美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1242 極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
電源系統(tǒng)應(yīng)用實現(xiàn)小型與更低損耗的關(guān)鍵 | SiC肖特基勢壘二極管在功率二極管中損耗最小的SiC-SBDROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管
2019-03-27 06:20:11
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動在包括車載
2018-12-04 10:09:17
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始
2018-11-29 14:35:50
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實現(xiàn)的當(dāng)時業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
?！ T的1200V碳化硅（SiC）JBS（結(jié)型勢壘肖特基）二極管系列可滿足設(shè)計人員對面向性能應(yīng)用的卓越效率、輕巧、小尺寸和改善的熱特性的需求。 ST的1200VSiC二極管具有出色的正向電壓（低
2020-06-30 16:26:30
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗?！ 〉?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
第二代碳化硅肖特基二極管-JBS簡介 產(chǎn)業(yè)界以第一代標(biāo)準(zhǔn)肖特基結(jié)構(gòu)做成的肖特基二極管（SBD）漏電流大，反向耐壓低，產(chǎn)品競爭力差，商業(yè)應(yīng)用價值低。為了提升產(chǎn)品競爭力，碳化硅肖特基二極管的結(jié)構(gòu)也從標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-28 16:55:45
?！ 』景雽?dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達(dá)到國際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時間實踐，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在
2020-06-28 17:30:27
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2019-10-22 09:12:18
肖特基勢壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極管）是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V
2020-10-28 09:13:12
，這個接觸面稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”，其全名應(yīng)為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管?，F(xiàn)有肖特基二極管大多數(shù)是用硅（Si）半導(dǎo)體材料制作的。20世紀(jì)90年代以來，出現(xiàn)了用砷化鎵（GaAs）制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2017-10-19 11:33:48
肖特基二極管原理； 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
，簡稱：SR,比如：SR107,SR10100CT……肖特基：Schottky勢壘：BarrierSB:即為肖特基勢壘二極管肖特基二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），國內(nèi)廠家也有叫做"
2021-06-30 17:04:44
，大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導(dǎo)體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓，工作電流較低時甚至低于0.1V。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電壓約為1V
2017-04-19 16:33:24
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點為反向恢復(fù)時間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。 RB068MM100和RB168MM100是ROHM公司推出的2款肖特基勢壘二極管。二者的反向峰值電壓均為100V，反向電壓（VR）也均為
2019-07-23 04:20:37
接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。 因此， SBD 也稱為金屬-半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。 利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成肖特基勢壘構(gòu)成的微波二極管稱為肖特基勢壘二極管
2021-01-19 17:26:57
再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之為勢壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產(chǎn)生
2018-12-03 14:31:01
不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產(chǎn)品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點通過改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產(chǎn)品。關(guān)于熱失控肖特基勢壘二極管在
2019-04-30 03:25:24
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 編輯
ROHM肖特基勢壘二極管具有各種高可靠性，低損耗器件。 它們有各種包裝。 肖特基二極管提供低正向電壓和反向電流
2019-06-17 15:30:23
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?！ ≡从诠杌?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2010-08-17 09:31:20
，有助于滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優(yōu)勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴(kuò)展了SBD的應(yīng)用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動。SiC-SBD
2018-11-29 14:33:47
本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
的需求，在中國構(gòu)建了與羅姆日本同樣的集開發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的一條龍體制。ROHM公司推出了兩款表面貼裝肖特基勢壘二極管RB051LAM-40和RB081LAM-20，兩者二極管的反向電壓都為20V，正向
2019-04-17 23:45:03
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝?b class="flag-6" style="color: red">一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 產(chǎn)品優(yōu)點 綜上所述，基本半導(dǎo)體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點： 更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時
2023-02-28 17:13:35
金屬和半導(dǎo)體觸點形成肖特基勢壘以實現(xiàn)整流。與普通PN結(jié)二極管相比，它的反向恢復(fù)慣量非常低。因此，肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關(guān)。碳化硅（SiC）是一種高性能半導(dǎo)體材料，因此SiC肖特基二極管具有
2023-02-07 15:59:32
步減少，反向恢復(fù)時間trr可低至幾十納秒。 肖特基二極管是肖特基勢壘二極管的簡稱，它的構(gòu)造原理與普通PN結(jié)二極管有著很大區(qū)別：其內(nèi)部是由陽極金屬(用金、銀、鉬、鋁等)、二氧化硅電場消除材料、N外延層材料
2021-05-14 08:11:44
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產(chǎn)品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點通過改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產(chǎn)品。關(guān)于熱失控肖特基勢壘二極管在
2019-04-11 02:37:28
羅姆（ROHM）是全球著名半導(dǎo)體廠商之一。它推出了6款中功率肖特基勢壘二極管，型號分別為RBR1MM60A，RBR2MM60A，RBR2MM60B，RBR2MM60C，RBR3MM60A
2019-07-15 04:20:07
肖特基勢壘二極管。五者的VRM（峰值反向電壓）均為35V，反向電壓（VR）均為30V。RB078BM30S,RB085BM-30,RB088BM-30,RB095BM-30,RB098BM-30的平均正向整流
2019-03-21 06:20:10
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。 RB520CM-30,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30是ROHM公司推出的4款肖特基勢壘二極管
2019-04-18 00:16:53
CSD01060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-27 20:10:54
C3D03060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 12:10:17
C3D03060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 12:16:00
C3D04060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 12:23:31
C3D04060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 15:37:47
C3D04060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 15:55:46
C3D06060G為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:04:58
C3D06060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:12:24
C3D06060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:18:33
C3D08060G為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:25:05
C3D08060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:54:16
C3D10060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 17:04:18
C3D16060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-29 10:28:06
C3D20060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-29 10:32:40
C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:25:12
C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:29:57
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:35:42
C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:40:17
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:54:09
C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 14:24:29
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:14:54
C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:21:10
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:37:08
C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:43:35
E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:49:31
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:18:42
C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn)，同時還達(dá)到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:29:09
C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:34:40
C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn)，同時還達(dá)到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:40:19
C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:46:36
）今日宣布推出最新通過認(rèn)證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）功率器件，為電動汽車（EV）系統(tǒng)設(shè)計人員提供了符合嚴(yán)苛汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。
2020-10-29 15:24:342317 ）今日宣布推出最新通過認(rèn)證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）功率器件，為電動汽車（EV）系統(tǒng)設(shè)計人員提供了符合嚴(yán)苛汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。 Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認(rèn)證，對于需要在提高系統(tǒng)效率的同時保持高質(zhì)
2020-11-05 10:20:351686
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