美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢?；谶@些優(yōu)勢，當(dāng)SiC-MOSFET用于AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC
2019-04-24 12:46:442091 PI看到了電動(dòng)車的這個(gè)發(fā)展趨勢，因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用碳化硅（SiC）初級(jí)開關(guān)MOSFET的汽車級(jí)開關(guān)電源IC，將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:224952 。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
CRD15DD17P，480至530 VAC，15 W反激式輔助電源板基于1700 V，1000mΩ的SiC MOSFET，具有高阻斷電壓能力。由于Si MOSFET具有低阻斷電壓能力，因此在這些應(yīng)用中使用它們非常具有挑戰(zhàn)性。該參考設(shè)計(jì)板的主要目標(biāo)應(yīng)用是太陽能，儲(chǔ)能和牽引工業(yè)
2020-05-27 08:22:16
CRD-060DD12P，用于單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代傳統(tǒng)的雙開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器，用于三相應(yīng)用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產(chǎn)品而設(shè)計(jì)的，僅用作評(píng)估Cree開關(guān)設(shè)備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
電流檢測電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對(duì)策 實(shí)裝PCB板布局與總結(jié)使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例 前言設(shè)計(jì)中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優(yōu)化評(píng)価
2018-11-27 16:40:24
，而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好，可以說是具有極大優(yōu)勢的開關(guān)元件。這張圖是各晶體管標(biāo)準(zhǔn)化的導(dǎo)通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出，理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高，可制作低導(dǎo)通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
面積?。?b class="flag-6" style="color: red">可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小?！ ≈饕獞?yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中?！ ?. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
`請(qǐng)問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實(shí)驗(yàn)室遵循JFET方法，因?yàn)楫?dāng)時(shí)雙極結(jié)晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認(rèn)為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4
2019-07-30 15:15:17
10倍的絕緣擊穿場強(qiáng),所以不僅能保持實(shí)際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應(yīng)對(duì)
2018-11-29 14:35:50
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
耐壓。Si-SBD在實(shí)際應(yīng)用中耐壓極限大概為200V左右，而ROHM已經(jīng)量產(chǎn)的SiC-SBD產(chǎn)品最高達(dá)1700V，并且還正在開發(fā)更高耐壓的產(chǎn)品。Si-PND屬于少數(shù)載流子，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超Si-SBD
2018-12-03 15:12:02
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
一樣受到電壓控制。IGBT受熱漂移的影響，可以通過額外的電路來減少熱漂移。如今，SiC和GaN MOSFET是新的電子開關(guān)，具有卓越的性能。IGBT 可處理 5，000 V 的電壓和 1，000 A
2023-02-02 09:23:22
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機(jī)控制器
2021-11-10 09:10:42
CRD15DD17P，300至1200 VDC，15 W反激式輔助電源板基于1700 V，1000mΩ的SiC MOSFET，具有高阻斷電壓能力。由于Si MOSFET具有低阻斷電壓能力，因此在這些應(yīng)用中使用它們非常具有挑戰(zhàn)性。該參考設(shè)計(jì)板的主要目標(biāo)應(yīng)用是太陽能，儲(chǔ)能和牽引工業(yè)
2020-05-27 06:29:16
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
Gross表示：“我們的極低雜散電感標(biāo)準(zhǔn)SP6LI封裝非常適合為用于高開關(guān)頻率、高電流和高效率應(yīng)用的SiC MOSFET器件改善性能，通過提供更小尺寸的電源系統(tǒng)解決方案，幫助客戶大幅降低設(shè)備需求。我們
2018-10-23 16:22:24
4年、專門為PCB行業(yè)量身定做了一款可制造性設(shè)計(jì)分析軟件--“華秋DFM”。這是一款純國產(chǎn)、全免費(fèi)的DFM分析軟件，能夠一鍵分析PCB設(shè)計(jì)隱患，并結(jié)合設(shè)計(jì)端問題、生產(chǎn)端問題、工廠制程能力、價(jià)格影響因素
2020-07-03 10:01:06
Power Solutions攜手，通過面向工業(yè)以及數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域盡可能地深挖SiC技術(shù)潛力，從而進(jìn)一步提升電源系統(tǒng)的能效?！保缄P(guān)于Murata Power Solutions＞Murata Power
2023-03-02 14:24:46
低Id）范圍（在本例中是Vd到1V左右的范圍），在IGBT中是可忽略不計(jì)的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會(huì)構(gòu)成問題，但當(dāng)用電設(shè)備的電力需求從低功率到高功率范圍較寬時(shí)，低功率范圍的效率并不高。相比之下
2018-12-03 14:29:26
新的功率密度和能效標(biāo)準(zhǔn)?！O低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導(dǎo)通電阻使得New OptiMOS成為服務(wù)器，數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調(diào)節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
使用，BM6101是一款電流隔離芯片，通過它進(jìn)行兩級(jí)驅(qū)動(dòng)Mosfet管。而驅(qū)動(dòng)的電壓就是通過開關(guān)電源調(diào)整得到的電壓，驅(qū)動(dòng)電路還如下圖黃框出提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡(luò)。利用示波器在在這時(shí)對(duì)柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字
電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)?。?/div>
2020-04-24 18:08:05
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
1700V耐壓的產(chǎn)品。Si-PND通過在n-層積蓄少數(shù)載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過Si-SBD的高耐壓與低電阻，但關(guān)斷速度較慢。盡管FRD是Si-PND中提高了速度的產(chǎn)品，但其trr
2018-11-29 14:33:47
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率轉(zhuǎn)換效率可提升高達(dá)5%采用準(zhǔn)諧振方式，可實(shí)現(xiàn)更低EMI通過減少元器件數(shù)量，可實(shí)現(xiàn)顯著的小型化和更高可靠性可確保長期穩(wěn)定供應(yīng)，很適合工業(yè)設(shè)備應(yīng)用產(chǎn)品陣容新增4款保護(hù)功能
2022-07-27 11:00:52
測試數(shù)據(jù) [size=12.6316px] 三、小結(jié)SM7205內(nèi)部集成了730V高壓MOSFET，采用了專利的低待機(jī)能效控制技術(shù)，輕松滿足六級(jí)能效的標(biāo)準(zhǔn), 可廣泛應(yīng)用于六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)的適配器和充電器等領(lǐng)域。`
2016-07-28 15:07:01
擊穿電壓仿真工具中實(shí)現(xiàn)，因此假定電荷為零。采用深P-區(qū)域可減少軸向壽命殺傷器（如氦氣或質(zhì)子）的泄漏電流，并使器件在硬開關(guān)條件下具有魯棒性。圖 1：1700V 器件的平面結(jié) VLD 端接的橫截面。圖 2
2023-02-27 09:32:57
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
1700V高耐壓，還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發(fā)最尖端的功率元器件，還促進(jìn)充分發(fā)揮
2018-12-04 10:11:25
650V SiC MOSFET 的功率損耗低，可以在雙向高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用（例如 EV 的 OBC）中實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率。
2023-02-27 09:44:36
]Nch1700V3.7A35W1.15Ω(Typ.)14nC(Typ.)4A44W57W0.75Ω(Typ.)17nC(Typ.)☆：開發(fā)中SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點(diǎn)必看與SiC用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC組合，效率顯著提高＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-MOSFETSi-MOSFET
2018-12-05 10:01:25
。STGAP2S柵極驅(qū)動(dòng)器全系標(biāo)配4A軌到軌輸出，即使驅(qū)動(dòng)大功率逆變器，也能保證開關(guān)操作快速、高效。輸入到輸出傳播延遲在80ns以內(nèi)，在高開關(guān)頻率下確保PWM控制精確，滿足SiC器件的驅(qū)動(dòng)要求。出色的抗dV
2018-08-06 14:37:25
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
求一款低邊MOSFET驅(qū)動(dòng),輸入電壓12V,電流1A以上，且一顆芯片驅(qū)動(dòng)兩個(gè)MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT，開關(guān)頻率高達(dá) 500kHz緊湊高效的內(nèi)置隔離式偏置電源（具有 15V 和 –4V 輸出）分立式兩級(jí)關(guān)斷功能可實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)，具有可調(diào)的電流限制和延遲（消隱）時(shí)間提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增強(qiáng)的 8kV 峰值電壓和 5.7kV RMS 電壓隔離
2018-10-16 17:15:55
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
的門檻變得越來越低，價(jià)格也在逐步下降，應(yīng)用領(lǐng)域也在慢慢扭轉(zhuǎn)被海外品牌一統(tǒng)天下的局面。據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國內(nèi)多家龍頭企業(yè)已開始嘗試與內(nèi)資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當(dāng)前國內(nèi)品牌尚不具備競爭優(yōu)勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
MOSFET 的單通道驅(qū)動(dòng)核，可以驅(qū)動(dòng)目前市面上大部分 1700V 以內(nèi)的單管碳化硅 MOSFET， 該驅(qū)動(dòng)核設(shè)計(jì)緊湊，通用性強(qiáng)?！ ?、電源模塊 Q15P2XXYYD 是青銅劍科技自主研發(fā)的單通道
2023-02-27 16:03:36
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
。 LeapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模塊為xEV應(yīng)用提供性能。因此，設(shè)計(jì)工程師可以期望： 具有高功率密度，可減小系統(tǒng)尺寸; 提供更高的電源效率; 提高電池利用效率
2023-02-20 16:26:24
阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
IGBT一樣易于驅(qū)動(dòng)。事實(shí)上，其TO-247封裝可以替代許多這類器件，實(shí)現(xiàn)即時(shí)的性能提升。對(duì)于新的設(shè)計(jì)，還有一種低電感、熱增強(qiáng)型DFN8x8封裝，充分利用了SiC-FET的高頻性能?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC
2023-02-27 14:28:47
。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場強(qiáng)，故ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)1200V的產(chǎn)品，同時(shí)在推進(jìn)1700V耐壓的產(chǎn)品。Si-PND通過在n-層積蓄少數(shù)載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)
2019-07-10 04:20:13
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉(zhuǎn)換器 評(píng)估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出，搭載了ROHM適用于大功率工業(yè)設(shè)備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
高能效節(jié)能產(chǎn)品。 目前我國的能效標(biāo)識(shí)將能效分為1、2、3、4、5共五個(gè)等級(jí)：等級(jí)1表示產(chǎn)品達(dá)到國際先進(jìn)水平，最節(jié)電，即耗能最低；等級(jí)2表示比較節(jié)電；等級(jí)3表示產(chǎn)品的能源效率為我國市場的平均水平；等級(jí)4
2015-08-03 21:17:40
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的導(dǎo)通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出，上述IC的柵極驅(qū)動(dòng)電壓在每種MOSFET將要飽和前變?yōu)閂GS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
均高于96.5％的原型，其中CCM圖騰柱PFC轉(zhuǎn)換器為67 kHz，CLLC諧振轉(zhuǎn)換器為150-300 kHz。通過將功率半導(dǎo)體和功率磁器件集成在同一工具散熱器上，由于650V SiC MOSFET的低功率損耗，因此在雙向高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用（例如EV的OBC）中可以實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率。
2019-10-25 10:02:58
可提供從650V到1700V不等的諸多產(chǎn)品，目前這類產(chǎn)品都是基于第三代碳化硅技術(shù)，并且都與未來能效相關(guān)的，能夠節(jié)省高達(dá)50%的損耗，提高開關(guān)頻率，降低使用成本。 圖4：ST氮化鎵產(chǎn)品戰(zhàn)略 另一方面，ST
2022-07-01 10:28:37
研發(fā)的SiC MOSFET為例，即使在攝氏200度以上時(shí)，SiC MOSFET也能保持高效能之特性。WInSiC4AP專案的SiC MOSFET開發(fā)主要在2018年進(jìn)行。圖3、圖4、圖5分別提供元件
2019-06-27 04:20:26
，汽車等。自從一開始，F(xiàn)raunhofer ISE就推廣了SiC技術(shù)并展示了其優(yōu)勢，這些設(shè)備在系統(tǒng)級(jí)為電力電子產(chǎn)品提供通過構(gòu)建效率很高的緊湊型逆變器。ROHM Semiconductor是功率模擬IC，低
2019-10-25 10:01:08
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
銀聯(lián)寶六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)的電源芯片U6116是一款多模式控制的芯片，可用于大電流充電器、LED驅(qū)動(dòng)電源、較大功率控制電源系統(tǒng)、電源適配器等。銀聯(lián)寶六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)的電源芯片U6116內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無異
2020-03-19 14:02:41
電壓范圍內(nèi)提供較低功率水平的DC / DC穩(wěn)壓器，或低功率能效可忽略不計(jì)的情況。不幸的是，對(duì)于系統(tǒng)開發(fā)人員來說，此類妥協(xié)也變得越來越難以容忍。少數(shù)功率穩(wěn)壓器如今能提供良好的集成水平，但它們?cè)谛阅芎?b class="flag-6" style="color: red">能效
2020-10-28 09:10:17
STAR?） 計(jì)算機(jī)5.0版規(guī)范也是旨在提高設(shè)備對(duì)電能的利用率。能效規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)的日益普及要求、所有操作模式的電源轉(zhuǎn)換具備更高的能效，其中包括降低待機(jī)（空載）能耗、提升電源工作效率、采用功率因數(shù)校正（PFC
2011-12-13 10:46:35
驅(qū)動(dòng)1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設(shè)計(jì):通過對(duì)幾種常用的1700V IGBT 驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行詳細(xì)的分析，對(duì)M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進(jìn)行深入的討論，給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部
2009-06-19 20:29:52
39 1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業(yè)級(jí)第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續(xù)在碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域
2023-07-28 14:21:34
近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:001922 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:173606 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品
2018-10-23 11:34:375600 支持電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469 金升陽緊跟功率半導(dǎo)體市場動(dòng)向，推出QAxx3D-2GR3（下文稱：QA-R3系列驅(qū)動(dòng)電源），可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上。
2021-05-07 11:49:581412 參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設(shè)計(jì)輔助電源而開發(fā)的。該參考板旨在支持客戶為三相系統(tǒng)設(shè)計(jì)輔助電源，工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:032396 
在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對(duì)國產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對(duì)比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 （SiC）初級(jí)開關(guān) MOSFET。這些新設(shè)備可產(chǎn)生高達(dá) 70 瓦的輸出功率，用于 600 和 800 伏電池和燃料電池電動(dòng)乘用車，以及電動(dòng)巴士、卡車和一系列工業(yè)電源應(yīng)用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:271216 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動(dòng)功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計(jì)更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:582310 BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于小型表貼封裝（TO263-7L）中。主要
2022-08-14 10:00:241278 
Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計(jì)
2022-08-28 11:17:068 安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:19433 重點(diǎn)必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－規(guī)格篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)更容易支持自動(dòng)安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:19388 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:23655 
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:24518 
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05434 
前幾天，三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄（.點(diǎn)這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:55855 ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureRange：-40～150°CStatus
2022-03-04 10:51:05495 
對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57428 芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長等，對(duì)提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31285 
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
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