納微氮化鎵功率芯片助力 Dell Latitude 系列筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快充

　　Gallium Nitride delivers size， weight and CO2-reduction benefits to Dell users

　　氮化鎵材料使戴爾用戶擁有更輕、更小的充電，同時(shí)減少排放二氧化碳

　　加利福尼亞州埃爾塞貢多 – 2021 年 12 月 17 日 — 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快充。

　　氮化鎵 （GaN） 是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快 20 倍，實(shí)現(xiàn)了 3 倍功率的提升以及節(jié)省了 40% 的能耗，但尺寸和重量減半。 納微的 GaNFast? 功率 IC 集成了氮化鎵功率器件、驅(qū)動(dòng)器以及保護(hù)控制電路，以提供簡單、小巧、快速的產(chǎn)品和高效的性能。 納微擁有 130 多項(xiàng)已申請(qǐng)或正在申請(qǐng)的專利，包括專有工藝設(shè)計(jì)套件 （PDK） 在內(nèi)的重要IP，其在下一代氮化鎵功率 IC 領(lǐng)域處于多年領(lǐng)先地位。

　　戴爾全新的 60W氮化鎵快充是除傳統(tǒng)硅適配器之外，筆記本“內(nèi)置”的可供升級(jí)的適配器選項(xiàng)，現(xiàn)已發(fā)貨。這款適配器的尺寸僅為 66 x 55 x 22 毫米（94 cc），重量僅為 175 克，比上一代硅充電器小 50%，輕 25%。

　　氮化鎵功率芯片的二氧化碳足跡比傳統(tǒng)硅芯片低 4 到 10 倍。納微估計(jì)，GaNFast 氮化鎵功率 IC 使戴爾能夠?qū)⑵溥m配器的二氧化碳總排放（包括制造、運(yùn)輸和使用過程中產(chǎn)生的）減少近 30%。

　　納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Gene Sheridan 表示：“戴爾的消費(fèi)者欣賞技術(shù)創(chuàng)新、性能和質(zhì)量優(yōu)異的領(lǐng)先技術(shù)，同時(shí)他們也欣賞 GaNFast 氮化鎵技術(shù)為地球帶來的顯著益處。事實(shí)上，每一枚交付的 GaNFast 功率芯片都能夠減少 4 公斤的二氧化碳排放量?！?/p>

　　在高速有源鉗位反激 （ACF） 拓?fù)浼軜?gòu)下，戴爾適配器中采用了兩個(gè) GaNFast 功率芯片（NV6115、NV6117），同時(shí)使用先進(jìn)的平面變壓器，從而誕生了這顆厚度僅僅22 毫米的纖薄的適配器。