)批量出貨，近期將會看到應(yīng)用產(chǎn)品上市。`
2019-09-09 10:42:17
/VOOC等多種快充協(xié)議，CC/CV 模式，以及雙口管理邏輯。外圍只需少量的器件，即可組成完整的高性能多快充協(xié)議雙口充電解決方案。特點? 同步降壓變換器? 輸出電流高達5A? 輸入電壓范圍6~40V
2019-02-14 17:38:03
`SW6206支持OPPO閃充，雙向快充PD移動電源方案有需要的上帝可聯(lián)系：朱一鳴 ***SW6206 是一款高集成度的多協(xié)議雙向快充移動電源專用多合一芯片，支持A+A+B+C+L 口任意口快充。其
2019-05-05 19:44:27
由于換了三星手機，之前的充電器都不支持快充了，一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器，「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器，這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
行業(yè)標準，成為落地量產(chǎn)設(shè)計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
，其中第一梯隊有納微、EPC等代表企業(yè)。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而，現(xiàn)在還有什么是阻礙氮化鎵器件發(fā)展的不利因素呢？[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
新一代數(shù)據(jù)中心有哪些實踐操作范例？如何去推進新一代數(shù)據(jù)中心的發(fā)展？
2021-05-25 06:16:40
精通，這個系列直播共分為八講，從0到1全面解密電源設(shè)計，帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
如何選擇PD快充中USB端口的防護器件SD05？
2022-01-14 07:19:46
寶礫微PL6200只需要外置功率MOS、電感，每個接口僅需配置負載開關(guān)即可，電路結(jié)構(gòu)非常的簡單，可兼容最多5個USB接口（2A1C1M1L）快充，只需最簡單的MCU即可實現(xiàn)全協(xié)議快充，極具成本
2021-12-25 10:35:58
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
一顆頂兩顆，SMT貼片費用對應(yīng)降低，取代多顆時，成本下降更加明顯，并且PCB面積也得到減小。從這些方面，又攤薄了應(yīng)用成本壓力。充電頭網(wǎng)總結(jié)氮化鎵在PD快充上的應(yīng)用，通過高頻開關(guān)，減小了變壓器的尺寸，再
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供，包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器，更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案?？傆?b class="flag-6" style="color: red">一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
節(jié)能的角度來看，射頻能量能夠通過兩種方法為行業(yè)帶來優(yōu)勢，即降低成本和優(yōu)化控制。除節(jié)能外，氮化鎵和射頻能量的另一個能源優(yōu)勢是非常適合石油工業(yè)中的工業(yè)干燥和加熱應(yīng)用。Suncor等公司已開始通過射頻能量
2018-01-18 10:56:28
手機快充是如何實現(xiàn)的？
2021-09-26 07:17:28
正方：手機快充是未來的方向，華為mate9、OPPO R9s都拿此為賣點，安卓機的趨勢是大屏化，高分辨率化，5.0或者5.5的屏幕成為標配，分辨率要么1080p要么上2k，CPU有驍龍820、835
2017-01-06 09:30:29
INN3365C使用。
貼片Y電容來自四川特銳祥科技股份有限公司，具有體積小、重量輕等特色，非常適合應(yīng)用于氮化鎵快充這類高密度電源產(chǎn)品中。料號為TMY1102M。
特銳祥專注于被動元器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售
2023-06-16 14:05:50
。這樣一來，VOOC閃充相比傳統(tǒng)充電速度提高4倍之多?！?0分鐘可以充到3000mAh電池的75%”就是“充電5分鐘，通話兩小時”的原因?！ ≈档米⒁獾氖?，為了強調(diào)安全性，OPPO的快充技術(shù)著力于“低壓
2018-10-10 16:39:23
步榨取摩爾定律在制造工藝上最后一點“剩余價值”外，尋找硅（Si）以外新一代的半導(dǎo)體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。GaN和SiC同屬
2019-07-05 04:20:06
`OPPO華為閃充協(xié)議方案 支持華為SCP協(xié)議高通QC3.0快充車充芯片方案-工作電壓從3.2v 34V 支持VOOC快充模塊是基于USB充電識別系列IC設(shè)計的，能夠自動識別OPPO手機并進
2018-08-08 09:29:26
支持VOOC快充模塊是基于USB充電識別系列IC設(shè)計的，能夠自動識別OPPO手機并進入VOOC快充模式，兼容蘋果手機識別充電。輔助充電設(shè)備模擬成OPPO品牌的原裝充電器，對OPPO手機進行VOOC快
2018-08-11 10:42:28
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
0302147161325R0M。泰爾認證中心是OPPO VOOC快充協(xié)議唯一授權(quán)認證實驗室。值得一提的是，SW2327協(xié)議芯片不僅支持VOOC4.0，還支持UFCS融合快充規(guī)范。智融USB Type-C快充協(xié)議芯片
2021-10-14 10:23:54
實質(zhì)上是一種開關(guān)管，相比傳統(tǒng)硅MOS管具有更低的導(dǎo)通電阻，更小的輸入輸出電容，開關(guān)速度非常快，可以支持更高的開關(guān)頻率。通過使用氮化鎵開關(guān)管，可以突破傳統(tǒng)硅器件的性能限制，生產(chǎn)出更高效率和更小體積的電源
2021-11-02 09:03:39
近日，ismartware智融科技宣布，在被廣泛使用的SW6106基礎(chǔ)上，旗下全新一代超級快充移動電源芯片SW6206成功面世。智融SW6206是一款高集成度的多協(xié)議雙向快充移動電源專用合一芯片
2020-03-30 10:12:22
深圳展嶸電子有限公司一級代理梁東：***QQ：38839547ismartware智融科技宣布，在被廣泛使用的SW6106基礎(chǔ)上，旗下全新一代超級快充移動電源芯片SW6206成功面世。智融
2019-08-26 09:01:06
相應(yīng)的控制管理邏輯。外圍只需少量的器件，即可組成完整的高性能雙向快充移動電源解決方案。以下是對部分數(shù)碼產(chǎn)品的充電實測：使用智融SW6208 DEMO板搭配電芯給OPPO手機充電，ChargerLAB
2019-08-27 15:44:57
深圳展嶸電子有限公司有需要的上帝可聯(lián)系小慧：***qq:1928349796 微信：hui2530312447智融繼SW6106之后，再次推出一款高級成超級快充移動電源SOC芯片。該芯片具有全接口
2019-09-16 13:58:16
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
了自己的 Turbo Charge渦輪快充技術(shù)，而在今年Moto（被聯(lián)想收購后改名）發(fā)布的Moto Z系列模塊化手機上搭載了新一代的Turbo Power渦輪快充技術(shù)，其中Moto Z&
2016-12-26 20:42:31
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
深圳市展嶸電子有限公司有需要的老板歡迎騷擾梁東：***QQ：38839547ismartware智融繼SW6106之后，再次推出一款高級成超級快充移動電源SOC芯片。該芯片具有全接口快充、全協(xié)議快充
2019-09-02 09:47:05
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域得到了廣泛關(guān)注。作為國內(nèi)領(lǐng)先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潛心研發(fā)
2021-11-12 11:53:21
了當時功率半導(dǎo)體界的一項大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
半導(dǎo)體（Navitas）今日市值也就9.4億美元，而且包括了第三代半導(dǎo)體的另一重要組成部分、收購自GeneSiC的碳化硅業(yè)務(wù)（想要更多了解的讀者可以參考《從納微看半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并購》）。僅有氮化鎵業(yè)務(wù)
2023-03-03 16:48:40
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
：SOT23-6L LP35118V 20W-30W氮化鎵快充專用同步整流IC 概述LP35118V 是一款高性能高耐壓的副邊同步整流控 制芯片，適用于 AC-DC
2022-05-30 10:31:43
供應(yīng)XPD319BP36 36W和36W以內(nèi)vooc快充協(xié)議芯片-支持OPPO VOOC2.0快充，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 14:36:56
智融推出了一顆USB PD快充協(xié)議芯片SW2303，適用于單口USB PD快充及單口氮化鎵快充產(chǎn)品中。據(jù)悉，除了USB PD快充協(xié)議之外，該芯片還可兼容QC、FCP、高低壓SCP、AFC、SFCP
2022-07-29 16:46:40
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