半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導(dǎo)體在過去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計和成本效率。5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o線基礎(chǔ)設(shè)施。
2019-08-16 07:57:10
，這一成果標(biāo)志著該校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。（圖片來源：西安郵電大學(xué)官網(wǎng)）近年來，我國在氧化鎵的制備上連續(xù)取得突破性進(jìn)展，從去年的2英寸到6英寸，再到最新的8英寸，氧化鎵制備技術(shù)越來越
2023-03-15 11:09:59
請教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能支撐未來的發(fā)展相比于2009年今年全球半導(dǎo)體 業(yè)的態(tài)勢好了許多,但是仍有少部分人提出質(zhì)疑,2010年有那么好嗎？即具備條件了嗎？在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會上(ISS),有些
2010-02-26 14:52:33
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無線電（名詞解釋） 4半導(dǎo)體工藝的4個主要步驟： 4簡敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
獨立融資。調(diào)整后，小米將持有南京大魚半導(dǎo)體25%股權(quán)，團(tuán)隊集體持股75%。南京大魚半導(dǎo)體將專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域的AI和IoT芯片與解決方案的技術(shù)研發(fā)，而松果將繼續(xù)專注手機(jī)SoC芯片和AI芯片研發(fā)。松果電子...
2021-07-29 08:10:33
獨立融資。調(diào)整后，小米將持有南京大魚半導(dǎo)體25%股權(quán)，團(tuán)隊集體持股75%。南京大魚半導(dǎo)體將專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域的AI和IoT芯片與解決方案的技術(shù)研發(fā)，而松果將繼續(xù)專注手機(jī)SoC芯片和AI芯片研發(fā)。松果電子...
2021-07-29 07:00:14
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
半導(dǎo)廠商如何跟汽車工業(yè)打交道？未來車用半導(dǎo)體廠商誰來扮演？
2021-05-14 07:19:40
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會
2019-03-14 06:45:11
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇?！ ∩罡h(huán)?！ 榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。
2019-09-02 06:41:17
限制層，為像GaN材料體系這樣性質(zhì)差異大的半導(dǎo)體激光器提供了新的研究思路，有望進(jìn)一步提高氮化鎵激光器性能。 未來GaN基藍(lán)光激光器的效率將進(jìn)一步提升，接近GaAs基紅外激光器的電光轉(zhuǎn)化效率
2020-11-27 16:32:53
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場和應(yīng)用領(lǐng)域的計劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點，未來會將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)模化和出色運(yùn)營完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計電子產(chǎn)品方案鈺泰，智融，賽芯微一級代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報價、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及，使
2021-11-28 11:16:55
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機(jī)
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
的優(yōu)勢，近年來在功率器件市場大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術(shù)的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
由于換了三星手機(jī)，之前的充電器都不支持快充了，一直想找一款手機(jī)電腦都能用的快充充電器，「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器，這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
的開路條件下被光蝕刻。 介紹近年來，氮化鎵和相關(guān)氮化物半導(dǎo)體在藍(lán)綠色發(fā)光二極管、激光二極管和高溫大功率電子器件中的應(yīng)用備受關(guān)注。蝕刻組成材料的有效工藝的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不尋常的化學(xué)
2021-10-13 14:43:35
Canaccord Genuity預(yù)計，到2025年，電動汽車解決方案中每臺汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
的電壓，其漏極漂移區(qū)為10-20μm，或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而，氮化鎵器件目前仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于約300V/μm的禁帶寬度極限，這為未來的優(yōu)化和改進(jìn)，留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
類型包括硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
的測試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計工程師厘清設(shè)計過程中的諸多細(xì)節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
? 至10m?）的分立MOSFET和模塊、用于電動汽車輔助系統(tǒng)的600至1200V智能功率模塊（IPM）、和用于泵及電機(jī)的各種40 V至60 V MOSFET。展望未來，安森美半導(dǎo)體電源方案部正擴(kuò)展針對
2018-10-25 08:53:48
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
帶半導(dǎo)體，相比常規(guī)的硅材料，開關(guān)速度更快，具有更高的耐壓。在降低電阻的同時，還能提供更高的過電壓保護(hù)能力，防止過壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化鎵開關(guān)管取代兩顆串聯(lián)的硅MOS，氮化鎵低阻抗優(yōu)勢可以
2023-02-21 16:13:41
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過程相結(jié)合，以更低的成本進(jìn)行廣泛使用，從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。尤其對擁有核心技術(shù)、研發(fā)實力及品牌競爭力的企業(yè)來說，發(fā)展的同時更是取得了市場競爭的絕對優(yōu)勢。對于我國LED產(chǎn)業(yè)來說，企業(yè)如何彌補(bǔ)產(chǎn)業(yè)不足，發(fā)揮自己的優(yōu)勢，是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來
2016-03-03 16:44:05
，其中第一梯隊有英諾賽科、納微、EPC等代表企業(yè)。其中英諾賽科是目前全球首家采用8英寸增強(qiáng)型硅氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè)，也是躋身氮化鎵產(chǎn)業(yè)第一梯隊的國產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)代表。
2019-07-05 04:20:06
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
半導(dǎo)體的應(yīng)用層出不窮。包括氮化鎵和碳化硅的功率器件，未來也會發(fā)揮重要作用，這里面我就不多說了，“國家機(jī)密，以人民的名義”。（2）5G通訊硅材料作為通訊材料的老大哥，干到現(xiàn)在，真是有些干不動了，即便使出
2017-05-15 17:09:48
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
公司名稱：蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司公司地址：蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號公司電話：0512-62872541蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備
2016-10-26 17:05:04
的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類
2016-11-27 22:34:51
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
了當(dāng)時功率半導(dǎo)體界的一項大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對于強(qiáng)大耐用的射頻放大器在當(dāng)時新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達(dá)了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
半導(dǎo)體（Navitas）今日市值也就9.4億美元，而且包括了第三代半導(dǎo)體的另一重要組成部分、收購自GeneSiC的碳化硅業(yè)務(wù)（想要更多了解的讀者可以參考《從納微看半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并購》）。僅有氮化鎵業(yè)務(wù)
2023-03-03 16:48:40
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
TI，我們不斷工作，在憧憬著未來美好生活的同時，我們也努力盡早實現(xiàn)這些未來的技術(shù)。感覺不到散熱GaN是將鎵元素和氮元素這兩個元素組合在一起而創(chuàng)造出來的一款超快速的半導(dǎo)體材料。在很多年間，硅材料一直在
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
2023-02-07 09:36:56
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