2022 年?5 月?18日，中國(guó)?– 意法半導(dǎo)體的?STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開(kāi)關(guān)
2022-05-19 10:50:42
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MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:021251 在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿(mǎn)足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車(chē)制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車(chē)安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車(chē)AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
開(kāi)關(guān)電源控制器，專(zhuān)為具有電流模式控制的小型電源設(shè)備設(shè)計(jì)，PN8366集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，驪微電子用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源，最大限度
2020-04-09 14:21:30
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開(kāi)啟電壓同時(shí)提高跨導(dǎo)，也可以提高開(kāi)關(guān)速度，降低開(kāi)關(guān)損耗。但過(guò)低的閾值電壓會(huì)使MOSFET容易受到干擾誤導(dǎo)通，而跨導(dǎo)和工藝有關(guān)。
2017-03-06 15:19:01
過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開(kāi)通過(guò)程和開(kāi)通損耗，以及關(guān)斷過(guò)程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
，ZRL典型值為±1dps，這些功能適合各種應(yīng)用，特別是在精確運(yùn)動(dòng)檢測(cè)和提高相機(jī)性能方面。該傳感器還支持意法半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)的使用浮點(diǎn)數(shù)學(xué)運(yùn)算將計(jì)步誤差率降低60％的增強(qiáng)版計(jì)步器算法，并集成一個(gè)能夠識(shí)別公共汽車(chē)
2018-11-05 14:07:51
主CPU關(guān)閉時(shí)，可在低功耗時(shí)高能效地采集并存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 STM32L4+的片上大容量存儲(chǔ)器包括640KB的SRAM，可以輔助高速運(yùn)算性能，最大限度提升圖形處理性能。此外，該系列產(chǎn)品還有高達(dá)2MB的雙區(qū)
2017-11-21 15:21:22
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對(duì)外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)
2018-02-28 11:44:56
新產(chǎn)品的集成功率級(jí)都采用意法半導(dǎo)體RDS（ON）僅為500mΩ的專(zhuān)有MOSFET，高能效和經(jīng)濟(jì)性兼?zhèn)?。STSPIN840的電橋輸出可以單獨(dú)使用或并聯(lián)，這有助于降低多電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的物料清單成本。高功能集度
2018-08-29 13:16:07
? 意法半導(dǎo)體嵌入式軟件包集成Sigfox網(wǎng)絡(luò)軟件，適用于各種產(chǎn)品，按照物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)人員的需求專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì) ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發(fā)器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過(guò)意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
的硬件和(免費(fèi))注冊(cè)中國(guó)，2018年2月9日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）今天宣布，包括學(xué)生
2018-02-09 14:08:48
和精確度。 該主板具充足的運(yùn)算能力，能夠處理復(fù)雜的數(shù)據(jù)集，例如，意法半導(dǎo)體先進(jìn)6軸慣性模塊輸出的OIS / EIS（光學(xué)或電子防抖）數(shù)據(jù)， 以及簡(jiǎn)單的傳感器讀數(shù)，例如，氣壓表、加速計(jì)或陀螺儀數(shù)據(jù)。 該主板
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開(kāi)關(guān)抗干擾能力中國(guó)，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶(hù)選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
、ETSI 和 ARIB 規(guī)范。新IC電路元件是采用意法半導(dǎo)體的集成無(wú)源器件(IPD)技術(shù)制造在玻璃襯底上，這樣設(shè)計(jì)可以最大限度地減少信號(hào)插入損耗，性能優(yōu)于采用分立元件構(gòu)建的電路。在同一芯片上集成所有
2023-02-13 17:58:36
中國(guó)，2018年4月10日 ——意法半導(dǎo)體的STLQ020低壓差（LDO）穩(wěn)壓器可以緩解在靜態(tài)電流、輸出功率、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和封裝尺寸之間權(quán)衡取舍的難題，為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)更大的自由設(shè)計(jì)空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車(chē)級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進(jìn)的車(chē)載導(dǎo)航
2018-07-17 16:46:16
中國(guó)，2018年10月10日——意法半導(dǎo)體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫(xiě)及調(diào)試探針，進(jìn)一步改進(jìn)代碼燒寫(xiě)及調(diào)試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲(chǔ)
2018-10-11 13:53:03
`中國(guó)，2018年6月22日——意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓
2018-06-25 11:01:49
。在負(fù)載較低時(shí)，為最大限度地提高能效，STCH03進(jìn)入準(zhǔn)諧振模式（ZVS），通過(guò)檢測(cè)變壓器退磁來(lái)控制零電壓開(kāi)關(guān)操作。檢測(cè)電路還提供電壓前饋控制功能，以確保恒流調(diào)整的精確度。STCH03將運(yùn)行電流維持在
2018-07-13 11:35:31
解決方案，點(diǎn)燃“物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備人機(jī)界面”革命中國(guó)，2018年7月12日——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼
2018-07-13 15:52:39
STM32* 微控制器上開(kāi)發(fā)先進(jìn)的高能效電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的難度。此舉為空調(diào)、家電、無(wú)人機(jī)、樓宇自動(dòng)化、機(jī)床、醫(yī)療設(shè)備、電動(dòng)車(chē)等產(chǎn)品設(shè)備工程師研發(fā)先進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)帶來(lái)更多機(jī)會(huì)，而且無(wú)需專(zhuān)門(mén)的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)?；?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體上一代
2018-03-22 14:30:41
和RAM）。例如，對(duì)于內(nèi)存來(lái)說(shuō)太大的單個(gè)層可以分為兩個(gè)步驟。之前的MLPerf Tiny結(jié)果顯示，與標(biāo)準(zhǔn)CMSIS-NN分?jǐn)?shù)相比，意法半導(dǎo)體的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的優(yōu)化版本）具有性能優(yōu)勢(shì)。STM32CubeAI開(kāi)發(fā)云還將支持意法半導(dǎo)體即將推出的微控制器，包括內(nèi)部開(kāi)發(fā)的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
中國(guó)，2018年8月1日——意法半導(dǎo)體的FDA803D 和FDA903D汽車(chē)級(jí)數(shù)字輸入音頻放大器功能豐富，有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成，最大限度提高車(chē)載信息服務(wù)及緊急呼叫設(shè)備和混動(dòng)/電動(dòng)汽車(chē)聲學(xué)提示系統(tǒng)
2018-08-02 15:33:58
`中國(guó)，5月28日—— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供貨商意法半導(dǎo)體（ STMicroelectronics ，簡(jiǎn)稱(chēng) ST ；紐約證券交易所代碼： STM ）發(fā)布 了2018 年可持續(xù)發(fā)展
2018-05-29 10:32:58
意法半導(dǎo)體的TSB712A 精密運(yùn)算放大器能夠在寬電壓和溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的參數(shù)，為工業(yè)控制、汽車(chē)系統(tǒng)等眾多應(yīng)用帶來(lái)經(jīng)濟(jì)且高端的信號(hào)調(diào)理性能。 電源電壓范圍寬達(dá)2.7V-36V或±1.35V至
2018-07-25 14:42:31
中國(guó)，2018年7月16日——意法半導(dǎo)體STEF01可編程電子熔斷器集成低導(dǎo)通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓范圍內(nèi)，能夠維持高達(dá)4A的連續(xù)電流
2018-07-16 16:51:13
www.st.com/evalsp820。原貼地址 https://www.stmcu.com.cn/news/777相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體高能效單片三相三路電流檢測(cè)BLDC驅(qū)動(dòng)器：延長(zhǎng)便攜設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品
2018-06-11 15:16:38
共享一個(gè)外部鉗位二極管的快速退磁功能。其他診斷功能包括兩個(gè)用于指示負(fù)載開(kāi)路和過(guò)載／熱關(guān)斷的公共開(kāi)漏引腳，以及用于指示單個(gè)通道過(guò)載／熱關(guān)斷的四個(gè)輸入／輸出開(kāi)漏引腳。作為意法半導(dǎo)體智能功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品大家族
2018-06-04 10:37:44
。無(wú)論是在最大亮度還是調(diào)光模式，控制器均可確保電壓轉(zhuǎn)換和電流控制電路擁有很高的能效，最大限度地延長(zhǎng)電池的使用壽命。此外，每個(gè)通道的電流匹配度非常精確，從而可確保背光亮度保持一致，進(jìn)一步提高
2011-11-24 14:57:16
利用雙電機(jī)無(wú)傳感器磁場(chǎng)定向控制（FOC）和有源功率因素校正（PFC），實(shí)現(xiàn)空調(diào)電機(jī)控制提高能效和降低系統(tǒng)成本是促使現(xiàn)代電機(jī)控制技術(shù)發(fā)展的推動(dòng)力量，這些技術(shù)廣泛應(yīng)用于各種風(fēng)扇、泵機(jī)、壓縮機(jī)或減速電機(jī)
2018-12-04 09:54:53
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)，通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高
2022-11-02 12:02:05
要有深入了解，才能有利于理解和分析相應(yīng)的問(wèn)題。 高壓MOSFET原理與性能分析 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓
2023-02-27 11:52:38
2a）可以減少橋損耗，采用交錯(cuò)式PFC（圖2b）可以滿(mǎn)足較高功率應(yīng)用的要求，以提升PFC能效。此外，還可以利用IC技術(shù)減少開(kāi)關(guān)損耗，并利用更優(yōu)化的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來(lái)減少EMI濾波器損耗。 采用安森美半導(dǎo)體
2011-12-13 10:46:35
隨著現(xiàn)代微控制器和SoC變得越來(lái)越復(fù)雜，設(shè)計(jì)者面臨著最大化能源效率，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高水平的集成。最大限度地提高能量在低功耗SoC市場(chǎng)中，多個(gè)功率域的使用被廣泛采用。在
同時(shí)，為了解決更高級(jí)別的集成，許多
2023-08-02 06:34:14
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡(jiǎn)稱(chēng)FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM)于今日聯(lián)合宣布，將在意法半導(dǎo)體的ST Telemaco3P STA1385車(chē)載信息
2018-11-05 14:09:44
電子、汽車(chē)和無(wú)線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國(guó)，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
引言 如今，客戶(hù)要求產(chǎn)品不但節(jié)能，還要體積更小，從而推動(dòng)功率轉(zhuǎn)換行業(yè)向前發(fā)展。交流/直流和直流/直流轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞牟粩喟l(fā)展，改善了轉(zhuǎn)換器效率。功率MOSFET是功率轉(zhuǎn)換器的核心部件，是設(shè)計(jì)高能效產(chǎn)品
2018-12-07 10:21:41
的功率型分立器件針對(duì)軟開(kāi)關(guān)諧振和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率。基于氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計(jì)。
2023-09-07 06:49:47
Degauque表示：“意法半導(dǎo)體高射頻性能的NFC方案最大限度地提高了工程師在新產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)的自由空間和靈活度。通過(guò)充分利用這一靈活性， NFC在Alcatel 3V智能手機(jī)上的集成過(guò)程被有效簡(jiǎn)化
2018-06-11 15:22:25
智能電表芯片單片集成開(kāi)發(fā)智能電表所需的全部重要功能，能夠滿(mǎn)足多個(gè)智能電網(wǎng)市場(chǎng)的需求。這些電表連接消費(fèi)者和供電公司，提供實(shí)時(shí)電能計(jì)量和用電數(shù)據(jù)分析功能。意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
ST意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM)，意法半導(dǎo)體與二十多萬(wàn)家客戶(hù)、成千上萬(wàn)名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34
MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
就可通過(guò)降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg)，最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開(kāi)關(guān)性能。這樣，MOSFET就能應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，甚至可在更高的開(kāi)關(guān)頻率下可靠地工作。
2019-09-04 07:00:00
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本?！ ∪欢褂玫?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)遠(yuǎn)非理想，并且由于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開(kāi)關(guān)損耗。這些損耗對(duì)轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實(shí)際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^(guò)插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
最大限度地降低了動(dòng)態(tài)損耗，提高了總體能效，特別是在從數(shù)百kHz至MHz不等的較高工作頻率下。為了實(shí)現(xiàn)高壓開(kāi)關(guān)的零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）工作，這三種拓?fù)涠祭米儔浩髦械难h(huán)電流來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)QOSS放電。顯然
2022-04-12 11:07:51
最大限度地降低了動(dòng)態(tài)損耗，提高了總體能效，特別是在從數(shù)百kHz至MHz不等的較高工作頻率下。為了實(shí)現(xiàn)高壓開(kāi)關(guān)的零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）工作，這三種拓?fù)涠祭米儔浩髦械难h(huán)電流來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)QOSS放電。顯然
2022-06-14 10:14:18
物聯(lián)網(wǎng)（ IoT ）市場(chǎng)的成長(zhǎng)需求。 光寶的新模塊集成了來(lái)自橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先半導(dǎo)體供貨商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng) ST ；紐約證券交易所代碼
2018-07-13 11:59:12
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開(kāi)關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書(shū)的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
所在各類(lèi)半導(dǎo)體功率器件中，未來(lái)增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:50:23
頻性能的同時(shí)不會(huì)影響電池性能。此外，ST21NFCD的高集成度可最大限度地減小電路尺寸，從而節(jié)省材料成本。“出門(mén)問(wèn)問(wèn)和意法半導(dǎo)體有著長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系，雙方曾合作開(kāi)發(fā)多款適用于出門(mén)問(wèn)問(wèn)智能手表的關(guān)鍵
2018-07-13 13:06:48
描述 此項(xiàng) 25W 的設(shè)計(jì)在反激式拓?fù)渲惺褂?UCC28740 來(lái)最大限度降低空載待機(jī)功耗，并使用 UCC24636同步整流控制器來(lái)最大限度減少功率 MOSFET 體二極管傳導(dǎo)時(shí)間。此設(shè)計(jì)還使用來(lái)
2022-09-23 06:11:58
條件下實(shí)現(xiàn)高能效，是達(dá)到這個(gè)市場(chǎng)需求的關(guān)鍵要素，同時(shí)也是半導(dǎo)體廠商研發(fā)新技術(shù)的動(dòng)力。 因?yàn)檫^(guò)去幾年技術(shù)改良取得較大進(jìn)步，意法半導(dǎo)體最新的功率MOSFET技術(shù)可以成功地替代變頻電機(jī)控制器的IGBT開(kāi)關(guān)
2018-11-20 10:52:44
在數(shù)字無(wú)線通信產(chǎn)品測(cè)試中最大限度地降低電源瞬態(tài)電壓......
2019-08-19 07:42:24
開(kāi)關(guān)頻率的PFC? SLLIMM* IPM逆變器電源? MDmesh M2超結(jié)功率MOSFET? 意法半導(dǎo)體Turbo 2超快高壓整流器? VIPER31輔助電源
2023-09-08 06:59:33
規(guī)模地進(jìn)軍太陽(yáng)能街燈應(yīng)用打開(kāi)了大門(mén)。 采用最大峰值功率追蹤技術(shù)提升太陽(yáng)能板能效 對(duì)于太陽(yáng)能街燈而言，提高太陽(yáng)能電池板的光電轉(zhuǎn)換能效(目前僅為約30%)非常重要。太陽(yáng)能電池板的電壓-電流(V-I)特性曲線
2009-03-24 12:03:30
最大限度提高Σ-Δ ADC驅(qū)動(dòng)器的性能
2021-01-06 07:05:10
如何最大限度的去實(shí)現(xiàn)LTE潛力？
2021-05-25 06:12:07
可能會(huì)使變壓器收縮，因?yàn)樗璧拇判圆牧细佟４送?，隨著頻率的增加，變壓器鐵芯的磁性材料最終可以改變?yōu)楦咝Щ蚋阋说牟牧??！ 榱?b class="flag-6" style="color: red">最大限度地提高高功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率而不降低轉(zhuǎn)換器效率
2023-02-20 15:32:06
在本文中，我們將解釋針對(duì)不同的應(yīng)用和工作條件仔細(xì)選擇IGBT變體如何提高整體系統(tǒng)效率。IGBT模塊中的損耗大致可分為兩類(lèi)：傳導(dǎo)開(kāi)關(guān)眾所周知，對(duì)于特定電壓下的任何給定過(guò)程，降低傳導(dǎo)損耗的努力將導(dǎo)致
2023-02-27 09:54:52
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
在電源設(shè)計(jì)中，為提高能效，通常采用同步整流，即用MOSFET取代二極管整流器，從而降低整流器兩端壓降和導(dǎo)通損耗，提供更高的電流能力，實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)能效。然而，傳統(tǒng)的同步整流在用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器
2018-12-03 11:07:15
最新的電源模塊，結(jié)合高能效與強(qiáng)固的物理和電氣設(shè)計(jì)，用于要求嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用。展出的電動(dòng)工具演示將向觀眾演示安森美半導(dǎo)體的電源模塊如何幫助實(shí)現(xiàn)緊湊、高能效的設(shè)計(jì)，以支持較長(zhǎng)的電池使用壽命。功率模塊是電源轉(zhuǎn)換
2018-10-30 09:06:50
碩果。堯遠(yuǎn)通信科技的客戶(hù)充分利用CLOE追蹤器整體方案的優(yōu)勢(shì)，針對(duì)不同用途的物聯(lián)網(wǎng)追蹤器設(shè)計(jì)高能效的LTE?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體信息娛樂(lè)事業(yè)部總監(jiān)Antonio Radaelli表示：“CLOE是我們與賽肯通信
2018-02-28 11:41:49
布局電源板以最大限度地降低EMI：第3部分
2019-08-16 06:13:31
布局電源板以最大限度地降低EMI：第1部分
2019-09-05 15:36:07
布局電源板以最大限度地降低EMI：第2部分
2019-09-06 08:49:33
“意法半導(dǎo)體，與智能同在”中國(guó)上海，2018年6月26日——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）將參展
2018-06-28 10:59:23
的功率型分立器件針對(duì)軟開(kāi)關(guān)諧振和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率。基于氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計(jì)。意法半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案可以使用專(zhuān)用的評(píng)估板、參考設(shè)計(jì)、技術(shù)文檔和eDesignSuite軟件配置器和設(shè)計(jì)工具來(lái)實(shí)現(xiàn)
2023-09-06 07:44:16
碳化硅（SiC） MOSFET、超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT和汽車(chē)功率模塊（APM）等廣泛的產(chǎn)品陣容乃至完整的系統(tǒng)方案，以專(zhuān)知和經(jīng)驗(yàn)支持設(shè)計(jì)人員優(yōu)化性能，加快開(kāi)發(fā)周期。本文將主要介紹針對(duì)主流功率等級(jí)的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
高壓MOSFET原理與性能分析在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒(méi)有競(jìng) 爭(zhēng)對(duì)手，但隨著MOS的耐壓
2020-03-31 17:08:29
大家好，首次發(fā)帖。本人為意法半導(dǎo)體工程師，因?yàn)橄旅嬉粋€(gè)molding工程師要辭職，繼續(xù)補(bǔ)充新鮮血液。要求：一.熟悉molding制程，需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車(chē)的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
的特性，還因?yàn)槠骷?duì)IGBT的價(jià)格越來(lái)越有競(jìng)爭(zhēng)力，制造商在系統(tǒng)層面引入了長(zhǎng)期投資策略，以確保供應(yīng)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">STPOWER產(chǎn)品組合 毫無(wú)疑問(wèn)，進(jìn)入SiC供應(yīng)商榜首的制造商之一是意法半導(dǎo)體。意法半導(dǎo)體在過(guò)去幾年
2023-02-24 15:03:59
散熱器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等貼片封裝，從而大幅簡(jiǎn)化熱管理。 因此，可以提高開(kāi)關(guān)電源的功率密度，同時(shí)降低系統(tǒng)成本。 繼去年發(fā)布展示有巨大優(yōu)勢(shì)的全新30V硅技術(shù)產(chǎn)品之后
2018-12-06 09:46:29
意法半導(dǎo)體官方的庫(kù)怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
新技術(shù)就可通過(guò)降低RDS（ON）和柵極電荷（Qg），最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開(kāi)關(guān)性能。這樣，MOSFET就能應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程中的高速電壓瞬變（dv/dt）和電流瞬變（di/dt），甚至可在更高的開(kāi)關(guān)頻率下
2011-08-17 14:18:59
ADCSTM32H725ZGT6，V 18664341585,ST/意法半導(dǎo)體，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB閃存，564
2023-10-16 15:52:51
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，該器件經(jīng)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)以最大限度地減小傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，并提升DC-DC轉(zhuǎn)換器的整體效率
2011-05-18 09:09:07704 意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場(chǎng)上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:101277 
意法半導(dǎo)體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管
提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
2017-09-21 16:31:255915 這款 7.6mΩ，60V TO-220 NexFET?功率 MOSFET被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。
2019-04-25 08:00:00
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度.doc》資料免費(fèi)下載
2023-12-06 14:39:00308 燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。 意法半導(dǎo)體800V STPOWER MDmesh K6系列，為這種超級(jí)結(jié)晶體管技術(shù)樹(shù)立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉?biāo)桿。MDmesh K6 的RDS
2021-10-28 10:41:251491 意法半導(dǎo)體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開(kāi)關(guān)式電源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41:471214 SiC FET 速度極快，邊緣速率為 50 V/ns 或更高，這對(duì)于最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗非常有用，但由此產(chǎn)生的 di/dt 可能達(dá)到每納秒數(shù)安培。這會(huì)通過(guò)封裝和電路電感產(chǎn)生高電平的電壓過(guò)沖和隨后
2022-08-04 09:30:05729 
如何最大限度減少線纜設(shè)計(jì)中的串?dāng)_
2022-11-07 08:07:261 如何最大限度地提高電子設(shè)備中能量收集的效率
2022-12-30 09:40:14614 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度提高∑-? ADC驅(qū)動(dòng)器的性能.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 09:19:340
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