全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）和英飛凌科技（Infineon Technologies）宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x
2012-02-10 09:07:56
529 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:001733 本文提供了來自英飛凌的兩個文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin這個單個模板中文件中包含了286個模型。
2023-12-06 11:32:46505 
本應(yīng)用筆記介紹了通過利用英飛凌OptiMOS?3解決方案的優(yōu)化表幫助選擇最佳MOSFET的方法。
2011-12-06 11:33:287366 
基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿，不僅通態(tài)電阻（RDS（on））降低，還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛，包括馬達(dá)驅(qū)動、SMPS（包括服務(wù)器、電信和
2020-02-18 17:50:081494 最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431205 
單元（ECU）市場預(yù)計將在未來幾年持續(xù)增長。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）針對這一發(fā)展趨勢，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封裝的新半導(dǎo)體產(chǎn)品
2023-10-13 13:57:361133 
模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門級和門級居中
2023-12-12 18:04:37494 
寄生導(dǎo)通能力 ，可在0 V關(guān)斷電壓下運行。此外，這些MOSFET還包含支持硬換流的強大的體二極管。封裝的爬電距離和電氣間隙為6.1 mm。由于采用SMD封裝, 這些MOSFET可以直接集成到具有自然對流冷卻功能的PCB上，因此無需額外的散熱器。
2022-08-09 15:17:41
功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產(chǎn)品，這個新的產(chǎn)品家族的額定參數(shù)高于市場上的所有其他產(chǎn)品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
意法半導(dǎo)體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
。比如英飛凌的OptiMOS功率MOSFET, a可以取值0.4。7. 跨導(dǎo)跨導(dǎo)反映了漏極電流Id對于Vgs變異的敏感程度。9. 寄生電容MOSFET的寄生電容由三類，它們分別是門極源極電容，門極漏極電容
2018-07-12 11:34:11
很重要，所以我們將選用半橋拓?fù)洹＿@種拓?fù)涫请娏﹄娮?b class="flag-6" style="color: red">裝置最常用的拓?fù)渲?。這些例子重點介紹了同步壓降轉(zhuǎn)換器——一個半橋拓?fù)涞木唧w應(yīng)用。共源極電感效應(yīng)圖1為具備雜散電感和電阻(由封裝鍵合線、引線框以及電路板
2019-05-13 14:11:31
系列。3．選擇無引線的封裝MOSFET，降低由封裝所產(chǎn)生的寄生電阻和電感。4．選擇合適的門極驅(qū)動電阻從而抑制MOSFET的門極驅(qū)動震蕩。圖5中是Infineon的600V高壓MOSFET ThinPAK
2018-12-10 10:04:29
的MOSFET設(shè)計，就無法做到這一點。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補償技術(shù)的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統(tǒng)
2018-12-07 10:21:41
時，從結(jié)點到PCB的熱阻僅為1.8°C/W。圖1 PQFN底側(cè)裸熱焊盤改善電氣和熱性能 在封裝內(nèi)，兩種可能的技術(shù)都可以被用來創(chuàng)建從裸片到封裝端子之間的MOSFET源連接。利用標(biāo)準(zhǔn)后端冷卻方式來連接
2018-09-12 15:14:20
mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎？為什么？
2015-10-25 20:56:23
MOSFET的耐壓、電流特性和熱阻特性，來理解功率MOSFET的安全工作區(qū)SOA曲線。它定義了最大的漏源極電壓值、漏極電流值，以保證器件在正向偏置時安全的工作，如下圖，SOA曲線左上方的邊界斜線，受漏源極
2016-10-31 13:39:12
XLLGA-3到D2Pak和TO-220封裝不等。MOSFET額定電壓范圍從12 V至200 V以上。功率MOSFET用于便攜式設(shè)備如手機和平板電腦。它們也用于計算機、服務(wù)器、電動工具和汽車。選擇合適
2018-10-18 09:13:03
和動態(tài)均流問題；目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很小；器件的同步整流工作狀態(tài)已變得愈來愈廣泛，原因是它的通態(tài)電阻非常?。壳白钚〉臑?-4
2021-08-29 18:34:54
的通態(tài)電阻呈正溫度系數(shù)，故原理上很容易并聯(lián)擴容，但實際并聯(lián)時，還要考慮驅(qū)動的對稱性和動態(tài)均流問題；-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很小
2021-09-05 07:00:00
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達(dá)到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
防止場效應(yīng)管(MOSFET)接電感負(fù)載時，在截止瞬間產(chǎn)生感應(yīng)電壓與電源電壓之和擊穿場效應(yīng)管(MOSFET)，一般功率場效應(yīng)管 (MOSFET)在漏極與源極之間內(nèi)接一個快速恢復(fù)二極管，如圖8所示
2011-12-19 16:52:35
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
進一步減少所需的組件?！ {借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術(shù)，PTVA127002EV展現(xiàn)出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進行測量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設(shè)計工
2018-12-06 09:46:29
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
- 200V 電壓、1000W 脈沖和 100W 直流總功率的源和測量。2400 系列 SMU 主要性能指標(biāo)· 6? 位精確分辨率源和測量· 1 M 個樣點/秒數(shù)字化測量速度· 電流：10nA - 7A 直流
2020-02-18 11:35:49
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
`全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
`SD36C 靜電保護裝置 雙向TVS瞬變二極管, SOD-323, 2 Pins, 36 V, 450 W,類型TVS二極管雙向通道1電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）36V（）電壓 - 擊穿（下限
2020-08-26 09:54:57
Architect工具可對變壓器、功率MOSFET、功率二極管、傳輸電纜等進行定制建模，而且建模信息主要利用器件手冊和器件實驗數(shù)據(jù)；因而定制設(shè)計的器件模型較為精確，較為真實反映器件的真實性能。 該課程主要
2017-04-12 20:43:49
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
，TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對碳化硅MOSFET這種高速功率開關(guān)帶來的優(yōu)勢?！ ?2 從數(shù)據(jù)的角度去分析共源雜散電感對開關(guān)損耗的影響 ?。?）雙脈沖測試時的重要注意事項---電流探頭的相位
2023-02-27 16:14:19
;自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：如<br/>高壓功率MOSFET其工作電壓可達(dá)1000V；低導(dǎo)通電阻MOSFET其阻值僅
2010-08-12 13:58:43
新的功率密度和能效標(biāo)準(zhǔn)。 極低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導(dǎo)通電阻使得New OptiMOS成為服務(wù)器，數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調(diào)節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
的封裝內(nèi)采用更高性能的MOSFET，業(yè)內(nèi)的一個趨勢是從SO-8等標(biāo)準(zhǔn)引線封裝向帶有底面漏極焊盤的功率封裝轉(zhuǎn)變。對于大電流應(yīng)用，常用的是功率6mmx 5mm封裝，例如PowerPAK? SO-8。但對
2013-12-23 11:55:35
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結(jié)MOSFET: 3/5 A、600V 內(nèi)置快速恢復(fù)二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術(shù)
2018-11-20 10:52:44
測試板?！ 嶒灲Y(jié)果： 電流源驅(qū)動器和傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動器板均使用雙脈沖測試進行評估。評估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。兩款器件
2023-02-21 16:36:47
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
大部分功率 MOSFET 都是增強型的。（可能因為實際的制作工藝無法達(dá)到理論要求吧，看來理論總是跟實際有差距的，哈哈）MOSFET 是電壓控制型器件，三極管是電流控制型器件，這里說的優(yōu)缺點當(dāng)然是要跟
2019-11-17 08:00:00
有2個芯片（Nch+Nch 和Nch+Pch）的產(chǎn)品，充實供用戶選擇的產(chǎn)品系列。*VGS=10V MPT6 雙元件系列的主要優(yōu)點1） 小型、大功率「MPT6」型封裝（4540規(guī)格：4.5×4.0
2018-08-24 16:56:26
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
及2006年推出了OptiMOS、OptiMOS2、OptiMOS3，；在1998年推出第一顆以SuperJunction技術(shù)為核心的CoolMOS S5系列，一舉將600V功率晶體的最低導(dǎo)通電阻降至190m
2018-12-05 09:46:52
的性能很重要，所以我們將選用半橋拓?fù)?。這種拓?fù)涫请娏﹄娮?b class="flag-6" style="color: red">裝置最常用的拓?fù)渲弧＿@些例子重點介紹了同步壓降轉(zhuǎn)換器——一個半橋拓?fù)涞木唧w應(yīng)用。共源極電感效應(yīng)圖 1為具備雜散電感和電阻(由封裝鍵合線、引線框以及
2011-08-18 14:08:45
1、結(jié)構(gòu) 第一個功率MOSFET - 與小信號MOSFET不同 -出現(xiàn)在1978年左右上市，主要供應(yīng)商是Siliconix。它們是所謂的V-MOS設(shè)備。MOSFET的特點是源極和漏極之間的表面
2023-02-20 16:40:52
的產(chǎn)生機理 由功率MOSFET的等效電路可知，3個極間均存在結(jié)電容，柵極輸入端相當(dāng)于一個容性網(wǎng)絡(luò)，驅(qū)動電路存在著分布電感和驅(qū)動電阻，此時的橋式逆變電路如圖1所示。以上管開通過程為例，當(dāng)下管V2已經(jīng)完全
2018-08-27 16:00:08
- 柵極-源極電壓: 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V Qg-柵極電荷: 340 nC -小工作溫度: - 55 C -大工作溫度: + 150 C Pd-功率耗散: 1.2
2020-03-19 16:31:27
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
電流值。AON6590(40V，0.99mΩ)電流連續(xù)漏極電流ID脈沖漏極電流IDM連續(xù)漏極電流IDSM雪崩電流IAS 1 連續(xù)漏極電流ID連續(xù)漏極電流在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中標(biāo)示為電流ID，對于
2016-08-15 14:31:59
，就可以將效率提高0.4%。這種消耗的降低，來源于更低的封裝電阻和低至約1nH的極低封裝電感。對應(yīng)于40V、60V和80V的電壓等級，OptiMOS 3的漏極-源極通態(tài)電阻RDS(on)分別為1.8m
2018-12-07 10:23:12
供電，其中輸入電壓V在直接來自總線電壓。這可能會有很大的電壓變化，包括由于應(yīng)用環(huán)境而導(dǎo)致的高壓尖峰。耗盡型MOSFET可用于在線性穩(wěn)壓器電路中實現(xiàn)浪涌保護，如圖5所示。MOSFET 以源極跟隨器配置連接
2023-02-21 15:46:31
Figure 4 是具有驅(qū)動器源極引腳的 MOSFET 的驅(qū)動電路示例。它與以往驅(qū)動電路（Figure 2）之間的區(qū)別只在于驅(qū)動電路的返回線是連接到驅(qū)動器源極引腳這點。從電路圖中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
開關(guān)損耗。測試中使用的是最大額定值（RDS（on））為 40mΩ的SiC MOSFET。TO-247N封裝的產(chǎn)品（型號：SCT3040KL）沒有驅(qū)動器源極引腳，TO-247-4L（SCT3040KR
2022-06-17 16:06:12
英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57827 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:47731 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機驅(qū)動應(yīng)用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071235 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51571 用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅(qū)動應(yīng)用、電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22557 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺式機及筆記本電
2010-11-24 09:14:351506 用改進的PQFN器件一對一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強，并實現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個組件代替一個并聯(lián)的組件對。
2011-03-09 09:13:025986 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:042537 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16692 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41648 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22807 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381390 2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族，它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 20世紀(jì)80年代末期和90年代初期發(fā)展起來的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件，表明傳統(tǒng)電源技術(shù)已經(jīng)進入現(xiàn)代電源技術(shù)的新興時代。詳細(xì)介紹了英飛凌公司
2018-06-26 16:48:007652 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 擴展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅(qū)動IC采用
2018-11-13 16:26:191657 英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一，在導(dǎo)通電阻的開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計中，能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗以滿足高性能的需求；加入增強模式，可根據(jù)不同應(yīng)用場景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513180 
SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計理念， 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。
2021-12-03 10:50:381073 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:161650 
OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo)，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053319 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計
2022-12-29 10:02:53785 
未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計將持續(xù)推進，以實現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758 英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
的 OptiMOS MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。它配有一個M1連接器，用于連接iMOTION模塊化應(yīng)用設(shè)計套件(MADK)控制板EVAL-M1-101T。
2023-11-17 17:08:41534 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《封裝外形圖34引線功率四平面無引線（PQFN）塑料封裝介紹.pdf》資料免費下載
2024-01-31 10:04:17
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